Universität der Bundeswehr München: AtheneForschung
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Zur Berechnung von Brettlagenholz mit starrem und nachgiebigem Verbund unter plattenartiger Belastung mit besonderer Berücksichtigung des Rollschubes und der Drillweichheit
Lischke führt grundlegende Überlegungen zum Trag- und Verformungsverhalten von Brettlagenholz durch und gewinnt dadurch Erkenntnisse über Brettlagenholz, die bis heute die Grundlage für viele ingenieurmäßige Betrachtungen von Brettlagenholz sind. Aufbauend auf den Erkenntnissen von Lischke gelingt es Bosl für Brettlagenholz mit starrem Verbund unter überwiegender scheibenartiger Beanspruchung einen Zusammenhang zwischen den Erkenntnissen von Lischke und der Mehrschichtentheorie herzustellen. In der vorliegenden Arbeit wird das Trag- und Verformungsverhalten von Brettlagenholz mit starrem und nachgiebigem Verbund unter plattenartiger Belastung mit besonderer Berücksichtigung des Rollschubes und der Drillweichheit untersucht. Es werden ingenieurmäßige Näherungslösungen zur Berechnung vorgestellt bzw. erarbeitet. Die Untersuchung umfasst bislang nicht veröffentlichte Überlegungen zum Rollschubmodul des Holzes, zum Rollschubmodul der Brettlage, zum nichtlinearen Schubkraft-Verschiebungsdiagramm für stiftförmige, nachgiebige Verbindungsmittel in Brettlagenholz. Zu den Überlegungen werden experimentelle Untersuchungen entworfen, durchgeführt und ausgewertet. Die ingenieurmäßigen Näherungslösungen zur Berechnung sind das Berechnungsmodell für Brettlagenholz mit starrem Verbund aufbauend auf die Theorie des Mehrschichtenverbundes mit Schubdeformation "MSV", das Berechnungsmodell für Brettlagenholz mit nachgiebigem Verbund unter Verwendung von Schalen- und Federelementen "Feder" und das Berechnungsmodell für Brettlagenholz mit starrem Verbund unter Verwendung von Schalen- und Federelementen "Kneidl" aufbauend auf Kneidl
Molecular Beam Deposition (MBD) and Characterisation of High-k Material as Alternative Gate Oxides for MOS-Technology
Until now the forecast of the Semmiconductors Industry Association (SIA) concerning the dimension shrinking and the performance improvement of the electrical devices, reported in the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), matched very precisely the development of semiconductor process technology. But today the traditional scaling is indeed approaching the fundamental limits of the materials consituting the building blocks of the CMOS process. A big and unresolved challenge in the traditional process shrinking approach is the gate insulator. To be able to follow the dimension shrinking according to the ITRS, the SiO2 film thickness should become below 1nm within the next three years. This thickness corresponds to few atomic layers, which means that the direct tunnel leakage current through the insulator will increase. The high leakage current and the inadequate reliability for a SiO2 layer of less than 1.5nm thickness require a replacement for SiO2. To obtain high gate capacitance and inhibit tunneling, relative thick insulator of high dielectric constant (high-k) are needed to replace silicon dioxide (SiO2) as gate oxide. Therefore new materials have to be introduced into the basic CMOS structure to replace the existing ones to further extend device scaling and the reduction of the produciont costs. The present research thesis focuses on the proposition and investigation of three alternative gate oxide systems: aluminium-, praseodymium- and lanthanum oxide (Al2O3, Pr2O3 and La2O3 respectively). For each one of these systems, the growth process by Molecular Beam Deposition (MBD) has been optimised and electrical and physical characterisation has been performed to gain a better understanding of important factors associated with alternative gate dielectrics form both a theoretical and experimental point of view. Moreover, the optimisation of the interface between gate dielectric and the silicon substrate is taken into account during the development of the deposition processes. The first part of the thesis concerns the aluminium oxide. Aluminium oxide (Al2O3) is one of the first systems which have been studied to replace silicon dioxide as gate dielectric because of its large barrier height, dielectric constant twice that of SiO2, high stability and robustness. The basic properties of Al2O3 films grown on silicon substrate are well understood and for this reason alumina can be used as reference to investigate on new materials for alternative gate oxide. Beyond the aluminium oxide, lanthanide oxides have