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Reptricket. Förord till Lars Gustafsson: Mot noll
No full textIntroduction to a collection of philosophical essays by Swedish author Lars Gustafsson (b. 1936)
Author Functions in Lars Kepler\u27s The Hypnotist: An Analysis
No full textThis paper examines Foucault\u27s notion of the author function as it pertains to Lars Kepler\u27s bestselling 2011 crime thriller, The Hypnotist. Lars Kepler is the pseudonym of a Swedish husband-wife writing duo, making him the perfect subject for analysis centering on illusory notion of the author. This paper will answer these questions: Who is the true author of The Hypnotist? What factors influence the author function of this bestelling novel? And what can The Hypnotist phenomenon tell us about the relationships between authors and their readers? This paper will demonstrate that no literary works may be ascribed to an individual person, and that authors hold no privileged knowledge of the works they produce, because authors cease to be authors the moment pen is lifted from page
”Lärda nyheter” i Peter Hernquists korrespondens till Carl von Linné och Abraham Bäck - med kommentarer och utvikningar
No full textI detta Meddelande nr 55 från Veterinärhistoriska museet har författaren - professor emeritus Lars-Erik Appelgren - gjort ett urval av den korrespondens som Peter Hernquist hade med sina mentorer Carl von Linné och Abraham Bäck under sin vistelse i Frankrike, varvid ”Lärda nyheter” varit en ledstjärna för urvalet. Speciellt har breven till Bäck försetts med författarens personliga kommentarer men även kompletterats med faktaupplysningar från andra källor än breven om berörda nyheter. För att underlätta läsningen har dessa kommentarer omgetts med enkelkonturerad och utvikningarna med dubbelkonturerad ram. Lars-Erik Appelgren har inte bara genom sitt veterinärhistoriska författarskap utan också genom att ställa sina fackliga kunskaper och sin eminenta estetiska läggning till förfogande gjort Veterinärhistoriska museet ovärderliga tjänster. Det är med stor glädje jag noterar att region Uppsala nyligen visat sin uppskattning genom att tilldela Lars-Erik sitt Medicinhistoriska stipendium med motiveringen att de vill ”lyfta fram ett viktigt men ofta förbisett område inom medicinhistorien: veterinärmedicinen”. Med de varmaste gratulationer
Integration of III-V compound nanocrystals in silicon via ion beam implantation and flash lamp annealing
No full textThe progress in device performance of modern microelectronic technology is mainly driven by down-scaling. In the near future, this road will probably reach a point where physical limits make even more down-scaling impossible. The substitution of single components materialwise over the last decades, like high-k dielectrics or metal gates, has been a suitable approach to foster performance improvements. In this scheme, the integration of high-mobility III-V compound semiconductors as channel materials into Si technology is a promising route to follow for the next one or two device generations. III-V integration, today, is conventionally performed by using techniques like molecular beam epitaxy or wafer bonding which utilize solid phase crystallization but suffer to strain due to the lattice mismatch between III-V compounds and Si. An alternative approach using sequential ion beam implantation in combination with a subsequent flash lamp annealing is presented in this work.
Using this technique, nanocrystals from various III-V compounds have been successfully integrated into bulk Si and Ge as well as into thin Si layers which used either SOI substrates or were grown by plasma-enhanced chemical vapour deposition. The III-V compounds which have been fabricated are GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, GaSb and InxGa1-xAs with variable composition. The structural properties of these nanocrystals have been investigated by Rutherford backscattering, scanning electron microscopy and transmission electron microscopy, including bright-field, dark-field, high-resolution, high-angle annular dark-field and scanning mode imaging, electron-dispersive x-ray spectroscopy and energy-filtered element mapping. Furthermore, Raman spectroscopy and X-ray diffraction have been performed to characterise the nanocrystals optically.
