Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Not a member yet
466 research outputs found
Sort by
Исследование процессов диффузии ионов кобальта в кристаллах ортованадата кальция
No full textIn this work, the high-temperature diffusion doping method was used for introduction of active cobalt ions into calcium orthovanadate Ca3(VO4)2crystals. Experimental samples were made from a nominally pure CVO single crystal obtained by the Czochralski method. The high-temperature diffusion conditions have been optimized to obtain doped crystals of optical quality during annealing in open and closed zones. Diffusion coefficients of cobalt ions (D) were calculated for various conditions: annealing time 24 - 48 hours; temperature range 1150-1300°C; diffusants - oxide compounds of calcium, cobalt and vanadium: Co3O4, Ca10Co0.5(VO4)7 and Ca3(VO4)2:2wt.%Co3O4; diffusion direction is parallel or perpendicular to the CVO crystal optical axis. The calculated values of the diffusion coefficient varied between 2.09·10-8—1.58·10-7 cm2/s. The activation energy of the diffusion process was determined to be 2.58±0.5 and 2.63±0.5 eV for the [001] and [100] directions, respectively. The maximum cobalt concentration in doped CVO crystals was 2·1020 cm–3. The absorption spectrum of diffusion-doped Ca3(VO4)2:Co samples demonstrates the presence of absorption bands characteristic for Co2+ and Co3+ ions. It was shown that the intensity ratio of the characteristic absorption bands varies depending on the crystal doping method. The optical anisotropy of the crystal increases with dopant concentration increase.Изготовление активных элементов твердотельных лазеров и лазерных систем, эффективно работающих в широком спектральном диапазоне, основано на синтезе легированных монокристаллов высокого оптического качества. Кристаллы ортованадата кальция Ca3(VO4)2 обладают рядом свойств, находящих применение в лазерной технике. Использован метод высокотемпературного диффузионного легирования для внедрения активных ионов кобальта в кристаллы ортованадата кальция Ca3(VO4)2 (CVO). Экспериментальные образцы изготовлены из монокристалла номинально чистого CVO, полученного методом Чохральского. Оптимизированы условия высокотемпературной диффузии для получения легированных кристаллов оптического качества при отжиге в открытом и закрытом объемах. Коэффициенты диффузии ионов кобальта рассчитаны для различных условий. Время отжига составляло 24—48 ч, диапазон температур — 1150—1300 °С, в качестве диффузантов использовали оксидные соединения кальция, кобальта и ванадия (Co3O4, Ca10Co0,5(VO4)7 и Ca3(VO4)2 : 2 % (вес.) Co3O4. Направление диффузии — параллельно и перпендикулярно к оптической оси кристалла CVO. Рассчитанные значения коэффициента диффузии варьировались в пределах 2,09·10-8—1,58·10-7 см2/с. Определена энергия активации процесса диффузии, которая составила 2,58±0,5 и 2,63±0,5 эВ для направлений [001] и [100] соответственно. Максимальная концентрация кобальта в легированных кристаллах CVO составила 2·1020 см–3. Спектр поглощения диффузионно-легированных образцов Ca3(VO4)2 : Co демонстрирует наличие полос поглощения, характерных для ионов Co2+ и Co3+. Показано, что соотношение интенсивностей характеристических полос поглощения изменяется в зависимости от способа получения кристалла. Оптическая анизотропия кристалла возрастает с ростом концентрации легирующего элемента
Моделирование радиопоглощающих свойств пиролизованного полиакрилонитрила в диапазоне частот от 3 до 50 ГГц
No full textВ настоящее время широко изучаются электромагнитные характеристики различных, в том числе и полимерных, материалов с целью применения их в качестве радиопоглощающих покрытий в изделиях электроники. Одним из таких материалов является пиролизованный полиакрилонитрил (ППАН). Рассмотрена модель поглощения электромагнитной волны слоями ППАН с электропроводностью 72 и 180 См/м и шириной слоя от 0,15 до 2 мм, в том числе содержащих металлический наполнитель (так называемый металлокомпозит на основе ППАН), в частотном диапазоне 3—50 ГГц. Моделирование выполнено в программном пакете COMSOL Multiphysics.Проведено сопоставление экспериментальных результатов с данными, полученными в ходе моделирования, по таким параметрам, как показатели отражения, прохождения и поглощения. Выводы, полученные из анализа данных моделирования, совпадают с результатами практических экспериментов. Анализ модели показал сходимость результатов моделирования с экспериментальными данными на качественном уровне
Исследования взаимодействия модифицированных нитрогруппой боронитридных нанотрубок с газофазными углеродосодержащими молекулами для создания сенсорных устройств
