Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Not a member yet
466 research outputs found
Sort by
Разработка мобильной автономной солнечной электростанции с использованием твердотельных гетеропереходных фотоэлементов для нужд аграрной промышленности
Full text link The method of mathematical modeling was used to calculate the temperature distribution in bifacial solar cells. It has been established that the differences in the configurations of the photovoltaic generator lie only in the fact that in a double-sided element, a greater outflow of heat comes from the back side. At the same time, bifacial solar cells demonstrate increased generation of electrical energy. The calculations performed confirm the validity of the choice in favor of two-sided solar cells, which is important when using the developed configuration of a photovoltaic generator. Based on the analysis of the technologies available on the market for photovoltaic conversion of solar energy into electricity, a configuration of a photovoltaic generator based on bifacial heterojunction silicon solar panels was developed. The developed configuration is a moving platform with a photovoltaic system installed on it, equipped with a light flux collection system.A 2-axis servo system has been developed for the general case of flat mounting of solar modules. The drive with a travel range of 350 mm is installed in the north-south direction, 450 mm — east-west. The task was to find the right shoulder to ensure symmetry and the maximum angle of rotation along the axis. As a result, solutions were determined for the north-south and east-west directions.In addition, on the basis of a microcontroller, a circuit diagram of a device was developed that provides a given control algorithm for a solar tracker. Also, the scheme includes a GPS/GLONASS module to obtain the exact coordinates of the installation location and time synchronization.Методом математического моделирования был проведен расчет распределения температуры в двусторонних солнечных элементах. Установлено, что различия в конфигурациях фотоэлектрического генератора заключаются лишь в том, что в двустороннем элементе больший отток тепла идет с тыльной стороны. При этом двусторонние солнечные элементы демонстрируют повышенную генерацию электрической энергии. Проведены расчеты, которые подтверждают обоснованность выбора в пользу двусторонних фотоэлектрических преобразователей, что актуально при использовании разработанной конфигурации фотоэлектрического генератора. На основе анализа имеющихся на рынке технологий фотоэлектрического преобразования солнечной энергии в электричество, была разработана конфигурация фотоэлектрического генератора на основе двусторонних кремниевых солнечных панелей с гетеропереходом. Разработанная конфигурация представляет собой движущуюся платформу с установленной на ней фотоэлектрической системой, укомплектованной устройством сбора светового потока.Разработана двухосевая следящая система для общего случая плоского крепления солнечных модулей. Привод с диапазоном перемещения 350 мм установлен в направлении север-юг, а с диапазоном перемещения 450 мм — в направлении восток-запад. Задача заключалась в поиске нужного плеча для обеспечения симметричности и максимального угла поворота по оси. В результате были определены решения для направлений север-юг и восток-запад. Кроме того, на основе микроконтроллера была разработана принципиальная электрическая схема устройства, обеспечивающего заданный алгоритм управления солнечным трекером. Также в составе схемы имеется GPS/ГЛОНАСС модуль для получения точных координат местоположения установки и синхронизации времени
Новый этап развития рынка поликристаллического кремния
Full text linkThe current condition and outlooks of the world semiconductor and polycrystalline silicon (poly-Si) markets have been analyzed. A long period of low PS prices which hindered the growth of investments into the industry has now changed for price recovery to an investment attractive level. Demand and offer balance for the period until 2024 and for the long term has been analyzed, and the main currently used PS processes have been reviewed. The current poly-Si market proficiency is expected to remain in the near and medium terms. However the “green turn” of the energy industry announced by all the governments, the development of local markets and the price recovery to an investment attractive level have promoted the development of new PS fab projects. Of special importance for Russia is the choice of Siemens trichlorosilane process parameters. A specific feature of the Russian market is the presence of several very important fields (solar energy, microelectronics, high-power electronics, photonics and fiber optics) which are small by international standards and equally face raw material shortage. It appears that Russia will greatly benefit from integral projects delivering solutions of multiple raw materials supply problems.