Vasyl Stefanyk Precarpathian National University: Scientific journals / Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Not a member yet
6216 research outputs found
Sort by
Цілі функції мінімального зростання із заданими нулями
No full textLet be a positive continuous increasing to function on . For a positive non-decreasing on function , we found sufficient and necessary conditions under which, for an arbitrary complex sequence such that as and for all sufficiently large , there exists an entire function whose zeros are the (with multiplicities taken into account) satisfying \ln\ln M(r)=o\big(l^{-1}(\ln n(r))\ln n_{\zeta}(r)h(\lnn(r))\big),\quad r\notin E,\ r\to+\infty, where is a set of finite logarithmic measure. Here, is the counting function of the sequence , and is the maximum modulus of the function .Нехай додатна, неперервна, зростаюча до на функція. Знайдено достатні та необхідні умови на додатну, неспадну на функцію , за яких для довільної комплексної послідовності такої, що , якщо , і для всіх достатньо великих , існує ціла функція з нулями в точках і лише в них (з урахуванням кратності), для якої маємо де множина скінченої логарифмічної міри. Тут лічильна функція послідовності , а максимум модуля функції
ОСОБЛИВОСТІ ФУНКЦІОНАЛЬНОЇ КОМУНІКАЦІЇ ПЕДАГОГА В УМОВАХ ГЛОБАЛІЗАЦІЙНОГО СУСПІЛЬСТВА
Get PDFThe article examines paradigmatic changes in education, taking into account the requirements of the modern world and European integration processes, considers current trends in functional communication of a teacher in a globalising society. Changes in the modern world, including technological progress, cultural diversity and growing mobility, affect the role of the teacher as a communicator.
The article analyses the impact of globalisation on communication practices in the educational environment and emphasises the need to adapt pedagogical communication to modern challenges.
The article analyses the impact of globalisation on the role of the teacher as a communicator and highlights strategies that teachers can use to improve the quality of communication in the context of international interaction and cultural diversity. In particular, the use of modern means and technologies of communication in the educational process is considered.
The study aims to identify the best strategies and approaches to effective communication in the context of globalisation. The study focuses on aspects that can help to reveal important topics related to globalisation and education, such as the use of language technologies, intercultural communication, adaptation to change, and cooperation with parents and other stakeholders. Particular attention is paid to the introduction of holistic, harmonising fundamentalisation of knowledge in the national education system.
This article can be an interesting source for teachers, researchers and anyone interested in functional communication in the modern educational environment. The article explores how educational systems and teachers are adapting to global competitiveness and learner mobility. They consider changes in teaching methods and pedagogical approaches aimed at developing students\u27 communication skills in a multicultural world. The article also analyses the impact of globalisation on methods and forms of pedagogical interaction in the educational environment. The main aspects of this process include the active role of the teacher, clarity and accessibility of communication, interaction and feedback, and preparing students for life in a globalised world. The authors emphasise the importance of functional communication as an effective exchange of information, which is key to addressing the strategic challenges of education development, especially in the context of integration and digitalisation.Стаття розглядає трансформації в освіті в розрізі вимог часу та глобалізаційних процесів, актуальні тенденції функціональної комунікації педагога. Зміни в сучасному світі, у т. ч. і технологічний прогрес, культурна різноманітність та зростаюча мобільність, визначають зміну традиційної ролі педагога на комунікатора.
Нами проаналізовано вплив глобалізації на комунікаційні практики в освітньому середовищі, наголошено на необхідності адаптації педагогічної комунікації до сучасних викликів. Розглянуто можливості педагога як комунікатора для підвищення якості педагогічної взаємодії в умовах культурної різноманітності освітнього середовища. Окреслено спектр використання сучасних засобів і технологій комунікації в освітньому процесі.
Дослідження спрямоване на визначення оптимальних стратегій і підходів до ефективної комунікації в умовах глобалізації та орієнтоване на аспекти, які можуть допомогти розкрити важливі теми, пов’язані з глобалізацією та освітою, а саме на: застосування інформаційних технологій, мовних технологій, міжкультурну комунікацію, адаптацію до змін, співпрацю з батьками та іншими стейкхолдерами.
