1,721,293 research outputs found
Pandangan KH. Husain Muhammad Tentang Kafa’ah Dalam Pernikahan Untuk Membentuk Keluarga Bahagia
Full text linkDalam pernikahan, kafaah bisa dipahami sebagai keserasian dan keseimbangan antar calon pengantin dengan suaminya agar setiap individu tidak mengalami kesulitan dalam melaksanakan pernikahan. Di masyarakat, ada istilah Bibit (keturunan) Bebet (status ekonomi) Berat badan (tinggi rendahnya kualitas seseorang) adalah ukuran dalam memilih pasangan hidup. Konsep kafaah dalam penelitian ini disandingkan dengan pemikiran KH. Husain Muhammad sebagai tokoh kyai yang mendalami tafsir terhadap ayat-ayat tentang gender dan kerap memperjuangkan hak-hak gender. Penelitian ini termasuk penelitian kualitatif dan data penelitian diperoleh dengan metode wawancara dan data tambahan dari buku-buku serta artikel ilmiah terkait kafaah. Hasil penelitian ini memaparkan bahwa kafaah menurut KH. Husain Muhammad merupakan suatu kecocokan atau kesesuaian antara satu pasangan. Dan kesesuaian yang dimaksud oleh beliau secara idealnya ada emapt aspek, maka yang menjadi prioritas adalah ad-din. Ad-din dalam konteks ini dimaknai sebagai ukuran keserasian dalam moralitas yang unuversal atau dalam artian akhlak, bukan sesuatu idealisme yang bersifat lahiriyyah
Pemikiran Kiai Husain Muhammad tentang Mu’asyaroh bil Ma’ruf antara suami-istri dalam upaya membentuk keluarga sakinah: analisis bimbingan dan konseling keluarga Islam
Full text linkPernikahan merupakan ikatan yang kuat, yang dilandasi dengan musyarokah baina istnaini. Ikatan yang suci serta sakral itu harus dijaga agar selalu kuat rasa cinta kasihnya dan antara pasangan merasa tenteram dan damai satu sama lain, untuk mewujudkan misi tersebut tentu tidak dengan cara yang mudah, memerlukan berbagai cara dan metode. Penelitian ini bermaksud memfokuskan pemikiran kiai Husain Muhammad tentang mu’asyaroh bil ma’ruf sebagai salah satu cara memperkuat hubungan suami-istri dan mewujudkan keluarga yang sakinah. Rumusan masalah dari penelitian ini adalah, Bagaimana pemikiran kiai Husain Muhammad tentang mu’asyaroh bil ma’ruf antara suami-istri dalam upaya membentuk keluarga sakinah? Bagaimana konsep pemikiran kiai Husain Muhammad tentang mu’asyaroh bil ma’ruf antara suami-istri sebagai upaya membentuk keluarga sakinah, analisis bimbingan konseling keluarga Islam?
Skripsi ini bertujuan untuk mendeskripsikan pemikiran kiai Husain Muhammad khususnya tentang mu’asyaroh bil ma’ruf antara suami-Istri sebagai upaya membentuk keluarga sakinah, sekaligus menganalisis pemikiran kiai Husain Muhammad khususnya tentang mu’asyaroh bil ma’ruf antara suami-Istri sebagai upaya membentuk keluarga sakinah dalam analisis bimbingan konseling keluarga Islam. Data primer dari penelitian ini adalah informasi yang didapat dari karya-karya seperti buku: Fiqih Perempuan: Refleksi Kiai atas Wacana Agama dan Gender dan Dawrah Fiqih Perempuan, Modul Kursus Islam dan Gender. Selain itu informasi yang didapat melalui wawancara dengan kiai Husain Muhammad sebagai sumber data langsung. Sedangkan data sekunder, peneliti dapatkan dari karya-karya orang lain mengenai tokoh yang bersangkutan atau mengenai topik yang diteliti yang bertindak sebagai sumber data sekunder. Penelitian ini mengunakan metode analisis deskriptif yaitu suatu penelitian yang hanya memaparkan situasi atau peristiwa.
Hasil penelitian didapat ialah: 1). Kiai Husain Muhammad menerapkan konsep mu’asyaroh bil ma’ruf yakni persalingan yang dilakukan secara timbal balik dalam mewujudkan kehidupan keluarga yang sakinah, sedangkan ranah-ranah mu’asyaroh bil ma’ruf menurut kiai Husain meliputi pemilihan pasangan, mahar, hak nafkah, relasi seksual, suami saleh dan istri salehah, serta relasi kemanusiaan. 2). Konseling keluarga Islam merupakan satu metode yang digunakan dalam mengembalikan fungsi anggota keluarga sekaligus agar terhidar dari masalah karena tujuan akhir keluarga Islam adalah terwujudnya keluarga yang sakinah sekaligus mendukung adanya mu’asyaroh bil ma’ruf dalam keluarga.
