Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Not a member yet
466 research outputs found
Sort by
Теллурид кадмия для высокоэффективных солнечных элементов
Full text linkProblems of the synthesis of cadmium telluride powders having required purity and grain size distribution for high-efficiency solar cells have been analyzed. A test batch of powders has been synthesized and used for the manufacture and study of thin-film solar cell specimens exhibiting parameters compliant with the best worldwide standards. The phase composition of the powders has been studied using X-ray diffraction. Structural analysis and elemental composition measurements have been carried out using electron microscopy. The effect of free tellurium phase in the powders on the endurance of devices manufactured from the powder has been described. We show that excess tellurium in the film specimens whose atoms are predominantly localized along grain boundaries may cause temporal degradation of the electrical properties of the manufactured solar cells due to changes in the parameters of the crystalline structure of the cadmium telluride phase which are caused in turn by changes in the stoichiometric composition of the material. Structural studies of the film specimens have not revealed differences in the film structure before and after endurance tests. A new cadmium telluride powder process route has been developed, proven and tested taking into account the advantages and drawbacks of the previously used process and experiments confirming the correctness of the technical solutions chosen have been conducted.Рассмотрены проблемы производства порошков теллурида кадмия заданных чистоты и гранулометрического состава, предназначенных для изготовления высокоэффективных солнечных элементов. Получена опытная партия порошков, на основе которых изготовлены и исследованы образцы пленочных солнечных элементов с параметрами на уровне ведущих мировых стандартов. Методом рентгеновской дифрактометрии определен фазовый состав образцов порошков и пленок, методом растровой электронной микроскопии — структурный анализ и измерение элементного состава. Описано влияние наличия фазы свободного теллура в порошках на ресурсные характеристики полученных приборов. Показано, что в пленках избыток теллура, который расположен преимущественно по границам зерен, может приводить со временем к ухудшению электрофизических характеристик солнечных элементов из-за изменения параметров кристаллической структуры фазы теллурида кадмия, вызванного изменением стехиометрического состава. Структурные исследования пленок не выявили в них отличий до и после ресурсных испытаний. Разработана, обоснована и опробована новая технологическая схема получения порошков теллурида кадмия с учетом преимуществ и недостатков используемой ранее технологии, проведены эксперименты, подтверждающие правильность выбранных решений.
Влияние термообработки на структуру и механические свойства кристаллов диоксида циркония, частично стабилизированных оксидом самария
No full textThe effect of high-temperature treatment in different media on the phase composition, microhardness and fracture toughness of (ZrO2)1-х(Sm2O3)х crystals with x = 0.02÷0.06 has been studied. The crystals have been grown using direction melt crystallization in a cold skull. The crystals have been heat treated at 1600 °C for 2 h in air and in vacuum. The phase composition of the crystals has been studied using X-ray diffraction and Raman scattering. We show that samarium cations enter the ZrO2 lattice mainly in a trivalent charge state and do not change their charge after air or vacuum annealing. The as-annealed phase composition has changed in all the test crystals except for the (ZrO2)0.94(Sm2O3)0.06 composition. After air or vacuum annealing the (ZrO2)1-x(Sm2O3)x crystals with 0.002 ≤ x ≤ 0.05 contain a monoclinic phase. The (ZrO2)0.94(Sm2O3)0.06 crystals contain two tetragonal phases (t and t´) with different tetragonality degrees. After air or vacuum annealing of the (ZrO2)0.94(Sm2O3)0.06 crystals the lattice parameters of the t and t´ phases change in opposite manners, suggesting that the tetragonality degree of the t phase increases whereas the tetragonality degree of the t´ phase decreases. The microhardness and fracture toughness of the as-annealed crystals depend on the Sm2O3 concentration in the solid solutions. The formation of the monoclinic phase in the (ZrO2)1-х(Sm2O3)х crystals with 0.037 ≤ x ≤ 0.05 significantly reduces the microhardness and fracture toughness of the crystals. Annealing of the (ZrO2)0.94(Sm2O3)0.06 crystals triggers more efficient hardening mechanisms and thus increases the fracture toughness of the crystals. We show that air or vacuum annealing of the (ZrO2)0.94(Sm2O3)0.06 crystals increases the fracture toughness of the crystals by 1.5 times as compared with that of the as-grown crystals.