Hanyang University

HANYANG Repository
Not a member yet
    76059 research outputs found

    A study on the characteristics of uses and effects of Chinese OTT users: Focusing on the relationships among psychological and social factors, usage factors and willingness to pay

    No full text
    ��� ��������� ������ OTT ������������ ��������������� ��������� ������������ ����������������������� ������-������������-������������-������ ���������-��������� ������������ ��������������� OTT ��������� ��������� ������������ ������������ ��������������� ������������ ������ ��������������� ������������ OTT ��������� ��������������� ��������� ��������� ���������. ������ OTT ��������������� ��� ��������������� ������������������ ������������������ ��������� ��������� ������������ ��������� ������������ ��������������� OTT��� ������������ ���������. ������ ������������ ������������ ������������, ������������ ��������������� ��������� ������ ��������� ��������� ������ ��������������� ��������������� ���������. ��������� ������������ ��������������� OTT ��������� OTT ������������ ������ ������������������ ������������ ������������ ��������� ������������.Docto

    A study on growth of bulk GaN single crystal by HVPE and improvement of GaN wafer yield

    No full text
    ������������������������(GaN) ��������� ��������� ��������� ��������� ��������� ��������� ��������� ���������������, ��� ��������� ������ LED ������, ��������� ������������, ������������ ������������, ��������� ��������������� ��������� ��������� ��������� ��������� ��������� ������ ������������������. ��������� ��������������� ��������� ��������� ��������������� ������������, ������������ GaN ������������ ��������� ���������, GaN ��������� ������ ������ ��������������� ���������, ������ ������ ������ GaN ��������� ��������� ��������� ��������� ��������� ������. ��� ��������������� ��������������� LED ��������� ��������� ��������������� ������������ ��������� ��������� ������������ GaN ������������ ������ ��������� ������ bulk GaN ������������ ������, GaN ������������ defect ��� crack ������ ������������, wafer ��������������� ��������� ��������� ��������������� GaN ��������� ������ ��� ��������������� ������������ ��������� GaN��� ��������������� ��������� ��� ������ ��������� HVPE ������ ��� ������������ ������������ ��������� Ga recovery ��������� ���������, ������ GaN ��������� ��������� ��������� ��������������� ��������������� ���������. ��� ���������, ������ ��������������� ������������ ��������������� ��������������� ������, ��������������� ������ ���������(hydride vapor phase epitaxy, HVPE)��� ������������, (0001) ������������������ ������ ��������� ��������������� ��������� ������ ��� 5 mm ��������� ��������� bulk GaN ������������ ���������������. XRD ��������� ��������� ��������� bulk GaN ������������ c ��������� ��������� wurtzite ��������� ��������� ���������������. ��������� GaN ������������ ������ ��������� ������ ��������������� ������������ EPD ��������� ��������� ������ ��� ��� ���������, ��������������� 5 mm ������ ��������� GaN ��������������� 106/cm2 ��� ������������ ������ ������ ��������������� ������ ��� ��� ���������. ��� ���, ������������ ������ ��� 27.85 m ��� ������ ��������������� ������������ ��������� ��� 10 m ������������ ������������, ��������������������� ��������� ��������� ������������ ������������ ������������. ������ ��������� ������ Raman spectroscopy ������ ������ E2(high) peak ��� red shift��� ������ ������������, ������ ��������� ������ ��������� ��������� ������ ������ ��������� ������������ ������������, ��� ������������ ������ strain free ��������� bulk GaN ������������ ��������� ��� ���������. ������������, ��������������� ������������ ��������� GaN��� ������������ ������������ ��������������� ������������ ��������� ������ ������������. ��������������� ��������� GaN��� wafer ������������ ��������� ��������� ������������ ��������� ������ ������������, ������������ ��������� defects ������ ���������, ������������ ��������������� ������������. ������������ ��������� ��������������� ���������GaN ��� ��������� ��������� GaN ������������ ��������� ��� wafer ��������������������� ������ ������������ ��� ���������. HR-XRD ��� ��������� X-ray rocking curve ��� FWHM ��� ������������ ������������ ��������� ������ ��� 189 arcsec ������ ������������ ������ ��������� 113.04 arcsec ��� ��� 76 arcsec ��� ������������������ ������ ��� ��� ���������. ������ Raman spectrometer ��� ������������ E2(high) mode ��� red shift ��������� ���������, ������ ��������������� ��������� ��������� ��� ���������. GaN ��������� ������ Si, O ��������� ��������� ������������ ��������� ������ SIMS(secondary ion mass spectroscopy) ������������ ������������ ��������� ��������� ������������ ������ ������ ��������� ������ ��������� ��������� ������������������, PL(photoluminescence)��� ������ ��������� ��������� GaN ��������� ������ Si, O ������������ ��������� ��������� ��������� ��������� ��������� ��� ������ ������������ ������ ��� ��� ���������. ���������������, HVPE ������ ��������������� ������������ ��������� ��������� Ga ������������ ������ ��������� ������ ��������� ������. ������ HVPE ������ ��� ��������������� ��������� ������ ������ ���������������, wet scrubber��� ��������� ��������� ��� ������ ������������ ������. ��������� ������ ������ ��������� ICP-AES ��������� ���������, ��� 106315.08 ppm ��� Ga ��������� ���������������. ��������� ��������� ������ ������������ ������������, ��������� ������������ ������������ ��������� ������������, EDS(energy dispersive X-ray spectroscopy) ��������� ��������� ��������� ������ ������ ������������ Ga ������ ��� ������ ������ ��������� ���������, 1.5~2 V��� ��������� ������ ��������� ��������� Ga recovery ������������ ������ ���������, raw