Konsep mu’asyaroh bil ma’ruf berpotensi diterapkan dan dikembangkan dalam keluarga. Meskipun terkendala oleh kuatnya budaya patriarkhinya yang masih dianut oleh masyarakat dilingkungan tertentu, tetapi secara aplikatif konsep ini sudah banyak dilakukan oleh keluarga yang tanggap gender dan menyadari adanya keselarasan hidup dalam keluarg
Electrodeposited Ni/Ge and germanide schottky barriers for nanoelectronics applications
No full textIn recent years metal/semiconductor Schottky barriers have found numerous applications in nanoelectronics. The work presented in this thesis focuses on the improvement of a few of the relevant devices using electrodeposition of metal on Ge for Schottky barrier fabrication. This low energy metallisation technique offers numerous advantages over the physical vapour deposition techniques. Electrical characteristics of the grown diodes show a high quality rectifying behaviour with extremely low leakage currents even on highly doped Ge. A non-Arrhenius behaviour of the temperature dependence is observed for the grown Ni/Ge diodes on lowly doped Ge that is explained by a spatial variation of the barrier heights. The inhomogeneity of the barrier hights is explained in line with an intrinsic surface states model for Ge. The understanding of the intrinsic surface states will help to create ohmic contacts for doped n-MOSFETs. NiGe were formed single phase by annealing. Results reveal that by using these high-quality germanide Schottky barriers as the source/drain, the subthreshold leakage currents of a Schottky barrier MOSFET could be minimised, in particular, due to the very low drain/body junction leakage current exhibited by the electrodeposited diodes. The Ni/Ge diodes on highly doped Ge show negative differential conductance at low temperature. This effect is attributed to the intervalley electron transfer in Ge conduction band to a low mobility valley. The results show experimentally that Schottky junctions could be used for hot electron injection in transferred-electron devices. A vertical Co/Ni/Si structure has been fabricated for spin injection and detection in Si. It is shown that the system functions electrically well although no magnetoresistance indicative of spin injection was observed
A Vertical Transport Geometry for Electrical Spin Injection and Extraction in Si
No full textSchottky barriers formed between ferromagnetic metal and Semiconductor are of particular interest for spin injection and detection experiments. Here, we investigate electrical spin polarized carrier injection and extraction in Si using a Co/Si/Ni vertical structure built on a 250 nm thick Si membrane. Current-voltage measurements performed on the devices at low temperatures showed evidence of the conduction being dominated by thermionic field emission, which is believed to be the key to spin injection using Schottky junctions. This, however, proved inconclusive as our devices did not show any magnetoresistance signal even at low temperatures. We attribute this partially to the high resistance-area product in our Schottky contacts at spin injection biases. We show the potential of this vertical Spin-device for future experiments by numerical simulation. The results reveal that by growing a thin highly doped Ge layer at the Schottky junctions the resistancearea products could be tuned to obtain high magnetoresistance
Electrodeposited Ni-Ge Schottky barriers: Fermi-level pinning, Negative Differential Conductance, Germanides, and Spin Transport
No full textHigh-quality NiGe/Ge diodes for Schottky barrier MOSFETs
No full textSchottky barrier (SB) Ge channel MOSFETs suffer from high drain-body leakage at the required elevated substrate doping concentrations to suppress source–drain leakage. Here, we show that electrodeposited Ni–Ge and NiGe/Ge Schottky diodes on highly doped Ge show low off current, which might make them suitable for SB-MOSFETs. The Schottky diodes showed rectification of up to five orders in magnitude. At low forward biases, the overlap of the forward current density curves for the as-deposited Ni/n-Ge and NiGe/n-Ge Schottky diodes indicates Fermi-level pinning in the Ge bandgap. The SB height for electrons remains virtually constant at ∼0.52 eV (indicating a hole barrier height of ∼0.14 eV) under various annealing temperatures. The series resistance decreases with increasing annealing temperature in agreement with four-point probe measurements indicating the lower specific resistance of NiGe as compared with Ni, which is crucial for high drive current in SB-MOSFETs. We show by numerical simulation that by incorporating such high-quality Schottky diodes in the source/drain of a Ge channel PMOS, highly doped substrate could be used to minimize the subthreshold source to drain leakage current
Observation of negative differential conductance in a reverse-biased Ni/Ge Schottky diode
No full textWe report the experimental observation of negative differential conductance in a Ni/Ge Schottky diode. With the aid of theoretical models and numerical simulation we show that, at reverse bias, electons tunnel into the high electric field of the depletion region. This scatters the electrons into the upper valley of the Ge conduction band, which has a lower mobility. The observed negative differential conductance is hence attributed to the transferred-electron effect. This shows that Schottky contacts can be used to create hot electrons for transferred-electron devices
Inhomogeneous Ni/Ge Schottky barriers due to variation in Fermi-level pinning
No full textTo achieve high performance Ge nMOSFETs it is necessary to reduce the metal/semiconductor Schottky barrier heights at the source and drain. Ni/Ge and NiGe/Ge Schottky barriers are fabricated by electrodeposition using n-type Ge substrates. Current (I)–voltage (V) and capacitance (C)–voltage (V) and low temperature I–V measurements are presented. A high-quality Schottky barrier with extremely low reverse leakage current is revealed. The results are shown to fit an inhomogeneous barrier model for thermionic emission over a Schottky barrier. A mean value of 0.57 eV and a standard deviation of 52 meV is obtained for the Schottky barrier height at room temperature. A likely explanation for the distribution of the Schottky barrier height is the spatial variation of the metal induced gap states at the Ge surface due to a variation in interfacial oxide thickness, which de-pins the Fermi level
Electrodeposited Ni/Ge contacts for limiting leakage currents in Schottky barrier MOSFETs
Full text link- …
