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What Did Matthieu Beroald Transmit to François Béroalde de Verville?
No full text Many tangible and intangible goods were passed down within early modern families. The goods included texts and the knowledge that texts communicated. But how did they relate to the other goods transmitted within families? That question is explored in relation to the scholar Matthieu Beroald and his son François Béroalde de Verville, author of the famous Moyen de parvenir. Matthieu transmitted to François a humanist education, at least one printed volume (probably more), an interest in certain topics (especially chronology), a network of contacts, but little wealth. And François soon donated to his sisters what wealth he did receive. His relationship to his intellectual inheritance from his father was complex and ambivalent. Aspects of François's attitude towards knowledge may have stemmed, via his father, from two grandfather-figures: Matthieu's own father (a barber-surgeon) and Matthieu's relative and benefactor François Vatable (the Hebraicist). </jats:p
Spin injection in Germanium : from metallic to semiconducting ferromagnetic injector
No full textLe développement de nouveaux dispositifs spintroniques à base de semi-conducteurs (SC) nécessite la création d'une population électronique polarisée en spin dans ces matériaux. De ce point de vue, le germanium est un matériau prometteur pour les applications en spintronique à cause de la forte mobilité des porteurs de charge ainsi que de la symétrie d'inversion du cristal diamant à l'origine de temps de vie de spin très longs. Dans ce manuscrit, nous discutons deux approches pour l'injection et la détection électrique de spins dans le germanium. La première approche consiste à utiliser une barrière tunnel et un métal ferromagnétique (FM) comme injecteur de spin. L'insertion d'une barrière tunnel à l'interface FM/SC permet de résoudre le problème fondamental du désaccord de conductivité. Nous avons utilisé deux injecteurs différents : Py/Al2O3 et CoFeB/MgO. Les mesures sont réalisées en géométrie à trois contacts et l'accumulation de spins dans le germanium est démontrée par la mesure de l'effet Hanle. Dans le cas d'une barrière d'Al2O3, les spins injectés s'accumulent sur des états localisés à l'interface oxyde/Ge et cette accumulation est observée jusqu'à 220 K. Dans le cas d'une barrière de MgO, les spins sont réellement injectés dans le canal de Ge et un signal de 20-30 µV est encore observé à température ambiante. Nous discutons dans la deuxième approche l'utilisation du semi-conducteur magnétique (Ge,Mn) comme injecteur de spins dans le Ge. Nous avons tout d'abord étudié les propriétés structurales et magnétiques de films minces de (Ge,Mn) fabriqués par épitaxie par jets moléculaires à basse température. En faisant varier les paramètres de croissance, nous avons pu observer des nanocolonnes de GeMn cristallines ou amorphes, ainsi que des films et des nanoparticules de Ge3Mn5. Nous nous sommes concentrés sur l'anisotropie magnétique de ces nanostructures. Finalement, la croissance de (Ge,Mn) sur GOI a été optimisée en vue de son utilisation comme injecteur de spins dans le germanium et différentes méthodes d'intégration de ce matériau dans les dispositifs de spintronique « tout semi-conducteur » sont discutées.Creation of spin polarization in non-magnetic semiconductors is one of the prerequisite for creation of spintronics based semiconductor devices. Germanium is interesting for spintronics applications due to its high carrier mobilities and its inversion symmetry that gives long spin lifetimes. In this manuscript, we discuss two approaches for electrical spin injection and detection in Germanium. The first approach is to use a tunnel barrier and a ferromagnetic metal as a spin injector. The tunnel barrier at the interface circumvents the conductivity mismatch problem. Two different spin injectors are used: Py/Al2O3 and CoFeB/MgO. The measurements are performed in three-terminal geometry and the proof of spin accumulation is given by Hanle measurements. In case of Al2O3, the spin accumulation is predicted to be in localized states at the oxide/Ge interface and