been considered as long term solution to the high-k question. In particular preseodymium oxide (Pr2O3) and lanthanum oxide (La2O3) have attracted the attention because of their high dielectric constant (20-30) and thermal stability on silicon substrate until 1000K. The properties of thin lanthanide oxide films as dielectric system for microelectronic applications are not yet completely known ind intensive research is running to find out if this dielectric will cover all the requirements needed for the new gate oxide material. In particular the major drawback of lanthanide oxide is given by its high sensibility to humidity, which leads to degradation of the dielectric film. This thesis will try to give an answer to the open questions on the investigated materials and will show the direction for future investigations
Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie
Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Optimierung von Gate-Dielektrika für die Silizium-basierte MOS-Technologie. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der Verbesserung der elektrischen Eigenschaften von thermischem Siliziumdioxid SiO₂ und stickstoffreichem Siliziumoxynitrid SiOxNy, da es bisher nicht gelungen ist, alternative Gate-Dielektrika (sog. high-k-Materialien) erfolgreich in die bestehende Technologie zu integrieren und somit auch weiterhin Interesse an den herkömmlichen Dielektrika besteht. Neben dem Oxid- und Oxynitrid-Wachstum wird auf das sog. amp;quot;Interface-Engineeringamp;quot; eingegangen, d. h. auf die gezielte Präparation der Grenzfläche zwischen Silizium und Dielektrikum. Bei der Verwendung alternativer Gate-Dielektrika, d. h. aller Dielektrika außer SiO₂, muss der Grenzfläche zwischen Silizium und Dielektrikum besondere Aufmerksamkeit geschenkt werden. Nach den üblichen nasschemischen Reinigungsverfahren müssen Oberflächenverunreinigungen (v. a. Kohlenstoff) und das chemische Oxid in zusätzlichen, in-situ durchgeführten Reinigungsschritten entfernt werden. Es konnte gezeigt werden, dass Kohlenstoff bei Temperaturen über 500°C mit Sauerstoff zu flüchtigen Verbindungen aufoxidiert werden kann. Um Kohlenstoffverunreinigungen der Siliziumoberfläche vollständig zu entfernen, reicht bereits ein Sauerstoffpartialdruck von 10⁻⁸ bar. Wird dieser Prozess bei Temperaturen unterhalb von 600°C durchgeführt, lässt sich ein bestehendes dünnes Oxid anschließend problemlos thermisch desorbieren. Die dabei auftretende Oberflächenrauhigkeit muss durch Heizen und langsames Abkühlen im UHV oder durch epitaktisches Überwachsen ausgeglichen werden. Mit Hilfe des entwickelten Oxid-Wachstumsmodells konnte der Einfluss des Sauerstoffpartialdrucks während der thermischen Nitridierung in Ammoniak nachvollzogen werden und somit das Parameterfeld für eine saubere Nitridierung festgelegt werden. Dadurch ist es möglich, thermisch ein reines Nitrid Si₃N₄ mit einer Stickstoffkonzentration von ca. 60% zu wachsen. Durch unterschiedliche Oberflächenpräparation vor der Nitridierung (z. B. oxidfreie Oberfläche oder natürliches Oxid) oder durch Einstellen von Wachstumsparametern, bei denen Oxidation und Nitridierung miteinander konkurrieren, ist es möglich, die Stickstoffkonzentration zwischen 20 und 60% einzustellen. Die Stickstoff- und Sauerstoffprofile über die Probentiefe können durch Reoxidationen, d. h. durch Tempern in sauerstoffhaltigen Gasen, verändert werden. Neben dem direkten Einsatz der entwickelten Oxynitride als Gate-Dielektrika wurde untersucht, ob sie als definiertes Interface für high-k-Materialien geeignet sind, das die unkontrollierte Bildung eines Interface-Oxids unterdrückt. Dazu wurde ein ca. 1 nm dickes Nitrid entwickelt, das vor der Abscheidung des high-k-Materials thermisch in Ammoniak gewachsen wird. Anhand von Nitrid/Al₂O₃ Gatestacks konnte gezeigt werden, dass durch das Interface-Nitrid die äquivalente Schichtdicke um ca. 0,5 nm reduziert wird. Die Grenzfläche zwischen Dielektrikum und Silizium lässt sich durch die zusätzliche Nitridschicht somit wesentlich besser kontrollieren als ohne. Durch die nach der Al₂O₃-Abscheidung durchgeführten Temperschritte wird das Interface-Nitrid reoxidiert, was zu einer Grenzflächenzustandsdichte von (1-10)⋅10¹¹ eV⁻¹cm⁻² führt
Conditions of instructors´ action : An analysis of the conditions of instructors´ action in the military leadership training - the example of the German sergeants´ school
