1,721,023 research outputs found
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Full text linkThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Flexoelectricity in single crystals
Full text linkPremi Extraordinari de Doctorat concedit pels programes de doctorat de la UAB per curs acadèmic 2017-2018En términos generales, la flexoelectricidad es la respuesta de la polarización a un gradiente de deformación. A diferencia del efecto piezoeléctrico, este efecto está presente en todos los materiales independientemente de su estructura cristalina. En esta tesis doctoral, hemos estudiado la polarización inducida por deformación en cristales dieléctricos y semiconductores, la cual surge desde dos mecanismos: flexoelectricidad macroscópica y flexoelectricidad superficial. Los dos mecanismos son del mismo orden en dieléctricos normales y hasta ahora sus respectivas contribuciones han sido indistinguibles entre ellas. La investigación desarrollada en esta tesis muestra que es posible separar las dos contribuciones, además de mostrar que la deformación induce reorientación de las nanoregiones polares las cuales también pueden incrementar el coeficiente flexoelectrico efectivo sobre el valor intrínseco. La polarización puede ser generada por la separación de las cargas enlazadas entre los átomos o la celda unidad, pero también por la separación de cargas superficiales debido a las cargas libres. Hasta ahora cuando se refiere a flexoelectricidad, únicamente es tomada en cuenta la respuesta de las cargas enlazadas; sin embargo, en esta tesis doctoral se ha reportado que la polarización debida a las cargas libres también pueden contribuir, generando una gran respuesta flexoeléctrica efectiva en materiales semiconductores. Antes de esta investigación, habían numerosas controversias respecto a la verdadera magnitud del coeficiente flexoelectrico y el origen de la discrepancia entre los valores predichos teóricamente y experimentalmente. En el presente trabajo hemos buscado dilucidar esta situación y cuantificar el valor intrínseco del coeficiente flexoelectrico e identificar el origen de contribuciones adicionales a este. El mensaje principal de esta tesis es que el coeficiente macroscópico flexoeléctrico efectivo permanece en valores relativamente pequeño con un riguroso límite superior de f ≈ 10V para el coeficiente de flexoacoplo de incluso los mejores materiales, pero hay otra gran cantidad de fenómenos de polarización inducida debida a gradientes de deformación que pueden incrementar la respuesta total de este: nanoregiones polares, piezoelectricidad superficial y movimiento de cargas libres son las tres que hemos identificado, pero no descartamos la existencia de otras. Entre estos, la incorporación de cargas libres a la respuesta flexoeléctrica total en semiconductores es cuantitativamente la más grande y la más prometedora dando lugar a aplicaciones macroscópicas debida a su elevada magnitud del coeficiente flexoeléctrico y permitiendo a su vez que compita con la piezoelectricidad.In general terms, flexoelectricity is the response of polarization to a strain gradient. In contrast to the piezoelectric effect, this effect is present in all materials regardless of their crystal structure. In this doctoral dissertation, we studied the bending-induced polarization in dielectric and semiconductor single crystals that arises from two mechanisms: bulk flexoelectricity and surface flexoelectricity. Both mechanisms are of the same order in ordinary dielectrics and, before this work, their respective contributions were considered indistinguishable one from another. The research in this thesis shows that it is possible to separate the two contributions. Additionally, we show that bending-induced reorientation of polar nanoregions can also enhance the effective flexoelectric coefficients well above the intrinsic value. Polarization can be generated by dielectric separation of bound charge within atoms or unit cells, but also by a space charge separation of free carriers. Until now, when referring to flexoelectricity, only the response from bound charge was taken into account; however, in this thesis dissertation we report that free charge also can also contribute, generating very big effective flexoelectric responses in semiconductor materials. Before this research, there were numerous controversies regarding the true magnitude of flexoelectricity and the origin of discrepancies between theoretically predicted values and actual experimentally measured ones. The present work has seeked to address this situation by quantifying the true value of the intrinsic flexoelectiricy and identifying the origin of additional contributions. The take-home message from this thesis is that true bulk flexoelectricity remains a relatively small effect with a stringent upper bound of f ≈10V for the flexocoupling coefficient of even the best materials, but that there are a number of other gradient-induced polarization phenomena that can greatly enhance the total response: polar nanoregions, surface piezoelectricity and movement of free charges are the three we have identified, but we do not discard the existence of others. Among these, the incorporation of free carriers to the total flexoelectric response in semiconductors is quantitatively the largest, and it also offers most promising route to elevating flexoelectricity to a level where it can compete with piezoelectricity even in bulk applications
