1,720,970 research outputs found
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Get PDFThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Get PDF“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Get PDFWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Get PDFWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
koamabayili/VECTRON-author-checklist: VECTRON author checklist
No full textWe have done our best to complete the author checklist relating to the use of animals in the hut study. Note that the objective for the hut study was to evaluate the IRS treatment applications for residual efficacy against Anopheles mosquitoes, including the local An. coluzzii mosquito population. Cows were only used to attract mosquitoes into the huts and no tests were carried out directly on the cows. The author checklist is intended for use with studies where experiments are carried out on animals, which is why we have had such difficulty in completing this for the hut study, as many of the questions do not relate to how the cows were used
Electrical and morphological characterizations of the hybrid bonding level down to submicron pitches
No full textL’intégration 3D, qui consiste à empiler les puces de différentes technologies et fonctionnalités les unes sur les autres, a émergé au cours des dernières années comme une alternative de la loi de Moore pour poursuivre l’élaboration de puces multifonctions et l’amélioration des performances des circuits intégrés. Le collage hybride, une des différentes techniques de l’intégration 3D, peut répondre aux besoins de miniaturisation avec la possibilité de réduire le pas d’interconnexion au-dessous d’un micromètre, ce qui permettra la conception des dispositifs plus performants notamment pour les capteurs d’image. Les effets d’une telle miniaturisation sur les propriétés thermomécaniques et électriques ainsi que sur la robustesse des interconnexions en collage hybride sont, cependant, inconnues.L’objectif de cette thèse est d’étudier, dans une intégration par collage hybride, les défis de la réduction du pas d'interconnexion jusqu'en dessous du micromètre. La méthodologie a consisté d’étudier, avec la réduction du pas, le mécanisme de fermeture de l’interface de collage, la fiabilité des interconnexions au niveau collage hybride ainsi que leurs performances électriques. En utilisant la technique de Microdiffraction de Laue à l’ESRF, une orientation cristalline favorisant la fermeture de l’interface à l’échelle submicronique a été mise en évidence. La résistivité de contact extraite par une nouvelle méthode d’estimation a permis de définir les spécifications de fabrication pour obtenir une reconstruction parfaite de l'interface Cu-Cu avec une résistivité de contact proche de celle de joint des grains de Cu. Malgré la modification du mode de défaillance en électromigration avec une cavité tueuse au niveau des plots de collage pour les pas inférieurs à 3.5 µm, les performances électriques à des conditions normales d'utilisation ne sont pas affectées. A l’aide d’une nouvelle méthodologie de test, nous avons montré que le mode de dégradation en claquage de diélectrique (TDDB) au niveau de collage hybride est atypique par rapport au BEoL standard. Des analyses fines ont permis de lier ce comportement à une couche de Cu2O, présente à l’interface Cu/SiO2, qui agit comme une barrière et qui rend l’intégration Cu/SiO2 immune à la diffusion de cuivre. Cette compréhension fine du mécanisme de collage et de la robustesse de l’interface a permis de démontrer que le collage hybride est possible au moins jusqu’au pas de 0.67 µm et de proposer de nouvelles architectures pour améliorer la performance électrique.The 3D integration technology has emerged in the last decade as a key process to combine multi-functional and technological integrated circuit devices to produce a single chip with small form factor and enhanced electrical performances. The hybrid bonding technology, one of the different 3D stacking options, is adapted for advanced device miniaturization with the possibility of reducing the hybrid bonding pitch below one micrometer. This would allow the design of more efficient devices, especially for image sensors. However, the impact of such aggressive interconnection pitch scaling on the bonding mechanism, the electrical performance and the reliability of the hybrid bonding level remains to be studied.The goal of this PhD thesis is to study, for the Cu/SiO2 hybrid bonding integration, the challenges of reducing the hybrid bonding pitch down to sub-micron. To target this, we studied a possible change in the Cu interface closure mechanism with the reduction of the Cu pad width. Using the Laue-microdiffraction technique at the ESRF, a specific crystalline orientation favorizing the closure of Cu-Cu interface at the sub-micron pitch level was put in evidence. From an electrical point of view, new methods were developed to precisely extract the Cu-Cu interface resistivity allowing the define the fabrication specifications to obtain an interface reconstruction close to Cu grain boundary one. Despite the modification of the electromigration degradation mode with a killer defect at the hybrid bonding level for Cu pads below 3.5 µm in width, the electrical performances at use conditions are not affected. Moreover, using a new test methodology, we have put in evidence for the first time at the hybrid bonding level a modified degradation mode under Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) as compared to standard BEoL behaviour. Deep analyses on the atomic and ionic diffusion mechanisms allowed to link this modified behaviour to the presence of a thin Cu2O layer at the Cu/SiO2 interface, which behaves as a barrier against Cu diffusion in SiO2. This profound understanding of the bonding mechanism and interface robustness and reliability allowed us to demonstrate that hybrid bonding is possible at least down to 0.67 µm and to propose new architectures allowing enhanced electrical performances with pitch reduction