Проведено исследование влияния высокотемпературной термообработки в разных средах на фазовый состав, микротвердость и вязкость разрушения кристаллов (ZrO2)1-х(Sm2O3)х при x = 0,02÷0,06. Кристаллы выращены методом кристаллизации из расплава в холодном контейнере. Термообработку кристаллов проводили при температуре 1600 °С в течение 2 ч на воздухе и в вакууме. Исследования фазового состава выполнены методами рентгеновской дифрактометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Показано, что катионы самария входят в решетку ZrO2 преимущественно в трехвалентном зарядовом состоянии и не меняют своего зарядового состояния после отжига на воздухе и в вакууме. Изменение фазового состава после отжига наблюдали во всех кристаллах, кроме состава (ZrO2)0,94(Sm2O3)0,06. После отжига на воздухе и в вакууме кристаллы (ZrO2)1-x(Sm2O3)x при 0,002 ≤ x ≤ 0,05 содержали моноклинную фазу. В кристаллах (ZrO2)0,94(Sm2O3)0,06 присутствовали две тетрагональные фазы t и t´ с разной степенью тетрагональности. После отжига кристаллов (ZrO2)0,94(Sm2O3)0,06 на воздухе и в вакууме изменение параметров решетки фаз t и t´ имеет разнонаправленный характер, что приводит к увеличению степень терагональности t-фазы и уменьшению степени тетрагональности t´-фазы. Изменение микротвердости и вязкости разрушения кристаллов связано с изменениями фазового состава кристаллов после отжига и зависит от концентрации Sm2O3 в твердых растворах. Образование моноклинной фазы в кристаллах (ZrO2)1-х(Sm2O3)х при 0,037 ≤ x ≤ 0,05 приводит к существенному уменьшению значений микротвердости и вязкости разрушения кристаллов. Для кристаллов (ZrO2)0,94(Sm2O3)0,06 отжиг приводит к более эффективному действию механизмов упрочнения и, таким образом, к увеличению вязкости разрушения. Показано, что для кристаллов (ZrO2)0,94(Sm2O3)0,06 отжиг на воздухе и вакууме приводит к увеличению значений вязкости разрушения кристаллов в 1,5 раза по сравнению с ростовыми кристаллами.
Расчет механического напряжения под действием силы теплового расширения в трехмерных твердотельных конструкциях с помощью математического моделирования
No full textAt the end of the 20th century, the demand for more efficient methods for solving large sparse unstructured linear systems of equations increased dramatically. Classical single-level methods had already reached their limits, and new hierarchical algorithms had to be developed to provide efficient solutions to even larger problems. Efficient numerical solution of large systems of discrete elliptic PDEs requires hierarchical algorithms that provide a fast reduction of both shortwave and longwave components in the error vector expansion. The breakthrough, and certainly one of the most important advances of the last three decades, was due to the multigrid principle. Any appropriate method works with a grid hierarchy specified a priori by coarsening a given sampling grid in a geometrically natural way (a "geometric" multigrid method). However, defining a natural hierarchy can become very difficult for very complex, unstructured meshes, if possible at all. The article proposes an algorithm for calculating the deformation that occurs under the action of a thermal expansion force in three-dimensional solid models based on a grid approximation of the problem by hexagonal 8-node cells. The operation of the algorithm is illustrated by solving three problems.