15,607 research outputs found
Raphaëlle de Groot : En exercice
No full text"This publication was produced by the Galerie de l’UQAM as part of an exhibition which took place from February 24 to April 1, 2006. The essay by Louise Déry presents the work site of Raphaëlle de Groot, who extended her original inquiry into the figure and roles of the artist by literally “exercising” in front of the exhibition’s visitors. The author also describes a vast project at the Cerutti textile factory in Biella, Italy, carried out by the artist during a residency at the Pistoletto Foundation in Biella. Yann Pocreau contributes an exercise in temporal writing modelled on the work of the artist, whose own texts, also presented here, are an essential complement to this volume." -- Publisher's websit
Plangebied Waalbos, gemeenten Ridderkerk en Zwijndrecht; archeologisch vooronderzoek: een inventariserend veldonderzoek
No full textCoordinaten: 99.200/428.670
Datum einde onderzoek:22 augustus 2008, rapportage: 25 november 2008
Projectmedewerkers:drs. D. Bekius, drs. S. de Kruif, drs. R. Timmerman & W. Verschoof
Complextype(n):NX
Datering:LMEA
Diversen: Groot, R.W. de, Plangebied Waalbos, gemeenten Ridderkerk & Zwijndrecht; archeologisch vooronderzoek: een inventariserend veldonderzoek, RAAPrapport 1789 (WEESP, 2008
Plangebied Bernisseweg te Geervliet, gemeente Bernisse; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek (verkennende fase).
No full textOpdrachtgever: Sight adviseurs voor milieu en landschap bv
Coordinaten:77.643/430.697
Datum einde onderzoek:12-06-2008, rapportage:28-07-2008
Projectmedewerkers:R. de Groot, R. den Boer
Complextype(n): NX
Datering:IJZM, ROM, LME
Diversen: Groot, R.W. de, Plangebied Bernisseweg te Geervliet, gemeente Bernisse; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek (verkennende fase). RAAPnotitie 2771 (WEESP, 2008
High quality Schottky contacts for limiting leakage currents in Ge-based Schottky barrier MOSFETs
No full textSchottky barrier (SB) Ge channel MOSFETs suffer from high drain-body leakage at the required elevated substrate doping concentrations to suppress source-drain leakage. Here we show that electrodeposited Ni-Ge and NiGe/Ge Schottky diodes on highly doped Ge show low off current, which might make them suitable for SB p-MOSFETs. The Schottky diodes showed rectification of up to 5 orders in magnitude. At low forward biases the overlap of the forward current density curves for the as deposited Ni/n-Ge and NiGe/n-Ge Schottky diodes indicates Fermi-level pinning in the Ge band gap. The SB height for electrons remains virtually constant at 0.52 eV (indicating a hole barrier height of 0.14 eV) under various annealing temperatures. The series resistance decreases with increasing annealing temperature in agreement with four point probe measurements indicating the lower specific resistance of NiGe as compared to Ni, which is crucial for high drive current in SB p-MOSFETs. We show by numerical simulation that by incorporating such high quality Schottky diodes in the source/drain of a Ge channel PMOS, highly doped substrate could be used to minimize the subthreshold source to drain leakage current
Plangebied Martin Luther Kinglaan, gemeente Utrecht; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek
No full textOpdrachtgever:AxionContinu
Coordinaten: 134.352/454.743
Datum einde onderzoek: 28 oktober 2008, rapportage: 17-11-2008
Projectmedewerkers: drs. S. Warning & drs. R.W. de Groot
Complextype(n): xxx
Datering: xxx
Diversen: Briels, I.R.P.M en R.W. de Groot, Plangebied Martin Luther Kinglaan, gemeente Utrecht; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek. RAAPnotitie 2965 (WEESP, 2008)
Ten behoeve van voorgenomen Bouwwerkzaamhden wordt door Raap Archeologisch Adviesbureau een Inventariserend veldonderzoek uitgevoerd
De Omgevingswet als groot ICT-project
No full textBinnen de planologie is veel onderzoek gedaan naar grote stedelijke projecten. De bij besluitvorming voorgestelde kosten en baten van zulke projecten zijn notoir onbetrouwbaar gebleken. Grote projecten kosten meestal meer dan geraamd, de realisatie duurt langer en de maatschappelijke baten vallen vaak tegen. Ook de Omgevingswet en het bijbehorende digitale stelsel kan worden beschouwd als een groot ICT-project. Niets wijst erop dat de Omgevingswet een van de schaarse positieve uitzonderingen zal vormen op de gangbare praktijk van grote projecten.Accepted Author ManuscriptOLD Geo-information and Land Developmen
Plangebied Wilderszijde te Bergschenhoek, gemeente Lansingerland; een archeologische begeleiding (protocol proefsleuven)
No full textCoordinaten: 92.800/443.600 en 92.980/443910
Datum einde onderzoek: 17-06-2009, rapportage: 31 juli 2009
Projectmedewerkers: F. Stevens, R. de Groot, J. van Roemburg
Complextype(n): xxx
Datering: xxx
Diversen: Groot, R.W. de en F. Stevens, Plangebied Wilderszijde te Bergschenhoek, gemeente Lansingerland; een archeologische begeleiding (protocol proefsleuven), RAAPnotitie 3206 (WEESP, 2009
On Top of the Higgs: A Measurement of the Higgs Boson Production in Association with Top Quarks
No full textContains fulltext :
203087.pdf (Publisher’s version ) (Open Access)Radboud University, 21 mei 2019Promotores : Groot, N. de, Filthaut, F.iii, 248 p
Asymmetric gate induced drain leakage and body leakage in vertical MOSFETs with reduced parasitic capacitance
No full textVertical MOSFETs, unlike conventional planar MOSFETs, do not have identical structures at the source and drain, but have very different gate overlaps and geometric configurations. This paper investigates the effect of the asymmetric source and drain geometries of surround-gate vertical MOSFETs on the drain leakage currents in the OFF-state region of operation. Measurements of gate-induced drain leakage (GIDL) and body leakage are carried out as a function of temperature for transistors connected in the drain-on-top and drain-on-bottom configurations. Asymmetric leakage currents are seen when the source and drain terminals are interchanged, with the GIDL being higher in the drain-on-bottom configuration and the body leakage being higher in the drain-on-top configuration. Band-to-band tunneling is identified as the dominant leakage mechanism for both the GIDL and body leakage from electrical measurements at temperatures ranging from ?50 to 200?C. The asymmetric body leakage is explained by a difference in body doping concentration at the top and bottom drain–body junctions due to the use of a p-well ion implantation. The asymmetric GIDL is explained by the difference in gate oxide thickness on the vertical (110) pillar sidewalls and the horizontal (100) wafer surface
- …