material ��������� 7 wt% ��� Ga ��������� 1.8 V��� ������ ��������� 4������ ������������ ������ ��� ��������� ������������ ��� 74 wt% ���, HVPE ������������ ��������� ������������ ��������� ��������� ��������������� Ga��� recovery ������ ��� ��������� ������ ���������. ��� ��������� ��������� HVPE ������ ��������� ��������� LED, ��������� ��������������� ��������������� ��������� ��������� ��������� bulk GaN ������������ ������ ��� ��� ������������, ��������������� ��������� GaN��� ������������ ������������ ��������������� ������������������, GaN ��������� ������ ��� ������������ wafer ��������������� ������ ������ ��� ���������. HVPE ������ ��� ������������ ��������������� ������������ ��������������� Ga ��� ������ ������������������, ��������������� ������������ GaN wafer ������ ������ ������ ��� ������������ ��������� ��������� ��������� ������������.Gallium nitride substrate is a next generation compound semiconductor substrate with excellent properties, and it is a substrate material which can be applied as optical materials such as high brightness light emitting diode (HB-LED), laser diode (LD), and high efficiency power semiconductor substrate. Although it has excellent physical properties, it is difficult to obtain a high quality GaN single crystal with growing process due to various problems such as residual stress and polycrystal GaN occurred at the wafering process, problems in manufacturing process of GaN single crystal substrate, and high cost, etc. make it difficult to commercialize GaN single crystal substrate. In this study, bulk GaN single crystal was grown to obtain the high quality GaN single crystal which can be applied to high power semiconductor substrate and ultra high brightness LED. Secondly, we investigated the effect of removing the polycrystalline GaN generated at the edge of substrate, which induces defects and cracks in GaN single crystals and concentrates stress in the wafer manufacturing process, and finally carried out study of a Ga recovery using by-products generated after the HVPE process. Based on this, we tried to improve the problems of the GaN single crystal substrate. First of all, high quality 2-inch bulk GaN crystal was grown by HVPE method through control of various process parameters, on a (0001) sapphire substrate to a thickness of ~5 mm. We confirmed that bulk GaN single crystal grown by HVPE method has a wurtzite structure on the C-axis by using XRD analysis. It was confirmed that the dislocation density of the grown GaN single crystal decreased with increasing thickness by EPD measurement, and the GaN single crystal grown up to a thickness of ~5 mm had dislocation density value of 106/cm2. In addition, considering that the radius of curvature value was about 27.85 m, and the current commercially available substrate was about 10 m, it showed that it was a crystallographically quite flat crystal. Raman spectroscopy analysis as the thickness increased showed that the red shift of E2(high) peak was observed. Based on this, residual compressive stress was relaxed as the thickness increased, and a bulk GaN single crystal was obtained on the surface with strain free state. Second, a method that effects the removing polycrystalline GaN formed at the edges by using a quartz ring was discussed. Polycrystalline GaN at the edges acts as bumps in the wafer fabrication process to concentrate stress and cause defects in crystallinity due to propagated defects. Removal of polycrystalline GaN using a quartz ring was able to improve the crystallinity of the grown GaN single crystal and the yield in the wafer manufacturing process. The FWHM of the X-ray rocking curve had a value of about 189 arcsec when the quartz ring was not used. It can be confirmed that this decreased about 76 arcsec when using the quartz ring. Based on the result, it is possible to improve the crystallinity by introducing a quartz ring. We also confirmed the relaxation of internal residual thermal stress through red shift observation of E2(high) mode using Raman spectrometer. SIMS analysis result showed a relatively high impurity concentration about elements of Si and O in the GaN single crystal when a quartz ring was used. However, the optical property measured PL confirmed that the impurities of Si and O in the GaN single crystal had a negligible influence on the optical properties. Finally, the research on Ga recovery using the electrowinning from by-product of the HVPE process was discussed. The by-products had been collected in powder traps or refined through wet scrubbers and then discarded. The specimen in the powder trap showed a Ga concentration of about 106315.08 ppm by ICP-AES. Using the by-product prepared in the form of an aqueous solution, the electrowinning was applied with various voltages by using the by-product in the aqueous solution state, the amount of Ga collected on the electrode measured by the EDS, and the Ga content of 7 wt% in the raw material was about 74 wt% at the surface of the electrode after the electrowinning for 4 hours under the voltage of 1.8 V, and the HVPE by-product. It was confirmed that Ga can be effectively recovered through the electrowinning. Based on the above analysis results, it was possible to obtain a high quality bulk GaN single crystal which can be applied as a high brightness LED and high power semiconductor substrate via HVPE method. We confirmed that the polycrystalline GaN at the edge can be effectively controlled when manufacturing GaN substrate. By using the by-products generated during the HVPE process, it was possible to effectively recover the Ga source. In the conclusion, it is expected to improve the manufacturing yield of high quality GaN wafer and reduce the manufacturing cost.Docto

