Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Series of Physical-Mathematical Sciences / Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
Not a member yet
548 research outputs found
Sort by
ИНЖЕКЦИОННЫЙ ОТЖИГ КОМПЛЕКСА СОБСТВЕННОЕ ДИМЕЖДОУЗЛИЕ – КИСЛОРОД В КРЕМНИИ p-ТИПА
Get PDFWith the use of deep level transient spectroscopy (DLTS) the effect of injection of minority charge carriers (electrons) on an annealing rate of self di-interstitial – oxygen (I2O) complex in silicon has been studied. The complex has been formed by irradiation of epitaxial boron-doped n+–p diode structures with alpha-particles at room temperature. It has been shown that the disappearance of this complex at room temperature begins at a direct current density of ~1.5 A/cm2. This characteristic current density has been found for 10 W·cm p-type silicon when the total radiation defect density was less than 15 % of the initial boron concentration, a divalent hole trap with energy levels of Ev + 0.43 eV and Ev + 0.54 eV has been found to appear as a result of recombination-enhanced annealing of the I2O. When the I2O complex is annealed thermally, the concurrent appearance of an electron trap with an energy level of Ec – 0.35 eV has been observed. It has been shown that the divalent hole trap represents a metastable configuration (BH-configuration) of the bistable defect, whereas the electron trap is stab le in the p-Si configuration (ME-configuration). From the comparison of DLTS signals related to different defect configurations it is found that the ME-configuration of this bistable defect can be characterized as a center with negative correlation energy. It has been shown that the injection-stimulated processes make it very difficult to obtain reliable data on the formation kinetics of the bistable defect in the BH-configuration when studying the thermal annealing of the I2O complex
Операторные интерполяционные формулы эрмитова типа с узлами произвольной кратности, основанные на тождественных преобразованиях функций
Get PDFThe problem of construction and research of Hermite interpolation formulas with nodes of arbitrary multiplicity for operators given in functional spaces of one and two variables is considered. The construction of operator interpolation polynomials is based both on interpolation polynomials for scalar functions with respect to an arbitrary Chebyshev system and on identity transformations of functions. The reduced operator formulas contain the Stieltjes integrals and the Gateaux differentials of an interpolated operator and are invariant for a special class of operator polynomials of appropriate degree. For some of the obtained operator polynomials, an explicit representation of the interpolation error is found. Particular cases of Hermite formulas based both on the integral transformations of Hankel, Abel, Fourier and on the Fourier sine (cosine) transform are considered. The application of separate interpolation formulas is illustrated by examples. The presented results can be used in theoretical research as the basis for construction of approximate methods for solving integral, differential and other types of nonlinear operator equations
Генерация инфракрасного излучения при вынужденном комбинационном рассеянии
Get PDFEquations describing the generation of medium-wave and long-wave infrared radiation in SRS are obtained in the situation when the frequency of the first or second Stokes components is smaller than the vibration frequency excited by the SRS process. It is shown that such generation occurs due to two-photon emission and four-photon parametric emission. In many cases, these equations make it possible to relatively simple estimate the efficiency of such generation of IR radiation.Получены уравнения, описывающие генерацию средневолнового и длинноволнового инфракрасного (ИК) излучения при вынужденном комбинационном рассеянии (ВКР) в ситуации, когда частота первой или второй стоксовых компонент меньше частоты колебания, возбуждаемого процессом ВКР. Показано, что такая генерация происходит вследствие двухфотонного испускания и четырехфотонного параметрического испускания. Во многих случаях полученные уравнения позволяют сравнительно просто оценить эффективность такой генерации ИК-излучения