Особлива увага приділяється впровадженню холістичної, гармонізаційної фундаменталізації знань у систему вітчизняної освіти. Акцентовано на активному партнерстві учасників освітнього процесу, зрозумілості та доступності комунікації, підготовці здобувачів освіти до життя у глобалізованому світі. Підкреслено важливість функціональної комунікації як ефективного обміну інформацією, що є ключовим для вирішення стратегічних завдань розвитку освіти, особливо в контексті інтеграції та цифровізації
ПРОФЕСІЙНА АДАПТАЦІЯ ВЧИТЕЛІВ ДО ПЕДАГОГІЧНОЇ ДІЯЛЬНОСТІ
Get PDFУ матеріалі подано аналіз проблематики професійної адаптації молодого педагога. Розкрито психолого-педагогічну сутність категорії «професійна адаптація». Розглянуто функції професійної адаптації молодих фахівців, які виступають своєрідним її професійним полем, зокрема: психологічна, розвивальна, стимулююча, культурологічна. Охарактеризовано процес проходження молодим педагогом педагогічної інтернатури як системи заходів, спрямованих на його підтримку. З’ясовано роль визначальних чинників, від яких залежить успішність професійної адаптації. Розглянуто види професійної адаптації педагога-інтерна
ВПЛИВ ІНФОРМАЦІЙНО-КОМУНІКАЦІЙНИХ ТЕХНОЛОГІЙ НА МОДИФІКАЦІЮ ОСВІТНЬОГО ПРОЦЕСУ В ЗАКЛАДАХ ВИЩОЇ ОСВІТИ (1990-ті роки ‒ перша чверть ХХІ століття)
Get PDFThe authors have analyzed the opportunities and that importance of information technologies in the process of study at higher schools In particular, it is highlighted the questions of application of information technologies and their positive influence on the quality improvement of students professional training for the future professional activity at the institutions of higher pedagogical education. This article tells about the directions of implementation of ICT in the education process in HEI. It also helps to solve the problems which arose during the period from the first quarter of the 21-st century.Авторами здійснено аналіз можливості і місця інформаційних технологій в освітньому процесі вищої школи. Зокрема, висвітлено питання їх позитивного використання і впливу на якість поліпшення професійної підготовки студентів до майбутньої фахової діяльності в закладах вищої педагогічної освіти. У статті наголошується на напрямах упровадження ІКТ в освітньому процесі ЗВО, а також вирішенні проблем, які визрівають на цьому етапі. Періодом, узятим для окреслення порушеного питання, виокремлено 1990-ті роки ‒ першу чверть ХХІ століття
Дослідження оптичних та електрофізичних властивостей покриттів Mn4Si7 різної товщини
No full textStudies of Mn4Si7 coatings of different thicknesses have shown that magnetron deposition practically does not change the composition of the coating in comparison with the composition of the target. The technology and basic modes of creating the necessary targets for a magnetron sputtering device are presented. Targets were created by adding silicon and manganese powders in the required amount and heating them under vacuum conditions at high temperature and pressure. Thin silicide films (coatings) of different thicknesses were formed on the surface of silicon dioxide from the produced targets using the method of magnetron sputtering. Studies of the transmission, absorption, and reflection coefficients of coatings in the visible region of the spectrum have shown that for the Mn4Si7 coating, the reflection coefficient is practically the same at all wavelengths. It was found that the Seebeck coefficient varies from 16 µV/K to 22 µV/K, and the resistance decreases from 77 Ω to 20 Ω with increasing thickness of the thin Mn4Si7 coating.Дослідження покриттів Mn4Si7 різної товщини показали, що магнетронне осадження практично не змінює складу покриття в порівнянні зі складом мішені. Представлено технологію та основні режими створення необхідних мішеней для установки магнетронного розпилення. Мішені створювали шляхом додавання порошків кремнію та марганцю в необхідній кількості та їх нагрівання в умовах вакууму при високій температурі та тиску. На поверхні діоксиду кремнію із виготовлених мішеней методом магнетронного напилення формували тонкі силіцидні плівки (покриття) різної товщини. Дослідження коефіцієнтів пропускання, поглинання і відбиття покриттів у видимій області спектра показали, що для покриття Mn4Si7 коефіцієнт відбиття практично однаковий на всіх довжинах хвиль. Встановлено, що зі збільшенням товщини тонкого покриття Mn4Si7 коефіцієнт Зеєбека змінюється від 16 мкВ/К до 22 мкВ/К, а опір зменшується від 77 Ом до 20 Ом