Рассмотрено текущее состояние и перспективы развития мирового рынка полупроводникового поликристаллического кремния (ПКК). Отмечено, что после долгого периода низких цен на ПКК, что препятствовало росту инвестиций в отрасль, наступает период выравнивания цен до уровня инвестиционной привлекательности. Приведены оценки баланса спроса и предложения до 2024 г. и в долгосрочной перспективе. Проанализированы основные технологические схемы получения ПКК в современных условиях. Отмечено, что некоторый профицит рынка ПКК сохранится в ближайшей и среднесрочной перспективе. Однако провозглашенный всеми правительствами «зеленый поворот» в энергетике, развитие локальных рынков и восстановление цен до инвестиционно-привлекательного уровня, способствовали появлению новых проектов заводов по производству ПКК. Важным для России является вопрос выбора технологических особенностей реализации метода Сименс-ТХС. Особенность ситуации в России — это наличии нескольких крайне важных рынков (солнечной энергетики, микроэлектроники, силовой электроники, фотоники, волоконной оптики), которые являются по мировым меркам незначительными и в равной мере испытывающими нехватку собственного сырья. Для России, по-видимому, особенную ценность могут представлять комплексные проекты, которые позволят одновременно решить несколько проблем сырьевого обеспечения
Теплопроводность монокристаллов твердых растворов на основе диоксида циркония, стабилизированных оксидами скандия, иттрия, гадолиния и иттербия
Full text linkThe phase composition and heat conductivity of (ZrO2)0.9(R2O3)0.1 solid solution single crystals have been studied, where R = (Gd, Yb, Sc, Y), (ZrO2)0.9(Sc2O3)0.09(Gd2O3)0.01 and (ZrO2)0.9(Sc2O3)0.09(Yb2O3)0.01. Single crystals have been grown by directional melt crystallization in a cold skull. The phase composition of the crystals has been studied using X-ray diffraction and Raman spectroscopy. The heat conductivity of the crystals has been studied using the absolute steady-state technique of longitudinal heat flow in the 50—300 K range. We show that at a total stabilizing oxide concentration of 10 mol.% the phase composition of the crystals depends on the ionic radius of the stabilizing cation. The (ZrO2)0.9(Sc2O3)0.1 crystals have the lowest heat conductivity in the 50—300 K range while the (ZrO2)0.9(Gd2O3)0.1 solid solutions have the lowest heat conductivity at 300 K.Analysis of the experimental data suggests that the heat conductivity of the crystals depends mainly on the phase composition and ionic radius of the stabilizing cation. Phonon scattering caused by the difference in the weight of the co-doping oxide cation has a smaller effect on the heat conductivity.В работе приведены результаты исследования фазового состава и теплопроводности кристаллов твердых растворов (ZrO2)0,9(R2O3)0,1 где R = (Gd, Yb, Sc, Y), (ZrO2)0,9(Sc2O3)0,09(Gd2O3)0,01 и (ZrO2)0,9(Sc2O3)0,09(Yb2O3)0,01. Кристаллы выращивали методом направленной кристаллизации расплава в холодном контейнере. Исследования фазового состава кристаллов проводили методом рентгеновской дифрактометрии и комбинационного рассеяния света. Теплопроводность кристаллов изучали абсолютным стационарным методом продольного теплового потока в интервале температур 50—300 К.Показано, что при суммарной концентрации стабилизирующих оксидов 10 % (мол.) фазовый состав кристаллов зависит от величины ионного радиуса стабилизирующего катиона. Минимальные значения теплопроводности в диапазоне температур 50—150 K имеют кристаллы (ZrO2)0,9(Sc2O3)0,1, а при температуре 300 К — твердые растворы (ZrO2)0,9(Gd2O3)0,1.Анализ полученных данных позволяет сделать вывод о том, что основное влияние на теплопроводность оказывает фазовый состав и величина ионного радиуса стабилизирующего катиона. При этом фононное рассеяние, связанное с различиями массы катионов солегирующего оксида, оказывает на теплопроводность меньшее значение
Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN
Full text linkIn this work, the influence of deep levels formed at the SiON/AlGaN interface under the nitrogen plasma action during the deposition of a SiON film on the electrical parameters of SiON/AlGaN/GaN structures were studied. The concentration and mobility of free carriers in 2DEG and the capacitance parameters of the structures were measured. It has been experimentally established that short-term action of nitrogen plasma (25 and 50 sec.) does not change the concentration of free carriers in 2DEG, but leads to a decrease in their mobility. The value of the charge that can form at the SiON/AlGaN interface has been calculated. With the help of C–V measurements, it was experimentally shown how the charge in the SiON/AlGaN/GaN system changes during one measurement cycle at different voltage ranges. Based on the consideration of the energy band diagrams of the system, possible explanations for the charge redistribution processes in the analyzed system under certain actions are proposed.