Variations on the Author
Full text link“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Full text linkWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Mechanical and electromechanical properties of ferroelectrics at the nanoscale studied by Atomic Force Microscopy
Full text linkLa microscòpia de força piezoresposta (PFM) és una eina poderosa per a la caracterització electromecànica de materials ferroelèctrics. En aquest mode de microscòpia de força atòmica (AFM), una tensió de corrent alterna externa excita la mostra i es mesura la seva resposta piezoelèctrica, proporcionant informació sobre la magnitud, l’orientació i el signe de la polarització ferroelèctrica. Tanmateix, com mostro en aquesta tesi, el senyal de freqüència de ressonància de contacte PFM no depèn només de les propietats electromecàniques dels ferroelèctrics, sinó que també es veu afectat per les propietats mecàniques del material a escala nanomètrica. La recerca desenvolupada en aquesta tesi se centra en la identificació i quantificació de la resposta mecànica de materials ferroelèctrics i la seva contribució a la resposta electromecànica total. Aquesta tesi mostra com la resposta mecànica dels ferroelèctrics es pot detectar i quantificar de manera no destructiva mitjançant la Microscòpia de Força Atòmica de Ressonància de Contacte (CR-AFM). Aquesta tècnica s’ha utilitzat per quantificar la resposta mecànica dels dominis, que depèn tant de l’orientació com del signe de la seva polarització. Aquesta asimetria mecànica entre dominis de polarització oposada permet el concepte de lectura mecànica de la polarització ferroelèctrica. A més dels dominis ferroelèctrics, també es van investigar les parets del domini. Les propietats mecàniques de les parets del domini ferroelèctric de 180º són clarament diferents -més suaus- a les dels dominis adjacents. Després d’haver mesurat les propietats mecàniques tant dels dominis ferroelèctrics com de les parets del domini mitjançant CR-AFM, les tècniques AFM d’excitació de bandes s’utilitzen per comparar mesures mecàniques i electromecàniques en materials ferroelèctrics. Els resultats mostren que el senyal de freqüència de ressonància de contacte de les mesures PFM es pot utilitzar per extreure informació sobre la resposta purament mecànica dels materials ferroelèctrics, concloent que és possible distingir les propietats mecàniques dels ferroelèctrics mitjançant mesures electromecàniques.La microscopía de fuerza de respuesta piezoeléctrica (PFM) es una poderosa herramienta para la caracterización electromecánica de materiales ferroeléctricos. En este modo de microscopía de fuerza atómica (AFM), un voltaje de CA externo excita la muestra y se mide su respuesta piezoeléctrica, proporcionando información sobre la magnitud, la orientación y el signo de la polarización ferroeléctrica. Sin embargo, como muestro en esta tesis, la señal de frecuencia de resonancia de contacto PFM no depende solo de las propiedades electromecánicas de los ferroeléctricos, sino que también se ve afectada por las propiedades mecánicas del material a nanoescala. La investigación desarrollada en esta tesis se centra en la identificación y cuantificación de la respuesta mecánica de materiales ferroeléctricos y su contribución en la respuesta electromecánica total. Esta tesis muestra cómo la respuesta mecánica de los ferroeléctricos puede ser detectada y cuantificada de forma no destructiva utilizando Microscopía de Fuerza Atómica de Resonancia de Contacto (CR-AFM). Esta técnica se ha utilizado para cuantificar la respuesta mecánica de los dominios, que depende tanto de la orientación como del signo de su polarización. Esta asimetría mecánica entre dominios de polarización opuesta permite el concepto de lectura mecánica de la polarización ferroeléctrica. Además de los dominios ferroeléctricos, también se investigaron las paredes de dominio. Las propiedades mecánicas de las paredes del dominio ferroeléctrico de 180º resultan ser claramente diferentes -más suaves- que los dominios adyacentes. Después de haber medido las propiedades mecánicas tanto de los dominios ferroeléctricos como de las paredes del dominio utilizando CR-AFM, las técnicas de AFM de excitación de banda se utilizan para comparar las mediciones mecánicas y electromecánicas en materiales ferroeléctricos. Los resultados muestran que la señal de frecuencia de resonancia de contacto de las mediciones de PFM se puede utilizar para extraer información sobre la respuesta puramente mecánica de los materiales ferroeléctricos, concluyendo que es posible distinguir las propiedades mecánicas