Твердість, вібраційна магнітометрія, циклічна вольтамперометрія та DFT-дослідження кристалів Тригліцин Сульфату, легованих Сульфатом Цезію
No full textThe creation of capacitors, transducers, sensors, and infrared detectors utilise the nonlinear, ferroelectric triglycine sulphate (TGS) crystal. Cesium sulphate is incorporated into the lattice of TGS crystal to change its characteristics. Cesium sulfate-doped triglycine sulphate (CSTGS) single crystals were produced using a solution approach and a slow evaporation process. The title crystal was studied by single crystal XRD, FTIR, hardness, VSM, cyclic voltammetric and density functional theoretical (DFT) studies and the results are discussed in this paper.Нелінійний сегнетоелектричний кристал тригліцинсульфату (TGS) часто використовують для створення конденсаторів, перетворювачів, датчиків та інфрачервоних детекторів. Для зміни його характеристик у кристалічну решітку вводять Сульфат цезію (TGS). Монокристали тригліцинсульфату, легованого сульфатом цезію (CSTGS), отримували з розчину та повільного процесу випаровування. Кінцевий кристал досліджували методами XRD, FTIR, вивченням твердості, VSM, циклічною вольтамперометрією та теоретичними дослідженнями методом функціоналу густини (DFT). Отримані результати обговорюються в цій статті
Вплив додавання Ag або Au на електро- та магніторезистивні властивості тонких плівок Ni80Fe20: 11
No full textThe electrophysical and magnetoresistive properties of permalloy Ni80Fe20 (Py) and Py64Ag36 and Py64Au36 thin films prepared by the electron-beam sputtering are presented. The effect of the addition of a third element (Ag or Au) on the resistivity, temperature coefficient of resistivity and magnetoresistance of permalloy films has been described. The structural, electrophysical and magnetoresistive properties of the investigated samples showed a strong dependence on the annealing temperature.У роботі представлені електрофізичні та магніторезистивні властивості тонких плівок пермалою Ni80Fe20 (Py) і Py64Ag36 і Py64Au36 отриманих методом електронно-променевого осадження. Описано вплив додавання третього елемента (Ag або Au) на питомий опір, температурний коефіцієнт питомого опору та магнітоопір плівок пермалою. Структурні, електрофізичні та магніторезистивні властивості досліджуваних зразків показали сильну залежність від температури відпалювання
Зміна оптоелектронних властивостей напівпровідникових сполук під дією наносекундних імпульсів лазерного опромінення
No full textNew research has discovered discrepancies in the melting points, plasma generation, and resulting changes in optoelectronic properties of semiconductor materials A2B6 and A3B5 when exposed to laser light, even when the experimental conditions are the same. Therefore, accurately determining the thresholds at which these complex semiconductor compounds melt and create plasma remains an unsolved task. This work utilizes nanosecond ruby laser irradiation to thoroughly examine fundamental characteristics of semiconductor compounds A2B6 and A3B5 when exposed to laser irradiation. This includes investigating the thresholds at which melting occurs, the production of plasma, and any changes in optoelectronic capabilities. The experimental results demonstrate notable discrepancies in the melting points and optoelectronic characteristics of various semiconductor materials when subjected to the same experimental conditions. The variations mostly arise from inherent statistical biases in the parameters of the sample. By employing photoacoustic and photoconductive techniques, we accurately ascertained the melting points of cadmium telluride, gallium arsenide, and aluminum gallium arsenide crystals, providing exact empirical data on the characteristics of these corresponding substances.
