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Comparison of BSIM3v2 and MOS MODEL 9
No full textThis report presents the results of parameter extraction for a 0.8#m CMOS process using a commercially available MOS model, BSIM3v2. A comparison of the performance of BSIM3v2 and the Philips model, MOS Model 9, is subsequently presented
Modelo compacto de não-linearidades em transistores MOS: [dissertação]
No full textDissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.Neste trabalho, é proposto um modelo compacto para não-linearidades em transistores MOS desenvolvido com base nas equações de canal curto do modelo #Advanced Compact MOSFET# (ACM). As maiores vantagens deste modelo são a simplicidade de suas equações e a forma explícita com que se determinam as nãolinearidades do transistor MOS em função do nível de inversão. Além disso, são discutidas as causas físicas de um aumento de linearidade observado em inversão moderada, chamado #Sweet Spot#. Através de medidas, concluiu-se que efeitos de segunda ordem, principalmente a saturação da velocidade dos portadores em transistores de canal curto, são as principais causas do aumento de linearidade observado. In this work, a compact model for nonlinearities in MOS transistors derived from the short-channel equations of the Advanced Compact MOSFET (ACM) is proposed. The main advantages of the referred model are simplicity of the equations and the explicit determination of the nonlinearities of the MOSFET with respect to the inversion level. In addition, the physical causes of a linearity improvement observed in moderate inversion level, called #Sweet Spot#, are discussed. The measurements shown that second order effects, principally the carrier velocity saturation in short-channel transistors, are the main causes of the linearity improvement observed
Um modelo eficiente do transistor MOS para o projeto de circuitos VLSI: [dissertação]
No full textDissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.Neste trabalho é detalhada a implementação do modelo ACM do transistor MOS no simulador elétrico ELDO (Mentor Graphics). O código foi escrito em linguagem C utilizando a ferramenta UDM (User Definable Model). A carga de inversão é calculada a partir da equação de carga UCCM utilizando um algoritmo que resolve esta equação com apenas uma iteração e com um erro relativo menor do que 10-7. Através de simulações, o modelo implementado foi confrontado com os demais modelos da nova geração (HiSIM, EKV, BSIM5, SP, MM1 e PSP) tanto no que diz respeito à sua qualidade (simetria, cargas e parâmetros de pequenos sinais) como também no que diz respeito à velocidade da simulação. Os resultados mostram que o modelo ACM é uma poderosa e útil ferramenta para simulação e projeto à mão, pois é constituído por equações compactas e precisas, além de possuir um número reduzido de parâmetros
Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS: [tese]
No full textTese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Engenharia ElétricaDiversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de '80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionais. Esta tese propõe uma abordagem inovadora para a modelagem do descasamento dos transistores de efeito de campo de porta isolada (MOSFETs), chegando a resultados melhores e mais abrangentes que outras propostas já publicadas. Para tanto, as variações microscópicas na corrente que flui pelo dispositivo, resultado das flutuações na concentração de dopantes na região ativa, são contabilizadas levando-se em conta a natureza não-linear do transistor. O resultado é um modelo compacto que prevê o descasamento com grande exatidão e de forma contínua, em todas as condições de operação do transistor, da inversão fraca à forte, e da região linear à saturação, necessitando apenas dois parâmetros de ajuste. Duas versões de circuitos de teste foram desenvolvidas e implementadas em diversas tecnologias, como forma de se obter suporte experimental para o modelo. A versão mais avançada possibilita a caracterização elétrica, de forma totalmente automática, de um grande número de dispositivos. O uso deste modelo substitui com vantagens a tradicional simulação Monte Carlo, que exige grandes recursos computacionais e consome muito tempo, além de oferecer uma excelente ferramenta de projeto manual, como é demonstrado através do desenvolvimento de um conversor digital-analógico, cujo resultado experimental corroborou a metodologia empregada
The impact of low energy proton damage on the operational characteristics of EPIC-MOS CCDs
No full textThe University of Tübingen 3.5 MeV Van de Graaf accelerator facility was used to investigate the effect of low energy protons on the performance of the European Photon Imaging Camera (EPIC), metal–oxide semiconductor (MOS), charge coupled devices (CCDs). Two CCDs were irradiated in different parts of their detecting areas using different proton spectra and dose rates. Iron-55 was the calibration source in all cases and was used to measure any increases in charge transfer inefficiency (CTI) and spectral resolution of the CCDs. Additional changes in the CCD bright pixel table and changes in the low X-ray energy response of the device were examined.