В конце XX в. резко возрос спрос на более эффективные методы решения больших разреженных неструктурированных линейных систем уравнений. Классические одноуровневые методы уже достигли своих пределов, и необходимо было разработать новые иерархические алгоритмы, чтобы обеспечить эффективное решение еще более сложных задач. Эффективное численное решение больших систем дискретных эллиптических уравнений в частных производных требует иерархических алгоритмов, которые обеспечивают быстрое уменьшение как коротковолновых, так и длинноволновых компонент в разложении вектора ошибки. Прорыв в решении данных задач, был обусловлен многосеточным принципом — одним из самых важных достижений за последние три десятилетия. Любой соответствующий метод работает с иерархией сеток, заданной априори путем огрубления данной сетки дискретизации геометрически естественным образом («геометрический» многосеточный метод). Тем не менее определение естественной иерархии может стать трудным для очень сложных, неструктурированных сеток, если возможно вообще. Предложен алгоритм расчета деформации, возникающей под действием силы теплового расширения, в трехмерных твердотельных моделях на основе сеточной аппроксимации задачи гексагональными 8-узловыми ячейками. Работа алгоритма иллюстрируется при решении трех задач
Кристаллическая структура твердых растворов 0,65BiFeO3—0,35Ba1-xSrxTiO3 в области морфотропной фазовой границы
No full textSolid solutions 0.65BiFeO3–0.35Ba1-xSrxTiO3 (0 ≤ x ≤ 1) with the compositions in the vicinity of the morphotropic phase boundary “rhombohedral-cubic” were synthesized by the Solid-state reaction method. The crystal structure and morphology of the ceramics 0.65BiFeO3–0.35Ba1-xSrxTiO3 were studied based on the data obtained by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, Raman spectroscopy, as well as energy-dispersive X-ray spectroscopy methods. It was determined that the chemical substitution of barium ions with strontium ions leads to a decrease in the magnitude of rhombohedral distortions, while the unit cell parameters decrease in the whole substitution concentration range. The solid solutions with x ≥ 0.25 are characterized by a single-phase structural state with a cubic unit cell; the average crystallite size decreases with increase of the dopant ions. The results of the structural studies carried out using Raman spectroscopy indicate the presence of rhombohedral distortions in the structure of all studied compounds, which is caused by the presence of nanosized clusters with rhombohedral symmetry. The obtained results made it possible to determine the sequence of the changes occurred in the phase state and the unit cell parameters in the region of the morphotropic phase boundary “rhombohedral -pseudocubic”; the concentration intervals corresponding to the single-phase and two-phase structural states of the compounds were determined. The region of concentration stability of the polar rhombohedral phase was clarified using the structural data obtained by local and microscopic research methods.Сложные оксиды переходных металлов характеризуются тесной взаимосвязью между типом кристаллической структуры, электрическими и магнитными свойствами, что обуславливает их практическую значимость. В твердых растворах на основе феррита висмута присутствует одновременно дипольный электрический и магнитный порядок, что расширяет возможности их практического использования в качестве датчиков внешних воздействий, при этом структурное состояние таких составов в значительной степени обуславливает их восприимчивость к внешним полям. Твердые растворы 0,65BiFeO3—0,35Ba1-xSrxTiO3 (0 ≤ x ≤ 1) c составами в области морфотропной фазовой границы «ромбоэдр—куб» обладают метастабильной структурой, что делает их перспективными функциональными материалами. На основании данных, полученных методами дифракции рентгеновского излучения, сканирующей электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния, а также энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии исследована кристаллическая структура и морфология твердых растворов 0,65BiFeO3—0,35Ba1-xSrxTiO3. Установлено, что химическое замещение ионов бария ионами стронция приводит к уменьшению величины ромбоэдрических искажений, при этом происходит уменьшение параметров элементарной ячейки для всех замещенных составов. Твердые растворы с x ≥ 0,25 характеризуются однофазным структурным состоянием с кубической элементарной ячейкой, средний размер кристаллитов уменьшается с увеличением концентрации ионов-заместителей. Результаты структурных исследований, проведенных методом спектроскопии комбинационного рассеяния, указывают на присутствие ромбоэдрических искажений в структуре всех исследуемых составов. Полученные результаты структурных исследований позволили определить последовательность изменения фазового состояния и параметров кристаллической структуры составов в области морфотропной фазовой границы «ромбоэдр-куб», определены концентрационные интервалы, соответствующие однофазному и двухфазному структурному состоянию составов; с использованием структурных данных, полученных локальными и микроскопическими методами исследования, уточнена область концентрационной стабильности полярной ромбоэдрической фазы