the spin signal is observed up to 220 K. However in MgO based devices, true injection in Ge channel is predicted and spin signal of 20-30 µV is observed at room temperature. The second approach of using ferromagnetic semiconductor (Ge,Mn) as spin injector is also discussed. The structural and magnetic properties of (Ge,Mn) thin-films grown by low-temperature molecular beam epitaxy (LT-MBE) are studied. Depending on the growth parameters, crystalline/amorphous GeMn nanocolumns and Ge3Mn5 thin films or nanoclusters have been observed. Magnetic anisotropy in these nanostructures is also studied. Finally, the growth of (Ge,Mn) films on GOI substrates is shown and different ways to use (Ge,Mn) as a spin injector in Ge are discussed to achieve all-semiconductor based spintronics devices
Optimization of MoSe2 - WSe2 growth by Van der Waals epitaxy for valleytronics
No full textCette thèse a pour objet l’optimisation de la croissance par épitaxie par jets moléculaires dans le régime de van der Waals de couches semi-conductrices bidimensionnelles (2D) de diséléniures de métaux de transition (MoSe2, WSe2) pour les études magnéto-optiques et électriques. Cette optimisation passe par l’amélioration de la qualité cristallographique des couches sur de grandes surfaces en ajustant les paramètres de croissances (température et flux). En particulier, la maîtrise de l’état de surface du substrat est déterminante sur les mécanismes de croissance de ces couches. L’élaboration de ces matériaux de basse dimensionnalité a nécessité l’utilisation de techniques de caractérisation avancées (Diffraction de rayons X en incidence rasante, Microscopie électronique en transmission en mode haute résolution, ect). Dans cette thèse, nous nous sommes concentrés sur deux substrats particuliers : l’oxyde de silicium et le mica. Ils présentent tous les deux la particularité d’être isolants et inertes d’un point de vue électronique, ce qui est indispensable pour sonder les propriétés optiques et électriques intrinsèques des couches 2D. Finalement, nous avons développé les dopages électrique (dopage p) pour la microélectronique et magnétique (dopage Mn) pour la valleytronique.The purpose of this thesis is to optimize growth by molecular beam epitaxy in the van der Waals regime of two-dimensional (2D) semiconductor layers of transition metal diselenides (MoSe2, WSe2) for magneto-optical and electric studies. This optimization involves improving the crystallographic quality of the layers over large areas by adjusting the growth parameters (temperature and flux). In particular, the control of the surface state of the substrate is decisive on the growth mechanisms of these layers. The development of these low-dimensional materials required the use of advanced characterization techniques (Grazing incidence X-ray diffraction, High Resolved Transmission Electronic Microscopy, ect). In this thesis, we focused on two specific substrates : silicon oxide and mica. They both have the particularity of being insulating and inert from an electronic point of view, which is essential to probe the optical and electrical intrinsic properties of 2D layers. Finally, we developed electrical doping (p doping) for microelectronics and magnetic (Mn doping) for valleytronics
Social protection
No full textThis chapter analyses models of social protection. The author (Matthieu Clément) first discusses several recent programmes and proceeds by implementing Esping-Andersen’s analytical framework accounting for the plurality of social protection logics and actors. He finds that the two main dimensions that help differentiate social protection types across countries are the extent of decommodification and the extent of informal social protection. Four models of social protection are identified. Although China, India or Brazil, together with Latin American reformers, all fall into the USA-like liberal type, the other emerging countries fall into the social insecurity model, with migrant remittances playing a key role in bolstering family income in the country of origin. The last two models, which are specific to developing economies, are described in detail
Towards a spin-selective Schottky barrier tunnel transistor.