    ������������ ������������ ��������� ��������� ������ ��������� ��������� ��������� ��������� ������ ������

    No full text
    ������ ������������ ��������� ������������ ������ ��������� ��������� ��������� ������������ ������������ ������ ������ ������ ������(~15W)��� ������ ������ ��������� ������ ��������� ������ ��������� ������ ��������� ������������ ������. ������������ ������������ ��������� ������������ ��������� ��������� ��������� ��������� ������ ��������� ��������������� ������ ��������� ��������� ������������ ������ ������ ��� ������������. ��������� ��������� ������������ ���������, ��������� ������, ��������������� ������������ ������������ ������, ��������� ��������� ������ ���������, ��������� ��������� ��������������� ������. ��������� ��������� ��������� ��������� ��������� ��������� ������ ��������� ������ ��������� ������������ ���������, ��� ������������ ������ ��������� ���������(ReRAM) ��� ������ ��������� ��������� ������������ ������. ������ ReRAM��� ��������� ������, ��������� ������, Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) ��������� ������ ������������ ��������� ������������ ��������� ��������� ��������� ��� ������ ������������ ������ ������������. ��������� ��� ��������������� ��������� ������ ��������� ��������� ��������� ���������atomic layer deposition(ALD) ������ ReRAM ��������� ���������������. ��������� ��� ������������ I-V ������������ ������������ ������������ ��������� ������������ ������������ ������ ���������������. ������ ��� ������������������ ��������� ��������� ��������� ������������ ��������� ��� ������ ��������� ��������� ���������������. ��������� ��������� ������ HfO2 ��������� ��� ������ TaOx ������ ������������������ ��������� ��� ������ ������ ��������� ��������� ������������ ��������������� ������������ ������������ ��������� ���������������, ��������� ��������� ��������� ��������� ������ ������ ��������� ������������ ������ ��������� ��������������� ������������ ������������ ��������� ��������� ���������������. ������ ��������� ��������� ReRAM ������ ��������� ������������ ��������� ������������ ������������ ������������ ������������ ������ ��������� ������������ ������������ ���������������.Maste

    The Study on the Protector's Parenting Attitude perceived by left-behind Youth and Problem Behavior : Yanbian Korean middle school students

