25,048 research outputs found
Tres discursos de D. J. M. Rivas Groot
No full textCompilación de discursos pronunciados por José María Rivas Groot, en calidad de Ministro de Instrucción Pública, publicados en la Revista de Instrucción Pública de Colombia.- Tercer contenido del “Quijote” / Discurso del Sr. José M. Rivas en nombre del Gobierno y de la Junta organizadora.
-Voto nacional / Discurso pronunciado en 1901 por el Sr. José M. Rivas Groot en la peregrinación al templo del Sagrado Corazón de Jesús.
-Discurso sobre instrucción pública / pronunciado por el Sr. José M. Rivas Groot en el Senado de 1903
Het Puberbrein
No full textDe Groot, R. H. M. (2010, September). Het puberbrein. Gepresenteerd in de Obenbare Bibliotheek Nuth, Nuth, Nederland.Waarom staan pubers nou zo laat op? Waarom blijft hun huiswerk altijd tot het laatste liggen? Is het zo moeilijk om een realistische planning te maken? In deze presentatie wordt op interactieve wijze ingegaan op bovenstaande onderwerpen.
Er wordt verteld hoe het brein zich ontwikkelt en wat er met het brein gebeurt tijdens de puberteit. Ook wordt ingegaan op verschillen tussen jongens en meisjes. Op basis van nieuw wetenschappelijk onderzoek wordt getoond dat het niet raar is dat veel adolescenten nog niet zelfstandig kunnen plannen en organiseren. Er wordt aangeven dat de omgeving, u dus ook, een belangrijke rol kan spelen bij verdere uitrijping van de hersenen tijdens de adolescentie
Humans and nature : public visions on their interrelationship
No full textContains fulltext :
81997.pdf (Publisher’s version ) (Open Access)Radboud Universiteit Nijmegen, 08 september 2010Promotor : Groot, W.T. de Co-promotor : Arts, B.J.M.168 p
Raphaëlle de Groot : En exercice
No full text"This publication was produced by the Galerie de l’UQAM as part of an exhibition which took place from February 24 to April 1, 2006. The essay by Louise Déry presents the work site of Raphaëlle de Groot, who extended her original inquiry into the figure and roles of the artist by literally “exercising” in front of the exhibition’s visitors. The author also describes a vast project at the Cerutti textile factory in Biella, Italy, carried out by the artist during a residency at the Pistoletto Foundation in Biella. Yann Pocreau contributes an exercise in temporal writing modelled on the work of the artist, whose own texts, also presented here, are an essential complement to this volume." -- Publisher's websit
Plangebied Veilingterrein te Bleiswijk (Klappolder), gemeente Lansingerland; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek.
No full textCoordinaten:97.310/449.259
Datum einde onderzoek:21 maart 2008, rapportage: juni 2008
Projectmedewerkers:drs. R. den Boer & drs. M. Rietkerk
Complextype(n):xxx
Datering:xxx
Diversen: Groot, R.W. de en M. Rietkerk, Plangebied Veilingterrein te Bleiswijk (Klappolder), gemeente Lansingerland; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek. RAAPnotitie 2744 (WEESP, 2008
Plangebied Middelweg-Noord te Rockanje, gemeente Westvoorne; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek
No full textDatum einde onderzoek: mei 2008
Groot, R.W. de, Plangebied Middelweg-Noord te Rockanje, gemeente Westvoorne; archeologisch vooronderzoek: een bureau- en inventariserend veldonderzoek, RAAPrapport 1738 (Weesp, 2008)
Ivm met maaiveldverlaging binnen verschillende zones heeft een archeologisch onderzoek plaatsgevonden. Deze melding betreft de deelgebieden 1 t/m 3
De Omgevingswet als groot ICT-project
No full textBinnen de planologie is veel onderzoek gedaan naar grote stedelijke projecten. De bij besluitvorming voorgestelde kosten en baten van zulke projecten zijn notoir onbetrouwbaar gebleken. Grote projecten kosten meestal meer dan geraamd, de realisatie duurt langer en de maatschappelijke baten vallen vaak tegen. Ook de Omgevingswet en het bijbehorende digitale stelsel kan worden beschouwd als een groot ICT-project. Niets wijst erop dat de Omgevingswet een van de schaarse positieve uitzonderingen zal vormen op de gangbare praktijk van grote projecten.Accepted Author ManuscriptOLD Geo-information and Land Developmen
Asymmetric gate induced drain leakage and body leakage in vertical MOSFETs with reduced parasitic capacitance
No full textVertical MOSFETs, unlike conventional planar MOSFETs, do not have identical structures at the source and drain, but have very different gate overlaps and geometric configurations. This paper investigates the effect of the asymmetric source and drain geometries of surround-gate vertical MOSFETs on the drain leakage currents in the OFF-state region of operation. Measurements of gate-induced drain leakage (GIDL) and body leakage are carried out as a function of temperature for transistors connected in the drain-on-top and drain-on-bottom configurations. Asymmetric leakage currents are seen when the source and drain terminals are interchanged, with the GIDL being higher in the drain-on-bottom configuration and the body leakage being higher in the drain-on-top configuration. Band-to-band tunneling is identified as the dominant leakage mechanism for both the GIDL and body leakage from electrical measurements at temperatures ranging from ?50 to 200?C. The asymmetric body leakage is explained by a difference in body doping concentration at the top and bottom drain–body junctions due to the use of a p-well ion implantation. The asymmetric GIDL is explained by the difference in gate oxide thickness on the vertical (110) pillar sidewalls and the horizontal (100) wafer surface
Self-aligned silicidation of surround gate vertical MOSFETs for low cost RF applications
No full textWe report for the first time a CMOS-compatible silicidation technology for surround-gate vertical MOSFETs. The technology uses a double spacer comprising a polysilicon spacer for the surround gate and a nitride spacer for silicidation and is successfully integrated with a Fillet Local OXidation (FILOX) process, which thereby delivers low overlap capacitance and high drive-current vertical devices. Silicided 80-nm vertical n-channel devices fabricated using 0.5-?m lithography are compared with nonsilicided devices. A source–drain (S/D) activation anneal of 30 s at 1100 ?C is shown to deliver a channel length of 80 nm, and the silicidation gives a 60% improvement in drive current in comparison with nonsilicided devices. The silicided devices exhibit a subthreshold slope (S) of 87 mV/dec and a drain-induced barrier lowering (DIBL) of 80 mV/V, compared with 86 mV/dec and 60 mV/V for nonsilicided devices. S-parameter measurements on the 80-nm vertical nMOS devices give an fT of 20 GHz, which is approximately two times higher than expected for comparable lateral MOSFETs fabricated using the same 0.5-?m lithography. Issues associated with silicidation down the pillar sidewall are investigated by reducing the activation anneal time to bring the silicided region closer to the p-n junction at the top of the pillar. In this situation, nonlinear transistor turn-on is observed in drain-on-top operation and dramatically degraded drive current in source-on-top operation. This behavior is interpreted using mixed-mode simulations, which show that a Schottky contact is formed around the perimeter of the pillar when the silicided contact penetrates too close to the top S/D junction down the side of the pillar
- …