In addition, we performed photoconductive spectroscopy tests on cadmium telluride exposed to nanosecond ruby laser pulses. We noticed a significant impact of the creation of a tellurium layer on the photoconductivity. The investigations showed that the existence of a tellurium layer results in photoconductivity that varies depending on the spectrum, with the most significant improvement observed in the short-wavelength region.Нові дослідження виявили розбіжності в температурах плавлення, утворенні плазми та, як наслідок, зміни в оптоелектронних властивостях напівпровідникових матеріалів A2B6 і A3B5 під дією лазерного світла, навіть якщо умови експерименту однакові. Тому точне визначення порогів, при яких ці складні напівпровідникові сполуки плавляться і створюють плазму, залишається невирішеним завданням. У даній роботі використовується наносекундне опромінення рубіновим лазером для ретельного вивчення фундаментальних характеристик напівпровідникових сполук A2B6 і A3B5 під дією лазерного опромінення. Це включає дослідження порогів, за яких відбувається плавлення, утворення плазми та будь-які зміни в оптоелектронних можливостях. Експериментальні результати демонструють помітні розбіжності в температурах плавлення та оптоелектронних характеристиках різних напівпровідникових матеріалів у тих самих експериментальних умовах. Варіації здебільшого виникають через властиві статистичні похибки в параметрах вибірки. Використовуючи фотоакустичні та фотопровідні методи, ми точно встановили температури плавлення кристалів телуриду кадмію, арсеніду галію та арсеніду алюмінію-галію, надаючи точні емпіричні дані щодо характеристик цих відповідних речовин.
Крім того, ми провели випробування фотопровідної спектроскопії на телуриді кадмію під впливом наносекундних імпульсів рубінового лазера. Ми помітили значний вплив створення шару телуру на фотопровідність. Дослідження показали, що існування шару телуру призводить до фотопровідності, яка змінюється залежно від спектру, причому найбільш значне поліпшення спостерігається в короткохвильовій області
Дослідження титано-вольфрамового оксиду заліза як датчика газу
No full textTixFe3-xO4 and WxFe3-xO4 structures were grown. When examining the atomic percentages of the films grown under the same conditions as the EDX measurements, different ratios are observed in the WxFe3-xO4 structure (O: 71.05%, Fe: 4.22%, W: 24.74%). This is the opposite in the structure of TixFe3-xO4 (O; 58.16%, Fe; 41.68%, Ti; 0.17%). It is possible to say that the power source has an effect here, but also plasma thermodynamics and activation energies of metals play a significant role. The difference in the amount of oxygen in the structures is quite evident. The band gap energy of the as-grown and annealing TixFe3-xO4 structures were determined to be 2.19 eV and 2.14 eV respectively from absorption data. As grown and annealing WxFe3-xO4 structures were determined to be 3.09 eV and 3.15 eV respectively. The response of WxFe3-xO4 structure to hydrogen gas was measured at flow values of 1000 ppm, at 300 degrees, under white light and dark for 300, 180, and 120 seconds, and it has been seen that the examined thin films are suitable for gas sensor application under white light. The WxFe3-xO4 structure exhibits light sensitivity, despite having a relatively wide band gap. However, there is no evidence to suggest that this sensitivity is caused by hydrogen gas; but, it can be said it is sensitive to light. Also, the response of the TixFe3-xO4 structure was measured for 600 seconds, and it has been seen that the examined thin films are not suitable for gas sensor application under white light.