    No full text
    ��� ��������� ������ ��������� ������������������ ��������� ��������� ��������������� ��������������� ��������� ������ ������������, ������ ��������� ������������������ ��������� ��������� ��������������� ������������������ ��������������� ��������� ��������� ������ ���������������. ��� ��������� ��������������� ��������� ������. ������, ������������������ ��������� ��������� ��������������� ��������� ��������� ������������? ������, ������������������ ��������������� ��������� ��������� ������������? ������, ������������������ ��������� ��������� ��������������� ������������������ ��������������� ��������� ��������� ������������? ��������������� ������ ��������������������� ��������� ��������� 4������ ������ ������ 1, 2, 3������ ������ ��� ��������������� 449��������������� ������������������ ��������� ��������� 223���(49.7%), ��������� 226���(50.3%)������ ���������������. ������������ ��������� ������������ ��������� ������������ ��������� ������ ������������ ������(���������, 2004), ��������� ������������ ������������(���������, ���������, ���������, ���������, 2001)��� ������������������, SPSS 22 ������ ��������������� ������������ ��������� ���������������. ��� ������������ ��������� ������ ��������� ��������� ������. ������, ������������������ ��������� ��������� ��������������� ��������� ��������� ������, ������������������ ��������� ��������� ��������������� ��������� ������������ ��������������������� ������������ ��������� ������������ ��������� ��������� ������ ������ ������������, ��� ������������ ������, ��������� ������ ��������� ������ ���������������. ������ ��������� ������������ ������������ ��������� ��������������� ������������������, ��������� ������������ ������������ ��������������� ������ ������������, ��� ������������ ������������, ������������, ������, ������ ��������� ���������������. ������ ������������������ ��������� ��������� ������ ��������������� ������������ ������������ ��������������� ������������ ��������������� ��� ������ ������������, 12��� ��������� ������������������ 13��� ������ ��������������������� ��������������� ��� ������ ������������ ��������� ���������������, ������������ ��������������� 5��� ��������� ������������������ ��������������� 10��� ��������� ��������������������� ������������ ��������������� ��� ������ ������������ ��������� ������������. ������, ������������������ ��������������� ��������� ��������� ������, ������������������ ��������������� ��������� ������������ ��������������������� ������������ ��������� ��������������� ������ ������������. ������ ������������������ ��������� ��������� ������ ��������������� ������������ ��������� ������ ��������������� ��������� ��������� ������ ��������� ���������������, 13��� ��������� ������������������ 12��� ��������� ��������������������� ��������������� ��� ������ ������������. ������, ������������������ ��������� ��������� ��������������� ��������������� ��������� ��������� ������ ��������� ������, ��������������� ��������� ��������� ��������� ��������������� ������������������ ��������� ������ ��������� ������ ��������� ������������. ��� ��������� ������������������ ��������� ��������������� ������ ��������� ������ ������������������ ������������ ��������� ��� ��������� ��������������� ���������������, ��������������� ��������� ��������������� ��������� ��������� ���������. ������ ������ ������ ��������� ��������� ������������������ ��������������� ������ ������������ ��������� ��������������� ������������������ ������������, ������������ ��������� ��������������� ������������������ ������������ ��� ��� ������. ������ ������������, ��������������������� ������ ������������ ��������� ������, ������������������ ��������������� ������������ ��������������� ������������ ��������������� ������������ ����������������� ��������� ������ ������������������ ��������������� ������������ ��� ������ ��������� ��������� ��� ������. ������ ��� ��������� ������������������������ ��������� ��������� ������������ ��������� ������ ������ ��������������� ����������������� ��������� ��� ��������� ������������ ������ ��� ������ ��������� ������������.Maste

    Analysis of hand function assessment and design of dynamic tool for measuring hand function in daily activities