de los ferroeléctricos a través de mediciones electromecánicas.Piezoresponse force microscopy (PFM) is a powerful tool for the electromechanical characterization of ferroelectric materials. In this atomic force microscopy (AFM) mode, an external ac voltage excites the sample and its piezoelectric response is measured, providing information about the magnitude, orientation and sign of ferroelectric polarization. However, as I show in this thesis, the PFM contact resonance frequency signal does not depend only on the electromechanical properties of ferroelectrics, but is also affected by the mechanical properties of the material at the nanoscale. The research developed in this thesis focuses on the identification and quantification of mechanical response of ferroelectric materials and their contribution on the total electromechanical response. This thesis shows how the mechanical response of ferroelectrics can be detected and quantified in a non-destructive way using Contact Resonance Atomic Force Microscopy (CR-AFM). This technique has been used to quantify the mechanical response of domains, which depends both on the orientation and on the sign of their polarization. This mechanical asymmetry between oppositely-polarized domains enables the concept of mechanical reading of ferroelectric polarization. In addition to ferroelectric domains, domain walls were also investigated. The mechanical properties of 180º ferroelectric domain walls are found to be distinctly different -softer- than the adjacent domains. After having measured the mechanical properties both of ferroelectric domains and domain walls using CR-AFM, Band Excitation AFM techniques are used to compare mechanical and electromechanical measurements on ferroelectric materials. The results show that the contact resonance frequency signal of PFM measurements can be used to extract information about the purely mechanical response of ferroelectric materials, concluding that it is possible to distinguish mechanical properties of ferroelectrics through electromechanical measurements.Universitat Autònoma de Barcelona. Programa de Doctorat en Físic
Interplay Between Ferroelectricity and Surface Chemistry in BaTiO3
Full text linkEls materials ferroelèctrics tenen una polarització elèctrica permanent que pot reorientar-se entre els estats d’equilibri si s’aplica un camp elèctric extern amb l’orientació i magnitud adequada. Degut a que els materials ferroelèctrics tenen una mida finita, aquesta polarització presenta una discontinuïtat a la interfície entre el ferroelèctric i el medi que l’envolta, donant-hi lloc a l’acumulació de càrregues i el conseqüent camp de despolarització. En alguns casos, si aquest camp no es compensa prou, pot arribar a ser suficientment gran com per desestabilitzar el material ferroelèctric. Aquesta compensació necessària pot produir-se internament per portadors de càrrega lliure, externament amb elèctrodes metàl·lics, o en el cas de mostres sense elèctrodes, amb diferents adsorbats com per exemple, l’aigua present a l’ambient i els seus productes de dissociació. Per tant, segons la compensació del camp de despolarització, ambdós mecanismes interns i externs juguen un rol important a l’hora de definir la química de superfície en els ferroelèctrics. En aquest sentit, els materials ferroelèctrics són capaços de crear estats químics específics a la superfície segons la polarització (p. ex. estequiometria, configuració electrònica i estructural); els quals a més, governen l’adsorció, desorció i les barreres per a les reaccions químiques de molècules d’adsorbats en superfícies polaritzades de ferroelèctrics. A més a més, la relació entre la química de superfície i la ferroelectricitat és bidireccional: qualsevol canvi en la composició química de la superfície comporta un canvi en les condicions de contorn d’aquesta i en els camps de despolarització, que en conjunt, pot tenir profundes conseqüències en les interaccions dipolars i sobre les propietats ferroelèctriques en capes primes (on la proporció superfície/volum és gran). Al mateix temps, això obre nous camins cap al control químic de la ferroelectricitat, on mitjançant l’ajust de la química de superfície es podrien assolir les propietats ferroelèctriques desitjades o, vici versa, la modificació de la polarització amb camps externs es podria utilitzar en processos (ferro)catalítics. Malgrat això, aquestes tasques en realitat són un repte, ja que existeixen fortes limitacions en el coneixement experimental de les interaccions químiques a la superfície de capes primes ferroelèctriques. Aquestes limitacions inclouen tant les espècies químiques involucrades, com la dinàmica dels processos electroquímics de compensació – els quals, al seu torn, afecten la mida dels dominis (que serien els “bits” en memòries ferroelèctriques), al voltatge coercitiu, i a la velocitat màxima a la qual la informació pot ser enregistrada en capes primes ferroelèctriques, sent d’interès pràctic en aplicacions d’emmagatzematge d’informació. Aquesta