Full text linkRecently, the environmental situation in the world has been deteriorating everywhere and there is a need to find new effective means of detecting harmful substances in the air. Every year, the content of carbon dioxide in the air is growing, which in the end can lead to a deterioration in the health of people. Various types of sensor devices are currently used to timely fix the increase in the gas level. As the active material of such a sensor, modern unique materials can be used – nanotubes, which, due to their sorption properties, are able to detect the presence of harmful impurities in the air space of the premises. It is also possible to use such sensors as detectors of some human diseases by analyzing exhaled air, which makes their use in medicine possible. The results of a theoretical study of the sorption interaction of modified boronitride nanotubes with molecules of carbon dioxide and acetone, obtained using the quantum-chemical DFT method, are presented, which prove the possibility of using this type of nanotubes as a sensor material for sensor devices.В последнее время экологическая ситуация в мире повсеместно ухудшается и возникает необходимость поиска новых эффективных средств обнаружения вредных веществ в воздухе. С каждым годом растет содержание углекислого газа в воздухе, что в итоге может повлечь за собой ухудшение состояния здоровья людей. Для своевременной фиксации повышения уровня газа в настоящее время используют сенсорные устройства различного типа. В качестве активного материала такого сенсора могут быть использованы современные уникальные материалы — нанотрубки, которые, благодаря своим сорбционных свойствам, способны определять наличие вредных примесей в воздушном пространстве помещений. Также можно использовать подобные сенсоры в качестве детекторов некоторых заболеваний человека по анализу выдыхаемого воздуха, что делает возможным их применение в медицине. Представлены результаты теоретического исследования сорбционного взаимодействия модифицированных боронитридных нанотрубок с молекулами углекислого газа и ацетона, полученные с использованием квантово-химического метода DFT, которые доказывают возможность применения этого вида нанотрубок в качестве материала датчиков сенсорных устройств
Кристаллическая структура, пьезоэлектрические и магнитные свойства твердых растворов BiMn1-xFexO3 (x ≤ 0.4)
Full text linkСrystal structure, piezoelectric and magnetic properties of solid solutions BiMn1-xFexO3 (x ≤ 0.4) prepared by solid-phase reactions from a stoichiometric mixture of simple oxides at high pressures and temperatures have been studied. The structure of the compounds is characterized by the concentration driven phase transition from the monoclinic structure to the orthorhombic structure at x ≈ 0.2; wherein the ordering dz2 of the orbitals of Mn3+ ions is destroyed, and the inhomogeneous magnetic state is stabilized. Solid solutions with 0.2 ≤ x ≤ 0.4 are characterized by a nonzero piezoelectric response, wherein both ferroelectric and magnetic domain structures exist, the ferroelectric switching voltage decreases with an increase of iron ions concentration, while the residual magnetization value decreases. The maximum value of the piezoresponse signal is observed in the compound BiMn0.7Fe0.3O3. The work clarifies the relationship between the chemical composition, the crystal structure, piezoelectric and magnetic properties of solid solutions BiMn1-xFexO3. The presence of both magnetic and electric dipole ordering indicates the perspectives for the practical usage of such materials. Исследована кристаллическая структура, пьезоэлектрические и магнитные свойства твердых растворов BiMn1-xFexO3 (x ≤ 0,4), полученных методом твердофазных реакций из стехиометрической смеси простых оксидов при высоких давлениях и температурах. Структура составов характеризуется наличием концентрационного фазового перехода из моноклинной структуры в орторомбическую. Появление орторомбической фазы регистрируется при концентрации x ≈ 0,2, при этом начинает разрушаться упорядочение dz2 орбиталей ионов Mn3+, что приводит к стабилизации неоднородного магнитного состояния. Твердые растворы с 0,2 ≤ x ≤ 0,4 характеризуются ненулевым пьезоэлектрическим откликом, причем составы обладают как сегнетоэлектрической, так и магнитной доменной структурой, напряжение сегнетоэлектрического переключения уменьшается с увеличением концентрации железа, а остаточная намагниченность уменьшается. Максимальный сигнал пьезоотклика наблюдается в твердом растворе BiMn0,7Fe0,3O3. В работе уточнена взаимосвязь между химическим составом, типом кристаллической структуры, пьезоэлектрическими и магнитными свойствами твердых растворов BiMn1-xFexO3. Наличие одновременно магнитного и электрического дипольного упорядочения свидетельствует о перспективах практического использования таких материалов
