1,721,062 research outputs found
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Get PDFThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Get PDF“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Get PDFWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Análise de falhas em uma memória PSRAM por efeitos de dose total ionizante
Get PDFEste relatório apresenta o trabalho desenvolvido durante a disciplina Projeto de Diplomação do Curso de Engenharia Elétrica da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. O objetivo deste trabalho é descrever os efeitos da dose total ionizante em uma memória PSRAM comercial. Circuitos típicos deste tipo de memória foram abordados, bem como conceitos básicos de TID e de organização de memória. Simulações dos efeitos de dose total foram realizadas e os resultados comparados ao resultado experimental de um teste de irradiação realizado no LRI/IEAv.This document presents the work developed in the final project of the graduation in Electrical Engineering at Universidade Federal do Rio Grande do Sul. The purpose of this work is to analyse the effects of the total ionizing dose on a commercial PSRAM memory for aerospace applications. Typical memory circuits were covered, as well as basic concepts of the TID and of memory organization. Simulation of the TID were performed on typical memory circuits and compared to the experimental results of an irradiation test carried out at LRI/IEAv
Implementação e comparação de algoritmos para extração de parâmetros de RTN
Get PDFAtualmente o estudo de ruído gerado internamente pelos dispositivos, como o Random Telegraph Noise (RTN), é de grande relevância, visto que este estudo pode fornecer informações importantes sobre as propriedades físicas e atomísticas dos dispositivos micro e nano eletrônicos, dentre os quais como Resistive Random Access Memory (ReRAM) e MOSFET. Neste trabalho, será desenvolvido um algoritmo baseado em uma ferramenta conhecida como Hidden Markov Model (HMM), que é uma técnica muito utilizada na análise de sinais estocásticos. Com o desenvolvimento deste algoritmo pretende-se realizar a extração de parâmetros de sinais RTN a partir de valores sintéticos e dados experimentais medidos em dispositivos eletrônicos, tais como a ReRAM e o MOSFET. Além disso, será realizada uma comparação dos resultados extraídos pelo método desenvolvido com os resultados obtidos através de um segundo método de extração de parâmetros de sinais RTN, o qual foi implementado pelo aluno Pedro Augusto Böckmann Alves, e se baseia na discretização de medidas. Por fim, através da comparação dos resultados extraídos por cada um dos métodos, será feita uma análise de desempenho de ambos os algoritmos implementados, na presença de ruído Gaussiano (branco). Posteriormente, os algoritmos são aplicados para a extração de parâmetros de RTN a partir de dados experimentais de RTN medidos em dispositivos MOSFETs e ReRAMs. O parâmetro medido neste trabalho foi a corrente elétrica ao longo do tempo. Os resultados deste trabalho mostraram que ambos os métodos são capazes de realizar a extração dos parâmetros de sinais RTN, e também pode-se observar que o segundo método é menos preciso quando comparado ao método baseado na ferramenta HMM.Nowadays the study of noise generated internally by devices, such as the Random Telegraph Noise (RTN), is of great relevance, since this study can provide important information about the physical and atomistic properties of micro and nano electronic devices, among which as Resistive Random Access Memory (ReRAM) and MOSFET. In this work, an algorithm based on a tool known as the Hidden Markov Model (HMM) will be developed, which is a technique widely used in the analysis of stochastic signals. From the development of this algorithm it is intended to perform the extraction of RTN signal parameters from synthetic values and experimental data measured in electronic devices, such as ReRAM and MOSFET. In addition, a comparison of the results extracted by the developed method with the results obtained through a second method of extracting parameters from RTN signals will be carried out, which was implemented by the student Pedro Augusto Böckmann Alves, and is based on the discretization of measures. Finally, by comparing the results extracted by each method, a performance analysis of both implemented algorithms will be made, in the presence of Gaussian (white) noise. Subsequently, the algorithms are applied to extract parameters from experimental RTN data measured in MOSFETs and ReRAMs. The parameter measured in this work was the electric current over time. The results of this work showed that both methods are capable of extracting the parameters of RTN signals, and it can also be observed that the second method is less accurate when compared to the method based on the HMM tool
Modelagem e simulação dos efeitos de auto aquecimento em transistores MOS do tipo P