Die Prozesse reflexiver Modernisierung beeinflussen immer intensiver das pädagogische Handeln in institutionellen Zusammenhängen. Auch die Bundeswehr reformiert zurzeit ihr umfangreiches Ausbildungssystem, um sich den Bedingungen der weltweiten Transformation und Globalisierung anzupassen. Im Bereich der lehrgangsgebundenen Führungskräfteausbildung der Unteroffiziere und Feldwebel des Heeres stellen die Reform der Laufbahnen und die daraus folgenden Konsequenzen die Ausbilder der Unteroffizierschule des Heeres vor große Herausforderungen. Die Arbeit untersucht, wie sich die Ausbilder des zentralen Feldwebellehrganges diesen Herausforderungen stellen und wie sie diese bewältigen. Im Einzelnen befasst sich die Arbeit mit: der Darstellung und Analyse der Handlungsbedingungen der Ausbilder, der Darstellung des Zusammenhangs zwischen den Handlungsbedingungen, den pädagogischen Theorien der Ausbilder sowie der konkreten Unterrichts- und Lehrgangsgestaltung, Überlegungen zur Qualitätssicherung und Qualitätsentwicklung, der Einbindung der Untersuchungsergebnisse in die Felder der Professionsforschung sowie mit Empfehlungen zur Optimierung der bislang vorliegenden Lehrgangskonzeption. Die Arbeit ist empirisch-analytisch aufgebaut und nutzt eine Methodentriangulation bestehend aus einer Dokumentenanalyse, themenzentrierten Interviews, Fragebögen, Gesprächen sowie Unterrichtsbeobachtungen.The process of reflexive modernization affects more and more pedagogical action in institutional relations. Also the German armed forces are actually reforming their system of apprenticeship to deal with the worldwide processes of transformation and globalization. In the context of leadership training of army sergeants, the reform of the branches and careers causes a lot of consequences and challenges for the instructors of the German sergeants´ school. The examination analyses how the instructors deal with the situation and how they fulfill their tasks. The analysis engages in: the description and analysis of the conditions of the instructors´ action, the description of the relation between conditions of action, pedagogical theories and concrete action in instructional situations, considerations with regard to the quality management, the integration of the results into the field of professional research, recommendations to improve the existing conditions of apprenticeship. The study is based upon a methodical design, which uses a triangulation of document analysis, structured and problem-centered interviews, questionnaires, conversations and observations
Inherent Sensor Effects of Electro-Mechanical Actuators and Methods for Sensorless Position Sensing
Eine Vielzahl von Messeffekten bezüglich der mechanischen Messgrößen Position, Geschwindigkeit und Kraft sind implizit in Aktorsystemen enthalten. Diese können mit auf den Aktorbetrieb abgestimmten Messverfahren und geeigneten Methoden der Signalverarbeitung genutzt werden. Mit dem so gewonnenen simultanen Einsatz eines Aktors als Stell- und Messeinrichtung kann auf einen zusätzlichen Sensor verzichtet werden, sofern die erreichbare Messgenauigkeit den Anforderungen genügt. Es werden drei unterschiedliche Methoden zur "sensorlosen" Positionsmessung entwickelt und bezüglich ihrer Empfindlichkeit, ihres statischen und dynamischen Verhaltens sowie ihrer temperaturbedingten Abweichungen untersucht. Im Speziellen wird für die Differenzstrommethode eine weitere Optimierung durchgeführt, welche im geregelten Betrieb eine Regelabweichung kleiner 1% ermöglicht. Der Temperatureinfluss im betrachteten Temperaturbereich von -20°C bis 50°C lässt sich durch geeignete Korrekturmaßnahmen auf unter 0,5% reduzieren.Inherent sensor effects of electro-mechanical actuator systems can be utilized with proper signal analysis methods. Usable effects are discussed for different actuator types as well as the influence of static and dynamic coupling between actuator and sensor signal. The use of these so-called "sensorless" principles may save an additional sensor for position, velocity or force. Three different methods are developed to online extract the armature position of an electromagnetic solenoid actuator and these are compared regarding their sensitivity, static and transient error, and temperature influence. A further optimization of the difference current method provides a control deviation of less than 1 % in sensorless feedback control. A minimum temperature influence of 0,5 % in the operating range between -20°C and 50°C can be reached by use of a mathematical correction
Influences on the forming of microcracks in the structure of concrete
