431 research outputs found
TINJAUAN POLITIK HUKUM ISLAM TERHADAP SEMA NOMOR 2 TAHUN 2023
No full textMarriage registration occurs because of a court order. With the stipulation from the court, the decision that the judge will give will vary, some will grant the application and some will reject the application. Thus, the Supreme Court recently issued Supreme Court Circular Letter (SEMA) No. 2 of 2023 concerning Guidelines for Judges in Adjudicating Cases of Applications for Registration of Marriages between People of Different Religions and Beliefs which aims to end problems related to interfaith marriages. However, the issuance of SEMA No. 2 of 2023 still causes tension in the community due to political intervention in the issuance of SEMA No. 2 of 2023. This type of research is field research. As for answering research questions, the author uses a legal political approach with the theory of Policy Analysis. The author analyzes the politics of Islamic law against SEMA No. 2 of 2023. This thesis uses a qualitative method, while in collecting primary data the author conducts interviews with the Chairman of the Supreme Court Chamber of the Republic of Indonesia. While the secondary data the author obtains from various other sources to complement the research needs. This research reveals that there are factors in the emergence of SEMA No. 2 of 2023. The background of the issuance of SEMA No. 2 of 2023 has several factors. First, the factors for the emergence of SEMA No. 2 of 2023 are due to the variety of judges' decisions in adjudicating cases of applications for registration of marriages between people of different religions, some judges reject the application and some judges grant the application. Second, the emergence of SEMA No. 2 of 2023 was due to political intervention, namely the arrival of the Deputy Chairman of the MPR RI from the PAN faction who asked the Supreme Court to cancel the judge's decision that granted the application for registration of marriages between people of different religions. The issuance of SEMA No. 2 of 2023 concerning Guidelines for Judges in Adjudicating Cases of Application for Registration of Marriages between People of Different Religions was due to political intervention. In SEMA No. 2 of 2023, there was already a Working Group Meeting attended by religious assemblies, Supreme Court judges, family law experts, and so on. But this SEMA also has political intervention from Yandri Susanto's presence at the Supreme Court to ask for legal certainty in the practice of interfaith marriage. In this case, the state has the right to intervene like the Zakat Law and the Hajj Law. The state is not here to limit people's beliefs but has the aim that people's religious expressions do not deviate from their respective teachings
Regulasi Nikah Beda Agama Dalam Sema Nomor 2 Tahun 2023 : Perspektif Maqāṣid al-Syarī‘ah Ibn ‘Āsyūr
No full textIn 2023 the Supreme Court issued Supreme Court Circular Letter (SEMA) Number 2 of 2023 concerning Instructions for Judges in Adjudicating Cases on Applications for Registration of Marriages Between People of Different Religions and Beliefs . SEMA sparked a polemic because it was considered discriminatory and lacked urgency. This research was conducted to explore the actual regulations for interfaith marriages in SEMA Number 2 of 2023 from the perspective of MaqÄá¹£id SyarÄ«'ah Ibnu 'Ä€syÅ«r. In an effort to answer the perceived discriminatory policies contained in SEMA Number 2 of 2023 the author uses 4 bases of Ibn Asyur's MaqÄá¹£id asy-SyarÄ«'ah. The concept of MaqÄá¹£id ash-SyarÄ«'ah 'Ammah and Ibn Asyur's level of Maslahah will be used to formulate and track the level of urgency in promulgating SEMA Number 2 of 2023 through the benefits contained therein. In this process the author will use the statute approach and conceptual approach, with descriptive analysis. The research results show that the urgency of promulgating SEMA Number 2 of 2023 in the Indonesian context, according to the author, is at the level of hajiyat benefits . Meanwhile, efforts to enforce or supremacy of law through SEMA Number 2 of 2023 will be less effective. Apart from that, SEMA Number 2 of 2023 is considered to be less than fully successful in providing social stability and resilience to the justice-seeking community as desired by Ibnu Asyur through legal supremacy efforts
