141,873 research outputs found
Potted history
No full textThe Jordan Valley was once populated by a people, now almost forgotten by historians, with whom the pharaoh of Egypt sought favour. That is the conclusion reached by Niels Groot, the first researcher to take a PhD at the Delft-Leiden Centre for Archaeology, Art History and Science
Plangebied Martin Luther Kinglaan, gemeente Utrecht; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek
No full textOpdrachtgever:AxionContinu
Coordinaten: 134.352/454.743
Datum einde onderzoek: 28 oktober 2008, rapportage: 17-11-2008
Projectmedewerkers: drs. S. Warning & drs. R.W. de Groot
Complextype(n): xxx
Datering: xxx
Diversen: Briels, I.R.P.M en R.W. de Groot, Plangebied Martin Luther Kinglaan, gemeente Utrecht; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek. RAAPnotitie 2965 (WEESP, 2008)
Ten behoeve van voorgenomen Bouwwerkzaamhden wordt door Raap Archeologisch Adviesbureau een Inventariserend veldonderzoek uitgevoerd
On Top of the Higgs: A Measurement of the Higgs Boson Production in Association with Top Quarks
No full textContains fulltext :
203087.pdf (Publisher’s version ) (Open Access)Radboud University, 21 mei 2019Promotores : Groot, N. de, Filthaut, F.iii, 248 p
High quality Schottky contacts for limiting leakage currents in Ge-based Schottky barrier MOSFETs
No full textSchottky barrier (SB) Ge channel MOSFETs suffer from high drain-body leakage at the required elevated substrate doping concentrations to suppress source-drain leakage. Here we show that electrodeposited Ni-Ge and NiGe/Ge Schottky diodes on highly doped Ge show low off current, which might make them suitable for SB p-MOSFETs. The Schottky diodes showed rectification of up to 5 orders in magnitude. At low forward biases the overlap of the forward current density curves for the as deposited Ni/n-Ge and NiGe/n-Ge Schottky diodes indicates Fermi-level pinning in the Ge band gap. The SB height for electrons remains virtually constant at 0.52 eV (indicating a hole barrier height of 0.14 eV) under various annealing temperatures. The series resistance decreases with increasing annealing temperature in agreement with four point probe measurements indicating the lower specific resistance of NiGe as compared to Ni, which is crucial for high drive current in SB p-MOSFETs. We show by numerical simulation that by incorporating such high quality Schottky diodes in the source/drain of a Ge channel PMOS, highly doped substrate could be used to minimize the subthreshold source to drain leakage current
Resensies: Die groot drie: ’n Eeu van spotprente in Die Burger 1915–2015
No full textBook Title: Die groot drie: ’n Eeu van spotprente in Die Burger 1915–2015Book Author: François VersterKaapstad: Penguin Books, 2016. 200 pp. ISBN: 978 1 77609 018 1 (druk). ISBN: 978 1 77609 019 8 (ePub).
The CP Nature of the Top-Yukawa Coupling: among other measurements in the gluon gluon fusion production channel
No full textContains fulltext :
214421.pdf (Publisher’s version ) (Open Access)Radboud University, 20 mei 2019Promotor : Groot, N. de Co-promotor : Ferrari, P.190 p
Muon identification in the ATLAS calorimeters
No full textContains fulltext :
75369.pdf (Publisher’s version ) (Open Access)Radboud Universiteit Nijmegen, 12 juni 2009Promotor : Groot, N. de115 p
'n groot universitêre leier het heengegaan
No full textHy was ’n groot universitêre leier. En dan dink ons in die eerste plek aan ons jong maar ryk geskakeerde volkslewe as volksuniversiteit
Plangebied Bernisseweg te Geervliet, gemeente Bernisse; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek (verkennende fase).
No full textOpdrachtgever: Sight adviseurs voor milieu en landschap bv
Coordinaten:77.643/430.697
Datum einde onderzoek:12-06-2008, rapportage:28-07-2008
Projectmedewerkers:R. de Groot, R. den Boer
Complextype(n): NX
Datering:IJZM, ROM, LME
Diversen: Groot, R.W. de, Plangebied Bernisseweg te Geervliet, gemeente Bernisse; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek (verkennende fase). RAAPnotitie 2771 (WEESP, 2008
- …