Mikrorisse sind bereits im unbelasteten Beton aufgrund des unterschiedlichen Verformungsverhaltens der einzelnen Komponenten vorhanden. Im Rahmen dieser Arbeit wurde eine Methode zur Visualisierung der Mikrorisse im Betongefüge entwickelt. An Probekörpern aus Hochfestem Beton wurden die Einflüsse auf die Bildung dieser Mikrorisse aus der Probekörpervorbereitung sowie aus der Betontechnologie, der Lagerung und einer mechanischen Belastung untersucht. Als Haupteinfluss auf die Mikrorissbildung zeigte sich das autogene Schwinden des Hochfesten Betons. Ausgangspunkt der Mikrorisse in der Mörtelmatrix sind stets Luftporen oder die Kontaktzone zur Gesteinskörnung. Der Einfluss vorhandener Mikrorisse auf die Festbeton- und Dauerhaftigkeitseigenschaften des Betons zeigte sich in den hier gemachten Tests an Hochfesten Betonen nicht eindeutig. Anhand eines Modellbetons und einer numerischen Modellierung wurde der Baustoff Beton mit dem Dreikomponentensystem Matrix, Kontaktzone und Gesteinskörnung nachgebildet. Am Beispiel des Parameters der Gesteinskörnungsgröße wurden die real entstandenen Mikrorisse mit den errechneten Zugspannungsergebnissen aus der Simulation verifiziert.Microcracks exist already in unloaded concrete due to the different deformation characteristics of its components. In the course of this thesis a method was developped to visualize microcracks in the structure of High Strength Concrete. The investigated parameters were focussed on parameters related to the preparation of the specimen, the concrete technology and also on the influences of curing conditions and applied mechnical load. The results proofed autogeneous shrinkage being the main influence on the formation of microcracks in the High Strength Concrete investigated. The microcracks in the paste started always from air voids or the contact zone between paste and aggregate. In the tests with High Strength Concrete no influences were observed of existing microcracks on the properties of hardened concrete and durability. A model concrete and a numerical model were made to reproduce the material concrete as a 3-component-system: paste, aggregate and contact zone. The parameter aggregate size was taken as an example to compare the developped microcracks in the real model concrete with the calculated results of tension stresses obtained for the numerical model
Stochastische Analyse von Quantenalgorithmen
Von der Quantenmechanik zum Quantum Computation: Seit der Entdeckung quantenmechanischer Zusammenhänge, die sich zwar beobachten, aber nur schwer in das rationale Bewusstsein einfügen lassen, konnten in den letzten Jahren Eigenschaften dieser kontraintuitiven Wissenschaft zur Anwendung gebracht werden. Jedoch erst mit dem fächerübergreifenden Zusammenspiel von Physik, Mathematik und Informatik entwickelte sich der Begriff des Quantum Computation. Spin-Eigenschaften von Teilchen machen es physikalisch möglich, eine quantentheoretische Imitation der binären Computertechnik aus der Informatik einzuführen. Das führt zu der Idee, gewisse Strukturen, die sich in der Konstruktion von Quantenalgorithmen ergeben, mathematisch aufzugreifen und zu untersuchen, ob damit eine komplexitätserhaltende Berechnung auf einem klassischen Rechner möglich wäre. Komplexität und Informationsverlust: Ohne den Effizienzgewinn zu verlieren ist eine exakte Bestimmung des Ergebnisses, den der Quantenalgorithmus liefert, nicht möglich. Andererseits kann der Rechenaufwand nur unter immensem Informationsverlust auf das gewünschte Niveau gebracht werden. Eine ausreichend gute Annäherung an das exakte Ergebnis bei einer immer noch signifikanten Einsparung von Berechnungsschritten auf einem klassischen Rechner könnte einen interessanten Mittelweg darstellen. Eine signifikante Einsparung heißt dabei, möglichst in einer niedrigeren Ordnungsklasse der Komplexität zu landen, als dies im Falle einer exakten Berechnung auf einem Rechner möglich wäre. Das approximierte Ergebnis sollte dann bei einer mehrfach durchgeführten Simulation ein dem tatsächlichen Ergebnis sehr angenähertes Ergebnis liefern. Quantenalgorithmen als stochastische Algorithmen: Die aus der Physik stammenden Algorithmen weisen ein Verhalten auf, das von stochastischer Natur ist und zu einem Vergleich mit stochastischen Verfahren ermuntert. Deswegen wird ein auf einem stochastischen Algorithmus beruhendes (Branch&Bound-)Verfahren konstruiert, bei dem die Reduktion der Komplexität auf ein niedrigeres Niveau Ansatzpunkte für die klassische Umsetzung bringt. Das Niveau der Komplexität wird zunächst auf dieselbe Ordnung gebracht, die der Quantenalgorithmus bei der Ausführung auf einem Quantenrechner benötigt. Dies ist jedoch mit einem großen Informationsverlust verbunden. Wird nach und nach der Rechenaufwand erhöht, gewinnt man zusätzliche Information. Das Abwägen zwischen möglichst geringem Informationsverlust und einer tragbaren Ordnung der Komplexität ist das entscheidende Kriterium bei der klassischen Simulation von Quantenalgorithmen