В работе исследовалось влияния глубоких уровней, образующихся на границе раздела SiON/AlGaN при воздействии азотной плазмы в процессе осаждения пленки SiОN, на электрические параметры структур SiОN/АlGaN/GaN. Проведены измерения концентрации и подвижности свободных носителей в 2DEG и емкостных параметров структур. Экспериментально установлено, что кратковременное воздействие азотной плазмы (25 и 50 с) не меняет концентрацию сводных носителей в 2DЕG, но приводит к уменьшению величины их подвижности. Рассчитана величина заряда, который может образоваться на границе SiON/AlGaN. С помощью С–V-измерений экспериментально показано, как изменяется заряд в системе SiОN/АlGaN/GaN в процессе одного цикла измерений при разных диапазонах напряжения. На основе рассмотрения зонных диаграмм системы предложены возможные объяснения процессов перераспределения заряда в анализируемой системе при определенных воздействиях
Деградация электропроводности заряженной доменной стенки в кристаллах восстановленного ниобата лития
Full text linkIn the present work, we investigated the effect of prolonged exposure on the electrical conductivity of crystals with a charged domain wall (CDW) in congruent lithium niobate crystals (LiNbO3, LN) of a nonpolar x-cut. Bidomain ferroelectric structures containing charged head-to-head domain boundaries were formed in the samples using methods of diffusion annealing in the air near the Curie temperature and infrared annealing in an oxygen-free environment. Reduction annealing of crystals in a nitrogen atmosphere was carried out to form color centers and concomitant increase in conductivity. Using an atomic force microscope (AFM) we observed the effect of degradation of the current value recorded when measuring the I-V curve. The influence of storage conditions on the electrical conductivity of CDW was studied. It was found that this effect was not related to the influence of the surrounding atmosphere on the surface but was presumably related to the redistribution of charge carriers shielding the bound charge of the CDW.Исследовано влияние длительной выдержки при комнатной температуре на электропроводность в области заряженной доменной стенки (ЗДС) в кристаллах ниобата лития (LiNbO3, LN) конгруэнтного состава неполярного x-среза. Методом диффузионного отжига на воздухе вблизи температуры Кюри в образцах сформированы бидоменные сегнетоэлектрические структуры, содержащие ЗДС типа «голова-к-голове». Проведены восстановительные отжиги кристаллов в атмосфере азота для формирования центров окраски и сопутствующего увеличения проводимости. Обнаружен эффект уменьшения тока, регистрируемого при измерении вольт-амперных характеристик при помощи атомно-силового микроскопа, после выдержки кристаллов при комнатной температуре в течение 91 сут. Проведено исследование влияния условий хранения на значение электропроводности ЗДС. Установлено, что деградация электропроводности не связана с влиянием окружающей атмосферы на поверхность. Выдвинута гипотеза о перераспределении носителей заряда, экранирующих внутреннее электрическое поле в области ЗДС
Кислородная нестехиометрия и магнитные свойства легированных манганитов La0.7Sr0.3Mn0.95Fe0.05O3-δ
Full text linkIn this work, solid solutions of La0.7Sr0.3Mn0.95Fe0.05O3-δ with different oxygen content were obtained by the solid-phase reactions technique. Based on the investigation of the dynamics of changes in the oxygen index (3 – δ) during heating of the samples, the formation of a stressed state in their grains as a result of annealing was established. This results in a decrease in the mobility of oxygen vacancies during the reduction of cations according to the Mn4+ + e– → Mn3+ scheme and explains the decrease of released oxygen amount with an increase of δ as well as the heating rate of the samples. When studying the magnetic properties of the obtained samples, it was found that the temperature dependence of the magnetization obeys the Curie–Weiss law and as the oxygen defficiency increases, the Curie temperature for solid solutions decreases. It was found that the particles are in a frozen ferromagnetic state when measured in the low-temperature region of the М(Т) dependence in “zero-field mode” at Т ˂ ТВ. The presence of ferromagnetism at Т ˃ ТВ leads to a magnetically ordered state, in which the resulting magnetic moment of the magnetic particle is influenced by thermal fluctuations. When considering the temperature values of the magnetization of lanthanum-strontium manganite samples, it was found that with an increase of temperature in the low-temperature region, magnetic ordering is disturbed due to the excitation of magnons with a quadratic dependence of the energy from the wave vector, the number of which increases in proportion to T3/2. This results in a decrease in the manganite magnetization. The observed temperature dependence of the magnetization measured in the “field-cooling mode” was approximated taking into account the quadratic and non-quadratic dispersion laws of the magnon spectrum.