КАСП-СИНГУЛЯРНОСТЬ ТРАЕКТОРИИ БЛОХОВСКОГО ВЕКТОРА КУБИТА ВО ВНЕШНЕМ ПЕРИОДИЧЕСКОМ СВЕТОВОМ ПОЛЕ
Get PDFThe quantum dynamics of a two-level quantum-mechanical system subjected to the external monochromatic action beyond the rotating wave approximation was investigated. It was shown that under the condition of exact resonance on the trajectories of the Bloch vectors, special points are manifested under different initial conditions. These points are classified as cusps singularities. It is revealed that at such points, the instantaneous rotation axis, relative to which the Bloch vector rotates, reverses its direction. There is a movement stop. For a nonzero frequency detuning, the cusp singularities vanish. A numerical analysis of the singularities of the trajectories of the Bloch vector without rotating wave approximation was supplemented by a study based on the use of the Floquet methods. Within the framework of this approach, recurrence relations for the spectral components of the probability amplitudes were obtained and analyzed. An analytic expression was found for the two values of quasi-energies within a fourth order of magnitude in the interaction energy. It was shown that to obtain a singular behavior of the trajectories of the Bloch vector, it is sufficient to confine by four spectral harmonics in the Floquet expansion. The results obtained are important for achieving the accuracy when performing coherent transformations with two-level systems in the cases where the rotating wave approximation is inapplicable
НОВЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ЗАДАЧИ В СОВРЕМЕННОЙ ФИЗИКЕ ЧАСТИЦ И ЯДЕРНОЙ ФИЗИКЕ
Get PDFoai:oai.vestifm.elpub.ru:article/281We discuss the existence of new phenomena and properties of nonperturbative evolution of color quarks, gluons and other states in stochastic vacuum of quantum chromodynamics, color dissipation and confinement; instability of movement of color particles in the confinement region; appearance of squeezed and entangled states of strongly interacting particles; correlation properties of strong instanton decays; chaos-assisted instanton tunneling; quark-gluon plasma properties description in terms of the Hagedorn bootstrap statistical model. Обсуждается существование новых явлений и свойств непертурбативной эволюции цветных кварков, глюонов и других состояний в стохастическом вакууме квантовой хромодинамики, диссипация цвета и конфайнмент; неустойчивость движения цветных частиц в области конфайнмента; возникновение сжатых и перепутанных состояний сильно взаимодействующих частиц; корреляционные свойства распадов сильных инстантонов; ассисти- рованное хаосом туннелирование инстантонов; описание свойств кварк-глюонной плазмы на языке статистической модели бутстрапа Хэдждорна.
СМЕШАННАЯ ЗАДАЧА ДЛЯ ОДНОМЕРНОГО ГИПЕРБОЛИЧЕСКОГО УРАВНЕНИЯ ЧЕТВЕРТОГО ПОРЯДКА C ПЕРИОДИЧЕСКИМИ УСЛОВИЯМИ
Get PDFThis article considers a classical solution of the boundary problem for the four-order strictly hyperbolic equation with four different characteristics. Note that the well-posed statement of mixed problems for hyperbolic equations not only depends on the number of characteristics, but also on their location. The operator appearing in the equation involves a composition of first-order differential operators. The equation is defined in the half-strip of two independent variables. There are Cauchy’s conditions at the domain bottom and periodic conditions at other boundaries. Using the method of characteristics, the analytic solution of the considered problem is obtained. The uniqueness of the solution is proved. We have also noted that the solution in the whole given domain is a composition of the solutions obtained in some subdomains. Thus, for the obtained classical solution to possess required smoothness, the values of these piecewise solutions, as well as their derivatives up to the fourth order must coincide at the boundary of these subdomains. A classical solution is understood as a function that is defined everywhere at all closure points of a given domain and has all classical derivatives entering the equation and the conditions of the problem