Имитационное моделирование аналоговой импульсной нейронной сети на основе мемристорного кроссбара с использованием параллельных вычислительных технологи
Full text linkThe work is devoted to the issues of simulation modeling of an analog impulse neural network based on memristive elements within the framework of the problem of pattern recognition. Simulation modeling allows you to configure the network at the level of a mathematical model, and subsequently use the obtained parameters directly in the process of operation. The network model is given as a dynamic system, which can consist of tens and hundreds of thousands of ordinary differential equations. Naturally, there is a need for an efficient and parallel implementation of an appropriate simulation model. OpenMP (Open Multi-Processing) is used as a technology for parallelizing calculations, since it allows you to easily create multi-threaded applications in various programming languages. The efficiency of parallelization is evaluated on the problem of modeling the process of learning the network to recognize a set of five images of size 128 by 128 pixels, which leads to the solution of about 80 thousand differential equations. On this problem, more than a sixfold acceleration of calculations was obtained.According to experimental data, the character of memristor operation is stochastic, as evidenced by the spread in the current-voltage characteristics during switching between high-resistance and low-resistance states. To take this feature into account, a memristor model with interval parameters is used, which gives upper and lower limits on the quantities of interest, and encloses the experimental curves in corridors. When modeling the operation of the entire analog self-learning impulse neural network, each epoch of training, the parameters of the memristors are set randomly from the selected intervals. This approach makes it possible to do without the use of a stochastic mathematical apparatus, thereby further reducing computational costs.Работа посвящена вопросам имитационного моделирования аналоговой импульсной нейронной сети на основе мемристивных элементов в рамках задачи распознавания образов. Имитационное моделирование позволяет выполнить настройку сети на уровне математической модели, и впоследствии использовать полученные параметры непосредственно в процессе функционирования. Модель сети задается в виде динамической системы, которая может состоять из десятков и сотен тысяч обыкновенных дифференциальных уравнений. Естественным образом возникает потребность в эффективной и параллельной реализации соответствующей имитационной модели. В качестве технологии для распараллеливания вычислений используется OpenMP (Open Multi-Processing), так как она позволяет достаточно легко создавать многопоточные приложения на различных языках программирования. Эффективность распараллеливания оценивается на задаче моделирования процесса обучения сети распознаванию набора из пяти изображений размера 128 на 128 пикселей, которая приводит к решению порядка 80 тысяч дифференциальных уравнений. На данной задаче получено более чем шестикратное ускорение вычислений.Согласно экспериментальным данным, характер функционирования мемристоров является стохастическим, о чем свидетельствует разброс в вольт-амперных характеристиках в процессе переключения между высокоомным и низкоомным состояниями. Для учета этой особенности применяется модель мемристора с интервальными параметрами, которая дает ограничения сверху и снизу на интересующие величины, и заключает экспериментальные кривые в коридоры. При моделировании работы всей аналоговой самообучающейся импульсной нейронной сети, каждую эпоху обучения параметры мемристоров задаются случайным образом из подобранных интервалов. Такой подход позволяет обойтись без применения стохастического математического аппарата, тем самым дополнительно уменьшив вычислительные затраты
Состояние и перспективы развития мобильных источников тока