No full textThe complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) scaling process of the recent decades, coupled with new device structures and materials, has aggravated thermal problems and turned them into major reliability issues for deeply-scaled devices. As a consequence, the thermal transport dynamic and its impact on the device performance at submicron dimensions is established as a contemporary theme. In this context, a new selfconsistent electro-thermal particle-based device simulator for the study of self-heating effects in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) based in silicon is developed and presented. The electrical module of the tool utilizes the Ensemble Monte Carlo method to perform the charge transport, whereas the thermal module evaluates the non-isothermal temperature profiles by solving the phonon energy balance equations for both acoustic and optical phonon baths. These temperature profiles are fed back into the electrical module, which adjusts the carriers’ scattering rate accordingly, thus, properly accounting for the device current capability degradation. The developed tool proved to be suitable for sub-100 nm device simulations, and it was used to perform relevant case study simulations of 24-nm channel length bulk and fully-depleted siliconon- insulator (FD-SOI) MOSFETs. General device parameters extracted from the simulations are qualitatively in agreement with the expected behavior, as well as data from the literature, ensuring the proper operation of the tool. Electro-thermal simulations of bulk and FD-SOI devices provided both acoustic and optical phonon temperature profiles across the transistor structure, as well as the heat generation map and the device power dissipation. Some results were also extracted via Joule heating thermal model, and they are presented for comparison. The current degradation due to self-heating was found to be significant for FD-SOI devices, but very modest for bulk ones. At a fixed bias point of VD = VG = -1.5 V, for instance, bulk devices presented a current variation of as much as -0.75%, whereas for FD-SOI devices it reached up to -8.82% for Tgate = 400 K. Hot spot acoustic (lattice) and optical phonon temperatures were extracted as a function of the applied bias for both topologies. The lattice temperature rise, for instance, exceeded 10 K and 150 K over the heat sink temperature for bulk and FD-SOI transistors, respectively, observing the same bias point and gate temperature presented earlier. The particle-based nature of the tool is also suitable for the study of the impact of trap activity in MOSFETs and its interplay with self-heating effects. Simulations of charge traps were used to analyze the statistical distribution of the current deviations in 25-nm bulk MOSFETs due to traps. The simulations showed that these deviations are exponentially-distributed, as experimentally observed and reported in the literature. Electro-thermal simulations of charge traps in bulk and FD-SOI transistors revealed that the largest degradation on the device current occurs when the effects of self-heating and trap activity take place simultaneously. At lower biases, the impact of charge traps dominates the current degradation, whereas the self-heating component prevails for larger biases.Nas últimas décadas, o processo de constante redução das dimensões de dispositivos semicondutores — aliado a novas estruturas de dispositivos e novos materiais —, tem agravado os problemas térmicos em tais estruturas, tornando-os importantes limitadores na confiabilidade destes dispositivos. Como consequência, a dinâmica do transporte térmico, e o impacto desta no desempenho de dispositivos semicondutores de escala nanométrica, se estabelece como um tema bastante atual. Neste contexto, esta tese desenvolve e apresenta um novo simulador eletrotérmico de dispositivos do tipo particle-based voltado ao estudo dos efeitos de auto aquecimento (self-heating) em transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) do tipo p baseados em silício. A ferramenta possui duas partes principais: um módulo elétrico — que realiza o transporte de carga baseado no método de Monte Carlo —, e um módulo térmico — que determina os perfis não-isotérmicos de temperatura dentro do dispositivo através da resolução das equações do balanço energético entre fônons óticos e acústicos. Tais perfis de temperatura são fornecidos ao módulo elétrico que, por sua vez, ajusta a frequência de espalhamento dos portadores com base na temperatura na vizinhança destes, permitindo ao simulador capturar a degradação na capacidade de corrente dos transistores devido aos efeitos de auto aquecimento. A ferramenta se mostrou adequada para a simulação de dispositivos de até 100 nm de comprimento de canal, e foi utilizada para realizar simulações estudo de caso de transistores MOS nas tecnologias bulk e fully-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) com 24 nm de comprimento de canal. Parâmetros elétricos de tais dispositivos extraídos via simulação se mostraram coerentes com o comportamento esperado e com dados da literatura, o que assegura o correto funcionamento do simulador. A partir de simulações eletrotérmicas, foram extraídos os perfis de temperatura ao longo da estrutura dos transistores, além do mapeamento da geração de calor dentro do dispositivo e a potência por este dissipada. Para comparação, alguns resultados também foram extraídos a partir do modelo de aquecimento Joule. A degradação na corrente do dispositivo devido ao efeito de auto aquecimento se mostrou muito mais significativa para transistores de tecnologia FD-SOI do que para transistores de tecnologia bulk. Para uma polarização de VD = VG = -1.5 V, por exemplo, transistores bulk apresentaram uma variação média na corrente de -0.75%, enquanto que a corrente dos transistores FD-SOI