Воздействие наносекундных ультрафиолетовых лазерных импульсов на поверхность монокристаллов германия
Full text linkFor the first time, a detailed comprehensive study of the "dry" etching of dislocation and dislocation-free germanium samples on the {111}, {110} and {100} planes has been carried out. Etching was carried out by exposure to pulses of nanosecond UV laser radiation of subthreshold intensity (wavelength 355 nm, duration ~ 10 ns, energy density ~ 0.5–1.3 J/cm2, pulse repetition rate 100 Hz, divergence 1–2 mrad). Before and after laser heat treatment of the surface, the samples were examined using a Zygo optical profilometer and a scanning electron microscope. Features of the nature of damage to surfaces corresponding to different crystallographic planes of single crystals of industrial dislocation germanium are revealed. They are compared with data on subthreshold damages of typical dislocation-free crystals.It is shown that in dislocation samples of germanium on the {111} plane, it is possible to create a regime of exposure to radiation, leading to the formation of etch pits that are outwardly identical to dislocation pits detected during selective chemical etching. Their concentration corresponds in order of magnitude to the density of dislocations.On the {100} plane of dislocation samples, etching results were also found, which clearly have a crystallographic nature. At an energy density of the acting radiation ≥ 0.4 J/cm2, on the surfaces of dislocation ({100} plane) and dislocation-free germanium ({111}, {100}, {110} planes), only individual spots ~ 50 μm in size were registered, as well as individual microcraters ~ 0.1–1 μm in size, which do not have crystallographic features. The possibility of environmentally friendly detection of dislocations in germanium without the use of chemical reagents is shown.Впервые проведено подробное комплексное исследование «сухого» травления дислокационных и бездислокационных образцов германия на плоскостях {111}, {110}, {100}. Травление осуществляли путем воздействия импульсов наносекундного ультрафиолетового (УФ) лазерного излучения допороговой интенсивности (длина волны — 355 нм, длительность ~ 10 нс, плотность энергии ~ 0,5—1,3 Дж/см2, частота следования импульсов — 100 Гц, расходимость — 1—2 мрад). До и после лазерной термообработки поверхности образцы исследовали с помощью оптического профилометра Zygo и растрового электронного микроскопа. Выявлены особенности характера повреждения поверхностей, соответствующих различным кристаллографическим плоскостям монокристаллов промышленного дислокационного германия. Они сопоставлены с данными о допороговых повреждениях типовых бездислокационных кристаллов.Показано, что в дислокационных образцах германия на плоскости {111} возможно создание режима воздействия излучения, приводящего к формированию ямок травления, внешне идентичных дислокационным ямкам, выявляемым при селективном химическом травлении. Их концентрация по порядку величины соответствует плотности дислокаций.На плоскости {100} дислокационных образцов также обнаружены результаты травления, явно имеющие кристаллографическую природу. При плотности энергии воздействующего излучения ≥ 0,4 Дж/см2 на поверхностях дислокационного (плоскость {100}), и бездислокационного германия (плоскости {111}, {100}, {110}), были зарегистрированы лишь отдельные пятна размером ~ 50 мкм, а также отдельные микрократеры размером ~ 0,1—1 мкм, не имеющие кристаллографических признаков. Показана возможность экологичного выявления дислокаций в германии без использования химических реагентов
Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p-Si
Full text linkThe influence of aluminum oxide films obtained by high-frequency cathode sputtering of an Al2O3 target in argon atmosphere on charging properties of the SiO2/p-Si interface was investigated. High-frequency C-V characteristics for MIS-structure with one-layer dielectric films: SiO2 (0,10 µm and 0,36 µm), Al2O3 (0,14 µm) – and its double-layers compositions were measured. Experiment was carried out with a KDB-4.5 and a KDB-5000 substrates. Some electrophysical parameters of the obtained films such as UFB and Qss were calculated. Based on experimental results it was confirmed that the embedded negative charge of Al2O3 film prevented the formation of the inversive layer on p-Si surface by compensation of the embedded positive charge of SiO2 film and enhancement of semiconductor surface with majority charge carriers and, thus, allowed stabilization of charge properties of the SiO2/p-Si interface. The applicability of Al2O3 film as additional dielectric covering for manufacture technology of photodiodes on high-resistance p-Si was confirmed by applying on a multi-element p-i-n photosensitive element (PE) as an example. It was established that passivation of silicon dioxide on periphery and between the elements of PE by Al2O3 film improved I-V characteristics and insulation resistance, which lead to increased yield rate of photodiodes.