In Raman spectroscopy, the characteristic transversal and longitudinal optical phonon modes of the different III-V compounds have been observed. These signals proof that the nanocrystals have formed by the combination of ion implantation and flash lamp annealing. Additionally, the appearance of the typical phonon modes of the respective substrate materials verifies recrystallization of the substrate by the flash lamp after amorphisation during implantation. In the bulk Si samples, the nanocrystals have a circular or rectangular lateral shape and they are randomly distributed at the surface. Their cross-section has either a hemispherical or triangular shape. In bulk Ge, there are two types of precipitates: one at the surface with arbitrary shape and another one buried with circular shape. For the thin film samples, the lateral shape of the nanocrystals is more or less arbitrary and they feature a block-like cross-section which is limited in height by the Si layer thickness. Regarding crystalline quality, the nanocrystals in all samples are mainly single-crystalline with only a few number of stacking faults. However, the crystalline quality in the bulk samples is slightly better than in the thin films. The X-ray diffraction measurements display the (111), (220) and (311) Bragg peaks for InAs and GaAs as well as for the InxGa1-xAs where the peaks shift with increasing In content from GaAs towards InAs.
The underlying formation mechanism is identified as liquid phase epitaxy. Hereby, the ion implantation leads to an amorphisation of the substrate material which is then molten by the subsequent flash lamp annealing. This yields a homogeneous distribution of the implanted elements within the melt due to their strongly increased diffusivity in the liquid phase. Afterwards, the substrate material starts to recrystallize at first and an enrichment of the melt with group-III and group-V elements takes place due to segregation. When the temperature is low enough, the III-V compound semiconductor starts to crystallize using the recrystallized substrate material as a template for epitaxial growth.
In order to gain control over the lateral nanocrystal distribution, an implantation mask of either aluminium or nickel is introduced. Using this mask, only small areas of the samples are implanted. After flash lamp treatment, nanocrystals form only in these small areas, which allows precise positioning of them. An optimal implantation window size with an edge length of around 300nm has been determined to obtain one nanocrystal per implanted area. During an additional experiment, the preparation of Si nanowires using electron beam lithography and reactive ion etching has been conducted. Hereby, two different processes have been investigated; one using a ZEP resist, a lift-off step and a Ni hard mask and another one using a hydrogen silsesquioxane resist which is used directly as a mask for etching. The HSQ-based process turned out to yield Si nanowires of better quality. Combining both, the masked implantation and the Si nanowire fabrication, it might be possible to integrate a single III-V nanocrystal into a Si nanowire to produce a III-V-in-Si-nanowire structure for electrical testing.Der Fortschritt in der Leistungsfähigkeit der Bauelemente moderner Mikroelektroniktechnologie wird hauptsächlich durch das Skalieren vorangetrieben. In naher Zukunft wird dieser Weg wahrscheinlich einen Punkt erreichen, an dem physikalische Grenzen weiteres Herunterskalieren unmöglich machen. Der Austausch einzelner Teile auf Materialebene, wie Hoch-Epsilon-Dielektrika oder Metall-Gate-Elektroden, war während der letzten Jahrzehnte ein geeigneter Ansatz, um die Leistungsverbesserung voranzubringen. Nach diesem Schema ist die Integration von III-V-Verbindungshalbleiter mit hoher Mobilität ein vielversprechender Weg, dem man für die nächsten ein oder zwei Bauelementgenerationen folgen kann. Heutzutage erfolgt die III-V-Integration konventionell mit Verfahren wie der Molekularstrahlepitaxie oder dem Waferbonden, welche die Festphasenkristallisation nutzen, die aber aufgrund der Gitterfehlanpassung zwischen III-V-Verbindungen und Silizium an Verspannungen leiden. In dieser Arbeit wird ein alternativer Ansatz präsentiert, welcher die sequenzielle Ionenstrahlimplantation in Verbindung mit einer darauffolgenden Blitzlampentemperung ausnutzt.
Mit Hilfe dieses Verfahrens wurden Nanokristalle verschiedener III-V-Verbindungshalbleiter erfolgreich in Bulksilizium- und -germaniumsubstrate sowie in dünne Siliziumschichten integriert. Für die dünnen Schichten wurden hierbei entweder SOI-Substrate verwendet oder sie wurden mittels plasmagestützer chemischer Gasphasenabscheidung gewachsen. Die hergestellten III-V-Verbindungen umfassen GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb und InxGa1-xAs mit veränderbarer Zusammensetzung. Die strukturellen Eigenschaften dieser Nanokristalle wurden mit Rutherford-Rückstreu-Spektroskopie, Rasterelektronenmikroskopie und Transmissionselektronenmikroskopie untersucht. Bei der Transmissionelektronenmikroskopie wurden die Hellfeld-, Dunkelfeld-, hochauflösenden, “high-angle annular dark-field” und Rasteraufnahmemodi sowie die energiedispersive Röntgenspektroskopie und die energiegefilterte Elementabbildung eingesetzt. Darüber hinaus wurden Ramanspektroskopie- und Röntgenbeugungsmessungen durchgeführt, um die Nanokristalle optisch zu charakterisieren.