В работе рассматривали получение твердых растворов La0,7Sr0,3Mn0,95Fe0,05O3-δ с различным содержанием кислорода методом твердофазных реакций. На основании исследования динамики изменения кислородного индекса (3-δ) в ходе нагревания образцов установлено образование напряженного состояния в их зернах в результате отжига. Это приводит к уменьшению подвижности кислородных вакансий в процессе восстановления катионов по схеме Mn4++e-→ Mn3+ и объясняет уменьшение количества выделившегося кислорода при увеличении δ и скорости нагрева образцов. При изучении магнитных свойств полученных образцов La0,7Sr0,3Mn0,95Fe0,05O3-δ обнаружено, что температурные зависимости намагниченности подчиняются закону Кюри–Вейсса и по мере возрастания дефицита кислорода температура Кюри для твердых растворов уменьшается. Установлено, что в низкотемпературной области зависимости М(Т), измеренной в режиме охлаждения без поля (ZFC-режиме) при Т ˂ ТВ, частицы находятся в замороженном ферромагнитном состоянии. Наличие ферромагнетизма при Т ˃ ТВ приводит к магнитоупорядоченному состоянию, при котором результирующий магнитный момент частицы магнетика подвержен влиянию тепловых флуктуаций. При рассмотрении температурных значений намагниченности образцов лантан-стронциевых манганитов, обнаружено, что с ростом температуры в низкотемпературной области происходит нарушение магнитного упорядочения из-за возбуждения магнонов с квадратичной зависимостью энергии от волнового вектора, число которых растет пропорционально T3/2, что приводит к уменьшению намагниченности манганита. Наблюдаемая температурная зависимость намагниченности, измеренная в режиме охлаждения во внешнем поле (FC-режиме) была аппроксимирована с учетом квадратичного и неквадратичного закона дисперсии спектра магнонов
Опыт визуального определения направления вращения плоскости поляризации света в гиротропных монокристаллах средней категории
Full text linkWhen studying and applying crystals of the middle category, it is necessary to take into account the manifestations of anisotropy of their properties, in particular, optical anisotropy. One of the manifestations of optical anisotropy is the rotation of the polarization plane (gyrotropy effect), which is observed in the direction of the optical axis of such crystals. The plane of polarization of light can rotate clockwise and counterclockwise. To determine the direction of rotation of the polarization plane, simple visual methods can be used based on studies of samples in converging polarized light – observations of conoscopic figures. In general, the type of conoscopic figures depends on the relative position of the polarizers, the wavelength of light in the system, the cut of the single crystal perpendicular to which the light propagates, the thickness of the sample and the birefringence. The direction of rotation of the polarization plane can be determined by еру change of the type of conoscopic figure of a sample of a gyrotropic crystal cut perpendicular to the optical axis: change of the central spot color during the analyzer rotation; the extinction of the central spot when observing a conoscopic figure using light filters; the direction of movement of the rings in monochromatic light; observation of Airy patterns. According to the experience of working in our laboratory “Single crystals and Stocke on their Base”, the simplest, most operational and unambiguous visual method for determining the direction of rotation of the polarization plane is the observation of Airy figures. A conoscopic pattern in the form of Airy figures (a four-way spiral) occurs when observing in converging polarized light a combination of two superimposed samples of gyrotropic crystals cut perpendicular to the optical axis, rotating the plane of polarization of light in opposite directions. To use this method, a well-known sample of a gyrotropic crystal cut perpendicular to the optical axis is required.При исследовании и применении кристаллов средней категории необходимо учитывать анизотропию их свойств, в частности оптическую анизотропию. Одним из проявлений оптической анизотропии является вращение плоскости поляризации (эффект гиротропии), которое наблюдается в направлении оптической оси таких кристаллов. Плоскость поляризации света может вращаться как по часовой стрелке, так и против неё. Для определения направления вращения плоскости поляризации могут быть использованы простые визуальные методы, основанные на исследованиях образцов в сходящемся поляризованном свете — наблюдения коноскопических фигур. В общем случае вид коноскопических фигур зависит от взаимного положения поляризаторов, длины волны света в системе, среза монокристалла, перпендикулярно к которому распространяется свет, толщины образца и величины двулучепреломления. Направление вращения плоскости поляризации можно определить по изменению вида коноскопической фигуры образца гиротропного кристалла, вырезанного перпендикулярно к оптической оси: изменение цвета центрального пятна при вращении анализатора, погасание центрального пятна при наблюдении коноскопической фигуры с использованием светофильтров, направление движения колец в монохроматическом свете, наблюдение фигур Эри. Коноскопическая картина в виде фигур Эри (четырехходовая спираль) возникает при наблюдении в сходящемся поляризованном свете комбинации из двух наложенных друг на друга образцов гиротропных кристаллов, вырезанных перпендикулярно к оптической оси, вращающих плоскость поляризации света в противоположных направлениях. Для использования этого метода необходим известный образец гиротропного кристалла, вырезанного перпендикулярно к оптической оси. По опыту работы в нашей лаборатории «Монокристаллы и заготовки на их основе» (НИТУ «МИСиС»), наиболее простым, оперативным и однозначным визуальным методом определения направления вращения плоскости поляризации является наблюдение фигур Эри