Full text linkThe physicochemical foundations of the basic structures and technologies for the production of promising electrolytic cells for the accumulation of electrical energy with a specific energy intensity for reusable cells of 350–500 W ⋅ h/kg at the first stage and 1000 W ⋅ h/kg at the second stage have been developed. Along with traditional chemical current sources and ionistors, supercapacitive capacitor structures with a thin dielectric in a double electric layer and hybrid capacitors appear, in which energy is accumulated both in a double electric layer and due to electrochemical processes. This approach makes it possible to reduce the internal resistance of electrolytic cells, which leads to a decrease in heat generation during operation and, accordingly, an increase in specific energy consumption, operational safety, a decrease in charging time, and an increase in specific power. A promising anode is a nanostructured electrode material, which is a carbon-based matrix filled with a nanostructured reactive material. Promising materials for filling the carbon matrix are Li and its alloys, Si, Al, Na, Sn, Mg, Zn, Ni, Co, Ag, and a number of other materials and their compounds. The influence of the specific area of the carbon material, dielectric constant, addition of a chemically active substance on the specific energy consumption has been studied. The theoretical values of the specific energy capacity of hybrid capacitors with a metal-air system are calculated. A thin-film technological complex has been developed that ensures the creation of a new generation of electrode materials, the design of which is a carbon matrix with a highly developed surface, in which there is a tunnel-thin dielectric, on the surface of which a chemically active material is placed.Разработаны физико-химические основы базовых конструкций и технологий производства перспективных электролитических ячеек для накопления электрической энергии с удельной энергоемкостью для многоразовых ячеек — 350—500 Вт ⋅ ч/кг на первом этапе и 1000 Вт ⋅ ч/кг на втором. Наряду с традиционными химическими источниками тока и ионисторами появляются сверхъемкие конденсаторные структуры с тонким диэлектриком в двойном электрическом слое и гибридные конденсаторы, в которых энергия накапливается как в двойном электрическом слое, так и за счет протекания электрохимических процессов. Такой подход позволяет снизить внутреннее сопротивление электролитических ячеек, что приводит к уменьшению тепловыделения в процессе работы и, соответственно увеличению удельной энергоемкости, безопасности эксплуатации, снижению времени зарядки, а также обеспечению роста удельной мощности. Перспективным анодом является наноструктурированный электродный материал, который представляет собой матрицу на основе углерода, заполненную наноструктурированным химически активным материалом. Перспективными материалами для заполнения углеродной матрицы являются Li и его сплавы, Si, Al, Na, Sn, Mg, Zn, Ni, Co, Ag, а также ряд других материалов и их соединений. Исследовано влияние на удельную энергоемкость удельной площади углеродного материала, диэлектрической проницаемости, добавления химически активного вещества. Рассчитаны теоретические значения удельной энергоемкости гибридных конденсаторов с металл-воздушной системой. Разработан тонкопленочный технологический комплекс, обеспечивающий создание нового поколения электродных материалов, конструкция которых представляет собой углеродную матрицу с высокоразвитой поверхностью, в которой находится туннельнотонкий диэлектрик, на поверхности которого размещен химически активный материал
Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе a-Ga2O3
Full text linkGa2O3 is an ultra-wideband material with excellent optical characteristics. It is a promising material for power applications and optoelectronics because of its high electrical breakdown voltage and radiation hardness. It is optically transparent for visible light and UVA but UVC-sensitive. One of the main disadvantages of this material is the anomalous slow photoeffect: photoconductivity rise and decay characteristic times can be more than hundreds of seconds long. This "slow" photoconductivity effect severely limits the utilisation of the Ga2O3-based devices. The aim of this work is the investigation of the nature of this effect. The results of the photoinduced current rise and decay under 530 nm and 259 nm LED are measured in the HVPE-grown α-Ga2O3-based Schottky diode. Upon UV-illumination the photocurrent rise consists of three parallel processes: fast signal growth, slow growth and very slow decay with characteristic times near 70 ms, 40 s and 300 s respectively. Subsequent 530 nm LED illumination resulted in photoinduced current rise consisting of two mechanisms with characterisatic times 130 ms and 40 s on which a very slow decrease of the photocurrent amplitude with characteristic time of 1500 s was superimposed. 