ПОВЫШЕНИЕ ИНФОРМАТИВНОСТИ РАСЧЕТНЫХ ОЦЕНОК НАДЕЖНОСТИ БОРТОВОЙ АППАРАТУРЫ МАЛОГАБАРИТНЫХ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ
Get PDFОбобщение теорем Ролля и Дарбу для функций двух переменных
Get PDFAs well known, the classical Rolle and Darboux theorems for a function of one variable establish the existence of a critical point in the behavior of a function at the ends of a closed interval. The question arises of the possibility of extension of the Rolle and Darboux theorems to functions of two variables. More precisely is the existence of a critical point in Ω̅ determined by the behavior of the function f on the boundary of the ∂Ω domain Ω. As shown by A. I. Perov, such extension can be obtained with the help of the concept of rotation. In this article, we establish deeper relations between the Rolle and Darboux theorems and the rotation of a vector field on the boundary ∂Ω. We also present some new formulas for calculating the rotation of a vector field on the boundary, on the basis of which statements about the existence of critical points are formulated.Как известно, классические теоремы Ролля и Дарбу для функции одной переменной устанавливают существование критической точки по поведению функции на концах отрезка. Возникает вопрос о возможности переноса теорем Ролля и Дарбу для функций двух переменных. Более точно, определяется ли существование критической точки в Ω̅ по поведению функции f на границе ∂Ω области Ω. Как было показано А. И. Перовым, такие обобщения можно получить с помощью понятия вращения. В настоящей работе устанавливаются более глубокие связи между теоремами Ролля, Дарбу и вращением векторного поля на границе ∂Ω. Также приводятся некоторые новые формулы для вычисления вращения векторного поля на границе ∂Ω, на основе которых сформулированы утверждения о существовании критических точек
Влияние радиационно-термических дефектов на характеристики p-n-p-n-структур
Get PDFThe article presents the results of study of the effect of radiation defects (RD) and thermally stable (up to 873 K) radiation-thermal defects (RTD), created by electron irradiation with an energy of 4 MeV and heat treatment on the static and dynamic characteristics of silicon thyristor p-n-p-n structures. The dependences of turn-on and turn-off current on the life-time of minority charge carriers at a high injection level (in the range of 1.0–10 mks) are obtained in a thick n-base of structures with RD and RTD defects and the same dependences of the minority charge carriers lifetime at a low injection level. DLTS-spectra of the investigated structures and temperature dependences of control current and control voltage in the temperature range of 77–320 K are presented as well.Приводятся результаты исследования влияния радиационных дефектов (РД) и термостабильных (до 873 К) радиационно-термических дефектов (РТД), введенных электронным облучением с энергией 4 МэВ и термообработкой, на статические и динамические характеристики кремниевых p-n-p-n-структур. Получены зависимости тока включения и тока выключения от времени жизни неосновных носителей заряда (ННЗ) при высоком уровне инжекции в широкой n-базе структур с РД и РТД и аналогичные зависимости времени жизни ННЗ при высоком уровне инжекции от времени жизни при низком уровне инжекции. На измеренных DLTS-спектрах структур идентифицированы следующие уровни дефектов: Еc– 0,18 эВ принадлежит комплексу вакансия-кислород V– O (А-центр), Еv + 0,36 эВ – комплексу углерод внедрения – кислород внедрения Сi Oi и Еc– 0,25 эВ и Еc– 0,41 эВ – комплексу дивакансия V2 в двукратно и однократно отрицательно заряженных состояниях соответственно, а уровни Еc – 0,39 эВ и Еv + 0,30 эВ предположительно дефектам V3O и СiO2i . Рекомбинационным уровнем, определяющим скорость переключения структур с РД, является уровень Ec– 0,18 эВ, а у структур с РТД – уровень Ev + 0,39 эВ. Показано, что токи включения и выключения больше у структур с радиационно-термическими, чем с радиационными дефектами, что увеличивает стойкость тиристорных структур с РТД к различным помехам и эффекту dU/dt. Полученные температурные зависимости тока управления и напряжения управления p-n-p-n-структур в диапазоне температур 77–320 К показывают возможность их использования в схемах в сочетании с высокотемпературными сверхпроводниками