No full textDiese Arbeit befasst sich mit dem Wachstum von Dünnschichtstrukturen, die zur Herstellung eines Spin-selektiven Schottky-Barrier-Tunneltransistors (SS-SBTT) erforderlich sind. Das Bauelement basiert auf dem Transport von Ladungsträgern durch eine dünne halbleitende (SC) Schicht, die zwei ferromagnetische (FM) Kontakte trennt. Daher müssen hochqualitative und gitterangepasste vertikale FM/SC/FM-Trilayer gezüchtet werden, was aufgrund der inkompatiblen Kristallisationsenergien zwischen SC und Metallen eine experimentelle Herausforderung darstellt. Das Problem wurde mit einem Festphasenepitaxie-Ansatz gelöst, bei dem eine dünne amorphe Ge-Schicht (4-8 nm) durch Ausglühen über Fe3Si auf GaAs(001)-Substraten kristallisiert wird. Langsame Glühgeschwindigkeiten bis zu einer Temperatur von 260°C konnten ein neues gitterangepasstes Polymorph von FeGe2 erzeugen, über das ein zweites Fe3Si mittels Molekularstrahlepitaxie gezüchtet werden könnte. SQUID-Magnetometermessungen zeigen, dass die dreischichtigen Proben in antiparallele Magnetisierungszustände versetzt werden können. Vertikale Spin-Ventil-Bauelemente, die mit verschiedenen Trilayern hergestellt wurden, wurden verwendet, um zu demonstrieren, dass der Ladungstransport über die Heteroübergänge spinselektiv ist und bei Raumtemperatur einen Magnetowiderstand von höchstens 0,3% aufweist. Der Effekt nimmt bei niedrigen Temperaturen ab, was mit einem ferromagnetischen Übergang in der FeGe2-Schicht korreliert. Durch TEM- und XRD-Experimente konnte festgestellt werden, dass das neue FeGe2-Polymorph die Raumgruppe P4mm aufweist und bis zu 17% Si-Atome als Ersatz für Ge-Stellen enthält. Die Isolierung von FeGe2 war möglich, indem das Verhältnis von Fe-, Si- und Ge-Atomen so eingestellt wurde, dass die richtige Stöchiometrie bei vollständiger Durchmischung erreicht wurde. Anhand von FeGe2-Dünnschichten wurde ein zunehmender spezifischer Widerstand bei niedriger Temperatur und ein semi-metallischer Charakter beobachtet.This thesis discusses the growth of thin film structures required to fabricate a Spin-Selective Schottky Barrier Tunnel transistor (SS-SBTT). The device relies on charge carriers being transported through a thin semiconducting (SC) layer separating two ferromagnetic (FM) contacts. Thus, high quality and lattice-matched FM/SC/FM vertical trilayers must be grown, which is experimentally challenging due to incompatible crystallization energies between SC and metals. The problem was solved using a solid-phase epitaxy approach, whereby a thin amorphous layer of Ge (4-8 nm) is crystallized by annealing over Fe3Si on GaAs(001) substrates. Slow annealing rates up to a temperature of 260°C could produce a lattice-matched Ge-rich compound, over which a second Fe3Si could be grown my molecular-beam epitaxy. The compound obtained during annealing is a new layered polymorph of FeGe2. SQUID magnetometry measurements indicate that the trilayer samples can be placed in states of antiparallel magnetization. Vertical spin valve devices created using various trilayers were used to demonstrate that charge transport is spin-selective across the heterojunctions, showing a magnetoresistance of at most 0.3% at room temperature. The effect decreases at low temperature, correlating with a ferromagnetic transition in the FeGe2 layer. TEM and XRD experiments could determine that the new FeGe2 polymorph has a space group P4mm, containing up to 17% Si atoms substituting Ge sites. Isolating FeGe2 was possible by tuning the proportion Fe, Si and Ge atoms required to obtain the right stoichiometry upon full intermixing. Hall bars fabricated on FeGe2 thin films were used to observe an increasing resistivity at low temperature and semimetallic character
Molecular beam epitaxy of van der Waals heterostructures based on ferromagnetic Cr2Te3 for spintronics