Исследовано влияние пленок оксида алюминия, полученных методом ВЧ-катодного распыления мишени Al2O3 в среде аргона, на зарядовые свойства границы раздела SiO2/p-Si. Проведены измерения высокочастотных C—V-характеристик МДП-структур с однослойными диэлектрическими пленками: SiO2 толщиной 0,10 и 0,36 мкм, Al2O3 толщиной 0,14 мкм и двухслойными композициями на их основе. В качестве исходного материала были выбраны пластины марок КДБ-4,5 и КДБ-5000. Рассчитаны электрофизические параметры пленок, такие как UFB и Qss. Экспериментальные результаты подтвердили, что отрицательный встроенный заряд в пленке Al2O3 способен предотвратить образование инверсионного слоя на поверхности кремния р-типа проводимости, компенсируя положительный встроенный заряд в пленке SiO2 и обогащая поверхность полупроводника основными носителями, и таким образом позволяет стабилизировать зарядовые свойства границы раздела SiO2/p-Si. На примере многоплощадочного p—i—n-фоточувствительного элемента (ФЧЭ) подтверждена применимость пленки Al2O3 в качестве дополнительного диэлектрического покрытия в технологиях изготовления фотодиодов на основе высокоомного кремния p-типа проводимости. Установлено, что пассивация диоксида кремния пленкой Al2O3 на периферии и между элементами ФЧЭ позволяет улучшить вольт-амперные характеристики и сопротивление изоляции Rиз, что ведет к повышению процента выхода годных фотодиодов
Влияние легирования на оптические свойства кристаллов лантан-галлиевого танталата
No full textNominally pure lanthanum-gallium tantalate La3Ga5.5Ta0.5O14 crystals doped with aluminum, silicon and gallium oxide to above stoichiometric content have been grown by the Czochralski technique in iridium crucibles in argon and in agron with addition of oxygen atmospheres. The transmittance spectra of the crystals have been measured on a Cary-5000 UV-Vis-NIR spectrophotometer in the 200–800 nm range. Absorption spectra α(λ) have been plotted on the basis of the experimental data. The absorption spectra of the undoped crystals grown in an oxygen-free atmosphere have one weak absorption band at λ ~ 290 nm. The absorption spectra of the crystals grown in an agron with addition of oxygen have absorption bands at λ ~ 290, 360 and 480 nm. We show that for the crystals grown in an oxygen-free atmosphere, gallium doping to above stoichiometric content reduces the intensity of its only λ ~ 290 nm absorption band. Aluminum doping of the La3Ga5.5Ta0.5O14 crystals grown in an oxygen-free atmosphere significantly reduces the intensity of the λ ~ 290 nm absorption band and increases the intensity of the λ ~ 360 and 480 nm bands. Aluminum doping of the La3Ga5.5Ta0.5O14 crystals grown in an oxygen-containing atmosphere reduces the intensity of the λ ~ 360 and 480 nm bands and increases the intensity of the λ ~ 290 nm absorption band. Silicon doping of these crystals significantly reduces the intensity of the λ ~ 480 nm band and also reduces the intensity of the λ ~ 290 and 360 nm bands.Методом Чохральского из иридиевых тиглей в атмосферах аргона и аргона с кислородом выращены кристаллы лантан-галлиевого танталата La3Ga5,5Ta0,5O14, номинально чистые, легированные алюминием, кремнием, и с добавлением количества оксида галлия выше стехиометрического. Измерены спектральные зависимости пропускания T(λ) образцов этих кристаллов на UV-Vis-NIR спектрофотометре Cary-5000 в диапазоне длин волн 200—800 нм. На основании экспериментальных данных построены спектральные зависимости поглощения α(λ). На спектральных зависимостях поглощения нелегированных кристаллов, выращенных в бескислородной атмосфере, наблюдается одна слабая полоса поглощения в области длины волны λ ~ 290 нм. В случае кристаллов, полученных в атмосфере аргона с кислородом, на спектральных зависимостях поглощения наблюдаются полосы в области длин волн λ ~ 290, 360 и 480 нм. Показано, что в случае кристаллов, выращенных в бескислородной атмосфере аргона, внесение галлия выше стехиометрического состава приводит к снижению интенсивности единственной полосы поглощения при λ ~ 290 нм. Легирование алюминием кристаллов La3Ga5,5Ta0,5O14 при выращивании их в бескислородной атмосфере обуславливает существенное усиление этой полосы поглощения, дополнительно усиливаются полосы при λ ~360 и 480 нм. В случае выращивания кристаллов La3Ga5,5Ta0,5O14 в кислородсодержащей атмосфере легирование алюминием ведет к снижению интенсивности полос поглощения при λ ~ 360 и 480 нм и усилению интенсивности полосы при λ ~ 290 нм. Легирование кремнием таких кристаллов существенно ослабляет полосы при λ ~ 480 нм, также наблюдается ослабление интенсивности полос при λ ~ 290 и 360 нм