tesi doctoral investiga tots aquests aspectes. Començant amb la preparació de capes primes epitaxials d’alta qualitat de BaTiO3 ferroelèctric, utilitzat com el material principal en aquesta tesi, el treball presentat englobarà l’estudi de la interacció entre ferroelectricitat i química de superfície des de diferents perspectives. La química superficial de les capes primes de BaTiO3, dependent de la polarització i l’exposició ambiental, i la seva evolució durant la modulació dinàmica de la polarització a traves de la temperatura de transició de Curie en condicions de vapor d’aigua, s’estudia per espectroscòpia fotoelectrònica de rajos X convencional i a pressió ambiental (AP-XPS). L’efecte de l’aigua adsorbida serà també examinat en el marc d’experiments de litografia ferroelèctrica i estudis de microscòpia de força per piezoresposta (PFM) en condicions controlades d’humitat, mitjançant la investigació de l’efecte de la humitat relativa en la velocitat màxima de gravat de dominis, la seva mida i la dinàmica de la commutació. Finalment, la influència de molècules diferents a la de l’aigua serà estudiada mitjançant la funcionalització química amb molècules d’àcid para-aminobenzòic (pABA).Los materiales ferroeléctricos tienen una polarización eléctrica permanente que puede reorientarse entre los estados de equilibrio si se aplica un campo eléctrico externo con la orientación y magnitud adecuada. Debido a que los materiales ferroeléctricos tienen un tamaño finito, esta polarización presenta una discontinuidad en la interfaz entre el ferroeléctrico y el medio que lo rodea, dando lugar a la acumulación de cargas y el consecuente campo de despolarización. En algunos casos, si este campo no se compensa suficientemente, puede llegar a ser bastante grande como para desestabilizar el material ferroeléctrico. Esta compensación necesaria puede producirse internamente por portadores de carga libre, externamente con electrodos metálicos, o en el caso de muestras sin electrodos, con diferentes adsorbatos como por ejemplo, el agua presente en el ambiente y sus productos de disociación. Por lo tanto, según la compensación del campo de despolarización, ambos mecanismos internos y externos juegan un rol importante a la hora de definir la química de superficie en los ferroeléctricos. En este sentido, los materiales ferroeléctricos son capaces de crear estados químicos específicos en la superficie según la polarización (p. ej. estequiometria, configuración electrónica y estructural), los cuales también gobiernan la adsorción, desorción y las barreras para las reacciones químicas de moléculas de adsorbatos en superficies polarizadas de ferroeléctricos. Además, la relación entre la química de superficie y la ferroelectricidad es bidireccional: cualquier cambio en la composición química de la superficie comporta un cambio en las condiciones de contorno de esta y en los campos de despolarización, que, en conjunto, puede tener profundas consecuencias en las interacciones dipolares y sobre las propiedades ferroeléctricas en capas delgadas (donde la proporción superficie/volumen es elevada). Al mismo tiempo, esto abre nuevos caminos hacia el control químico de la ferroelectricidad, donde mediante el ajuste de la química de superficie se podrían lograr las propiedades ferroeléctricas deseadas o, viceversa, la modificación de la polarización con campos externos se podría emplear en procesos (ferro)catalíticos. A pesar de esto, estas tareas en realidad son un reto, puesto que existen grandes limitaciones en el conocimiento experimental de las interacciones químicas en la superficie de capas delgadas ferroeléctricas. Estas limitaciones incluyen tanto a las especies químicas involucradas, como la dinámica de los procesos electroquímicos de compensación – los cuales, a su vez, afectan el tamaño de los dominios (que serían los “bits” en memorias ferroeléctricas), al voltaje coercitivo, y a la velocidad máxima en la cual la información puede ser grabada en capas delgadas ferroeléctricas, siendo de interés práctico en aplicaciones de almacenamiento de información. Esta tesis doctoral investiga todos estos aspectos. Empezando con la preparación de capas delgadas epitaxiales de alta calidad de BaTiO3 ferroeléctrico, utilizado como el material principal en esta tesis, el trabajo presentado englobará el estudio de la interacción entre ferroelectricidad y química de superficie desde diferentes perspectivas. La química superficial de las capas delgadas de BaTiO3, dependiente de la polarización y la exposición ambiental, y su evolución durante la modulación dinámica de la polarización a través de la temperatura de transición de Curie en condiciones de vapor de agua, se estudia por espectroscopia fotoelectrónica de rayos X convencional y a presión ambiental (AP-XPS). El efecto del agua adsorbida será también examinado en el marco de experimentos de litografía ferroeléctrica y estudios de microscopia de fuerza por piezorespuesta (PFM) en condiciones controladas de humedad, mediante la