    No full text
    ��������������� ��������������� ��������� ��������� ������ ��������� ��������� ������. ��������� ������, ���������, ��������� ��������� ������ ������������ ������ ������ ������������������ ��������� ��� ������. ��������� ��������������� ������������ ��������� ��������� ��������������� ��������� ���������. ������������ ������ ������������ ������ ��������� ������������ ��������������� ������ ��������� ��������� ������ ��������� ��������� ������ ������������ ������������. ��������� ������������ ������ ������������ ������ ��������� ��������� ������ ������������ ������������. ������ ������ ��������������� ������������ ������ ��������������� ������������ ������������ ���������. ������ ������ ������������������ ������ ������ 2000������ ��������� ��������������� ��������� ��������� ��������� ��������������� ������������ ��������� ��������� ��������� ������. ��������� ��� ��������� ������ ��������� ������������ ������������ ������ ��������� ������������ ������������ ��������� ��������������������� ������ ������������ ������������ ������ ������������ ������. ������ ��������� ������ ��� ��������� ��� ������ ��������� ��������� ���������������. ��� ������ ��������������� ��������� ������������ ������������������ ��������� ���������������. systematic review ��������� ������������ ��������������� ������������ ������������ ������������������ ������������ ��������������� ��������� ������, ������ ��� ������������ ��������� ��������� ������������ ������������ ���������. ������ ������ ��������� ������������ ������������������ ��� ������������ ���������������. ��� ������ ��������������� ������������ ��������� ��������� ������������ ��������������� ���������������. MANOVIVO��� ��������� ��������� ��������������� ������������ ������ ������������ ��������� ������������ ��������� ��������� ������������ ��������� ��������� ��������� ��������� ��������� ������������������. ������������������ ������������ ��������� ��������� ������������ ������������ ��������� IMU��������� ��������������������� ������������ ��������������� ������������ ��������� ��������� ������ ��������� ���������������. ��� ������ ��������������� ��� ������ ������������ ��������� ��������� ������������ ��� ������ ������������ ��������� ��������� ��������������� ������������ ��������� ���������������. ��������� 10������ ������������ ������ ������������ ������������ ��� ������������������ ������������ ������������ ������������ ��������� ���������. ������ Box and Block Test��� ������ ������������ ��������������� ������������������ ������ ������ ������ ������ ��������� ��������� ��������� Finger Flexion/Extension��� ���������. ��������� ������������ ��������� ������ 3������ ��������� ������(������ ���������, ������������, ���������)��� ��������� 10������ ��������������� ���������������. ��������� ������, ������ ��������� ������ ������ ��������������� ������������ ������������ ��������� ��������������� ������ ������ ��������� ������������ ��������� ��� ���������. ��� ������������ ��������� MANOVIVO��� ��������������������� ��������� ������������������ ��������������� ������������ ��������� ��� ��������� ������ ��������� ������. ��������� ������ ��������� ��������� ������ ��������� ��������� ��������������������� ��������������� ��������� ��� ��������� ��������� ��������������� ������������ ��������� ��� ������ ��������� ������������.The function of hand is important in daily activities. A variety of daily activities can be carried out by picking, touching, moving objects. However, as the daily life became digitalized, hand movement also changed. The use of automated device has reduced movement of hand and the use of touch-based digital device requires fine hand movement. The existing hand function assessments are mainly written in the hospital environment, in the form of self-questionnaires. This is highly subjective and hard to reflect all difficulties of people���s daily lives. Especially, major hand function assessments have been developed before the 2000s, so they do not reflect digital daily life. Therefore, the purpose of study is to present the necessity of new hand function assessment of daily life and to measure the movement of hand in digital daily activities. The study was conducted in three parts. In the first study, we examined the features of the existing hand function assessment. Using the systematic review method, we extract hand function assessments in daily activity and looked at activity items. We found that there were many daily items that did not perform well and changed. This suggests the needs of new items in daily activity hand function assessment. In the second study, we developed a dynamic hand function measurement tool considering users. MANOVIVO is a detachable clip type wearable device. It considered characteristics of the hand and symptoms of people who have difficulties with the hand function. Technically, IMU sensors were minimized to measure fine and accurate hand movements. Device is suitable for measuring hand function in daily activity environment. In the third study, we conducted experiments based on the digital activity derived from the first study using the device developed in the second study. We measured ten people���s hand movements to compare the movements of each daily activity and to index them. First, we measured basic hand functions through the Box and Block Test. All showed a constant pattern of finger flexion/extension within normal time range. In the case of digital daily activity, 10 tasks were evaluated using three digital devices(electronic door lock, smartphone and tablet). Depending on the size of the device and the finger used, the data of hand joint angle and acceleration were different so we could classify daily activities by features. MANOVIVO, developed in this study, is meaningful in that device could measure fine hand movement quantitatively in daily life. Through this study, it is possible to explain various hand functions in daily activity by dynamic hand measurement tool and it is expected that it will complement and replace existing methods of hand function evaluation.Maste