Отримано структури TixFe3-xO4 та WxFe3-xO4. При зміні атомного відсотка плівок, вирощених за тих самих умов, за результатами EDX аналізу, спостерігаються різні співвідношення в їх структурі: WxFe3-xO4(O: 71,05 %, Fe: 4,22 %, W: 24,74 %) та TixFe3-xO4 (O; 58,16 %, Fe; 41,68 %, Ti; 0,17 %). Можна сказати, що тут є внесок джерела живлення, але істотну роль відіграють також термодинаміка плазми та енергія активації металів. Різниця в кількості кисню у цих структурах є очевидна. Енергія забороненої зони вирощеної та відпаленої структур TixFe3-xO4 була визначена з даних поглинання як 2,19 еВ та 2,14 еВ, відповідно. Отритмано, що під час вирощування та відпалу структури для WxFe3-xO4 ці значення становлять 3,09 еВ і 3,15 еВ, відповідно. При дослідженні результатів XRD моноклінної структури кристала WxFe3-xO4 і полікристала TixFe3-xO4 спостерігаються як ромбічні, так і кубічні структури. Відповідь структури WxFe3-xO4 на газоподібний водень вимірювали при значеннях потоку 1000 ppm, при 300 градусах, під білим світлом і темрявою протягом 300, 180, 120 секунд, і було видно, що розглянуті тонкі плівки придатні для газу застосування датчика під білим світлом. Структура WxFe3-xO4 проявляє світлочутливість, незважаючи на відносно широку заборонену зону. Однак немає доказів того, що ця чутливість спричинена газоподібним воднем; але можна твердити про чутливість до освітлення. Крім того, відповідь структури TixFe3-xO4 вимірювали протягом 600 секунд, і було видно, що досліджувані тонкі плівки не підходять для застосування у якості газового датчика під дією білого світла
Дослідження впливу дрібнодисперсних добавок на основі титану на підвищення когезійної та адгезійної міцності епоксидно-полімерних композитів
No full textThe study examines how the inclusion of a dispersed powder filler affects the physico-mechanical properties of an ultrasound-modified epoxy matrix. Varying the filler content from 5% to 60% by weight in the composite revealed an optimal concentration for enhanced mechanical properties. Introducing the filler at 5% led to maximum impact strength (W = 18.47 kJ/m2) and minimized destructive stresses during bending (σB = 51.75 MPa). At 10% filler concentration, destructive bending stresses increased significantly from σB = 48.0 MPa to σB= 74.85 MPa, with impact strength improving from W = 7.4 kJ/m2 to W = 17.42…18.47 kJ/m2. Further increasing filler content to 20–60% resulted in a slight decrease in destructive stresses while still surpassing for the filler-free epoxy matrix strength. Optimal modifier content improved adhesive characteristics, achieving a peak adhesive strength (σa = 33.4 MPa) at 20% filler, albeit with residual stresses at 0.34 MPa. Introducing the modifier at 10% increased adhesive strength to σa = 28.6 MPa, marking a 1.15-fold improvement over the filler-free epoxy matrix, while reducing residual stresses from σres = 1.4 MPa to σres = 1.0 MPa. Higher filler content (40-60%) led to decreased adhesive strength and increased residual stresses (σres = 0.62…0.69 MPa).Досліджено вплив дисперсного порошкового наповнювача на фізико-механічні властивості модифікованої ультразвуковою обробкою вихідної епоксидної матриці. Змінюючи вміст наповнювача від 5% до 60% (мас.), виявлено оптимальну концентрацію для формування епоксидних композитів з поліпшеними механічними властивостями. Введення наповнювача у кількості 5 % (мас.) приводить до максимуму значення ударної в’язкості (W = 18,47 кДж/м2), в той час, коли значення руйнівних напружень при згинанні мають найнижчий рівень σзг = 51,75 МПа. Доведено, що наповнення композитів дисперсними частками у кількості q = 10 % (мас.) забезпечує підвищення руйнівних напружень при згинанні до σзг = 74,85 МПа та ударної в’язкості до W = 17,42…18,47 кДж/м2. Подальше збільшення вмісту наповнювача в складі композиту до 20 – 60 % призводить до деякого зменшення величини руйнівних напружень, рівень яких, однак, все ще помітно перевищує рівень міцності вихідної матричної фази. Найбільше значення адгезійної міцності σa = 33,4 МПа досягається при введенні 20 % (мас.) дисперсного наповнювача, але при даному наповненні залишкові напруження становлять 0,34 МПа. При введенні модифікатора у кількості q = 10 % (мас.) адгезійна міцність при відриві – σa = 28,6 МПа, що вище у 1,15 рази за значення вихідної епоксидної смоли. Водночас слід зазначити, що введення модифікатора у кількості q = 10 мас.ч. зумовлює зниження залишкових напружень від σres = 1,4 МПа (для вихідної епоксидної матриці) до σres= 1,0 МПа. Збільшення вмісту дисперсної складової до q = 40-60 % (мас.) призводить до помітного зменшення рівня адгезійної міцності, а також до зростання залишкових напружень, які становлять σres = 0,62…0,69 МПа відповідно