Магнитоэлектрический эффект в трехслойных градиентных композитах LiNbO3/Ni/метглас
Full text linkIn this work the effect of annealing in a constant magnetic field on the magnetoelectric (ME) coefficient in three-layered gradient composites<LiNbO3/Ni/Metglas> is investigated. A technique of nickel electrochemical deposition on bidomain lithium niobate crystals was demonstrated. It is shown that the optimum temperature for the formation of the maximum remanent magnetization of the Ni layer in a constant magnetic field is 350 °C. In the samples annealed at this temperature, the maximum shift of the dependence of the ME coefficient on the external constant magnetic field relative to the value of 0 Oe was achieved. Quasistatic ME coefficient value was 1.2 V/(cm∙Oe) without applying of external DC magnetic field. The maximum value of the ME coefficient was reached 199.3 V/(cm∙Oe) at bending resonance of 278 Hz without external DC magnetic field. Obtained in this work values of ME coefficients don’t yield to most of ME composite materials which were published before.Исследовано влияние отжига в постоянном магнитном поле на величину магнитоэлектрического (МЭ) коэффициента в трехслойных градиентных МЭ композитах LiNbO3/Ni/метглас. Продемонстрирована методика электрохимического осаждения никеля на бидоменные кристаллы ниобата лития. Показано, что оптимальная для формирования максимальной остаточной намагниченности слоя Ni температура отжига в постоянном магнитном поле составляет 350 °С. В образцах, отожженных при данной температуре, был достигнут максимальный сдвиг зависимости МЭ коэффициента от напряженности внешнего постоянного магнитного поля относительно значения Hdc = 0. Значение квазистатического МЭ коэффициента в отсутствии внешнего постоянного магнитного поля составило 1,2 В/(см ∙ Э). Максимальное значение МЭ коэффициента было достигнуто на частоте изгибного резонанса структуры 278 Гц и составило 199,3 В/(см ∙ Э) без приложения внешнего магнитного поля. Полученные в работе значения МЭ коэффициента в трехслойных градиентных композитах LiNbO3/Ni/метглас не уступают аналогичным значениям для большинства МЭ композитных материалов, опубликованных ранее
Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации дырок в образцах p-GaAs, легированных цинком
Full text linkOptical and electrophysical properties of Cz-grown zinc doped p-GaAs samples have been investigated. Middle-infrared reflection spectra of ten p-GaAs samples have been obtained. Galvanomagnetic Van der Pau measurements have been made on these samples also, and the values of resistivity and Hall coefficient have been calculated. All experiments have been carried out at room temperature.Reflection spectra have been processed by Kramers–Kronig relations. The spectral dependences of real and imaginary parts of complex dielectric permittivity have been obtained and loss function has been calculated. The value of characteristic wave number corresponding to high-frequency plasmon-phonon mode has been determined by loss function maximum position.The theoretical calculations have been made, and the dependence has been obtained which gave the possibility to determine heavy hole concentration value at T = 295K by the value of characteristic wave number. Then by comparison of optical and Hall data the values of light hole mobility to heavy hole mobility ratio have been determined. This mobility ratio has been shown to be equal to (1.9–2.8) which is considerably less, than predicted theoretical value based on assumption that both light and heavy holes are scattered by optical phonons. It has been suggested that scattering mechanisms of light and heavy holes might be quite different.Исследованы оптические и электрофизические свойства образцов p-GaAs, выращенных методом Чохральского и легированных цинком. Измерены спектры отражения десяти образцов p-GaAs в средней ИК-области. На этих же образцах проведены гальваномагнитные измерения по методу Ван-дер-Пау и определены значения удельного электрического сопротивления и коэффициента Холла (все измерения проведены при комнатной температуре). Спектры отражения обработаны с использованием соотношений Крамерса—Кронига; вычислены спектральные зависимости действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости и построены функции потерь. По положению максимума функции потерь определено значение характеристического волнового числа, отвечающего частоте высокочастотной плазмон-фононной моды. Проведены теоретические расчеты и построена градуировочная зависимость, позволяющая по известному значению характеристического волнового числа определить концентрацию тяжелых дырок в p-GaAs при Т = 295 К. Далее путем сопоставления оптических и холловских данных определены значения отношения подвижностей легких и тяжелых дырок. Показано, что оно лежит в пределах 1,9—2,8, что значительно меньше значений, предсказываемых теорией в предположении, что и легкие, и тяжелые дырки рассеиваются одинаково (на оптических фононах). Высказано предположение, что механизмы рассеяния легких и тяжелых дырок различны
