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Jang Min Soo
학위논문(석사)--아주대학교 일반대학원 :에너지시스템학부,2010. 2PtX2, SnX2, phosphines, H2 를 반응시켜 얻은 Pt 촉매를 사용하여 할로겐 치환기를 포함한 haloenyne과 enyne의 고리화반응을 비교 연구하였다. 비슷한 Pt 촉매 조건하에서 haloenyne은 분자량의 변화없이 고리화 반응이 진행되었고, enyne은 수소 한 분자가 첨가된 고리화합물을 형성하였다. 이들 두 반응의 상이한 메카니즘을 규명하기 위해, 대조실험 및 중수소 치환실험을 수행하였다. 또한 본 연구를 통해 Pt 화합물이 촉매로 사용되는 반응영역을 확장하였다.Contents
Abstract ------------------------------- 2
Introduction ---------------------------- 3
Result and Discussion ------------- ---- 6
Conclusion ---------------------- ----- 14
Experimental Section --------- --------- 15
References ---------------------------- 31
Appendix ------------------------------ 35Maste
Jang, Min-Je: Die Hochzeit
Graz, Univ. für Musik und darstellende Kunst, Künstlerische Magisterarb., 200
Inverse design of organic light-emitting diode structure based on deep neural network
In this work, we present a neural network that receives the layer thicknesses and refractive indices as the inputs and predicts the LEE response of a given OLED structure. The network is trained with a dataset containing 260,000 structure parameter-LEE pairs which were obtained from the in-house Chance-Prock-Silbey (CPS) model. The neural network was able to complete the spectrum predictions with 4×106 faster rate than the rigorous electromagnetic simulation based on CPS formulation depending on the degree of parallelization with RMSE of 1.86×10-3. Two different routes were taken for the inverse design of LEE responses. One was the inverse neural network built by joining additional layers to the pre-trained forward neural network and the other was the neural network assisted genetic algorithm (NNGA) which uses the forward network as the platform for LEE prediction. NNGA showed superior performances in the inverse design of both existing and non-existing LEEs whereas the inverse neural network was unmatched in terms of the computation speed. The NNGA also successfully solves two representative OLED optimization problems: maximizing LEE and minimizing angle-dependent white color variation. Considering that both problems possess large design spaces that are difficult to be addressed by conventional numerical approaches employing rigorous electromagnetic simulations, the neural network-based methodology presented in this work provides a promising platform for tackling computation-heavy optimization tasks with one-time computation cost. Furthermore, different aspects of the neural network including its one-to-many mapping behaviour, extrapolability, and comparison between the inverse design methods were investigated extensively
Recent Advances in Mid-Infrared Graphene Plasmonics: Electrically Tunable Metasurface for Complex Amplitude Modulation
A study on the effect of W alloying in Ni(P) film on the interfacial reactions and mechanical reliabilities in lead-free solder
학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2011.2, [ vii, 78 p ]NiWP 박막의 W, P 조성에 따른 영향을 관찰하기 위하여 P의 조성을 5, 9 wt%로 고정하고 W을 3가지 레벨로 무전해 도금하였다. 각 시편은 P의 조성에 따라 결정성이 결정되었지만 16W5P의 경우 W에 의해서 비정질상을 갖게 되었다. 260℃에서 열처리시 모든 시편은 as plated 상태와 유사한 상태를 유지하였으며 500℃에서 열처리시 NiWP 박막은Ni과 상으로 상변태가 발생하였다. W은 Ni과 고용체를 이루어 Ni(111)면의 면간 거리를 확장시켰으며, 상으로 NiWP 박막의 열처리시 mass conservation을 만족하는 반응식을 확립하였다. NiWP 박막의 DSC 분석을 통해서 박막에 증착되는 W의 양이 증가할수록 결정화되는 온도(Tp)가 증가되는 것을 확인하였으며 이것은 증착되는 W의 양이 증가할수록 Ni-W 고용체에서 W이 고용되는 양도 증가하여 결정화에 필요한 Ni의 확산을 방해하는 역할을 하기 때문이다.
Ni5PxW과 솔더의 반응시 W의 존재가 의 성장을 억제하는 것을 확인하였으며 4W5P의 경우가 가장 효과적으로 억제하였다. Ni9PxW과 솔더와의 반응시 22W9P의 시편의 경우 IMC가 spalling되지 않았지만 나머지 시편은 모두 spalling되었다. NiWP 박막과 솔더의 반응시 5W9P, 4W5P와 같이 증착된W의 양이 적으면 결정화된 ( 상이 관찰되었다. 하지만 22W9P, 16W5P처럼 W의 함량이 크면 결정화 되지 못한 비정질의 층이 형성되었으며, 이런 특성이 의 spalling을 억제하였다. Spalling이 일어나지 않은 22W9P의 경우 낙하 테스트에서도 300회 이상의 우수한 결과를 보였다. 즉 Ni(P) UBM에 존재하는 W은 Ni의 확산을 억제하여 Ni3Sn4의 성장을 막고 Ni3P의 결정화를 방지하여 spalling을 억제한다.
NiXP 박막의 결정성을 판단하기 위해 as plated 상태에서 Ni(111)면의 FWHM을 조사하였다. Re, Mo, W의 경우 결정립의 박막으로 구분 되었고 나머지 Tl, Cu, Co, Fe, Zn, Mn의 경우는 비정질상으로 확인되었다. 결정립을 갖는 박막의 경우 Ni5P UBM과 비교시 의 성장을 억제하는 것으로 나타났으며, 비정질상을 갖는 원소들 중에서 Tl, W, Cu, Co는 spalling을 억제하지 못하였으며 W, Fe, Zn, Mn은 spalling이 억제되었다. Spalling map에서 무전해Ni(P) 박막을 대체 가능한 NiXP 박막은 4~8 wt % 정도의 P의 함량과 4~20 wt% 정도의 X 조성을 갖는 시편이 적합한데 W과 Re이 적절한 X 원소로 선택될 수 있다.한국과학기술원 : 신소재공학과
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