1,720,971 research outputs found
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Get PDFThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Get PDF“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Get PDFWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Get PDFWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
Défauts chargés dans les couches minces dopées de BaTiO3
No full textThe work presented here focuses on the study of doped BaTiO 3 (BTO) thin films deposited by magnetron sputtering. Due to its ferroelectric properties and its high dielectric permittivity, BTO is used asa tunable capacitor or also in non-volatile memories (FeRAM). Nevertheless, these properties are strongly degraded when deposed as thin films as a results of the extrinsic interface effects. The strategy adopted in this study to improve these dielectric properties was to control the charged defects at the interface by multilayered doped BTO thin films (Mn, Nb and La). Studies on monodoped thin films and multilayershave shown that the carefully designed interfaces lead to increasing relative permittivity of BTO thin films,contradicting the common belief that interfaces behave like dead layers. The use of different techniques suchas Electron Paramagnetic Resonance (EPR), dielectric impedance and in particular X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Time-of-Fligh Secondary Ion Mass Spectroscopy (ToF-SIMS) have enabled us to relate the different physical and chemical aspects such as the Fermi level position and the defect chemistryat the interfaces of BTO multilayers. In addition, we have studied the particularities of the Fermi level position of Mn-doped layers. Charging phenomena or even surface photovoltage induce an artificial change in the Fermi level of the Mn-doped BTO when deposited on various substrates. Finally, we implemented a deposition technique using oxygen plasma which made it possible to lower the Fermi level position towards the valence band of Mn doped BTO.Les travaux ici présents portent sur l’étude des couches minces BaTiO3 (BTO) dopées et déposées par pulvérisation cathodique. Grâce à ses propriétés ferroélectriques et à sa forte permittivité diélectrique, leBTO est utilisé comme un condensateur accordable ou encore dans des mémoires non-volatiles (FeRAM). Néanmoins, ces propriétés sont fortement dégradées lors de sa déposition sous forme de couche mince àcause des effets extrinsèques d’interface. La stratégie adoptée dans cette étude pour améliorer ces propriétés diélectriques est de contrôler les défauts chargés à l’interface par des multicouches de couches minces de BTO dopé au Mn, Nb et La. Des études sur les couches mono dopées et les multicouches ont montré que les interfaces soigneusement conçues conduisent à augmenter la permittivité relative des couches minces de BTO, en contradiction avec la croyance commune selon laquelle les interfaces se comportent comme des couches mortes. L’utilisation des différentes techniques comme la Résonance Paramagnétique Électronique (RPE), l’impédance diélectrique et notamment la Spectrométrie de Photoélectrons X (XPS en anglais) et laSpectrométrie de Masse à Ions Secondaires à Temps de Vol (ToF-SIMS en anglais) nous a permis de relier les différents aspects physiques et chimiques comme le niveau de Fermi et la chimie de défauts aux interfaces des multicouches de BTO. De plus, nous avons étudié les particularités du niveau de Fermi des couches dopées au Mn. Des phénomènes de charge ou même du photovoltage de surface induisent un changement artificiel du niveau de Fermi du BTO dopé Mn déposé sur différents substrats. Enfin, nous avons mis en place une technique de dépôt à l’aide du plasma d’oxygène qui a permis de baisser le niveau de Fermi vers la bande de valence du BTO dopé Mn
Electronic and ionic charged defects in doped BaTiO3 thin films
No full textLes travaux ici présents portent sur l’étude des couches minces BaTiO3 (BTO) dopées et déposées par pulvérisation cathodique. Grâce à ses propriétés ferroélectriques et à sa forte permittivité diélectrique, leBTO est utilisé comme un condensateur accordable ou encore dans des mémoires non-volatiles (FeRAM). Néanmoins, ces propriétés sont fortement dégradées lors de sa déposition sous forme de couche mince àcause des effets extrinsèques d’interface. La stratégie adoptée dans cette étude pour améliorer ces propriétés diélectriques est de contrôler les défauts chargés à l’interface par des multicouches de couches minces de BTO dopé au Mn, Nb et La. Des études sur les couches mono dopées et les multicouches ont montré que les interfaces soigneusement conçues conduisent à augmenter la permittivité relative des couches minces de BTO, en contradiction avec la croyance commune