Sema Kaygusuz: From short story to novel
No full textBu çalışmanın amacı, Türk edebiyatının yeni kuşak yazarlarından olan Sema Kaygusuz'un edebiyat serüvenini, yayımladığı ilk üç öykü kitabı ve yazdığı iki romanla birlikte incelemektir. Yazarın iki romanı ve seçilen dokuz öyküsü, kurduğu dil, karakterler, tekrar eden temalar ve biçem açısından ele alınarak öykü ve roman anlayışı ortaya koyulmuştur. Türk edebiyatında 1990'ların sonunda yerini almaya başlayan yazarlardan biri olan Sema Kaygusuz, kendi edebiyat anlayışını oluşturmuş ve kendi dil evrenini kurarak yenilikçi ve deneysel biçimlerde eserler vermiştir. Sema Kaygusuz'un öykü anlayışında öyküler olaylara değil kırılma anlarına odaklanır, insanlık durumlarıyla ilgilidir. İnsanın doğayla ilişkisini merkeze alarak kurguladığı romanlarında ise yazar, kadim hikâyelere, kutsal metinlere, mistik ve tarihi kişiliklere yer verir; romanlarını adeta iç içe geçmiş hikâyelerle oluşturur. Zaman ve mekândan bağımsız olarak oluşturulmaları metinlerine aynı zamanda evrensellik de katar.The purpose of this study is to explore Sema Kaygusuz?s literary journey with reference to her two novels and three short story collections published to date. To depict her perception of novel and story, the verbal construction, characters and repetitive themes and stylistics have been analyzed in her two novels and nine stories. Sema Kaygusuz, a new generation author emerging on the literary scene at the end of the 1990s, set her own understanding of literature and by creating her own world of language she produced innovative and experimental works. The story-making process of Sema Kaygusuz emphasizes not on the plot but on the moments of breaking and is related to the state of humanity. Her novels, woven with man?s relation with nature, are built upon ancient stories, sacred texts, mystical and historical personalities, and seem to have been culminated upon stories intertwined. Her works achieve universality by their independent construction from time and space
A review on short story writing of Sema Kaygusuz
No full textYüksek Lisans TeziModern Türk edebiyatının yaşayan kadın yazarlarından biri olan Sema Kaygusuz, öykü, roman, deneme, oyun gibi pek çok edebi türde eserler kaleme almış üretken bir yazardır. Bu çalışmanın amacı Sema Kaygusuz'un öykülerini ve edebiyat serüvenini inceleyerek Sema Kaygusuz öykücülüğünün özellikleri hakkında çeşitli çıkarımlar elde etmektir. Edebiyat dünyasına öykü türüyle giriş yapan Kaygusuz, 90'lı yılların sonunda ortaya çıkan ve adından söz ettiren bir yazardır. İlk öykü kitabı Ortadan Yarısından ve ikinci öykü kitabı Sandık Lekesi ile önemli ödülleri alan yazar küçük yaşlarda başladığı öykü serüvenine halen devam etmektedir. 