Синтез, структура и электромагнитные свойства нанокомпозитов FeCoCu/C
Full text linkFeCoCu ternary nanoparticles distributed and stabilized in the carbon matrix of FeCoCu/C metal-carbon nanocomposites have been synthesized using controlled IR pyrolysis of precursors consisting of the “polymer / iron acetylacetate / cobalt and copper acetates” type system obtained by joint dissolution of components followed by solvent removal. The effect of the synthesis temperature on the structure, composition and electromagnetic properties of the nanocomposites has been studied. By XRD was shown that the formation of the FeCoCu ternary nanoparticles occurs due to the interaction of Fe3С with the nanoparticles of the CoCu solid solution. An increase in the synthesis temperature leads to an increase in the size of the metal nanoparticles due to their agglomeration and coalescence as a result of matrix reconstruction. Furthermore, ternary alloy nanoparticles having a variable composition may form depending on the synthesis temperature and the content ratio of the metals. Raman spectroscopy has shown that the crystallinity of the carbon matrix of the nanocomposites increases with the synthesis temperature. The frequency responses of the relative permittivity and permeability of the nanocomposites have been studied at 3–13 GHz. It has been shown that a change in the content ratio of the metals noticeably increases both the dielectric and the magnetic losses. The former loss is caused by the formation of a complex nanostructure of the nanocomposite carbon matrix while the latter one originates from an increase in the size of the nanoparticles and a shift of the natural ferromagnetic resonance frequency to the low-frequency region. The reflection loss has been calculated using a standard method from the experimental data on the frequency responses of the relative permittivity and permeability. It has been shown that the frequency range and the absorption of electromagnetic waves (from –20 to –52 dB) can be controlled by varying the content ratio of the metals in the precursor. The nanocomposites obtained as a result of the experiment deliver better results in comparison with FeCo/C nanocomposites synthesized under similar conditions.Синтезированы тройные наночастицы FeCoCu, распределенные и стабилизированные в углеродной матрице металлоуглеродных нанокомпозитов FeCoCu/C. Синтез нанокомпозитов осуществлен методом контролируемого ИК-пиролиза прекурсоров типа «полимер — ацетилацетонат железа — ацетаты кобальта и меди», полученных совместным растворением компонентов с последующим удалением растворителя. Исследовано влияние температуры синтеза на структуру, состав и электромагнитные свойства нанокомпозитов. Методом рентгенофлуоресцентного анализа показано, что образование тройных наночастиц FeCoCu происходит за счет взаимодействия Fe3С с наночастицами твердого раствора CoCu. С повышением температуры синтеза увеличивается размер наночастиц металлов, что обусловлено процессами их агломерации и коалесценции при перестройке матрицы. Также в зависимости от температуры синтеза и соотношения металлов могут образовываться наночастицы тройного сплава с различным составом. Методом рамановской спектроскопии показано, что с повышением температуры синтеза степень кристалличности углеродной матрицы нанокомпозитов возрастает. Исследованы частотные зависимости относительной комплексной диэлектрической и магнитной проницаемости нанокомпозитов в диапазоне 3—13 ГГц. Показано, что изменение соотношения металлов приводит к значительному увеличению как диэлектрических, так и магнитных потерь. Первые связаны с формированием сложной наноструктуры углеродной матрицы нанокомпозита, а вторые обусловлены увеличением размера наночастиц и сдвигом частоты естественного ферромагнитного резонанса в низкочастотную область. Расчеты потерь на отражение проведены по стандартной методике на основе экспериментальных данных частотных зависимостей комплексной магнитной и диэлектрической проницаемости. Показано, что регулирование частотного диапазона и значения поглощения электромагнитных волн (от –20 до –52 дБ) может осуществляться путем изменения соотношения металлов в прекурсоре. Полученные нанокомпозиты обеспечивают более высокие результаты по сравнению с нанокомпозитами FeCo/C, полученными при аналогичных условиях