Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Not a member yet
466 research outputs found
Sort by
ОБЕСПЕЧЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ЗАГОТОВОК НА ИХ ОСНОВЕ СТАНДАРТНЫМИ ОБРАЗЦАМИ ПРЕДПРИЯТИЯ
Full text linkThe effectiveness of metrological control and consequently the credibility of test results directly depend on the level of certified reference material completeness in laboratory. In the sphere of single crystals optical parameters measurement the deficiency of state and manufactured certified reference materials takes place. Therefore, the development and application of certified reference materials of organization are reasonable and effective. The experience of development and application of organization certified reference materials designed for control of stability and guaranteeing of measurement traceability in the testing laboratory «Single crystals and stocks on their base» of National University of Science and Technology «MISIS» is considered.Эффективность метрологического контроля, а в итоге достоверность получаемых результатов напрямую связаны с уровнем обеспечения лаборатории стандартными образцами (СО). В области измерений параметров оптических монокристаллов и заготовок на их основе существует дефицит государственных стандартных образцов, а также промышленно производимых стандартных образцов. Поэтому для данной области исследований целесообразно и эффективно разрабатывать и применять стандартные образцы предприятия (СОП). Рассмотрен опыт разработки и применения стандартных образцов предприятия, предназначенных для контроля стабильности и обеспечения прослеживаемости измерений параметров оптических монокристаллов и заготовок на их основе, в аккредитованной межкафедральной учебно-испытательной лаборатории полупроводниковых материалов и диэлектриков «Монокристаллы и заготовки на их основе» Национального исследовательского технологического университета «МИСиС»
КЛЕТОЧНО–АВТОМАТНАЯ МОДЕЛЬ РАЗДЕЛЕНИЯ ФАЗ ПРИ ОТЖИГЕ СЛОЕВ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ
Full text linkИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН В КРИСТАЛЛАХ ГОЛОГРАФИЧЕСКИМ МЕТОДОМ
Full text linkHolographic interferometry allows visualizing SAW on the entire specimen surface simultaneously and measuring wave characteristics directly. A special method of SAW characteristics measurements by digital holographic interferometry was developed. The use of a picosecond laser allowed registering high frequency SAW two−exposure interferograms, and optical magnification of the CCD input image was used to increase spatial resolution.As a result we reach a sensitivity and resolution of visu-alization and SAW characteristics measurements that significantly exceeded the commonly known limitations of standard holographic methods. Разработана специализированная методика применения цифровой голографической интерферометрии для измерения параметров поверхностных акустических волн (ПАВ). При этом для обеспечения возможности регистрации двухэкспозиционных интерферограмм высокочастотных ПАВ в качестве источника излучения использовали пикосекундный импульсный лазер, а для повышения пространственного разрешения системы применяли увеличение изображения, поступающего на вход ПЗС−матрицы регистрирующей камеры. Достигнуты чувствительность и разрешающая способность, позволяющие проводить визуализацию и измерение параметров ПАВ, значение которых лежат далеко за пределами возможностей стандартных методов голографической интерферометрии
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg
Full text linkThe effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been investigated. Hole concentration increased and mobility decreased with an increase in thermal annealing temperature. The sample annealed at 1000 oC demonstrated the lowest value of resistivity. Rapid thermal annealing (annealing with high heating speed) considerably improved the efficiency of Mg activation in the GaN layers. The optimum time of annealing at 1000 oC has been determined. The hole concentration increased by up to 4 times compared to specimens after conventional annealing.Исследовано влияние условий термического отжига эпитаксиальных слоев GaN : Mg на активацию атомов акцепторной примеси. По результатам измерений методом Холла установлено, что с увеличением температуры отжига концентрация дырок возрастает, а подвижность уменьшается. Наименьшее значение удельного электрического сопротивления получено на образцах, отожженных при температуре 1000 oC. Быстрый термический отжиг (отжиг с высокой скоростью нагрева) позволяет существенно повысить эффективность процесса активации атомов магния в эпитаксиальных слоях GaN. Оптимальное время указанного процесса при температуре 1000 oC составило 1 мин. Показано, что концентрация дырок возросла в 4 раза по сравнению с образцами, подвергнутыми стандартному термическому отжигу
ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ МЕТОДОМ СТАЦИОНАРНОГО ВНЕШНЕГО НАГРЕВА
Full text linkThe method of bidomain structure synthesis in lithium niobate single crystal wafers based on the formation of a specific temperature gradient across the sample thickness has been developed. The lithium niobate wafer placed between two silicon wafers was heated due to the absorption of light annealing system radiation by silicon. The work cell design allows one to form and control the power of thermal fluxes entering the ferroelectric wafer thus creating temperature gradients required for a controlled process of formation of two domains with opposite polarization vectors («head to head» domain structure). The efficiency of light absorption for the formation of external thermal sources that allow one to implement symmetric and asymmetric heating, determining the position of the conditional surface with the zero temperature gradient and consequently the position of the domain boundary is experimentally confirmed.In a lithium niobate wafer 1.6 mm in thickness and 60 mm in length, a symmetrical bidomain structure with opposite polarization vectors was formed. The bending strain of cantilevered samples vs applied voltage was investigated in the -300 to +300 V voltage range, the strain amplitude being more than 35 µm. The measurements showed a high linearity and repeatability of the bias voltage vs bending strain curve
МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С
Full text linkTemperature dependance of the resistivity of carbon−silicon 1 mkm film containing nanocise tungsten particles were investigated. Resistivity measurements were carried out by contact method in the temperature range 20—200 °С for films with resistivity at room temperature of about 0,03—15 Ohm cm. Decreasing of the resistivity with temperature was observed. An activation and a tunnel mechanisms of conductivity were proposed. Tunnel fraction growths with tungsten content from 40 to 80% coincident with decrease of activation energy from 0,1 to 0,06 eV.Изучены температурные зависимости удельной электропроводности (УЭС) кремний−углеродных пленок с наноразмерными включениями вольфрама. Контактным методом измерена электро-проводность образцов в интервале температур 20—200 °С. Показано, что у пленок с УЭС 0,03—15 Ом см при комнатной температуре электропроводность растет с повышением температуры и имеет две компоненты — термоактивационную и постоянную, предположительно туннельного характера. Доля туннельной компоненты возрастает от 40 до 80 % с увеличением содержания вольфрама в пленке, энергия активации при этом падает от 0,1 до 0,06 эВ.