1,061 research outputs found
Coat Cooke & Joe Poole | Coat Cooke & Rainer Wiens: Reviews
No full textCoat Cooke album reviews by Randy Raine-Reusch. Coat Cooke (sax); Joe Poole (drums); Rainer Wiens (guitar)
Robert Rainer and Claud Garner
No full textAuthor Claud Garner, right, autographed copies of his second novel while discussing a tour of other Southwest cities with Robert Rainer, representing his publisher, Creative Age Press. Published in the Fort Worth Star - Telegram morning edition, September 29, 1950.https://mavmatrix.uta.edu/specialcollections_startelegram1950s/6596/thumbnail.jp
Quantum chemistry of 2D-nanomaterials : investigation of graphene, hBN and α-borophene on SiO2 (001)
No full textAuthor: Felix Rainer Serafin Purtscher, BScMasterarbeit University of Innsbruck 202
Quantum chemistry of 2D-nanomaterials : investigation of graphene, hBN and α-borophene on SiO2 (001)
No full textAuthor: Felix Rainer Serafin Purtscher, BScMasterarbeit University of Innsbruck 202
Die politische Religion : Eine Untersuchung über den Ursprung des Verfalls in der Geschichte (1935). Herausgegeben und eingeleitet von Rainer Hering
Get PDFDer vierte Band der "Hamburger Historischen Forschungen" umfasst in erster Linie die Edition eines unveröffentlichten Textes. Autor ist der Theologe Prof. Dr. Dr. Paul Schütz (1891–1985), der von 1940 bis 1952 Hauptpastor an der Hamburger Hauptkirche St. Nikolai war und zugleich als hauptamtlicher Dozent und später als Professor der Theologie an der Kirchlichen Hochschule Hamburg lehrte. Er gehört zu den ersten, die ein Konzept der politischen Religion entwickelten. Sein 1935 verfasster Beitrag konnte damals nicht publiziert werden.
Heute ist eine Edition dieses Beitrages zum einen wichtig für die Theologie- und Kirchengeschichte. Zum anderen gibt es seit einigen Jahren in der historischen Forschung eine intensive Diskussion über die in den Dreißigerjahren des 20. Jahrhunderts entwickelte Interpretation des „Dritten Reiches“ als „politische Religion“. Dieses Modell, das Diktaturen, insbesondere den Nationalsozialismus, als „politische Religion“ versteht, wird im Allgemeinen Eric Voegelin und Raymond Aron zugeschrieben, die ihre Ansätze 1938 bzw. 1939 publizierten.
Dass Paul Schütz schon drei bzw. vier Jahre zuvor eine solche Konzeption entwickelt hatte, war bis vor Kurzem nicht bekannt. Die vorliegende Edition kann daher neue Impulse für die Debatte über die Geschichte und Tragfähigkeit dieses Ansatzes geben und sie inhaltlich bereichern.The fourth volume of the series "Hamburger Historische Forschungen" comprises primarily the edition of an unpublished text. The author is the theologian Prof. Dr. Dr. Dr. Paul Schütz (1891-1985) who was the main pastor at the Hamburg Main Church St. Nikolai from 1940 to 1952. At the same time he taught as a full-time lecturer and later as professor of theology at the Church University of Hamburg. Schütz was one of the first to develop a concept of political religion. His contribution, written in 1935, could not be published at that time.
Today, an edition of this article is important for the history of theology and church history. On the other hand, for some years now there has been an intensive discussion in historical research on the interpretation of the "Third Reich" as a "political religion" developed in the 1930s. This model, which sees dictatorships, especially National Socialism, as a "political religion", is generally attributed to Eric Voegelin and Raymond Aron, who published their approaches in 1938 and 1939 respectively.