selon laquelle les interfaces se comportent comme des couches mortes. L’utilisation des différentes techniques comme la Résonance Paramagnétique Électronique (RPE), l’impédance diélectrique et notamment la Spectrométrie de Photoélectrons X (XPS en anglais) et laSpectrométrie de Masse à Ions Secondaires à Temps de Vol (ToF-SIMS en anglais) nous a permis de relier les différents aspects physiques et chimiques comme le niveau de Fermi et la chimie de défauts aux interfaces des multicouches de BTO. De plus, nous avons étudié les particularités du niveau de Fermi des couches dopées au Mn. Des phénomènes de charge ou même du photovoltage de surface induisent un changement artificiel du niveau de Fermi du BTO dopé Mn déposé sur différents substrats. Enfin, nous avons mis en place une technique de dépôt à l’aide du plasma d’oxygène qui a permis de baisser le niveau de Fermi vers la bande de valence du BTO dopé Mn.The work presented here focuses on the study of doped BaTiO 3 (BTO) thin films deposited by magnetron sputtering. Due to its ferroelectric properties and its high dielectric permittivity, BTO is used asa tunable capacitor or also in non-volatile memories (FeRAM). Nevertheless, these properties are strongly degraded when deposed as thin films as a results of the extrinsic interface effects. The strategy adopted in this study to improve these dielectric properties was to control the charged defects at the interface by multilayered doped BTO thin films (Mn, Nb and La). Studies on monodoped thin films and multilayershave shown that the carefully designed interfaces lead to increasing relative permittivity of BTO thin films,contradicting the common belief that interfaces behave like dead layers. The use of different techniques suchas Electron Paramagnetic Resonance (EPR), dielectric impedance and in particular X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Time-of-Fligh Secondary Ion Mass Spectroscopy (ToF-SIMS) have enabled us to relate the different physical and chemical aspects such as the Fermi level position and the defect chemistryat the interfaces of BTO multilayers. In addition, we have studied the particularities of the Fermi level position of Mn-doped layers. Charging phenomena or even surface photovoltage induce an artificial change in the Fermi level of the Mn-doped BTO when deposited on various substrates. Finally, we implemented a deposition technique using oxygen plasma which made it possible to lower the Fermi level position towards the valence band of Mn doped BTO
Electronic and ionic charged defects in doped BaTiO3 thin films
No full textLes travaux ici présents portent sur l’étude des couches minces BaTiO3 (BTO) dopées et déposées par pulvérisation cathodique. Grâce à ses propriétés ferroélectriques et à sa forte permittivité diélectrique, leBTO est utilisé comme un condensateur accordable ou encore dans des mémoires non-volatiles (FeRAM). Néanmoins, ces propriétés sont fortement dégradées lors de sa déposition sous forme de couche mince àcause des effets extrinsèques d’interface. La stratégie adoptée dans cette étude pour améliorer ces propriétés diélectriques est de contrôler les défauts chargés à l’interface par des multicouches de couches minces de BTO dopé au Mn, Nb et La. Des études sur les couches mono dopées et les multicouches ont montré que les interfaces soigneusement conçues conduisent à augmenter la permittivité relative des couches minces de BTO, en contradiction avec la croyance commune selon laquelle les interfaces se comportent comme des couches mortes. L’utilisation des différentes techniques comme la Résonance Paramagnétique Électronique (RPE), l’impédance diélectrique et notamment la Spectrométrie de Photoélectrons X (XPS en anglais) et laSpectrométrie de Masse à Ions Secondaires à Temps de Vol (ToF-SIMS en anglais) nous a permis de relier les différents aspects physiques et chimiques comme le niveau de Fermi et la chimie de défauts aux interfaces des multicouches de BTO. De plus, nous avons étudié les particularités du niveau de Fermi des couches dopées au Mn. Des phénomènes de charge ou même du photovoltage de surface induisent un changement artificiel du niveau de Fermi du BTO dopé Mn déposé sur différents substrats. Enfin, nous avons mis en place une technique de dépôt à l’aide du plasma d’oxygène qui a permis de baisser le niveau de Fermi vers la bande de valence du BTO dopé Mn.The work presented here focuses on the study of doped BaTiO 3 (BTO) thin films deposited by magnetron sputtering. Due to its ferroelectric properties and its high dielectric permittivity, BTO is used asa tunable capacitor or also in non-volatile memories (FeRAM). Nevertheless, these properties are strongly degraded when deposed as thin films as a results of the extrinsic