    ������������������ ��������� ��������� ������ ������ ������ ���������������������������-2 ������ ��������������������� ������ ��� ������

    No full text
    The aim of this study was to investigate folate receptor-targeted lipid nanoparticles containing CORM-2 (Fol-CORM-2-NPs) for targeted delivery of carbon monoxide to macrophages. Fol-CORM-2-NPs were prepared by nanotemplate engineering technique with palmityl alcohol as a solid lipid and Tween40/Span40/Myrj S40 as a surfactants mixture. The physical properties of Fol-CORM-2-NPs were evaluated by dynamic light scattering and transmission electron microscopy. The incorporation efficiency of CORM-2 into Fol-CORM-2-NPs was determined by quantifying ruthenium using ICP-AES. CO release from Fol-CORM-2-NPs were assessed by myoglobin assay. In vitro cytotoxicity of Fol-CORM-2-NPs was evaluated with the MTT assays. In vitro anti-inflammatory effects were evaluated by nitric oxide assay in lipopolysaccharide-stimulated RAW 264.7 macrophages. The targeting ability of Fol-CORM-2-NPs was evaluated by competitive inhibition assay after pretreatment with free folate. The cellular uptake study revealed that Fol-CORM-2-NPs were internalized through folate. Spherical Fol-CORM-2-NPs were around 100 nm with narrow particle size distribution. About 90% of CORM-2 was incorporated into Fol-CORM-2-NPs. The sustained CO release from Fol-CORM-2-NPs was observed and the half-life of CO release increased up to 40 times compared with that of CORM-2 solution. Non-cytotoxicity of Fol-CORM-2-NPs was confirmed by evaluating in vitro cell viability of RAW 264.7 macrophages by MTT assay. Through targeting to Raw 264.7 cells, Fol-CORM-2-NPs exhibited better effects than CORM-2-NPs in NO inhibition, suggesting greater anti-inflammatory activity. Taken together, Fol-CORM-2-NPs have a great potential for targeted CO therapeutics against inflammation via folate receptor-mediated specific delivery.Maste

    Improved solubility and bioavailability of practically insoluble sildenafil base for the treatment of erectile dysfunction

    No full text
    The aim of this research was to compare the solubility, dissolution, physicochemical properties and oral bioavailability of various solubility-enhancing techniques to select the best drug delivery system with the highest oral bioavailability of practically insoluble sildenafil base. The liquid self-nanoemulsifying drug delivery system (liquid SNEDDS) was composed of sildenafil base/Labrasol/Transcutol/coconut oil at the ratio of 10/0.72/0.18/0.1 (w/v/v/v). SPG membrane emulsification or high pressure homogenizer were used for emulsion droplet size reduction and homogenization of liquid SNEDDS. The solid SNEDDS was prepared with the optimized liquid SNEDDS and inert carriers (silicon dioxide). The solvent-evaporated solid dispersion (SE) and the surface-attached solid dispersion (SA) were prepared with sildenafil base/PVP/Labrasol at the optimized ratio of 1/6/1 (w/w/w) using ethanol and distilled water, respectively. All solid state products were achieved by the spray-drying technique. Their physicochemical properties were examined by the SEM, DSC, PXRD and particle size analyser. Moreover, their aqueous solubility, dissolution and pharmacokinetics in rats were performed in comparison with the sildenafil base powder. All the formulations significantly improved the solubility, dissolution and oral bioavailability of sildenafil base as compared to the drug powder due to reduced particle size and conversion to the amorphous state. In particular, solvent-evaporated solid dispersion technique showed the highest solubility, dissolution and oral bioavailability among all techniques. Accordingly, solvent-evaporated solid dispersion could be potential drug delivery system for oral administration of practically insoluble sildenafil base with remarkably improved bioavailability.Maste

    Alkaloids from Sinomenium acutum ameliorate dexamethasone-induced muscle atrophy in C2C12 myotubes