It was not known until recently that Paul Schütz had already developed such a concept three or four years earlier. The present edition can therefore provide new impetus for the debate on the history and viability of this approach and enrich its content
Dos motius grecs en la poesía de Rainer Maria Rilke
No full textThe author has located two ideas in the poet Rainer Maria Rilke from his Duineser Elegien, which come up exactly with two other by Plato and one by the arcaic lyric poet Ibycus of Rhegium. The author has found an echo of the first theme in the Elegies de Bierville by the poet Carles Riba
Dos motius grecs en la poesía de Rainer Maria Rilke
Get PDFThe author has located two ideas in the poet Rainer Maria Rilke from his Duineser Elegien, which come up exactly with two other by Plato and one by the arcaic lyric poet Ibycus of Rhegium. The author has found an echo of the first theme in the Elegies de Bierville by the poet Carles Riba
Propagation Rule Compiler: Tool Description
No full textThis document describes the Propagation Rule Compiler, a tool which has been developed by the Bonn team within task 2.4 "Tools for Rule Design and Analysis" of the IDEA project. It is intended to serve as a compilation of background material accompanying the demonstration of the tool during the December 95 review. A full documentation of the tool will be provided as a further deliverable in June 96 as planned. Author(s): Ulrike Griefahn, Rainer Manthey Contributor(s): Thomas Rath, Ulrich Daugs Issued by: Rainer Manthey Department of Computer Science III University of Bonn Romerstr. 164 D-53117 Bonn, Germany Tel. (+49) 228/550-292 Authorised by: Stefano Ceri Issue number: 1 Status: DEFINITIVE Date of issue: 4.12.1995 Reference: IDEA.DE.22.O.003 Number of pages: 43 Copyright 1995 University of Bonn ESPRIT Project 6333 Intelligent Database Environment for Advanced Applications IDEA CONTENT
Integrating technology simulation into the semiconductor manufacturing environment
Get PDFIntegrated circuit manufacturing is nowadays a multi-billion dollar business and one of the most complex industry branches in the world.Historically the development costs for introducing a new technology generation (technology node) have been steadily increasing. This trend is even accelerated by entering the nanotechnology regime with its highly complicated new lithography processes. To keep this trend under control, Technology Computer Aided Design (TCAD) has gained more and more importance.This "front loaded" approach in development has improved the speed and quality of the semiconductor process technology development significantly. It was also very successful in reducing the development cost significantly (by 35% in 2005).However TCAD is still mainly a very specialized tool for only a small group of engineers inside semiconductor companies. Despite the big savings potential, the consistent application of this methodology on the control of the manufacturing process is still in the fledgling stages.Technology simulation has not done the leap, from a tool for a small group from specialists to a tool for a larger number of users in the semiconductor production area, yet.Main problems of the broader use result from the complex, often little intuitive use of the tools, the complex underlying physical models and particularly by the missing integration into the work flow of a modern semiconductor production line.This work aims to bridge the distance between the semiconductor manufacturing line and the TCAD group, which exists in nearly each semiconductor production company. Special attention has to be paid to the transfer of the operational work flow sequences to the TCAD system in a similar form.This new system enables non-specialized engineers to profit from the advantages of a theoretical evaluation through the closely integrated TCAD framework.In this work the overall situation of both worlds was analyzed and categorized in a structured, hierarchical way. A consistent and effective TCAD work flow was set up. The necessary information for this work flow was identified. Additionally the existing data interfaces between manufacturing and simulation were analyzed and their structure and coupling nodes were represented.In the following the interfaces between TCAD and manufacturing, identified thereby, were subject to a more throughout analysis and finally an integrated interface system between the two "worlds" was implemented. A strong emphasis was put on the border condition that all available TCAD software packages could be used together with this new integrated interface system. In order to be able to generate the necessary input information for simulations as automatically and resistant to errors as possible, based on this analysis a compact set of converters and data transfer procedures was defined. The interaction with the user of the TCAD system was limited to the absolutely necessary minimum. This led to a strong improvement of the quality, reliability and also predictability of the results of the TCAD simulations.The converters were integrated into the entire TCAD work flow. Several examples of nearly each aspect of the typical TCAD work flow show the most important effects of this new approach. In addition, during the development of new process technologies, particularly for the support of typical production problems (like yield problems in the manufacturing) this approach has been tested successfully. Furthermore, optimizations of furnace programs (a task which may frequently occur during manufacturing of qualified processes too) have been performed. The use of diffraction correction