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AlN/GaN-based MOS-HEMT technology: processing and device results
No full textProcess development of AlN/GaN MOS-HEMTs is presented, along with issues and problems concerning the fabrication processes. The developed technology uses thermally grown Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> as a gate dielectric and surface passivation for devices. Significant improvement in device performance was observed using the following techniques: (1) Ohmic contact optimisation using Al wet etch prior to Ohmic metal deposition and (2) mesa sidewall passivation. DC and RF performance of the fabricated devices will be presented and discussed in this paper
Um modelo eficiente do transistor MOS para o projeto de circuitos VLSI: [dissertação]
No full textDissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.Neste trabalho é detalhada a implementação do modelo ACM do transistor MOS no simulador elétrico ELDO (Mentor Graphics). O código foi escrito em linguagem C utilizando a ferramenta UDM (User Definable Model). A carga de inversão é calculada a partir da equação de carga UCCM utilizando um algoritmo que resolve esta equação com apenas uma iteração e com um erro relativo menor do que 10-7. Através de simulações, o modelo implementado foi confrontado com os demais modelos da nova geração (HiSIM, EKV, BSIM5, SP, MM1 e PSP) tanto no que diz respeito à sua qualidade (simetria, cargas e parâmetros de pequenos sinais) como também no que diz respeito à velocidade da simulação. Os resultados mostram que o modelo ACM é uma poderosa e útil ferramenta para simulação e projeto à mão, pois é constituído por equações compactas e precisas, além de possuir um número reduzido de parâmetros
Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]
No full textDissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.Neste trabalho, é proposto um modelo compacto para não-linearidades em transistores MOS desenvolvido com base nas equações de canal curto do modelo #Advanced Compact MOSFET# (ACM). As maiores vantagens deste modelo são a simplicidade de suas equações e a forma explícita com que se determinam as nãolinearidades do transistor MOS em função do nível de inversão. Além disso, são discutidas as causas físicas de um aumento de linearidade observado em inversão moderada, chamado #Sweet Spot#. Através de medidas, concluiu-se que efeitos de segunda ordem, principalmente a saturação da velocidade dos portadores em transistores de canal curto, são as principais causas do aumento de linearidade observado. In this work, a compact model for nonlinearities in MOS transistors derived from the short-channel equations of the Advanced Compact MOSFET (ACM) is proposed. The main advantages of the referred model are simplicity of the equations and the explicit determination of the nonlinearities of the MOSFET with respect to the inversion level. In addition, the physical causes of a linearity improvement observed in moderate inversion level, called #Sweet Spot#, are discussed. The measurements shown that second order effects, principally the carrier velocity saturation in short-channel transistors, are the main causes of the linearity improvement observed
Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario
No full textDissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico. Inclui apendiceEste trabalho apresenta uma estrutura de transistor MOS composto, formado pela associação em série de dois transistores, sendo que o transistor conectado no terminal de dreno é mais largo do que o transistor conectado no lado da fonte. É mostrado que esta estrutura apresenta características DC idênticas as de um transistor canal longo de largura uniforme. Este transistor composto têmduas grandes vantagens sobre o transistor canal longo equivalente de largura uniforme: economia considerável de área de silício e uma freqüência de ganho unitário mais elevada. Esta estrutura pode ser utilizada para a integração de circuitos analógicos que necessitem de altas velocidade e baixas tensões. A técnica proposta é particularmente adequada para o projeto de circuitos analógicos utilizando a metodologia de "gate-arrays" ("sea-of-transistor")
Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS: [tese]