    No full text
    ��������� ��������� ������������ ��� ������ ��������� ������ ��������� ������������ ��������� dexamethasone������ ��������������� ��������� ��������� ��� ������������ ��������� ���������������. ��������� ������������������ C2C12��� ��������� ������������ (myoblast)������ ��������� ������������ (myotube)��� ��������������� ������������ dexamethasone��� ������ ��� 48��������� ��������� ������������ ������������ ��������� ���������������. ��� ��������� ������ (Sinomenium acutum)������������ ��������� ��������� dexamethasone��� ������ C2C12 ��������� ������ (diameter) ��������� ��������������� ������������ ������ ������������, ��� ������ ��������� ��������������� ��� ��������� ���������������. ��������� ������ ��������� ������ ������ ������ ��������� 50% ethanol������ ������������������, n-butanol-acetonitrile-water (10:2:8, v/v, 0.5% trietylamine ������)��� ������������centrifugal partition chromatography��� ������������ 17������ ��������� ���������. ��� ������������ ��������� ������������ ��������������� ��� 6������ ������������ ��������� ������������. ������ ��������������� preparative HPLC��� ��������������� ������, ������������ NMR��� ESI-mass��� ��������� ��������� ���������������. ������������������ magnoflorine (1), sinomenine (2), liriodentrin (3), N-feruloyltyramine (4), acutumine (5), dauricumine (6), syringin (7)��� ������������������, ��������� 1-7��� 0.1��� 1 nM��� dexamethasone ������ ��������� ������ C2C12 ��������� ��������������� ��� ��������� 1, 2, 5������ ��������������� ��������� ��������� ������������ ��������� ���������������. ������ ������ ��������� ������������ ������������ ��������� ��������� ��������� ��������� ��������������� ��������� ������ 75% ethanol��� 0.5% acetic acid��� ��������� ��������� ��������������� ������������ ������ ��������������� ������ ������������, ������ ��������� 1 g��� ��������� 1, 2, 5��� ��������� ������ 35.56, 32.94, 10.21 mg ���������.Maste

    A study on the improvement method of the electrochemical performance and stability of the layered structural Ni-rich cathode materials for lithium ion batteries

    No full text
    Since 1991, when Sony succeeded in commercializing lithium-ion batteries using LiCoO2 cathode materials, studies on layered structural cathode materials have been actively conducted. Over the past two decades, the research flow was focused on compensating for the disadvantages of LiCoO2 cathode materials (low capacity, toxicity, high price) by partially replacing Co with Ni to increase the capacity and by adding Mn or Al to improve the structural stability and cycle life. By controlling the composition of Li[NixCoyMnz]O2 (NCM, x+y+z=1) or Li[NixCoyAlz]O2 (NCA, x+y+z=1) ternary compounds, changes in fundamental physicochemical properties, electrochemical properties, and thermal stability were observed and the studies were conducted to find the optimum composition. In order to overcome the lower capacity of cathode materials compared to that of graphite anode materials (~ 370 mAh g-1), developing Ni-rich NCM (or NCA) cathode materials (Ni ��� 60%) has been required. However the poor cycle life and thermal stability of Ni-rich cathode materials was inevitable due to the limited Mn (or Al) content. In order to overcome the aforementioned problem, our research group developed the core-shell (CS) structured NCM cathode materials that can realize both high capacity and high stability at the same time by selectively positioning the transition metals to the core portion (Ni-rich) and the shell portion (Mn-rich) in the spherical particle. Furthermore, core-shell with gradient (CSG) cathode material, which gradually change the transition metal concentration in the shell, and full concentration gradient (FCG) cathode material, which gradually change the transition metal concentration throughout the particle, have been developed. In particular, the cross-section of FCG cathode materials has a unique morphology in which rod-shaped primary particles extending from the particle center to the surface are laminated. Further, the longitudinal direction of the primary particles coincides with the (003) plane in the crystal structure. The unique structure facilitates the intercalation-deintercalation of lithium ions, thereby having excellent rate capabilities. In this study, the research was conducted on the extension line of the development of concentration gradient cathode materials in our research group, and the various approaches were introduced to improve the electrochemical properties and structural and thermal stabilities of the layered cathode materials with extremely high nickel composition above 80%. First, the study was conducted on the physicochemical properties, electrochemical property, rate capability, and thermal stability of FCG Li[Ni0.65Co0.08Mn0.27]O2 cathode material. It was reconfirmed that FCG cathode materials are superior to the conventional Bulk cathode materials in the initial charge-discharge coulombic efficiency, rate capabilities, cycle life, and thermal stability. Next, modification of the FCG structure was tried to increase the Ni composition to 80%. TSFCG Li[Ni0.8Co0.06Mn0.14]O2 cathode material was developed to maintain the high manganese content of the surface and to increase the total nickel composition in the same timeby dividing the concentration gradient into two regions, the first concentration gradient in the particle core was made gentle and the second concentration gradient in the shell was made steep. Since the concentration gradient cathode was mainly developed using NCM materials, CSG Li[Ni0.865Co0.120Al0.015]O2 (CSG NCA) cathode material was synthesized and characterized to confirm the applicability of the concentration gradient structure to NCA cathode materials. As a results, it was confirmed that the cycle life and thermal stability of the CSG NCA was superior to the conventional NCA cathode materials as already confirmed using NCM cathode materials. Furthermore, the reduced H2-H3 phase transition of CSG NCA during charging above 4.1 V was relieved, which resulted in decrease of the lattice contraction along the c-axis and thereby suppressed the microcrack formation. Finally, in order to further improve the structural stability of the Ni-rich NCM cathode materials, boron doping was studied using Li[Ni0.90Co0.05Mn0.05]O2 cathode material. Density functional theory confirmed that boron doping at a level as low as 1 mol% alters the surface energies to produce a highly textured microstructure that can partially relieve the intrinsic internal strain generated during the deep charging of Li[Ni0.90Co0.05Mn0.05]O2. Therefore microcrack was suppressed and cycle life was highly improved especially at the elevated temperature. Likewise, in this study, the highly effective methods are proposed to improve the electrochemical properties and stabilities of the Ni-rich NCM and NCA (Ni ��� 80%) cathode materials for lithium ion batteries.Docto