The Monte Carlo code Stopping Range of Ions in Matter (SRIM) was used to model the effect of a 10 MeV equivalent fluence of protons interacting with the CCD. Since the non-ionising energy loss (NIEL) function could not be applied effectively at such low proton energies. From the 10 MeV values, the expected CTI degradation could be calculated and then compared to the measured CTI changes
Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario
No full textDissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico. Inclui apendiceEste trabalho apresenta uma estrutura de transistor MOS composto, formado pela associação em série de dois transistores, sendo que o transistor conectado no terminal de dreno é mais largo do que o transistor conectado no lado da fonte. É mostrado que esta estrutura apresenta características DC idênticas as de um transistor canal longo de largura uniforme. Este transistor composto têmduas grandes vantagens sobre o transistor canal longo equivalente de largura uniforme: economia considerável de área de silício e uma freqüência de ganho unitário mais elevada. Esta estrutura pode ser utilizada para a integração de circuitos analógicos que necessitem de altas velocidade e baixas tensões. A técnica proposta é particularmente adequada para o projeto de circuitos analógicos utilizando a metodologia de "gate-arrays" ("sea-of-transistor")
MOOSE: A Physically Based Compact DC Model of SOI LDMOSFETs for Analogue Circuit Simulation
No full textIn this paper, we present a compact model for silicon-on-insulator (SOI) laterally double diffused (LD) MOSFETs. The model is complete insofar as it uses no subcircuits, and is intended to predict device operation in all regions of bias. The device current is described by two main equations handling the MOS channel and the drift region, both of which are smooth and continuous in all operating regimes. Attention is also given to the modelling of inversion at the back oxide to ensure correct behavior is predicted for a source follower in power control applications ("high side operation"). A surface-potential-based formulation is used for the inversion/accumulation channel giving smooth transitions between different regions of operation, and care has been taken to ensure all expressions are smooth and infinitely differentiable to achieve the best possible convergence performance. Self (and coupled) heating effects exert a major influence over the behavior of power SOI devices, and these issues are incorporated in the model core in a consistent fashion. The model has been installed in a commercial SPICE-type circuit simulator and evaluated against individual devices and complete circuits fabricated in an industrial smart power SOI process. Accuracy is significantly improved with respect to the existing LDMOS models, and convergence behavior in switching and linear circuit simulations is comparable with industry standard models of this complexity
Mosview
No full textDissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Ciência da Computação.Apresenta-se uma ferramenta gráfica chamada MOSVIEW, com a finalidade de auxiliar no projeto de circuitos analógicos MOS ao nível do transistor, além da possibilidade do uso da ferramenta de forma didática em disciplinas de projeto de circuitos integrados analógicos. A ferramenta foi desenvolvida em C++ Builder 6, com base no modelo ACM, cujas equações são válidas em todas as regiões de operação do transistor. MOSVIEW permite que o usuário visualize e explore o espaço de projeto dos circuitos analógicos básicos
Validation of the Medical Outcomes Study Hiv (Mos-Hiv) Health Survey among Hiv-Infected Patients in Taiwan
No full textTo examine both the reliability and the validity of the 'Medical Outcomes Study HIV' (MOS-HIV) health survey among HIV-infected patients in Taiwan. Data were collected from 619 HIV-infected outpatients, with the reliability and the validity of the MOS-HIV survey subsequently being examined by multi-trait scaling techniques, internal consistency, convergent validity, known-group validity and factorial validity. The MOS- HIV health survey was found to have excellent success rates in the item- consistency and discriminant-validity tests, as well as good convergent validity and known-group validity. An acceptable fit was found for three of the four indices in the original two- factor model (non-normed fit index = 0.92, comparative fit index = 0.94 and standardized root mean squared residual = 0 .056). The findings of the present study provide strong evidence in support of the reliability and validity of the MOS-HIV health survey for the assessment of quality of life among HIV-infected patients in Taiwan. We find that the original factor structure of the MOS- HIV survey remains valid for patients from Chinese cultural backgrounds. This study therefore contributes to the existing evidence within the extant literature on the cultural relevance of the MOS- HIV health survey (a measure originally developed within a Western culture) as a valid measure for cross-cultural comparative studies on health-related quality of life
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