War of the Heads : Media Communication as a Weapon fighting on opinions, attitudes and ideologies
Propagandistische Einflussnahme auf definierte Zielgruppen ist seit jeher eine Begleiterscheinung von Krisen, Konflikten und Kriegen. Mit der Modernisierung wurde die Kriegspropaganda zu Beginn des 20sten Jahrhunderts zunehmend institutionalisiert und professionalisiert. Wohingegen die klassische Propaganda im Grunde ausschließlich auf der politisch-diplomatischen Ebene agitierte, finden sich heute selbst innerhalb der Streitkräfte Spezialtruppen, die mit Hilfe eigener Massenmedien den psychologischen Kampf führen. Zudem haben sich die Formen der Einflussnahme auf die öffentliche Berichterstattung und das öffentliche Mediensystem insgesamt intensiviert, was die ehemals negative Zensur in eine positive transformierte. Die Einflussnahme auf das Denken, Fühlen und Handeln mit Hilfe kommunikativer Mittel und Methoden ist ein unverzichtbarer Bestandteil des Krisenmanagements und der Kriegführung geworden, von der politischen über die strategische bis hin zur operativ-taktischen Ebene. Informations- und Medienhoheit sind entscheidende Erfolgsfaktoren. Wer das Propagandaprinzip verstehen will, muss die funktionalen und komplexen Strukturen identifizieren und die Zusammenhänge kennen. Die rasante Entwicklung der Informations- und Kommunikationstechnologien ermöglicht eine umfassende, massen- und multimediale Einflussnahme auf bestimmte Zielgruppen, die zunehmend genauer erfasst werden können, wodurch sich die Wirksamkeit potenziert. Gleichzeitig wird über die öffentliche Kommunikation ein globales Weltbild mittels massenmedialer Kommunikation entwickelt, was den Schluss zulässt, dass unser Bild von der Welt in letzter Konsequenz ein medial konstruiertes sein muss. Der Wahrheitsbegriff wird dabei obsolet und vollkommen relativ. Als Wahrheit gilt oftmals nur noch die mediale Projektion von Wirklichkeit, die sich nicht einmal mehr auf die Ereignisrealität beziehen muss, sondern sich auch der Fiktion bedient, ohne dabei ihren Wahrheitsanspruch einzubüßen. Der Propagandist versucht hierbei, mit Hilfe kommunikativer Mittel und Methoden massenwirksam an den Wirklichkeitsentwürfen einer Zielgruppe anzusetzen und deren Wahrnehmung im Sinne eines Reframings zu verschieben. Grundelemente sind dabei stets die starke Uniperspektivierung bei einer gleichzeitigen Förderung der Selektivität in der Wahrnehmung, was letztlich zu einem - im Grunde wirklichkeitsfremden - bipolaren Bewertungssystem führt, das in der Lebenswelt des Rezipienten dennoch Bestand hat, da es sich als viabel zeigt. Die Propaganda versteht es, die Komplexität und Unübersichtlichkeit der überinformierten Welt im Sinne der eigenen Interessen für die Zielgruppe zu ordnen und führt eine vermeintlich logische Argumentation, die ohne hohen kognitiven Aufwand nachvollziehbar ist. Der Wahrheitsbegriff spielt für den Propagandisten nur insofern eine Rolle, da von ihm die Glaubwürdigkeit und damit Wirksamkeit abhängt. Der Mensch mag sich im vielfältigen und unüberschaubaren, grenzen- und tabulosen Informationsraum freier fühlen - vielleicht auch aufgeklärter - doch letztlich bleibt es bei dem Gefühl, und wir haben in den hochtechnisierten Informations- und Kommunikationsstrukturen die Dimension des informativen Verlorenseins bereits erreicht. Daraus resultiert ein Relevanz-, Selektivitäts- und Kontextproblem, das in einem Wirklichkeitsproblem endet. Zwischen Mensch und Ereignisrealität steht zunehmend eine massenmedial erzeugte, vormedial gestützte und geplant manipulative Propagandamauer, die sich - zumeist unentdeckt - in gewohnt unterhaltsamer Art und Weise in die entertainisierte Medienoberfläche integriert. Sie zu identifizieren, hinter sie zu blicken und mit kritischem Verstand die komplexen Propagandamuster zu erkennen, ist eine Herausforderung, der sich insbesondere die Medienpädagogik in ihrer Bildungspraxis stellen muss.The influence of propaganda on defined target audiences is a phenomenon of crisis, conflict and war during the history. At the beginning of the 20th century, in context of modernization, warpropaganda was increasingly institutionalized and professionalized. When the classic form of propaganda was exclusively executed on the politcal and diplomatic sphere, today there