No full textUn des buts de la spintronique est d'utiliser le degré de liberté de spin des électrons afin de stocker et d'utiliser des informations. En ce sens, réussir la croissance sur de larges surfaces de matériaux bidimensionnels (2D) ferromagnétiques ayant une haute température de Curie (Tc) et une anisotropie perpendiculaire magnétique est hautement importante pour le développement de capteurs et de mémoires magnétiques ultra-compactes. Le matériau van der Waals (vdW) Cr2Te3 est un candidat prometteur grâce à la bonne qualité des interfaces formées avec d’autres matériaux vdW ou 2D, ainsi que par la possibilité de contrôler ses propriétés magnétiques par des contraintes ou un champ électrique. Pour échantillon massif, la Tc de ce matériau est de 180 K et son axe d’aimantation facile est hors du plan. Premièrement, des caractérisations structurelles et magnétiques d’heterostructures vdW à base de Cr2Te3 sont présentées. La croissance des échantillons a été réalisée par épitaxie par jets moléculaires sur des couches du semi-métal graphene, du semi-conducteur WSe2 ainsi que de l’isolant topologique Bi2Te3. Ces heterostructures ont été étudiées à l’aide de multiples techniques expérimentales telles que la microscopie à force atomique pour vérifier la surface des couches, la spectroscopie Raman et la diffraction aux rayons X pour la structure cristalline, la microscopie par transmission électronique pour imager les interfaces, la rétrodiffusion Rutherford afin de de déterminer précisément la stœchiométrie et enfin par SQUID, MOKE et dichroïsme circulaire magnétique au synchrotron pour les propriétés magnétiques. La dépendance de l’anisotropie magnétique de fines couches (d’une épaisseur de 5 mailles cristallines) en fonction de la structure cristalline est mise en évidence, qui est elle-même déterminée par l’énergie fournie au système durant la croissance. Le choix de la couche 2D sous le Cr2Te3 n’affecte pas la croissance de ce dernier par conséquence des faibles interactions vdW. Dans un second temps, la température de transition de phase magnétique du matériau a été modifiée à la suite de recuits jusqu’à 700°C. Une augmentation de la Tc jusqu’à 250 K a été mesurée et corrélée avec un changement de la stœchiométrie des couches. De plus, des mesures de transport électrique ont été réalisées sur des heterostructures à base de Cr2Te3 afin d’étudier la dépendance de la résistivité transverse dans des barres de Hall en fonction de la structure de bandes du matériau ferromagnétique et de potentiels transferts de charges avec les matériaux 2D à proximité. Enfin, les couples spin-orbites induits par des couches de Bi2Te3 interfacées avec du Cr2Te3 ont été mesurés afin d’obtenir, par des courants électriques, un contrôle et même le retournement de l’aimantation.The field of spintronics aims at using the spin degree of freedom of electrons to store and transport information. In this sense, achieving large-scale growth of two-dimensional (2D) ferromagnetic materials with high Curie temperature (Tc) and perpendicular magnetic anisotropy (PMA) is highly desirable for the development of ultra-compact magnetic sensors and magnetic memories. The van der Waals (vdW) ferromagnet Cr2Te3 appears as a promising candidate due to the high quality of the interfaces formed with other vdW or 2D materials as well as the possibility to tune its magnetic properties by strain or electric field. In the bulk, the Tc of this ferromagnet is 180 K and the easy axis of magnetization is out-of-plane. First, structural and magnetic characterization of vdW heterostructures of Cr2Te3 on 2D materials were carried out. Samples were grown by molecular beam epitaxy (MBE) on the semimetal graphene, the semiconductor WSe2 as well as the topological insulator Bi2Te3. The heterostructures were characterized using a full set of tools ranging from atomic force microscopy (AFM) to study the layer morphology, Raman spectroscopy and x-ray diffraction for the crystal structure, transmission electron microscopy to image the interfaces, Rutherford back scattering (RBS) to determine accurately the stoichiometry and SQUID, MOKE and x-ray magnetic circular dichroism at synchrotron facilities for magnetic properties. The magnetic anisotropy of thin films (5 unit cell thick) is found to be dependent on the crystalline structure that is determined by the energy given to the system during growth. The choice of the 2D template for the epitaxy was found not to affect the crystal structure, due to weak vdW interaction. In a second step, the magnetic ordering temperature of the material was tuned with the help of post-growth annealing up to 700°C. An increase of the Tc up to 250 K was measured, associated to a change of the layers composition. Besides, electrical characterization of vdW heterostructures based on Cr2Te3 was carried out to study the Hall resistivity of the film as a function of the electronic band structure and charge transfer with the 2D material substrate. Spin-orbit torques induced by Bi2Te3 were finally measured for the electrical control and reversal of the magnetization of the 2D ferromagnetic layers