90 kuşağı öykücülüğü içerisinde değerlendirilen Kaygusuz bu dönemde kendine özgü bir öykü tarzı yakalamış ve yenilikçi bir edebiyat anlayışı geliştirmiştir. Kaygusuz öykülerinde, modern insanın yalnızlığını, insanın doğayla olan ilişkisini, kenti, sokakları ve Anadolu insanını anlatırken olaylardan çok kırılma anlarına yoğunlaşmış ve tek etki bırakma derdinde olmuştur. Kaygusuz öykülerinde güncel olaylardan uzak durmuş, toplumda yaşanan acıları doğrudan ifade etmektense bunları kavramsallaştırarak anlatmış ve hep "şimdi"yi yakalamayı amaçlamıştır. Yazar öykülerinde kullandığı üslup ile standart dilin sınırları dışına çıkmış, dilin imkanlarını zorlamış ve kendi dil evrenini yaratmıştır. Çalışmamızda, Sema Kaygusuz'un yazın dünyasını etkileyen hayatı, eserleri, edebi kişiliği, öykü anlayışı ele alınmış ve Kaygusuz'un dört öykü kitabındaki öyküler tema ve yapı bakımından incelenmiştir. Ulaşılan sonuçlarla Kaygusuz'un Türk öykücülüğü içindeki yeri saptanmıştır.Kaygusuz who entered the literary world with the genre of story, is a writer who emerged in the late 90s and made a name for herself. The author, who won important awards from her first short story book, Mid-Half, and her second short story book, Sandık Stain, continues her story adventure which she started at a young age. In this period, Kaygusuz, who was evaluated within the 90th generation of storytelling, captured a unique style of story and developed an innovative understanding of literature. In her stories Kaygusuz told the loneliness of modern man, her relationship with nature, city, streets and Anatolian people, she focused on moments of breaking rather than events and she was concerned about leaving only one effect. In her short stories, Kaygusuz avoided current events, conceptualized them rather than directly expressing the pain experienced in society and always aimed to catch the "now.. The author went beyond the boundaries of the standard language with the style she used in her stories, pushed the possibilities of the language and created her own language universe. In our study, Sema Kaygusuz's life, works, literary personality and story understanding that affect the world of literature were discussed and the stories in Kaygusuz's four story books were examined in terms of theme and structure. According to the results, the place of Kaygusuz in Turkish storytelling was determined
Epıtaxıally Growth Of Gan-Pın Sensor And Characterızatıons
No full textFoto-diyotlar, elektromanyetik sinyali elektrik sinyaline dönüştüren yarı iletkenlerdir. Foto-diyotlar, ters besleme bölgesinde çalışırlar. Yarı iletkenin yasak enerji aralığına eşit veya daha fazla enerjiye sahip bir foton yarı iletken ile etkileştiğinde malzemede elektron-deşik çifti oluşturur. Elektron-deşik çifti üzerine yeteri kadar büyük bir elektrik alan uygulandığında deşikler katoda doğru, elektronlar anoda doğru hareket ederek akım oluştururlar. Oluşan akım karanlık akım ve foto-akım toplamıdır. Foto-diyotlar, kızıl ötesi bölgesinden X-ışını bölgesine kadar oldukça geniş bir aralıkta çalışabilirler. Bu tez çalışmasında Galyum Nitrat (GaN) tabanlı p-i-n epitaksiyel yapısı Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) sistemi kullanılarak safir alttaş üzerine büyütülmüştür. Büyütülen epitaksiyel yapının karakterizasyonu X-ışını kırınımı, Atomik Kuvvet Mikroskobu, Foto-Lüminesans ve Hall etkisi sistemleri kullanılarak yapılmıştır. Mikro fabrikasyon yöntemleri kullanılarak büyütülen epitaksiyel yapı üzerinde aygıt üretimi yapılmıştır. Üretimi yapılan aygıtların karanlık akım, foto-akım, tepkisellik ve kuantum verimliliği ölçümleri yapılarak aygıt performansı araştırılmıştır. Elektriksel ölçümlerde dalga formundaki radyasyon için mor ötesi, parçacık formundaki radyasyon için e- yüklü beta radyasyonu kullanılmıştır. Ters besleme bölgesinde iç kazancın olmadığı durumda tepkisellik değeri ~0,12 A/W olarak bulunmuştur. Bu bölgede kuantum verimliliği ~% 60 seviyesindedir. Beta radyasyonu altında tüm ters besleme gerilimlerinde iyonizasyonun fazla olması nedeni ile iç kazancın yüksek olduğu gözlenmiştir. İç kazancın yüksek olması nedeni ile aygıtın beta radyasyonu altında cevaplılığı ~0,12 A/W olarak ölçülmüştür. İyonizasyonun çok olması nedeni ile aygıtın kuantum verimliliği % 105 değerine kadar ulaşmıştır. Bu durumda, enerjisi 17 keV olan tek bir beta parçacığı aygıt içerisinde