Технология и термомеханика при выращивании трубчатых монокристаллов кремния
Full text linkThe problem of growing high-resistance low-dislocation tubular silicon single crystals for non-planar manufacturing technologies of epitaxial p-n junctions and the production of new-generation power semiconductor devices is considered. The possibilities of Stepanov method for growing volumetric profiled crystalline products, the application of which is based on the use of shapers of various designs, are discussed. In particular, the shortcomings of shapers associated with the melt contamination by foreign particles and impurities are discussed. Therefore, the main attention is paid to the use of equipment that implements crystal growth from a melt without a shaper by Czochralski method. The processes of thermal mechanics are preliminary analyzed in relation to the existing and well-established process of growing polycrystalline highly dislocation silicon pipes of large diameter by Czochralski method for epitaxial reactors.It is noted that the growth of tubular low-dislocation small diameter silicon single crystals requires a significant modernization of the standard hot zone, which in this work is implemented for “REDMET-10” Czochralski furnace. By means of computer simulation, thermal mechanical processes are calculated for such a modernized Czochralski furnace. The parameters of grown tubular silicon single crystals are characterized, and their manufacturing suitability for power semiconductor devices using nonplanar technology is assessed.Рассмотрена проблема выращивания высокоомных малодислокационных трубчатых монокристаллов кремния для непланарных технологий изготовления эпитаксиальных p—n-переходов и производства силовых полупроводниковых приборов нового поколения. Обсуждены возможности выращивания объемных профилированных кристаллических изделий методом Степанова, применение которого основано на использовании формообразователей различных конструкций. В том числе, обсуждены недостатки применения формообразователей, связанные с загрязнением расплава инородными частицами и примесями. Основное внимание уделено применению оборудования, реализующего кристаллический рост из расплава без формообразователя по методу Чохральского. Дан предварительный анализ процессов термомеханики применительно к существующему и хорошо отлаженному процессу выращивания методом Чохральского поликристаллических сильно дислокационных кремниевых труб большого диаметра для эпитаксиальных реакторов. Отмечено, что для выращивания трубчатых малодислокационных монокристаллов кремния малого диаметра требуется существенная модернизация стандартного теплового узла, которая в данной работе реализована применительно к установке «РЕДМЕТ-10» для метода Чохральского. С помощью компьютерного моделирования проведен расчет процессов термомеханики в такой модернизированной установке. Выполнена характеризация параметров выращенных трубчатых монокристаллов кремния, дана оценка их пригодности для изготовления силовых полупроводниковых приборов по непланарной технологии
Определение отклонения от стехиометрии в широкозонных полупроводниковых соединений АIIВVI по составу равновесной паровой фазы
Full text linkA method of determining stoichiometry deviation in cadmium and zinc chalcogenides that is based on the temperature dependence of the ratio of components partial pressures during evaporation of solid compounds in a limited volume has been suggested. The new method differs from methods implying the collection of excessive component during evaporation in large volumes. The method includes measuring vapor phase components partial pressures during material heating to above 800 K, solving a set of material balance equations and the electric neutrality equation, and calculating the stoichiometry deviation in the initial compound at room temperature. Intrinsic point defect concentrations are calculated using the method of quasichemical reactions. The independent variables in the set of equations are the sought stoichiometry deviation, the partial pressure of the metal and the concentration of free electrons. We show that the parameter of the material balance equation which determines the method’s sensitivity to stoichiometry deviation, i.e., the volume ratio of vapor and solid phases, can be considered constant during heating and evaporation unless this parameter exceeds 50. If the partial pressure is measured based on the optical density of the vapors, then the sensitivity of the method can be increased to not worse than 10-6 at.