No full textTese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Engenharia ElétricaDiversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de '80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionais. Esta tese propõe uma abordagem inovadora para a modelagem do descasamento dos transistores de efeito de campo de porta isolada (MOSFETs), chegando a resultados melhores e mais abrangentes que outras propostas já publicadas. Para tanto, as variações microscópicas na corrente que flui pelo dispositivo, resultado das flutuações na concentração de dopantes na região ativa, são contabilizadas levando-se em conta a natureza não-linear do transistor. O resultado é um modelo compacto que prevê o descasamento com grande exatidão e de forma contínua, em todas as condições de operação do transistor, da inversão fraca à forte, e da região linear à saturação, necessitando apenas dois parâmetros de ajuste. Duas versões de circuitos de teste foram desenvolvidas e implementadas em diversas tecnologias, como forma de se obter suporte experimental para o modelo. A versão mais avançada possibilita a caracterização elétrica, de forma totalmente automática, de um grande número de dispositivos. O uso deste modelo substitui com vantagens a tradicional simulação Monte Carlo, que exige grandes recursos computacionais e consome muito tempo, além de oferecer uma excelente ferramenta de projeto manual, como é demonstrado através do desenvolvimento de um conversor digital-analógico, cujo resultado experimental corroborou a metodologia empregada
Mosview
No full textDissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Ciência da Computação.Apresenta-se uma ferramenta gráfica chamada MOSVIEW, com a finalidade de auxiliar no projeto de circuitos analógicos MOS ao nível do transistor, além da possibilidade do uso da ferramenta de forma didática em disciplinas de projeto de circuitos integrados analógicos. A ferramenta foi desenvolvida em C++ Builder 6, com base no modelo ACM, cujas equações são válidas em todas as regiões de operação do transistor. MOSVIEW permite que o usuário visualize e explore o espaço de projeto dos circuitos analógicos básicos
The impact of low energy proton damage on the operational characteristics of EPIC-MOS CCDs
No full textThe University of Tübingen 3.5 MeV Van de Graaf accelerator facility was used to investigate the effect of low energy protons on the performance of the European Photon Imaging Camera (EPIC), metal–oxide semiconductor (MOS), charge coupled devices (CCDs). Two CCDs were irradiated in different parts of their detecting areas using different proton spectra and dose rates. Iron-55 was the calibration source in all cases and was used to measure any increases in charge transfer inefficiency (CTI) and spectral resolution of the CCDs. Additional changes in the CCD bright pixel table and changes in the low X-ray energy response of the device were examined.
The Monte Carlo code Stopping Range of Ions in Matter (SRIM) was used to model the effect of a 10 MeV equivalent fluence of protons interacting with the CCD. Since the non-ionising energy loss (NIEL) function could not be applied effectively at such low proton energies. From the 10 MeV values, the expected CTI degradation could be calculated and then compared to the measured CTI changes
Aplicações de rede MOS divisora de corrente em circuitos integrados analógicos programáveis
No full textGoing Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
No full textThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Teores de C e N nas frações leve livre da matéria orgânica do solo sob diferentes sistemas de pastagens e mata no Cerrado.
No full textO cerrado brasileiro é considerado uma fronteira agrícola, onde aproximadamente 50 Mha são cultivados por pastagens, principalmente as do gênero Brachiaria. A maior parte dessas áreas encontra-se em estado de degradação, devido ao inadequado uso e manejo do solo. Dentre as frações da MOS, a fração leve livre (FLL) é a mais sensível ao manejo adotado, destacando-se como importante indicador da qualidade do solo. O objetivo desse estudo foi avaliar os teores de C e N nas FLL da MOS, sob diferentes sistemas de manejo de pastagens (produtiva e degradada) e de mata nativa, no cerrado. Foram abertas trincheiras e coletadas amostras de terra até 20 cm de profundidade, nos municípios de Chapadão do Sul (MS) e Penápolis (SP). Nas amostras de Terra fina seca ao ar (TFSA) foi realizado o fracionamento físico da MOS e, as frações obtidas foram finamente moídas e analisadas quanto aos teores de C e N. Ao comparar os diferentes sistemas de manejo das pastagens, não foi observado diferença estatística nos teores de C e N nas FLL da MOS nos dois sítios avaliados. Ao comparar a cobertura vegetal, observou-se que as áreas sob pastagens apresentaram menores conteúdos de C e N no sítio de Chapadão do Sul
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