Mittels Ramanspektroskopie wurden die charakteristischen transversal- und longitudinal-optischen Phononenmoden der verschiedenen III-V-Verbindungen beobachtet. Diese Signale beweisen, dass sich unter Verwendung der Kombination von Ionenstrahlimplantation und Blitzlampentemperung Nanokristalle bilden. Weiterhin zeigt das Vorhandensein der typischen Phononenmoden der jeweiligen Substratmaterialien, dass die Substrate aufgrund der Blitzlampentemperung rekristallisiert sind, nachdem sie durch Ionenimplantation amorphisiert wurden. In den Bulksiliziumproben besitzen die Nanokristalle eine kreisförmige oder rechteckige Kontur und sind in zufälliger Anordnung an der Oberfläche verteilt. Ihr Querschnitt zeigt entweder eine Halbkugel- oder dreieckige Form. Im Bulkgermanium gibt es zwei Arten von Ausscheidungen: eine mit willkürlicher Form an der Oberfläche und eine andere, vergrabene mit sphärischer Form. Betrachtet man die Proben mit den dünnen Schichten, ist die laterale Form der Nanokristalle mehr oder weniger willkürlich und sie zeigen einen blockähnlichen Querschnitt, welcher in der Höhe durch die Siliziumschichtdicke begrenzt ist. Bezüglich der Kristallqualität sind die Nanokristalle in allen Proben mehrheitlich einkristallin und weisen nur eine geringe Anzahl an Stapelfehlern auf. Jedoch ist die Kristallqualität in den Bulkmaterialien ein wenig besser als in den dünnen Schichten. Die Röntgenbeugungsmessungen zeigen die (111), (220) und (311) Bragg-Reflexe des InAs und GaAs sowie des InxGa1-xAs, wobei sich hier die Signalpositionen mit steigendem Gehalt an Indium von GaAs zu InAs verschieben.
Als zugrundeliegender Bildungsmechanismus wurde die Flüssigphasenepitaxie identifiziert. Hierbei führt die Ionenstrahlimplantation zu einer Amorphisierung des Substratmaterials, welches dann durch die anschließende Blitzlampentemperung aufgeschmolzen wird. Daraus resultiert eine homogene Verteilung der implantierten Elemente in der Schmelze, da diese eine stark erhöhte Diffusivität in der flüssigen Phase aufweisen. Danach beginnt zuerst das Substratmaterial zu rekristallisieren und es kommt aufgrund von Segregationseffekten zu einer Anreicherung der Schmelze mit den Gruppe-III- und Gruppe-V-Elementen. Wenn die Temperatur niedrig genug ist, beginnt auch der III-V-Verbindungshalbleiter zu kristallisieren, wobei er das rekristallisierte Substratmaterial als Grundlage für ein epitaktisches Wachstum nutzt.
In der Absicht Kontrolle über die laterale Verteilung der Nanokristalle zu erhalten, wurde eine Implantationsmaske aus Aluminium beziehungsweise Nickel eingeführt. Durch die Benutzung einer solchen Maske wurden nur kleine Bereiche der Proben implantiert. Nach der Blitzlampentemperung werden nur in diesen kleinen Bereichen Nanokristalle gebildet, was eine genaue Positionierung dieser erlaubt. Es wurde eine optimale Implantationsfenstergröße mit einer Kantenlänge von ungefähr 300 nm ermittelt, damit sich nur ein Nanokristall pro implantierten Bereich bildet. Während eines zusätzlichen Experiments wurde die Präparation von Siliziumnanodrähten mit Hilfe von Elektronenstrahllithografie und reaktivem Ionenätzen durchgeführt. Hierbei wurden zwei verschiedene Prozesse getestet: einer, welcher einen ZEP-Lack, einen Lift-off-Schritt und eine Nickelhartmaske nutzt, und ein anderer, welcher einen HSQ-Lack verwendet, der wiederum direkt als Maske für die Ätzung dient. Es stellte sich heraus, dass der HSQ-basierte Prozess Siliziumnanodrähte von höherer Qualität liefert. Kombiniert man beides, die maskierte Implantation und die Siliziumnanodrahtherstellung, miteinander, sollte es möglich sein, einzelne III-V-Nanokristalle in einen Siliziumnanodraht zu integrieren, um eine III-V-in-Siliziumnanodrahtstruktur zu fertigen, welche für elektrische Messungen geeignet ist
Interpreting Wage Bargaining Norms