interface effects. The strategy adopted in this study to improve these dielectric properties was to control the charged defects at the interface by multilayered doped BTO thin films (Mn, Nb and La). Studies on monodoped thin films and multilayershave shown that the carefully designed interfaces lead to increasing relative permittivity of BTO thin films,contradicting the common belief that interfaces behave like dead layers. The use of different techniques suchas Electron Paramagnetic Resonance (EPR), dielectric impedance and in particular X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Time-of-Fligh Secondary Ion Mass Spectroscopy (ToF-SIMS) have enabled us to relate the different physical and chemical aspects such as the Fermi level position and the defect chemistryat the interfaces of BTO multilayers. In addition, we have studied the particularities of the Fermi level position of Mn-doped layers. Charging phenomena or even surface photovoltage induce an artificial change in the Fermi level of the Mn-doped BTO when deposited on various substrates. Finally, we implemented a deposition technique using oxygen plasma which made it possible to lower the Fermi level position towards the valence band of Mn doped BTO
Défauts chargés dans les couches minces dopées de BaTiO3
No full textThe work presented here focuses on the study of doped BaTiO 3 (BTO) thin films deposited by magnetron sputtering. Due to its ferroelectric properties and its high dielectric permittivity, BTO is used asa tunable capacitor or also in non-volatile memories (FeRAM). Nevertheless, these properties are strongly degraded when deposed as thin films as a results of the extrinsic interface effects. The strategy adopted in this study to improve these dielectric properties was to control the charged defects at the interface by multilayered doped BTO thin films (Mn, Nb and La). Studies on monodoped thin films and multilayershave shown that the carefully designed interfaces lead to increasing relative permittivity of BTO thin films,contradicting the common belief that interfaces behave like dead layers. The use of different techniques suchas Electron Paramagnetic Resonance (EPR), dielectric impedance and in particular X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Time-of-Fligh Secondary Ion Mass Spectroscopy (ToF-SIMS) have enabled us to relate the different physical and chemical aspects such as the Fermi level position and the defect chemistryat the interfaces of BTO multilayers. In addition, we have studied the particularities of the Fermi level position of Mn-doped layers. Charging phenomena or even surface photovoltage induce an artificial change in the Fermi level of the Mn-doped BTO when deposited on various substrates. Finally, we implemented a deposition technique using oxygen plasma which made it possible to lower the Fermi level position towards the valence band of Mn doped BTO.Les travaux ici présents portent sur l’étude des couches minces BaTiO3 (BTO) dopées et déposées par pulvérisation cathodique. Grâce à ses propriétés ferroélectriques et à sa forte permittivité diélectrique, leBTO est utilisé comme un condensateur accordable ou encore dans des mémoires non-volatiles (FeRAM). Néanmoins, ces propriétés sont fortement dégradées lors de sa déposition sous forme de couche mince àcause des effets extrinsèques d’interface. La stratégie adoptée dans cette étude pour améliorer ces propriétés diélectriques est de contrôler les défauts chargés à l’interface par des multicouches de couches minces de BTO dopé au Mn, Nb et La. Des études sur les couches mono dopées et les multicouches ont montré que les interfaces soigneusement conçues conduisent à augmenter la permittivité relative des couches minces de BTO, en contradiction avec la croyance commune selon laquelle les interfaces se comportent comme des couches mortes. L’utilisation des différentes techniques comme la Résonance Paramagnétique Électronique (RPE), l’impédance diélectrique et notamment la Spectrométrie de Photoélectrons X (XPS en anglais) et laSpectrométrie de Masse à Ions Secondaires à Temps de Vol (ToF-SIMS en anglais) nous a permis de relier les différents aspects physiques et chimiques comme le niveau de Fermi et la chimie de défauts aux interfaces des multicouches de BTO. De plus, nous avons étudié les particularités du niveau de Fermi des couches dopées au Mn. Des phénomènes de charge ou même du photovoltage de surface induisent un changement artificiel du niveau de Fermi du BTO dopé Mn déposé sur différents substrats. Enfin, nous avons mis en place une technique de dépôt à l’aide du plasma d’oxygène qui a permis de baisser le niveau de Fermi vers la bande de valence du BTO dopé Mn
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