calculation for a better representation of interconnect structures could be shown. Thus a substantial improvement in the computation of parasitic elements, the optimization of an EEPROM cell and the three-dimensional simulation of a lateral pin diode could be obtained. As a further application area the inverse modeling of a polycrystalline fuse was shown. The difficult to measure thermoelectric material parameters of the materials used in the fuse (e.g. tungsten, titanium, titanium nitride) were determined through inverse modeling.Finally the use of technology simulation within the area of statistic process control was demonstrated.The work closes with a short outlook and open problems.Die Fertigung von integrierten Schaltkreisen ist heutzutage ein Milliardendollargeschäft und einer der kompliziertesten Industriezweige der Welt.Historisch gesehen haben sich die Entwicklungskosten für das Einführen einer neuen Prozesstechnologie (eines neuen Technologieknotens) ständig erhöht. Diese Tendenz wird durch den Eintritt in den Bereich der Nanotechnologie mit seinen in hohem Grade schwierigen neuen Lithographieprozessen noch weiter beschleunigt. Um diesen Trend unter Kontrolle halten zu können, hat Computergestützte Technologiesimulation (TCAD) immer mehr an Bedeutung gewonnen.Dieser Ansatz der "frühest möglichen" Entwicklung, hat die Geschwindigkeit und die Qualität der Verfahrenstechnikentwicklung des Halbleiters erheblich verbessert. Weiters konnten dadurch auch die Entwicklungskosten für die Einführung einer neuen Technologiegeneration signifikant reduziert werden (35% im Jahr 2005 [1]).Derzeit ist TCAD eine sehr spezialisierte Vorgehensweise für eine kleine Gruppe von Ingenieuren innerhalb der Halbleiterfirmen. Die konsequente Nutzung dieser Methode im Bereich der Fertigungssteuerung steckt trotz des großen Einsparungspotentials noch in den Kinderschuhen.Technologiesimulation hat bis heute den Sprung, von einem Werkzeug für eine kleine Gruppe von Spezialisten zu einem bei Routinetätigkeiten eingesetzten Werkzeug für eine größere Anzahl von Anwendern im Halbleiterfertigungsbereich, noch nicht geschafft.Hauptprobleme bei der breiteren Nutzung entstehen durch die komplexe oft wenig intuitive Benutzung der Werkzeuge, die aufwendigen zugrunde liegenden Modellansätze und vor allem durch die fehlende Integration in den Arbeitsablauf in einer modernen Halbleiterfertigungslinie.Diese Arbeit zielt darauf ab, die Distanz zwischen der Halbleiter-Fertigungsline und der TCAD Gruppe, die in fast jeder Halbleiterproduktionsfirma existiert, zu überbrücken. Dabei kommt der Übertragung von bereits vorhandenen Strukturen und Arbeitsabläufen in gespiegelter Form auf das TCAD System ein besonderer Stellenwert zu.Das dabei entstandene, in die Fertigung eng integrierte, Simulationssystem ermöglicht es auch, nichtspezialisierten Ingenieuren von den Vorteilen der Technologiesimulation zu profitieren.In dieser Arbeit wurde die Gesamtsituation beider Welten analysiert und in einer strukturierten, hierarchischen Weise kategorisiert. Ein konsistenter und effektiver TCAD Arbeitsfluss wurde aufgesetzt. Die notwendigen Informationen für diesen Arbeitsfluss wurden identifiziert.Zusätzlich wurden die bestehenden Datenschnittstellen zwischen Fertigung und Simulation analysiert und deren Struktur und Verknüpfungspunkte dargestellt.Die dabei identifizierten Schnittstellen zwischen TCAD und Fertigung wurden nachfolgend einer genaueren Analyse unterzogen und schlussendlich ein integriertes Schnittstellensystem zwischen den beiden "Welten" implementiert. Es wurde darauf Wert gelegt, das dieses integrierte Schnittstellensystem für die Gemeinsamkeiten aller verfügbaren TCAD Softwarepakete verwendet werden kann.Um die notwendigen Eingabeinformationen für Simulationen möglichst automatisch und fehlerminimierend generieren zu können, wurde basierend auf dieser Analyse ein kompakter Satz von Konvertern und Datentransfer-Prozeduren definiert. Die Interaktion mit dem Benutzer des TCAD Systems wurde auf das absolut notwendige Minimum beschränkt. Dies führte zu einer starken Verbesserung der Qualität, Zuverlässigkeit und auch Vorhersagbarkeit der Resultate der TCAD Simulationen.Die Konverter wurden in den gesamten TCAD Arbeitsfluss integriert.Mehrere Beispiele für fast jeden Aspekt des typischen TCAD Arbeitsflusses zeigen die wichtigsten Auswirkungen dieses neuen Ansatzes. Während der Entwicklung von neuen Prozesstechnologien aber auch speziell zur Unterstützung von typischen Produktionsproblemen (wie Ausbeuteproblemen in der Fertigung) konnte dieser Ansatz erfolgreich angewendet werden. Weiters wurden damit Optimierungen von Ofenprogrammen (ein auch im Routinebetrieb einer Halbleiterfertigung immer wieder auftretender Fall) durchgeführt. Es konnte die Verwendung von Beugungskorrekturrechnung für eine genauere Darstellung von Verbindungsstrukturen gezeigt werden. Dadurch konnte eine wesentliche Verbesserung in der Berechnung von parasitären Elementen, der Optimierung einer EEPROM Zelle und der drei-dimensionalen Simulation einer lateralen PIN Diode erzielt werden.Als ein weiterer Anwendungsbereich wurde die inverse Modellierung einer polykristallinen Fuse gezeigt. Dabei wurden sehr schwer messbare thermo-elektrische Materialparameter von in der Fuse verwendeten Materialien (Wolfram, Titan, Titannitrid) über inverse Modellierung bestimmt. Abschließend wurde die Verwendung von Technologiesimulation im Bereich der statistischen Prozesskontrolle dargelegt.Die Arbeit schließt mit einem kurzen Ausblick auf zukünftige Perspektiven und noch offene Probleme.<br /
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