Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Not a member yet
466 research outputs found
Sort by
ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ СТАЦИОНАРНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ
Get PDFПредложен метод создания бидоменной структуры в пластинах монокристаллов ниобата лития, основанный на формировании стационарных тепловых потоков и, следовательно, стационарном распределении температуры, за счет поглощения светового излучения в предварительно «зачерненных» образцах. Из решения уравнения теплопроводности при наличии распределенного внутреннего источника тепла найдены условия, при которых формируется двухсторонний градиент температур, необходимый для создания доменов с разнонаправленными векторами поляризации. Показано, что положение междоменной границы определяется безразмерными параметрами, характеризующими условия теплоотвода и вхождения световых потоков с обеих сторон пластины. По предложенной методике получена бидоменная структура в пластинах монокристаллов ниобата лития с четко выраженной междоменной границей
ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОРИСТЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ И ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ ЗОЛЬ–ГЕЛЬ–МЕТОДАМИ
No full textThe formation of porous structures in sol−gel systems based on silicon oxide and metal oxides, i.e. cobalt and tin, has been studied. We show that the investigation of metal oxide nanomaterials by the thermal desorption method allows developing the optimum process conditions for obtaining patterns having the highest specific surface area.Рассмотрены особенности формирования пористых структур в золь−гель−системах на основе диоксида кремния и оксидов металлов, таких как кобальт и олово. Показано, что исследование металлооксидных наноматериалов методом тепловой десорбции позволяет выработать технологические режимы получения образцов с наибольшей удельной поверхностью
ПАМЯТИ Л. С. СМИРНОВА (1932—2011 ГГ.)
Get PDFПамяти л. С. Смирнова (1932—2011 гг.)Памяти л. С. Смирнова (1932—2011 гг.
НОВЫЕ МЕТАЛЛОУГЛЕРОДНЫЕ НАНОКОМПОЗИТЫ И УГЛЕРОДНЫЙ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ С ПЕРСПЕКТИВНЫМИ СВОЙСТВАМИ ДЛЯ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ
Get PDFNovel materials based on carbon nanocrystal material and metal−carbon nanocomposites which have specific properties and can be used for manufacturing electronic, electrochemical and sensor devices and catalysts are proposed for developing electronicsДля развития электроники предложены новые материалы на основе углеродного нанокристаллического материала и металлоуглеродных нанокомпозитов, которые обладают особыми свойствами и перспективны дляиспользования при изготовлении электронных, электрохимических, сенсорных устройств и катализаторо
ОБЛАСТЬ ГОМОГЕННОСТИ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА
Get PDFThe homogeneity limits of ZnTe were examined using direct physical−chemical technique in the temperature range 750—1455 K. It was demonstrated that surface oxidation in the room environment results in the distortion of the observed picture such that an excess of a component may appear with a negative sign. At the same time, in the case of non−oxidized ZnTe, it was demonstrated for the first time the stoichiometrical composition lies within the homogeneity limits. The maximum nonstoichiometries were found to be a 3.4 × 10-4 and 4.4 × 10-3 mole excess of a component per mole of ZnTe for Te at 1369 K and Zn at 1292 K, respectively. At T < 1200 K the solidus lines of both the Te- and Zn-rich boundaries demonstrated retrograde behavior. On the basis of the results obtained from X-ray diffraction and optical microscopy measurements performed on quenched samples, a T—x-projection including a wurtzite-sphalerite-like phase transformation was proposed for the Zn—Te-system.Прямым физико-химическим методом исследована область гомогенности ZnTe в интервале температур 750—1455 K. Показано, что при хранении препаратов ZnTe на воздухе при комнатной температуре происходит окисление его поверхности, в результате которого определяемая концентрация сверхстехиометрического компонента смещается в сторону избытка теллура. Для неокисленных препаратов впервые было показано, что область гомогенности теллурида цинка носит двусторонний характер. Максимальная концентрация избыточного компонента составила: со стороны избытка теллура — 3,4 · 10−4 моль изб. Те/моль ZnTe при 1325 К, со стороны избытка цинка — 4,4 · 10−3 моль изб. Zn/моль ZnTe при 1292 К. Установлено, что при температурах ниже 1200 К линия солидуса имеет ретроградный характер. Учитывая результаты РФА и оптической микроскопии, сделан вывод, что полиморфный переход «вюрцит — сфалерит» в ZnTe протекает по перитектической реакции со стороны избытка обоих компонентов
АНАТОЛИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ ДВУРЕЧЕНСКИЙ (к 70–летию со дня рождения)
Get PDFFor the 70th anniversary of the birth of Anatolii Vasil'evich Dvurechenskii АНАТОЛИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ ДВУРЕЧЕНСКИЙ (к 70–летию со дня рождения)