Spin-charge conversion in 2D materials and van der Waals heterostructures
No full textAprès la première exfoliation du graphène en 2004, de nombreux autres matériaux 2D ont été étudiés pour diverses applications, notamment la spintronique, un domaine qui exploite le degré de liberté du spin des électrons par opposition à la charge en électronique. La pierre angulaire de la spintronique fondamentale est le phénomène d'interconversion entre un courant de spin et un courant de charge, plus connu sous le nom de conversion spin-charge (SCC). Les matériaux 2D sont caractérisés par une faible interaction de van der Waals (vdW) entre les couches, ce qui permet de relâcher la contrainte d’accord de paramètre de maille pour l'épitaxie et de produire des hétérostructures vdW complexes. Cela peut également offrir de nouvelles plates-formes de croissance difficilement accessibles aux matériaux 3D conventionnels et, en raison des faibles liaisons vdW, les films produits peuvent être transférés sur un autre substrat. En outre, les matériaux 2D présentent une structure de bande dépendant de l'épaisseur et diverses hétérostructures peuvent être formées, ce qui ouvre la voie à un grand nombre de nouvelles applications en spintronique. Cependant, la plupart des recherches actuelles sont basées sur des flocons exfoliés dont la taille ne dépasse pas quelques dizaines de µm, ce qui limite les possibilités d'intégration. Dans cette thèse, je présente la croissance sur de grandes surfaces de matériaux 2D de haute qualité et d'hétérostructures vdW par épitaxie par jets moléculaires (EJM) et j'étudie les effets SCC par émission THz spintronique sondée par spectroscopie THz dans le domaine temporel. Tout d'abord, des hétérostructures CoFeB/PtSe2 avec une épaisseur variable de PtSe2 ont été étudiées et une transition de l'effet Rashba-Edelstein inverse dans quelques monocouches (ML) à l'effet Hall de spin inverse dans des films plus épais a été observée. C'est la première fois qu'un matériau présente une telle transition. Le second système était une bicouche PtSe2/MoSe2 dans laquelle nous avons observé une bande électronique hybridée présentant une texture de spin opposée à celle de PtSe2. Nous avons ainsi pu démontrer la possibilité d'inverser le signe de l’effet Rashba-Edelstein inverse en insérant une seule couche de MoSe2, ce qui ouvre une nouvelle voie pour moduler l'intensité et le signe de la SCC dans les hétérostructures vdW avec un contrôle à l’échelle de la monocouche. Enfin, la SCC dans quelques couches de PtSe2/MoSe2 a été étudiée en fonction d'un champ électrique externe variable ou rémanent par effet de proximité avec un matériau ferroélectrique 3D. En effet, cette hétérostructure vdW est semi-conductrice avec une efficacité de SCC possiblement plus grande dans les bandes électroniques loin du niveau de Fermi accessibles par l'application d'un champ électrique. Ces résultats nous incitent à explorer davantage le monde des matériaux 2D par divers moyens, tels que les champs électriques, et à rapprocher les matériaux 2D des applications dans le domaine de la spintronique.After the first-time successful exfoliation of graphene in 2004 many more 2D materials have been studied for various applications, including spintronics, a field that exploits the spin degree of freedom of electrons as opposed to the charge in electronics. The cornerstone of fundamental spintronics is the spin current-charge current interconversion phenomena, shortly known as spin-charge conversion (SCC). 