%.Предложен метод определения отклонения от стехиометрии в халькогенидах кадмия и цинка, основанный на анализе температурной зависимости отношения парциальных давлений компонентов при испарении твердого соединения в ограниченный объем, что отличает его от методов сбора избыточного компонента при испарении в большие объемы. Метод основан на измерении парциальных давлений компонентов паровой фазы при нагреве материала до температур выше 800 К и на последующем решении системы уравнений материального баланса и уравнения электронейтральности для расчета исходного отклонения от стехиометрии в соединении при комнатной температуре. Концентрации собственных точечных дефектов рассчитывают методом квазихимических реакций. Независимыми переменными в системе уравнений являются искомое отклонение от стехиометрии, парциальное давление металла и концентрация свободных электронов. Показано, что в уравнении материального баланса параметр, определяющий чувствительность метода по отклонению от стехиометрии — отношение объемов паровой и твердой фаз, можно считать постоянным при нагреве и испарении, если он не превышает 50. Если парциальные давления измерять по оптической плотности паров, чувствительность метода может быть не хуже 10-6 % (ат.)
Влияние добавок кальция на анодное поведение проводникового алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей), в среде электролита NaCl
Full text linkWhen creating new materials designed to work in particularly harsh conditions, the task of giving them corrosion resistance arises, the practical solution of which is associated with the level of knowledge in the field of high-temperature oxidation of metals and alloys. When using conductive aluminum alloys for the manufacture of thin wire, for example, winding wire, etc., certain difficulties may arise due to their insufficient strength and a small number of kinks before failure. In recent years, aluminum alloys have been developed, which even in a soft state have strength characteristics that allow them to be used as a conductor material. One of the conductive aluminum alloys is the E-AlMgSi alloy (Aldrey), which refers to thermally strengthened alloys. It is characterized by high strength and good ductility. This alloy under appropriate heat treatment acquires high electrical conductivity. The wires made from it are used almost exclusively for overhead power lines.The results of the study of the anodic behavior of the aluminum conductor alloy E-AlMgSi (Aldrey) with calcium, in an electrolyte medium of 0.03; 0.3 and 3.0% NaCl are presented. Corrosion-electrochemical study of alloys was carried out by the potentiostatic method on the PI-5.0-1.1 potentiostat at a potential sweep rate of 2 mV/s. It is shown that alloying the aluminum alloy E-AlMgSi (Aldrey) with calcium increases its corrosion resistance by 20%. The potentials of corrosion, pitting and repassivation of alloys during doping with calcium are shifted to the positive range of values, and from the concentration of sodium chloride in the negative direction of the ordinate axis.При создании новых материалов, предназначенных для работы в особо жестких условиях, встает задача придания им коррозионной стойкости. Практическое решение проблемы связано с уровнем знаний в области противокоррозионной защиты металлов и сплавов. При использовании проводниковых алюминиевых сплавов для изготовления тонкой проволоки могут возникнуть определенные сложности. Это связано с их недостаточной прочностью и малым числом перегибов до разрушения. В последние годы разработаны новые алюминиевые сплавы, которые в мягком состоянии обладают удовлетворительными прочностными характеристиками, что позволяет использовать их в качестве проводникового материала. Одним из известных проводниковых сплавов является алюминиевый сплав E-AlMgSi (алдрей). Этот сплав относится к термоупрочняемым сплавам. Данный сплав отличается хорошей пластичностью и высокой прочностью. При соответствующей термической обработке сплав приобретает высокую электропроводность. Провода, изготовленные из него, используются почти исключительно для воздушных линий электропередач.В данной работе представлены результаты исследования коррозионного поведения алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей) с кальцием, в среде электролита 0,03, 0,3 и 3,0 % NaCl. Исследование анодного поведения сплавов проводились потенциостатическим методом на потенциостате ПИ-50-1.1 при скорости развертки потенциала 2 мВ/с. Легирование алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей) кальцием повышает его коррозионную устойчивость на 15—20 %. Потенциалы коррозии, питтингообразования и репассивации сплавов, содержащих кальций смещаются в положительную область значений. От концентрации электролита хлорида натрия указанные потенциалы уменьшаются