530 nm illumination stimulates this process. Protoinduced current relaxation analysis shows the presence of the deep levels with energies (EC - 0.17 eV). It is suggested that extremely slow relaxations can be associated with potential fluctuations near the Schottky barrier.Ga2O3 — широкозонный материал с рядом уникальных характеристик, которые делают его перспективным материалом фотоники: он оптически прозрачен для оптического и ближнего ультрафиолетового излучения, обладает высокими значениями пробивных напряжений и высокой радиационной стойкостью. Одним из недостатков, которые в настоящее время препятствуют использованию данного материала в солнечно-слепых фотодетекторах, является аномально большое время нарастания и спада фотопроводимости, которое может достигать сотен секунд. Такая «замедленная» фотопроводимость существенно ограничивает область применения этих материалов. Проведены исследования природы этого эффекта. Выполнены измерения времени нарастания и спада фотоиндуцированного тока в диодах Шотки на основе α-Ga2O3, выращенных методом HVPE на сапфире, при засветке светодиодами с длиной волны 259 и 530 нм. При засветке ультрафиолетовым излучением рост тока через фоточувствительную структуру из двух встречных диодов происходил в три этапа: достаточно быстрое нарастание с характерным временем 70 мс, медленный рост с характерным временем 40 с и затянутый спад с характерным временем порядка 300 с. При последующей засветке излучением зеленого цвета рост тока с характерным временем 130 мс и 40 с накладывался на стимулируемый засветкой медленный спад амплитуды максимального тока с характерным временем порядка 1500 с. Анализ релаксации тока показал наличие глубоких центров с энергией (EC – 0,17 эВ). Существенное замедление релаксации фотоиндуцированного тока можно связать с флуктуациями потенциала вблизи барьера Шотки
Тепловые и термоэлектрические свойства керамики из оксида цинка, легированной металлами
Full text linkThe paper studies the thermal, electrical and thermoelectric properties of ZnO–MexOy ceramics with 1 ≤ x, y ≤ 3, where Me = Al, Co, Fe, Ni, Ti. The samples were made on the basis of ceramic sintering technology of powder mixtures of two or more oxides in an open atmosphere with variations in temperature and duration of annealing. Structural and phase studies of ceramics indicate that the addition of powders of MexOy alloying agents to ZnO powder with a wurtzite structure after the synthesis process leads to the release of secondary phases such as Znx(Me)yO4 spinels and a 4-fold increase in the porosity of the resulting ceramics. Studies of thermal conductivity at room temperature indicate the predominance of the lattice contribution. The decrease in thermal conductivity during doping is due to an increase in phonon scattering due to the influence of the following factors: (1) the size factor when replacing zinc ions in the ZnO (wurtzite) crystal lattice with metal ions from the added MexOy oxides; (2) the formation of defects – point, grain boundaries (microstructure grinding); (3) increase in porosity (decrease in density); and (4) formation of additional phase particles (such as spinels Znx(Mе)yO4). The effect of these factors in the substitution of zinc ions with metals (Co, Al, Ti, Ni, Fe) leads to an increase in the thermoelectric Q-factor of ZT by 4 orders of magnitude (due to a decrease in electrical resistivity and thermal conductivity with a relatively small decrease in the coefficient of thermal EMF). The reason for the decrease in electrical resistance is the more uniform redistribution of alloying metal ions in the wurtzite lattice, resulting in an increase in the number of donor centers, formed with an increase in the duration of annealing.