2D materials are characterized by weak van der Waals (vdW) interaction between the layers, thus, relaxing the lattice-matching requirement for the epitaxy, enabling to grow complex vdW heterostructures. This can also offer new growth platforms not easily accessible by conventional 3D materials, and, due to the weak nature of the vdW forces, grown films can be transferred onto another substrate. Moreover, 2D materials show thickness dependent band structure and various heterostructures can be formed, opening up a vast number of possibly new physics for spintronic applications that can be explored. However, most of the current research is based on exfoliated flakes that are at most tens of µm in size, limiting their possible implementation for applications. In this thesis, I present large-area growth of high quality 2D materials and vdW heterostructures by molecular beam epitaxy (MBE) and study SCC effects by spintronic THz emission probed by THz time domain spectroscopy. First, CoFeB/PtSe2 heterostructures with varying the thickness of PtSe2 were studied and a transition from the inverse Rashba-Edelstein effect in a few monolayers (ML) to the inverse spin Hall effect in thicker films was observed. This is the first time a material showed such a transition. The second system was PtSe2/MoSe2 bilayer where we observed a hybridized electronic band showing an opposite spin texture to that of PtSe2. By this, we could demonstrate the possibility to reverse the sign of the inverse Rashba-Edelstein effect by inserting a single MoSe2 layer opening up a new route to modulate SCC intensity and sign in vdW heterostructures with monolayer control. Finally, SCC in few layer PtSe2/MoSe2 was investigated as a function of an external electric field either variable or remanent by proximity with a 3D ferroelectric material. Indeed, this vdW heterostructure is semiconducting with possibly larger SCC efficiency in electronic bands far from the Fermi level accessible through the application of an electric field. Those findings push us to explore the world of 2D materials even more by various means, such as electric fields, and bring 2D materials closer to spintronic device applications
L'Ouvrage incomplet sur Matthieu (Opus imperfectum in Matthaeum) et les commentaires en latin sur l'évangile de Matthieu de l'Antiquité. Comparaison exégétique et stylistique ciblée sur la partie A (Mt 1-8)
No full textAs part of the critical edition project of the Incomplete Work on Matthew (Opus imperfectum in Matthaeum, OIM), the present thesis analyzes the links between this anonymous commentary on the Gospel of Matthew, coming from a Riminian subordinationist environment (i.e. “Homean”), and other Latin exegetical works on the same gospel. After recalling, in a state of research, the main characteristics of the corpus taken into account, we carried out a continued exegetical comparison relating to the section Mt 1-8, corresponding to the first part of the OIM, with the fragments remains of the commentary on Matthew by Origen (3rd century), the commentaries on Matthew by Fortunatian of Aquileia and Hilary of Poitiers (mid-4th century), those of Jerome and Chromatius of Aquileia (late 4th century), and the texts by an anonymous Latin author from late Antiquity known as pseudo-Origen. This study was accompanied by a stylistic comparison on certain aspects (appellations of Christ, exegetical vocabulary, personal marks), highlighting the profound originality of the OIM in this regard. The results of this double comparison confirm the deep link of the OIM with Origen's Commentary on Matthew, an influence that the anonymous author shares with Jerome. Furthermore, our study shows for the first time the use in the OIM of the Commentary on Matthew by Chromatius of Aquileia. Finally, the results of the stylistic comparison, accompanied by a theological analysis of the translator's positions, tend to confirm that it is indeed to the author of the OIM that we owe the ancient Latin translation of the Commentary on Matthew of Origen.S'inscrivant dans le projet d'édition critique de l'Ouvrage incomplet sur Matthieu (Opus imperfectum in Matthaeum, OIM), la présente thèse analyse les liens entre ce commentaire anonyme sur l'évangile de Matthieu, provenant d'un milieu subordinationiste