No full textFrom the mid-1990s onwards, Swedish wage bargaining has been characterised by informal co-ordination of the wage claims of big unions and bargaining cartels. In particular, it has been understood that the manufacturing sector should lead by first agreeing on a pay increase, whereafter the service sector and public sector unions choose a similar increase. We analyse his setup with two possible theoretical interpretations: (i) the manufacturing sector as a tackelberg leader and (ii) a normative role for the manufacturing sector’s pay increase, upported either by unmodelled social pressure or a modeled loss aversion (envy) of the heltered sector unions. The conclusion of the analysis is that the normative or leading role of one sector – in the Swedish case the manufacturing sector – can potentially bring big benefits for employment and output. Generalising an idea suggested by Lars Calmfors and Anna Larsson, our analysis also generates a rudimentary theory of why the wage increase norm sometimes binds and sometimes not. A comparison of the model predictions and the observed outcomes of the last five wage bargaining rounds in Sweden suggests that the model is generally consistent with the empirical observations: wage moderation and norm observance are stronger when the manufacturing industry’s initial relative wage is low.wage bargaining; bargaining co-ordination
Dan Andersson
No full textSpecial feature issue on the Swedish author Dan Andersson, with articles by Anders Hallengren, Nisse Munck, Lars Furuland, Lars Järnemo (2), Gösta Ågren, Inge Mattsson, Arne Säll, and Bure Holmbäck.</p
Representation of female characters in the films of Lars von Trier
No full textOslanjajući se na sličnosti u ženskim likovima Lars Von Triera, detektirani su patrijarhalni i religijski obrasci koji su okosnica radnje filmova Lomeći valove, Dogville i Antikrist. Kroz religijsku i patrijarhalnu optiku autor čita Lars Von Triera kao redatelja koji istu optiku kritizira i preispituje u svom stvaralaštvu.Relying on the similarities in Lars von Trier's female characters, patriarchal and religious patterns have been detected that are the backbone of the plot of the films Breaking the Waves, Dogville and the Antichrist. Through religious and patriarchal optics, the author reads Lars Von Trier as a director who criticizes and questions the same optics in his work
Representation of female characters in the films of Lars von Trier
No full textOslanjajući se na sličnosti u ženskim likovima Lars Von Triera, detektirani su patrijarhalni i religijski obrasci koji su okosnica radnje filmova Lomeći valove, Dogville i Antikrist. Kroz religijsku i patrijarhalnu optiku autor čita Lars Von Triera kao redatelja koji istu optiku kritizira i preispituje u svom stvaralaštvu.Relying on the similarities in Lars von Trier's female characters, patriarchal and religious patterns have been detected that are the backbone of the plot of the films Breaking the Waves, Dogville and the Antichrist. Through religious and patriarchal optics, the author reads Lars Von Trier as a director who criticizes and questions the same optics in his work
Representation of female characters in the films of Lars von Trier
No full textOslanjajući se na sličnosti u ženskim likovima Lars Von Triera, detektirani su patrijarhalni i religijski obrasci koji su okosnica radnje filmova Lomeći valove, Dogville i Antikrist. Kroz religijsku i patrijarhalnu optiku autor čita Lars Von Triera kao redatelja koji istu optiku kritizira i preispituje u svom stvaralaštvu.Relying on the similarities in Lars von Trier's female characters, patriarchal and religious patterns have been detected that are the backbone of the plot of the films Breaking the Waves, Dogville and the Antichrist. Through religious and patriarchal optics, the author reads Lars Von Trier as a director who criticizes and questions the same optics in his work
Is all that is new therefore good? The Swedish author Lars Gyllensten and ecocritical tendencies of today
No full textThe article want to raise the awareness of some urgent questions that is concerned with the development of new theory and methods in the service of addressing the problematic situation of the Anthropocene. With the aid of the 20th century Swedish author Lars Gyllensten’s general ideas of the function of critique (iconoclasm) and creativity (iconoplasm), the aim is to point to two basic patterns when moving towards new, and hopefully better paradigms
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