yaklaşık 1000 adet elektron-deşik çifti oluşturabilirPhotodiodes are semiconductor devices that convert light into electrical signal. When a photon with the energy equals to the band gap or more than the band gap of semiconductor strikes to photodiode creates an electron-hole pair. If sufficient electrical field is applied, current occurs by moving of electron and holes toward to anode and cathode, respectively. This current is sum of dark-current and photo-current. Photodiodes can be operated in a wide-ranged spectrum such as from infrared to X-rays. In this thesis, the GaN based p-i-n structure was growth epitaxially on sapphire substrate using Metal Organic Chemical Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) technique. The GaN-p-i-n structure was investigated with various characterization tools such as X-ray diffraction system, Atomic Force Microscopy (AFM), Photoluminescence Mapper (PL) and Hall-effect measurement. The photodiode devices were produced on wafer which is grown using microfabrication techniques. The produced photodiodes are investigated in terms of photodiode performance such as dark-current, photo-current, responsivity and quantum-efficiency. During electrical measurements, Ultraviolet light was used as wave form radiation and e- charged beta particle was used as particle radiation. In the UV experiments, responsivity of the device was obtained as ~0,12 A/W in the reverse-bias region without internal gain. In this region, quantum efficiency is approximately % 60. Under the Beta-radiation conditions, high internal-gain was observed in all reverse-bias voltages due to highly ionizing-effect. Due to high internal-gain, responsivity of device was measured as ~0,12 A/W under the beta-radiation. The calculated quantum-efficiency of the devices was reached to 105 % due to highly ionizing-effect. In this case, it was observed that a single beta-particle with 17 keV energy can create approximately one thousand electron-hole pair in the device
Investıgatıon Of Electrıcal Propertıes Of Al/Ma/P-Si Structures Wıth Dıfferent Methods
No full textAl/maleicanhidrit(MA)/p-Si metal-polimer-yarı iletken (MPS) diyotlar, bir organik filmin p-Si tipi bir silisyum alttabaka üzerine dönerek kaplama yöntemiyle hazırlanmıştır. Termal buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar oluşturulduktan sonra yapıların oda sıcaklığında ve karanlık ortamda gerilime bağlı akım, kapasitans ve iletkenlik 1MHz değerleri ölçümleri yapılmıştır. İdealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (ΦB) ve seri direnç gibi ileri IV özelliklerinden diyot parametreleri dört farklı yöntemle analiz edilmiştir. Bu yöntemler standart IV karakteristikleri, Cheung, Norde, Lien-SoNicolet ve Werner yöntemleridir. Bu yöntemlerden elde edilen idealite faktörü, seri direnç ve bariyer yükseklik değerleri karşılaştırılarak tartışılmıştır. Metal/polimer/yarı iletkenlerin elektriksel özelliklerini açıklamak için MPS yapılarında kapasitans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) özelliklerinden yoğunluk ve seri direnç ara yüzey durumlarının araştırılması yapılmıştır.Arayüzey durum yoğunluğu Dit ve seri direnç Rs değerleri, C ve G ölçümlerinden hesaplanmıştır.I-V ve C-V karakteristiklerin ideal olmayan davranışlerı, arayüzey durumlarından ve seri direnç değerlerinden kaynaklanır. MPS yapıların I-V, C-V-f ve G-V-f karakteristikleri, diyotun bariyer yüksekliğine, arayüzey durumlarına ve seri direnç değerleri gibi elektriksel parametrelerine güçlü bir şekilde bağlı olduğu gösterildiAl/maleic anhydride (MA)/p-Si metalpolymersemiconductor (MPS) diodes have been prepared by spincoating of an organic film on p-Si substrate. After formation of omic and rectifier contacts by thermal evaporation technique the voltage dependent current, capacitance and conductivity measurements (1MHz) of structures have been performed at room temperature and in a dark environment. The diode parameters from the forward IV characteristics such as the ideality factor (n), barrier height (ΦB)and series resistance have been analyzed by four different methods. These methods are standard IV characteristics, Cheung, Norde, LienSoNicolet and Werner methods. The ideality factor, series resistance and barrier height values obtained from these methods have been compared and discussed in accordance with each other. The investigation of interface states density and series resistance from capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics in the MPS structures with thin interfacial insulator layer have been reported in order to explain the electrical characteristics of metal/polymer/semiconductor (MPS) with Maleic anhydride (MA) interface. The values of interface states density Ditand series resistance Rs were calculated from measurements of C and G. These values of Dit and Rs were responsible for the non-ideal behavior of I-V and C-V characteristics. TheI-V, C-V-f and G-V-f characteristics confirmed that the barrier height, Dit and Rs of the diode were shown parameters that strongly dependent on the electrical parameters in the MPS structure
Investigation of electricity properties of metal oxidesemiconductor doped lead oxide
No full textBu çalışmada Al/PbO/p-Si (MOS) yapıların fabrikasyonu yapıldı. Al/PbO/p-Si yapıların akım-voltaj, kapasitans-voltaj ve iletkenlik-voltaj karakteristikleri oda sıcaklığında ve karanlık ortamda ölçüldü. Al/PbO/p-Si yapıların satürasyon akımı, ideallik faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç gibi diyot parametreleri düz besleme akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinden termoiyonik emisyon teorisi kullanılarak hesaplandı. Al/PbO/p-Si yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G-V) ölçümleri oda sıcaklığında 10kHz-1MHz frekans aralığında ölçüldü. Deneysel sonuçlar, C ve G değerlerinin frekans arttıkça azaldığını gösterdi. C ve G değerlerinde düşük frekanslarda görülen bu davranışın Si/PbO arayüzeyinde meydana gelen arayüzey durumlarından kaynaklandığı tespit edildi.In this study, Al/PbO/p-Si structures were fabricated. Their current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics of these structures were measured at room temperature and in the dark. Ideality factor, series resistance, barrier height and flat band barrier height of Al/PbO/p-Si structures were calculated from the forward bias I-V characteristics by using thermionic emission theory. The C-V and G-V measurements of the Al/PbO/p-Si structures were measured in the frequency range of 10 kHz - 1 MHz at room temperature. Experimental results showed that both the values of C and G decreased as the frequency increased. Such behavior of C and G at low frequencies resulted from the existence of interface states at Si/PbO interface
Interface Characterızatıon Of Mıs Structures
No full textAl/ZnO/p-Si Schottky diyolar hazırlanarak akım-gerilim (I-V), kapasite-gerilim (C-V) ve iletim-gerilim (G-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ve karanlık ortamda ölçüldü. Al/ZnO/p-Si Schottky diyotların satürasyon akımı (I0), ideallik faktörü (n), bariyer yüksekliği (ΦB) ve seri direç (Rs) parametreleri termoiyonik emisyon teorisi kullanılarak elde edilen düz beslem I-V karakteristikleri ile hesaplandı. Elde edilen n, ΦB and Rs (Cheung methodu kullanılarak) verilerinin, dV/dLn(I)-I ve H(I)-I fonksiyonları için; 0,60-0,70 eV, 0.51-0.802 eV aralığında, 1.46,3-3.19 k ve 1.5-3.62 k aralığında değiştiği gözlemlendi. Al/ZnO/p-Si yapıların frekansa bağlı kapasite-gerilim (C-V) ve iletim-gerilim (G-V) karakteristikleri seri dirençler (Rs) ile arayüzey durumları (Nss) etkileri göz önünde bulundurularak incelendi. Al/ZnO/p-Si