investigación del efecto de la humedad relativa en la velocidad máxima de grabado de dominios, su tamaño y la dinámica de la conmutación. Finalmente, la influencia de moléculas diferentes a la del agua será estudiada mediante la funcionalización química con moléculas de ácido para-aminobenzóico (pABA).Ferroelectric materials possess permanent electric polarization, which can be reoriented between possible equilibrium states by the application of external electric field of proper orientation and magnitude. Due to the finite size of ferroelectric materials, a discontinuity of polarization arises at the interface between ferroelectric and surrounding medium, giving rise to the bound charge and a depolarizing field. In some cases, this field might be sufficiently high to jeopardize ferroelectric stability if not properly screened. Necessary screening charges can be supplied internally, in the form of free charge carriers, externally by metallic electrodes or, alternatively in the case of bare (electrode-free samples), by different adsorbate species such as atmospheric water and its dissociation products. Driven by the depolarization field screening, both internal and external mechanisms play important roles in defining surface chemistry of ferroelectrics. In this sense, ferroelectric materials are able to develop polarization-specific surface chemical states (e.g. stoichiometry, electronic and structural configurations), which further govern adsorption, desorption and barriers for chemical reactions of adsorbate molecules on polarized ferroelectric surfaces. Moreover, the relation between surface chemistry and ferroelectricity is bidirectional: any change in the surface-chemical composition leads to a change in surface boundary conditions and depolarizing fields, that altogether may have profound effect on the dipolar interactions and ferroelectric properties of thin films, where surface-to-volume ratios are high. In turn, this opens new pathways towards chemically controlled ferroelectricity, where by the tuning of surface chemistry desired ferroelectric properties could be achieved or, vice versa, the modification of polarization by external fields can be exploited in (ferro)catalytic processes. However, in reality these are challenging tasks due to severe limitations in our experimental knowledge of the chemical interactions at the surfaces of ferroelectric thin films. These limitations include both the actual chemical species involved, and the dynamics of the electrochemical screening process - which, in turn, affect domain size (which would be the ‘bits’ in ferroelectric memories), coercive voltage, and maximum speed at which information can be encoded in ferroelectric thin films, being of practical interest for information storage applications. This doctoral thesis sets out to explore these aspects. Starting from the preparation of high quality epitaxial and ferroelectric BaTiO3 thin films, used as the main material in this thesis, the presented work will encompass study of interplay between ferroelectricity and surface chemistry from different perspectives. The polarization- and environmental exposure- dependent surface chemistry of BaTiO3 thin films, and furthermore its evolution during dynamic polarization modulation across the Curie transition temperature in water vapor conditions, relevant in the frame of catalytic processes on ferroelectric materials, is studied by conventional and ambient pressure X-Ray photoelectron spectroscopy (AP-XPS). The effect of adsorbed water will be further assessed in the frame of ferroelectric lithography experiments and Piezoresponse Force Microscopy (PFM) studies in controlled humidity conditions, by investigating effect of relative humidity on the maximum speed of domain writing, domain size and domain switching dynamics. Lastly, influence of molecules different from water, achieved by deliberate chemical functionalization with aromatic para-aminobenzoic acid (pABA) molecules, will be studied with respect to ferroelectric polarization stability.Universitat Autònoma de Barcelona. Programa de Doctorat en Ciència de Material
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Full text linkWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
koamabayili/VECTRON-author-checklist: VECTRON author checklist
No full textWe have done our best to complete the author checklist relating to the use of animals in the hut study. Note that the objective for the hut study was to evaluate the IRS treatment applications for residual efficacy against Anopheles mosquitoes, including the local An. coluzzii mosquito population. Cows were only used to attract mosquitoes into the huts and no tests were carried out directly on the cows. The author checklist is intended for use with studies where experiments are carried out on animals, which is why we have had such difficulty in completing this for the hut study, as many of the questions do not relate to how the cows were used
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