    Liquid-phase synthesis of sulfide solid electrolytes for all solid-state lithium-ion batteries

    No full text
    Solid electrolytes are one of the key components for all ���solid-state lithium-ion batteries (ASLBs) for large-scale applications. The performance of solid electrolytes (SEs) with high ionic conductivity and electrochemical stability should be achieved for ASLBs. However, sulfide solid electrolytes which have been mostly studied as SEs have the low electrochemical stability and are oxidized over ~3 V (vs. Li+/Li) forming resistive layer between active materials and SEs In addition, the reaction between conventional transition metal oxide active materials and SEs is one of the most important issues. To solve this problem, oxy-sulfide solid electrolytes with a substitution of small amounts of sulfur to oxygen were reported. Even though the electrochemical stability of the oxy-sulfide SEs increased, the substitution lead a decrease of ionic conductivities due to lattice contraction and the impurity phases. However, there is few research about electrochemical stability of SEs by a compositional tuning of SEs. Furthermore, developing synthesis protocols for solid electrolytes with high yield, efficiency in reaction such as shorter time and lower heat-treatment temperature is one of the most important issues. In the conventional ball-milling methods, the reaction proceeds in a pot with high-energy balls and usually takes long time to obtain final products. In this regard, liquid-phase synthetic methods have been explored as an alternative . The liquid-phase synthesis method has advantages of mild reaction conditions and provides possibilities to find new SEs in terms of composition and structure. In previous reports, several SEs, such as Li3PS4 and Li7P2S8I, were prepared using organic solvents such as tetrahydrofuran (THF) and acetonitrile (AN). In this study, we report Li-deficient ��-Li3PS4, Li3-xPS4 (0���x���0.3) prepared by a co-solvent using THF and ��-xylene. The excellent solubility of elemental sulfur to o-xylene allows for sulfur to fully participate in the liquid-phase reaction with Li2S and P2S5, resulting. From the complementary analyses of x-ray diffraction (XRD), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Raman spectroscopy and particle size analyzer, the evolution of bridging sulfur and better homogeneity for Li3-xPS4 derived using the co-solvent are confirmed, compared with that obtained using a single solvent (THF). The better electrochemical performances of NCM/Li-In cells employing Li3-xPS4 using co-solvent than those for using single solvent are shown. Furthermore, the as-synthesized Li3-xPS4 (0���x���0.3) likely to show an improved oxidation stability than pristine Li3PS4.Maste

    451

    full texts

    76,059

    metadata records
    Updated in last 30 days.
    HANYANG Repository
    Access Repository Dashboard
    Do you manage Open Research Online? Become a CORE Member to access insider analytics, issue reports and manage access to outputs from your repository in the CORE Repository Dashboard! 👇