yapıların C-V ve G-V ölçümleri oda sıcaklığında 30kHz-1 MHz frekans aralığında yapıldı. Deneysel sonuçlar, C ve G değerlerinin frekans arttıkça azaldığını gösterdi. C ve G değerlerinde düşük frekanslarda görülen bu davranışın Si/ZnO arayüzeyinde meydana gelen Nss değerinden kaynaklandığı tespit edildi. Böylelikle numuneden Cc ve Gc değerlerini elde etmek için Rs etkisi göz önünde bulundurularak düz beslem ve ters beslem için de yüksek frekansta Cm and Gm/w değerleri ölçüldü. Sıfır beslem altında her bir frekansta, Rs değerinin anormal derecede pik yaptığı görüldü. C-2-V eğrisi her bir frekans değeri için geniş bir beslem aralığında lineer bir davranış sergiledi. Katkılama yoğunluğu NA, tüketim katmanı genişliği WD ve bariyer yükseliği ΦB değerleri C-2-V eğrisinden elde edildi.Al/ZnO/p-Si Schottky diodes were prepared in the same conditions and their current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics were measured at room temperature and in the dark. The characteristic parameters such as saturation current (I0), ideality factor (n), barrier height (ΦB) and series resistance (Rs) of the Al/ZnO/p-Si Schottky diodes were determined from the forward bias I-V characteristics by using thermionic emission theory. . The obtained values of n, ΦB and Rs (Cheung method) were changed in the ranges 0,60-0,70 eV, 0.51-0.802 eV and 1.46,3-3.19 k ve 1.5-3.62 k for dV/dLn(I)-I ve H(I)-I functions respectively. The frequency- dependent capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) characteristics of the Al/ZnO/p-Si structures were investigated by considering series resistance (RS) and interface states (Nss) effects. The C-V and G-V measurements of the Al/ZnO/p-Si structures were carried out in the frequency range of 30kHz-1 MHz at room temperature. Experimental results showed that both the values of C and G decreased as the frequency increased. Such behavior of C and G at low frequencies resulted from the existence of Nss at Si/ZnO2 interface. The effect of Rs on the C and G were found noticeable at high frequency. Therefore, the high frequencies Cm and Gm/w values measured under both forward and reverse bias were corrected for the effect of Rs to obtain the real Cc and Gc values from the sample. The profile of Rs exhibits an anomalous peak at each frequency about at zero-bias. The C-2-V plots displayed a linear behavior in a wide bias voltage region for each frequency value. The values of doping concentration NA, depletion layer width WD and barrier height ΦB were obtained from C-2-V plots
Investıgatıon Of Gamma Radıatıon Effect On Pmma/Pbo Structure
No full textBu tez çalışmasında, Polimetil Metakrilat (PMMA) / Kurşunoksit (PbO) ara yüzeyli yapıların iyonize radyasyona bağlı temel elektriksel parametrelerindeki değişimler incelenmiştir. Bunun için p tipi bir silisyum alttabaka üzerine öce PbO arayüzey tabakası Termal buharlaştırma yöntemiyle kaplanmasının ardından PMMA organik yapısı dönerek kaplama yöntemiyle ince film şeklinde kaplanarak metal/oksit/organik/inorganik yapılar oluşturulmuştur. Termal buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar oluşturulduktan sonra yapıların oda sıcaklığında ve karanlık ortamda akım-gerilim değerleri ölçümleri yapılmıştır. Ölçümlerden elde edilen veriler yardımıyla yapının temel diyot parametreleri farklı teknikler kulanılarak incelenmiştir. Karakterizasyon işlemleri sonrasında yapılar, 60Co gamma kaynağı kullanılarak 30kGy'lik gamma ışınlarına maruz bırakılmış, ışınlanma sonrası aygıtın temel parametrelerindeki değişimleri incelemek amacıyla karakterizasyon işlemleri tekrarlanmıştır. Radyasyonun metal/oksit/organik/ yapıları üzerine elektriksel parametreleri etkisini incelemek için Standart, Cheung metotları kullanılmıştır. Yapının radyasyon öncesi ve sonrası akım-gerilim eğrileri Schottky tipi davranış