РЕШЕНИЕ МЕЖДУНАРОДНОГО СИМПОЗИУМА «ФИЗИКА КРИСТАЛЛОВ 2013», ПОСВЯЩЕННОГО 100-ЛЕТИЮ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ ПРОФЕССОРА М. П. ШАСКОЛЬСКОЙ
Get PDFС 28 октября по 2 ноября 2013 г. в Национальном исследовательском технологическом университете «МИСиС» прошел Международный Симпозиум «Физика кристаллов 2013», объединивший Пятую Международную конференцию по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века» и Третьи Московские чтения по проблемам прочности материалов.Симпозиум посвящен памяти выдающегося ученого в области кристаллофизики, теории и динамики дислокаций, кристаллографа, профессора, доктора физ.-мат. наук, организатора кафедры кристаллографии (физики кристаллов) МИСиС Марианны Петровны Шаскольской (1913—1983 гг)
НАНОЧАСТИЦЫ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ, ПОЛУЧЕННЫЕ НА ПОДЛОЖКАХ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ
Get PDFTin, iron and nickel oxides were prepared in micro porous silicon from sols. The morphology of the samples was studied using atomic force microscopy. The сross−sections of porous silicon were investigated using scanning electron microscopy. The electrical properties were investigated by impedance spectroscopy in a changing environment and temperature of gas detection reagents. The dependencies of real and imaginary components of the complex impedance were constructed in the semi−logarithmic coordinates. The method of complex plane was used for processing the experimental impedance data. Hodographs of impedance were analyzed using programs writteng in the LabVIEW environment. The experimental impedance spectroscopy data were interpreted in terms of «equivalent electrical circuit». Сonstant phase element was used to describe the resistive− capacitive properties of nanocomposite materials in the equivalent electrical circuit. The characteristic charge accumulation time in air and in the presence of reducing gases was calculated. The sensitivity to reducing gases for the real and imaginary components of the complex impedance was calculated using two methods at 300 °C in the frequency range from 1 Hz to 500 kHz. The sensor characteristics of metal oxide films grown on single−crystal substrates, porous silicon and glass substrates were compared.
ВЛИЯНИЕ ИТТРИЯ НА АНОДНОЕ ПОВЕДЕНИЕ СПЛАВА АК1М2
Get PDFPotentiodynamic method at a rate of 2 mV/s−1 potential sweep the corrosion−electrochemical behavior of the alloy AK1M2 doped yttrium electrolyte NaCl in the medium with different concentrations. It is shown that the addition of yttrium reduce corrosion rate of the anode alloy AK1M2 source nearly doubled. Increasing the concentration of chloride ions promotes the corrosion rate of the anode, regardless of the yttrium content in the alloy AK1M2. At the same time, and pitting corrosion potentials are shifted in the negative region. Потенциодинамическим методом со скоростью развертки потенциала 2 мВ ⋅ с−1 исследовано коррозионно− электрохимическое поведение сплава AК1М2, легированного иттрием в среде электролита NaCl различной концентрации. Показано, что добавки иттрия снижают скорость анодной коррозии исходного сплава AК1М2 почти в два раза. Установлено, что увеличение концентрации хлорид−ионов способствует росту скорости анодной коррозии независимо от содержания иттрия в сплаве АК1М2. При этом потенциалы коррозии и питтингообразования смещаются в отрицательную область.
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ЭКСТРУЗИИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА
Get PDFWe derive a mathematical model for the composite material extrusion process which describes the main features of the resulting material stress−strain state. The extrusion process includes extrusion of a cylindrical billet of pressed powder through a die of desired geometry. Die geometrical parameters and process speed can be preset. The computational model is based on combined elastic−plastic body approximation. The numericaltechnique uses a finite element approximation on Lagrangian grid, which changes over time with changes in sample shape. To perform it we use adaptive grid units generation in areas of sample high stress and strain. The calculations were performed in Crystmo/Marc software package. We study the basic featuresof stress−strain state of the material obtained at different stages of extrusion process.Для процесса экструзии композиционного материала предложена математическаямодель и на ее основе рассмотрены основные особенности напряженно−деформированногосостояния получаемого стержня. Заданы геометрические параметры фильеры и скорость перемещения Пуансона. Расчетная модель основана на совместном использовании приближенийупругопластического тела. Численная методика использует конечно−элементную аппроксимацию на лагранжевой сетке, которая меняется во времени с изменением формы образца. Для этого применена адаптивная генерация сеточных узлов в зонах больших напряжений и деформаций образца. Расчеты проведены с использованием комплекса программ Crystmo/Marc. На примере термоэлектрического композита на основе Bi2Te3 изучены основные особенности напряженно−деформированного состояния материала, полученного на разных стадиях процесса экструзии