Caractérisation morphologique et électrique du collage hybride jusqu'aux pas submicroniques
No full textThe 3D integration technology has emerged in the last decade as a key process to combine multi-functional and technological integrated circuit devices to produce a single chip with small form factor and enhanced electrical performances. The hybrid bonding technology, one of the different 3D stacking options, is adapted for advanced device miniaturization with the possibility of reducing the hybrid bonding pitch below one micrometer. This would allow the design of more efficient devices, especially for image sensors. However, the impact of such aggressive interconnection pitch scaling on the bonding mechanism, the electrical performance and the reliability of the hybrid bonding level remains to be studied.The goal of this PhD thesis is to study, for the Cu/SiO2 hybrid bonding integration, the challenges of reducing the hybrid bonding pitch down to sub-micron. To target this, we studied a possible change in the Cu interface closure mechanism with the reduction of the Cu pad width. Using the Laue-microdiffraction technique at the ESRF, a specific crystalline orientation favorizing the closure of Cu-Cu interface at the sub-micron pitch level was put in evidence. From an electrical point of view, new methods were developed to precisely extract the Cu-Cu interface resistivity allowing the define the fabrication specifications to obtain an interface reconstruction close to Cu grain boundary one. Despite the modification of the electromigration degradation mode with a killer defect at the hybrid bonding level for Cu pads below 3.5 µm in width, the electrical performances at use conditions are not affected. Moreover, using a new test methodology, we have put in evidence for the first time at the hybrid bonding level a modified degradation mode under Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) as compared to standard BEoL behaviour. Deep analyses on the atomic and ionic diffusion mechanisms allowed to link this modified behaviour to the presence of a thin Cu2O layer at the Cu/SiO2 interface, which behaves as a barrier against Cu diffusion in SiO2. This profound understanding of the bonding mechanism and interface robustness and reliability allowed us to demonstrate that hybrid bonding is possible at least down to 0.67 µm and to propose new architectures allowing enhanced electrical performances with pitch reduction.L’intégration 3D, qui consiste à empiler les puces de différentes technologies et fonctionnalités les unes sur les autres, a émergé au cours des dernières années comme une alternative de la loi de Moore pour poursuivre l’élaboration de puces multifonctions et l’amélioration des performances des circuits intégrés. Le collage hybride, une des différentes techniques de l’intégration 3D, peut répondre aux besoins de miniaturisation avec la possibilité de réduire le pas d’interconnexion au-dessous d’un micromètre, ce qui permettra la conception des dispositifs plus performants notamment pour les capteurs d’image. Les effets d’une telle miniaturisation sur les propriétés thermomécaniques et électriques ainsi que sur la robustesse des interconnexions en collage hybride sont, cependant, inconnues.L’objectif de cette thèse est d’étudier, dans une intégration par collage hybride, les défis de la réduction du pas d'interconnexion jusqu'en dessous du micromètre. La méthodologie a consisté d’étudier, avec la réduction du pas, le mécanisme de fermeture de l’interface de collage, la fiabilité des interconnexions au niveau collage hybride ainsi que leurs performances électriques. En utilisant la technique de Microdiffraction de Laue à l’ESRF, une orientation cristalline favorisant la fermeture de l’interface à l’échelle submicronique a été mise en évidence. La résistivité de contact extraite par une nouvelle méthode d’estimation a permis de définir les spécifications de fabrication pour obtenir une reconstruction parfaite de l'interface Cu-Cu avec une résistivité de contact proche de celle de joint des grains de Cu. Malgré la modification du mode de défaillance en électromigration avec une cavité tueuse au niveau des plots de collage pour les pas inférieurs à 3.5 µm, les performances électriques à des conditions normales d'utilisation ne sont pas affectées. A l’aide d’une nouvelle méthodologie de test, nous avons montré que le mode de dégradation en claquage de diélectrique (TDDB) au niveau de collage hybride est atypique par rapport au BEoL standard. Des analyses fines ont permis de lier ce comportement à une couche de Cu2O, présente à l’interface Cu/SiO2, qui agit comme une barrière et qui rend l’intégration Cu/SiO2 immune à la diffusion de cuivre. Cette compréhension fine du mécanisme de collage et de la robustesse de l’interface a permis de démontrer que le collage hybride est possible au moins jusqu’au pas de 0.67 µm et de proposer de nouvelles architectures pour améliorer la performance électrique