göstermiştir. İyonize radyasyon sonrası yapıların ideallik faktöründe azalma, seri direnç değerlerinde ise artma meydana gelmiştir. Bu durum radyasyonun meydana getirdiği seri direnç etkilerine ve alıcı benzeri arayüzey tuzaklarının oluşmasına atfedilmiştirWe have investigated the effects of 60Co gamma-ray irradiation on the electrical properties the composite structure of the poly (methyl methacrylate) /leadoxide nanoparticle (PMMA/PbO). For this purpose, PbO interface layer was coated on a p-type silicon substrate by thermal evaporation technique and PMMA organic structure has grown on oxide/ p-type silicon substrate as a thin film by using spin coating method to form metal /oxide/organic structures. After formation of ohmic and rectifier contacts by thermal evaporation technique the voltage dependent current measurements of structures have been performed at room temperature and in a dark environment. By means of obtained data from the measurements the basic diode parameters have been examined using different techniques. After characterization process, the structures have been exposed to gamma rays of 30 kGy using a 60Co gamma source and the characterization process have been repeated in order to examine the changes of basic parameters after radiation. In order to explore the γ-ray effect on electrical parameters of metal /oxide/organic structures Standart and Cheung methods have been used. The voltage dependent current curves of structure have been showed a Schottky type behaviour before and after radiation. While ideality factor has decreased, series resistance has increased after ionized radiation. This case has been attributed to the series resistance effect and formation of acceptor-like interface states generated by radiation
Türkiye' de hortum olayları
No full textGünümüzün önemli sorunlarından bir tanesi de, yer ve atmosfer kökenli doğa olaylarının meydana getirdiği hortumlardır. Hortumlar özellikle okyanuslara kıyısı olan ülkelerde fazlaca görülen bir olay iken, Türkiye’de son yıllarda gerçekleşme sıklığı artmıştır. Sıklığın artışına bağlı olarak, kıyılarda özellikle de seracılık faaliyetlerinin en çok yapıldığı bölümlerde gerçekleşen hortum vakaları, seracılık sektörüne büyük darbe vurmaktadır. Ayrıca yerleşim yerlerini, sebze bahçelerini ve ulaşımı da olumsuz yönde etkilemektedir. Bunların yanı sıra etki alanlarının artmasıyla can kayıplarına da sebep olmaya başlamıştır.
Bu sebeple ülkemizde, özellikle 2000 ile 2019 yılları arasında gerçekleşen hortum vakaları ile ilgili European Severe Weather Database (ESWD)’den alınan veriler sonucu genel bir analiz yapılmıştır. Öncelikle bölgelere göre hortum gerçekleşme sıklığı, mevsimlere dağılışı ve son olarak hem kara hem de deniz üzerinde meydana gelen her iki hortum türü için ortak bir analiz yapılmıştır. Buna göre; 2000-2019 (18.04.2019) yılları arasında toplam 478 hortum kaydına ulaşılmıştır. Hortumların gerçekleşme sıklığını bölgelere göre sıraladığımızda Akdeniz Bölgesi %51’lik oranla ilk sırada gelmektedir. Burada Antalya ve yakın çevresi hortumun en sık görüldüğü bölümdür. Daha sonra bunu Karadeniz (%17) ve Ege Bölgeleri (%12) ile diğer bölgeler takip etmektedir. Ayrıca en fazla kış mevsiminde gerçekleşen hortumların sayısı, özellikle ocak ayında artma eğilimindedir. Hortumlar sadece kıyı kesimlerinde gerçekleşmemekte karasal iç kesimlerde de oluşabilmektedir. Kıyı kesimlerde hortumlar çoğunlukla sonbahar ve kış aylarında oluşurken, iç kesimlerde ilkbahar ve yaz aylarında oluşmaktadır. Özellikle de buralarda geç ilkbahar, erken yaz döneminde hortumların etkin olduğu söylenebilir. Son yıllarda hortumların gerçekleşme sıklığının artması ve gelecekte de artacak olması sebebiyle gerekli tedbirlerin alınması, insanların bilinçlendirilmesi can ve mal kayıplarının azaltılması açısından oldukça önemlidi
- …