В работе изучаются тепловые, электрические и термоэлектрические свойства керамик ZnO-MexOy с 1 ≤ x, y ≤ 3, где Me = Al, Co, Fe, Ni, Ti. Образцы изготавливались на основе керамической технологии спекания порошковых смесей двух или более оксидов в открытой атмосфере с вариациями температуры и продолжительности отжига. Структурно-фазовые исследования керамик указывают на то, что добавление порошков легирующих агентов MexOy в порошок ZnO со структурой вюрцита после процесса синтеза приводит к выделению вторичных фаз типа шпинелей Znx(Mе)yO4 и росту пористости полученных керамик в 4 раза. Исследования теплопроводности при комнатной температуре указывают на преобладание решеточного вклада. Уменьшение теплопроводности при легировании обусловлено увеличением рассеяния фононов вследствие воздействия следующих факторов: (1) размерный фактор при замещении ионов цинка в кристаллической решетке ZnO (вюрцит) ионами металлов из добавляемых оксидов MexOy; (2) образование дефектов - точечных, границ зерен (измельчение микроструктуры); (3) рост пористости (снижения плотности); и (4) формирование частиц дополнительных фазы (типа шпинелей Znx(Mе)yO4). Действие перечисленных факторов при замещение ионов цинка металлами (Co, Al, Ti, Ni, Fe) приводит к увеличению термоэлектрической добротности ZT на 4 порядка (за счет уменьшения удельного электросопротивления и теплопроводности при относительно небольшом снижении коэффициента термоЭДС). Причиной снижения электросопротивления является, образующееся при увеличении продолжительности отжига, более равномерное перераспределение ионов легирующих металлов в решетке вюрцита, приводящее к росту числа донорных центров
Активационные процессы при работе ионного мемристора Ag/SnSe/Ge2Se3/W с самоформирующимся токопроводящим каналом
Full text linkIn an Ag/SnSe/Ge2Se3/W ionic type memristor, the activation energy of two main processes responsible for its operation has been determined, namely: the activation energy for the formation of a conductive channel and the activation energy for memristor degradation. By measuring the current-voltage characteristics, the electrical conductivity of the memristor in low- and high-resistance operating modes was assessed. To determine the activation energy, the Arrhenius law and the provisions of the thermodynamics of irreversible processes were used, in particular the second postulate of Onsager, according to which the growth rate of the irreversible part of the entropy of a system tending to equilibrium is proportional to the sum of the products of the flows occurring in the system and the generalized thermodynamic force corresponding to each flow. The equilibrium state of the memristor was taken to be the state in which the memristor lost the ability to function as a resistive memory cell. The flow of Ag+ ions – electromigration was used as a substance flow. For the first process, the activation energy was 0.24 eV, and for the second, 1.16 eV. The different values of activation energy reflect the difference between the agglomeration mechanism of formation of a current-conducting channel, typical of an Ag/SnSe/Ge2Se3/W memristor, and the “standard” mechanism of substance transfer based on a group of point defects, which accompanies the process of memristor degradation.В мемристоре ионного типа Ag/SnSe/Ge2Se3/W определена энергия активации двух основных процессов, ответственных за его работу, а именно: энергия активации образования токопроводяшего канала и энергия активации деградации мемристора. С помощью измерения вольт-амперных характеристик оценена электропроводность мемристора в низко- и высокоомном режимах работы. Для определения энергии активации использованы закон Аррениуса и положения термодинамики необратимых процессов, в частности второй постулат Онзагера, согласно которому скорость роста необратимой части энтропии стремящейся к равновесию системы пропорциональна сумме произведений протекающих в системе потоков на соответствующую каждому потоку обобщенную термодинамическую силу. За равновесное состояние мемристора принимали состояние, в котором мемристор терял способность функционировать как ячейка резистивной памяти. В качестве потока вещества использовали поток ионов Ag+ — электромиграцию. Для первого процесса энергия активации составляла 0,24 эВ, а для второго — 1,16 эВ. Разные значения энергии активации отражают различие между агломерационным механизмом формирования токопроводящего канала, типичным для мемристора Ag/SnSe/Ge2Se3/W, и «стандартным» механизмом переноса вещества на основе группы точечных дефектов, сопровождающим процесс деградации мемристора