variou, em média, -8.82%, considerando Tgate = 400 K. A temperatura de pico dos fônons acústicos (rede cristalina) e óticos foi extraída em função da polarização aplicada para ambas as topologias. Para a rede cristalina, por exemplo, o aumento da temperatura em relação à temperatura do dissipador foi de 10 K e 150 K para dispositivos bulk e FD-SOI, respectivamente, observando as mesmas condições apresentadas anteriormente. A característica particle-based da ferramenta também se mostrou adequada para o estudo da atividade de armadilhas (traps) em MOSFETs, bem como a interação desta com os efeitos de auto aquecimento. A simulação de armadilhas foi utilizada para analisar a distribuição estatística de impacto destas na corrente de dispositivos bulk com 25 nm de comprimento de canal. Tais simulações mostraram que as variações na corrente dos transistores devido à ação de armadilhas são exponencialmente distribuídas, em concordância com observações experimentais reportadas na literatura. Simulações eletrotérmicas de armadilhas de carga em transistores bulk e FD-SOI revelaram que a maior degradação na corrente do dispositivo ocorre quando os efeitos de auto aquecimento e atividade de armadilhas ocorrem simultaneamente. Para tensões de polarização mais baixas, o impacto das armadilhas de carga domina a degradação de corrente, enquanto que a degradação devido ao auto aquecimento prevalece para tensões mais elevadas
Análise dos efeitos da radiação ionizante em memórias FLASH e SRAM
Get PDFEste relatório apresenta o trabalho desenvolvido durante a disciplina Projeto de Diplomação do Curso de Engenharia Elétrica da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. O projeto desenvolvido consiste no estudo dos efeitos da radiação ionizante sobre dispositivos semicondutores, especialmente em memórias flash e SRAM, e os tipos de falha que podem vir a ocorrer nestes tipos de memória. Além disso, consiste na seleção de testes que podem ser aplicados às memórias de forma a verificar as falhas provocadas pela radiação, e o projeto de uma plataforma para testar algumas memórias, que foi desenvolvida baseada em FPGA.This document presents the work developed in the final project of the graduation in Electrical Engineering at Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS). The project consists in the study of the effects of ionizing radiation on flash memories and SRAMs, and the fault types that may occur in these memories. Also, this work includes the selection of tests that can be applied to the memories in order to verify their comportment in a radiation environment, and the design of a test platform to analyze the faults in the memories, which was developed based on a FPGA platform
Caracterização elétrica temporal de transistores de filmes finos de nanopartículas de óxido de zinco
Get PDFNeste trabalho, são discutidas as características de transistores de filmes finos (TFTs) nos quais nanopartículas de óxido de zinco (ZnO) são empregadas como material ativo na camada semicondutora. O crescimento contínuo do interesse por este componente está associado à busca pelo desenvolvimento da tecnologia de dispositivos eletrônicos flexíveis, transparentes e de baixo custo. TFTs integrados com nanopartículas de ZnO são apresentados, e uma extensa rotina de caracterização elétrica transiente é realizada para avaliar como estes dispositivos se comportam e degradam ao longo do tempo. Foram medidas, ao total, 80 amostras de transistores integrados em duas configurações distintas: inverted staggered e inverted coplanar. A partir das medidas analisadas foram identificados dois grupos de comportamentos elétricos dominantes, os quais foram classificados em: efeitos abruptos e efeitos de memória. A partir dos dados coletados, foram formuladas hipóteses para modelar o comportamento típico observado. Para tanto, utiliza-se dos mecanismos de atividade de traps, de interação da camada semicondutora com o meio ambiente, de polarização de dipolos e difusão de cargas móveis no dielétrico, de formação de caminhos percolados paralelos pelas nanopartículas e de difusão de vacâncias de oxigênio e íons metálicos que podem estar associados ao comportamento elétrico observado.In this work, the characteristics of thin-film transistors (TFTs) employing nanoparticulated zinc oxide (ZnO) as the active semiconductor channel layer are discussed. The growing interest in this component is associated to the development of low-cost, flexible and transparent electronic devices. The TFTs integrated with ZnO nanoparticles are presented and an extensive transient electrical characterization campaign was performed in order to evaluate how these devices behave and degrade over time. The measurement was performed for 80 samples of two different integration setups: inverted staggered and inverted coplanar. In the performed tests two main disturbances were identified, which were classified as abrupt and memory effects. From the collected data, hypothesis to model the observed typical behavior are formulated. Trapping activity, ambient interaction, dielectric dipoles, mobile charges, formed parallel-paths, oxygen vacancies and metallic ions diffusion are mechanisms that may be associated to the observed behavior
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Get PDFWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
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