are also specialists for psychological warfare within the armed forces, doing tactical warpropaganda with own massmedia. Not to forget the increasing effort in taking influence on warreporting and the public mediasystem at all. The former negative way of cencorship was transformed in a positive one, that is much more difficult to recognize.Today the influence of communicative means and methods on thinking, feeling and behaviour is an absolut necessary task in crisis-management and warfare, from the political to the tactical sphere. The control of information and public media is the decisive secret behind the success in crisis, conflict and war. To understand the principles of propaganda, it ist necessary to identify the complicated structures and to know about their functional connections. The rapid development of information- and communication-technologies made it possible to manipulate target-audiences with mass- and multimedia influences in a higher quality and quantity ever seen before. Furthermore it is possible to analyse the target-audiences in a much more detailed and well-founded way, so that the success of influence ist more likely than in the past. The public communication tells us how to see the world and the mankind, it is constructing a system to help us decide between amp;quot;the goodamp;quot; and amp;quot;the badamp;quot; and it forms a binding ethic-morale assessment. This public system of communication is nearly the only window to the world, so we can conclude that the world we know is only a media-construction, seen through a window-called screen. The truth is superfluous and absolutely relative. In most cases it ist only a medial projection of one possible reality, that does not need even a factional reality but can also concern on a viable fiction, without loosing the claim to be the truth. An in this medial construction of reality the propagandist uses the recepients imagination of reality for manipulating him and the masses. With support of intended information given to the recipients, the concept of reality and the perspective of perception will be transformed and reframed in the way the propagandist wants. The basic elements are nearly always the Uniperspectivation and the pushing of a special kind of selectivity in perception. The result is an - at least unreal - bipolar system of assessment, but it fits viable in the recipients livelyhood and that is why it is taken as a true reality. Propaganda knows how to use the complicated and confusing structur of information-age determinations. The information-overflow is dirigated in a functional way and offers a logical, simple and comprehensive argumentation to explain the world. The so called truth is - concerning the propaganda - simply a guarantee for effectivness, because only believable information is able to convince, to persuade and to manipulate. The information age people may feel free in the chaos of multiple, uncencored and boundless information without taboos. But it is only the feeling and not the real way it works. In the waves of information-overflow the normal recipient is lost in all the information depths and used by lots of propagandists. Between the recipient and the factional reality there is more and more an intended propaganda-wall, hiding the pre-medial sphere behind some kind of alltime present entertainment. It has to be the task of media-educational sciences to know about the principles of postmodern propaganda and to help the recepients in working with all the intended media-influences. We must break down the propaganda-wall and take a look behind the medial screen of entertainment - especially in times of crisis, conflict and war
Stabilisierung von Sensoren auf der Basis gassensitiver FETs
Die Arbeit behandelt die Stabilisierung von Gassensoren auf Basis gassensitiver Feldeffekttransistoren (FET). Im Mittelpunkt steht die Auswirkungen der Umweltgrössen: Feuchte, Temperatur und Quergase. Ziel war es die Auswirkungen dieser Umweltgrößen auf das Sensorsignal zu minimieren. Hierzu wurden neben neuen sensitiven Schichtsystemen auch Passivierungen und eine spezielle Auswerteelektronik entwickelt. Abschliessend wurden mit den hergestellten Sensorprototypen mehrere Feldstudien mit positivem Resultat durchgeführt
Multi-dimensional Markov-functional models in option pricing
Starting with the one-dimensional Markov-functional model by Hunt and Kennedy a multi-dimensional extension using drift approximations to the Libor Market model is developed. Three possible drift approxiamtions and the resulting models are proposed