riminien (i.e. « homéen »), et d'autres ouvrages exégétiques latins sur le même évangile. Après avoir rappelé, dans un état de la recherche, les principales caractéristiques du corpus pris en compte, nous avons procédé à une comparaison exégétique suivie portant sur la section Mt 1-8, correspondant à la première partie de l'OIM, avec les commentaires sur Matthieu de Fortunatien d'Aquilée et d'Hilaire de Poitiers (milieu IVe siècle), ceux de Jérôme et Chromace d'Aquilée (fin IVe siècle), et les textes d'un auteur latin anonyme de la fin de l'Antiquité surnommé le pseudo-Origène. Cette étude s'est doublée d'une comparaison stylistique sur quelques aspects (appellations du Christ, vocabulaire exégétique, marques de personne), faisant ressortir la profonde originalité de l'OIM à cet égard. Le bilan de cette double comparaison confirme l'influence profonde du Commentaire sur Matthieu d'Origène sur l'OIM, ce qui rapproche l'auteur anonyme de Jérôme. De plus, notre étude met en évidence pour la première fois son utilisation du Commentaire sur Matthieu de Chromace d'Aquilée. Enfin, les résultats de la comparaison stylistique, assortis d'une analyse théologique des positions du traducteur, tendent à confirmer que c'est bien à l'auteur de l'OIM que nous devons l'ancienne traduction latine du Commentaire sur Matthieu d'Origène
Ultrafast carrier dynamics and electronic properties of PtSe2/MoSe2and WSe22D TMDC layered structures on mica: combined THz spectroscopy and DFT study
No full textA detailed investigation of structure, electronic and optical properties of two transition metal dichalcogenide (TMDC) structures is presented in this study. Sample 1 consists of epitaxially grown bilayer of PtSe2 (2 monolayers) on MoSe2 (1 monolayer) deposited on mica substrate – reported here for the first time. Sample 2 comprises a trilayer of WSe2 grown on mica. The photoconductivities of both samples were characterized using optical pump-terahertz probe spectroscopy under above- and near-bandgap excitations at 400 nm and 800 nm. Both structures exhibit rapid carrier generation and relaxation dynamics, with notable variations depending on excitation wavelength and structures. Complementary density functional theory (DFT) calculations are performed to evaluate the electronic and optical properties of free-standing single layers of MoSe2, PtSe2 and WSe2 and their combined structures corresponding to Sample 1 and Sample 2. The experimental results show strong agreement with calculated band structures. This consistency between experiment and theory underscores the potential of these TMDC structures for future applications in terahertz and high-frequency electronic devices
Utilisation de l’intelligence artificielle pour améliorer le diagnostic du mélanome
No full textLe mélanome est un des cancers de la peau les plus agressifs et exige un diagnostic précoce pour optimiser les chances de guérison. Traditionnellement, ce diagnostic repose sur l’expertise visuelle des dermatologues, une méthode sujette à la variabilité et aux erreurs humaines. C’est pourquoi l’intelligence artificielle (IA) s’est imposée comme une solution prometteuse pour améliorer la précision et la rapidité du diagnostic en dermatologie.Cette thèse explore la physiopathologie du mélanome ainsi l’application de l’IA dans son diagnostic, avec un focus sur le système développé par ANAPIX et son algorithme. En utilisant des techniques d’apprentissage automatique, comme les motifs locaux binaires et les machines à vecteurs de support, l’analyse des images dermoscopiques sans segmentation préalable, aide ainsi à différencier les mélanomes des lésions bénignes. Ainsi, en s’appuyant sur une étude, nous nous intéresserons au rôle de l’IA dans l’amélioration du diagnostic du mélanome. Toutefois, l’intégration de l’IA dans la pratique clinique pose des défis, notamment en termes de biais dans les données d’apprentissage, de régulations strictes, et de l’acceptation par les professionnels de santé. L’IA ne peut être utilisée de façon autonome et doit servir d'outil complémentaire à la décision clinique. Les perspectives futures sont néanmoins prometteuses
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