Caractérisation morphologique et électrique du collage hybride jusqu'aux pas submicroniques
No full textL’intégration 3D, qui consiste à empiler les puces de différentes technologies et fonctionnalités les unes sur les autres, a émergé au cours des dernières années comme une alternative de la loi de Moore pour poursuivre l’élaboration de puces multifonctions et l’amélioration des performances des circuits intégrés. Le collage hybride, une des différentes techniques de l’intégration 3D, peut répondre aux besoins de miniaturisation avec la possibilité de réduire le pas d’interconnexion au-dessous d’un micromètre, ce qui permettra la conception des dispositifs plus performants notamment pour les capteurs d’image. Les effets d’une telle miniaturisation sur les propriétés thermomécaniques et électriques ainsi que sur la robustesse des interconnexions en collage hybride sont, cependant, inconnues.L’objectif de cette thèse est d’étudier, dans une intégration par collage hybride, les défis de la réduction du pas d'interconnexion jusqu'en dessous du micromètre. La méthodologie a consisté d’étudier, avec la réduction du pas, le mécanisme de fermeture de l’interface de collage, la fiabilité des interconnexions au niveau collage hybride ainsi que leurs performances électriques. En utilisant la technique de Microdiffraction de Laue à l’ESRF, une orientation cristalline favorisant la fermeture de l’interface à l’échelle submicronique a été mise en évidence. La résistivité de contact extraite par une nouvelle méthode d’estimation a permis de définir les spécifications de fabrication pour obtenir une reconstruction parfaite de l'interface Cu-Cu avec une résistivité de contact proche de celle de joint des grains de Cu. Malgré la modification du mode de défaillance en électromigration avec une cavité tueuse au niveau des plots de collage pour les pas inférieurs à 3.5 µm, les performances électriques à des conditions normales d'utilisation ne sont pas affectées. A l’aide d’une nouvelle méthodologie de test, nous avons montré que le mode de dégradation en claquage de diélectrique (TDDB) au niveau de collage hybride est atypique par rapport au BEoL standard. Des analyses fines ont permis de lier ce comportement à une couche de Cu2O, présente à l’interface Cu/SiO2, qui agit comme une barrière et qui rend l’intégration Cu/SiO2 immune à la diffusion de cuivre. Cette compréhension fine du mécanisme de collage et de la robustesse de l’interface a permis de démontrer que le collage hybride est possible au moins jusqu’au pas de 0.67 µm et de proposer de nouvelles architectures pour améliorer la performance électrique.The 3D integration technology has emerged in the last decade as a key process to combine multi-functional and technological integrated circuit devices to produce a single chip with small form factor and enhanced electrical performances. The hybrid bonding technology, one of the different 3D stacking options, is adapted for advanced device miniaturization with the possibility of reducing the hybrid bonding pitch below one micrometer. This would allow the design of more efficient devices, especially for image sensors. However, the impact of such aggressive interconnection pitch scaling on the bonding mechanism, the electrical performance and the reliability of the hybrid bonding level remains to be studied.The goal of this PhD thesis is to study, for the Cu/SiO2 hybrid bonding integration, the challenges of reducing the hybrid bonding pitch down to sub-micron. To target this, we studied a possible change in the Cu interface closure mechanism with the reduction of the Cu pad width. Using the Laue-microdiffraction technique at the ESRF, a specific crystalline orientation favorizing the closure of Cu-Cu interface at the sub-micron pitch level was put in evidence. From an electrical point of view, new methods were developed to precisely extract the Cu-Cu interface resistivity allowing the define the fabrication specifications to obtain an interface reconstruction close to Cu grain boundary one. Despite the modification of the electromigration degradation mode with a killer defect at the hybrid bonding level for Cu pads below 3.5 µm in width, the electrical performances at use conditions are not affected. Moreover, using a new test methodology, we have put in evidence for the first time at the hybrid bonding level a modified degradation mode under Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) as compared to standard BEoL behaviour. Deep analyses on the atomic and ionic diffusion mechanisms allowed to link this modified behaviour to the presence of a thin Cu2O layer at the Cu/SiO2 interface, which behaves as a barrier against Cu diffusion in SiO2. This profound understanding of the bonding mechanism and interface robustness and reliability allowed us to demonstrate that hybrid bonding is possible at least down to 0.67 µm and to propose new architectures allowing enhanced electrical performances with pitch reduction
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