Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Not a member yet
466 research outputs found
Sort by
ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ФОРМИРОВАНИЯ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА НА ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ
No full textSamples of polyacrylonitrile (PAN) films and cobalt-containing PAN films have been fabricated by method of not coherent IR-radiation. It is constructed QSPR model, allowing to relate values of resistance of PAN films and Co-containing PAN films with parameters of technological process of formation of gas-sensing materials based on them. It is established that resistance of the obtained materials depends on temperature and time of the second stage of IR-pyrolize and on dopant concentration.Изготовлены образцы пленок полиакрилонитрила (ПАН) и пленок кобальтсодержащего ПАН методом некогерентного ИК-излучения. Построена QSPR-модель, позволяющая связать значения электросопротивления пленок ПАН и кобальтсодержащего ПАН с параметрами технологического процесса формирования газочувствительного материала на их основе. Установлено, что электросопротивление полученных материалов зависит от температуры и времени второго этапа ИК-отжига и концентрации модифицирующей добавки
ИЗУЧЕНИЕ СТРУКТУРНЫХ И РАЗМЕРНЫХ СВОЙСТВ СПИННИНГОВАННЫХ ПОРОШКОВ p–Bi0,5Sb1,5Te3, СКОМПАКТИРОВАННЫХ ГОРЯЧИМ ВАКУУМНЫМ ПРЕССОВАНИЕМ И ИСКРОВЫМ ПЛАЗМЕННЫМ СПЕКАНИЕМ
Get PDFP–type thermoelectric Bi0,5Sb1,5Te3 powders were obtained by the melt spinning technique (extremely rapid quenching from the liquid state) and their structural and dimensional characteristics were characterized. The crystallographic group and the lattice parameters of the powders correspond to those for Bi0,5Sb1,5Te3 crystallized in equilibrium conditions which suggests the identity of the crystal structure. The powders were compacted by vacuum hot pressing and spark plasma sintering. We found that the partial axial texture [001] directed along the axis of pressure application could be formed during the compacting of the powders. Temperature dependences of the thermoelectric characteristics of the compacted material were measured in a direction perpendicular to the pressure application axis in the 100—700 K range. It is demonstrated that the compacted samples possess low thermal conductivity while retaining the Seebeck coefficient and the electrical conductivity values comparable to crystallized material; therefore ZT reaches 1,05—1,15 in the 330—350 K range which indicates high prospects of applying these technologies.
АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ»
Get PDFProcesses of heat transfer through interfaces of semiconductor diode stack structures of high voltage pulse switchers are investigated by laser thermal wave methods. Theoretical model of thermal wave propagation in such structures is developed. It takes into account specific features of preparation of semiconductor element surfaces, layers of solder or bonding. It is shown that laser thermal wave methods can be applied to diagnostics of thermal contact quality between elements of opening switchers for various technologies of their assembling.Разработан метод лазерной термоволновой диагностики процессов теплопереноса в межсоединениях полупроводниковых диодных структур высоковольтных импульсных ключей−размыкателей, собранных по технологии «столбов». Предложена теоретическая модель процессов распространения тепловых волн в подобных структурах с учетом технологических особенностей подготовки поверхностей полупроводниковых элементов, слоев спайки или сварки. Показано, что лазерные термоволновые методы позволяют диагностировать качество теплофизических контактов между элементами ключей−размыкателей при различных технологиях их соединений
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ (Bi,Sb)2Te3, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ИСКРОВОГО ПЛАЗМЕННОГО СПЕКАНИЯ
Get PDFThermoelectric properties of (Bi,Sb)2Te3 nanostructured bulk material as a function of composition and spark plasma sintering temperature were investigated. The Bi0,4Sb1,6Te3 alloys at sintering temperature 450—500 °C with ZT=1,25—1,28 figure of merit was fabricated. Thermoelectric properties ad a function ofsintering temperature above 400 °C correlate with fine structure change. It was found that point structure defects introduce essential contribution to the formation of nanostructured material thermoelectric properties.Исследована зависимость термоэлектрических свойств наноструктурированного объемногоматериала (Bi,Sb)2Te3 от состава и температуры SPS−спекания ТSPS. Обнаружено, что твердыйраствор Bi0,4Sb1,6Te3, спеченный при температуре 450—500 °С, имеет термоэлектрическуюэффективность ZT = 1,25÷1,28. Зависимость термоэлектрических свойств от температурыспекания ТSPS выше 400 °С коррелирует с изменением тонкой структуры материала, котороеопределяется перераспределением донорных точечныхдефектов вакансионного типа впроцессе повторной рекристаллизации. Установлено, что точечные структурные дефекты вносятсущественный вклад в формирование термоэлектрическихсвойств наноструктурированногоматериала
МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА СКОРОСТЬ РОСТА КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ
Get PDFIn the work an approach to modeling the influence of mechanical stresses generated in a silicon matrix by an oxygen precipitate (SiO2) on the rates of the main processes determining the precipitation kinetics. The time dependences of the sizes of a spherical precipitate and the number of oxygen atoms inside it has been obtained and analyzed with the stress factor taken into account. Предложен подход для моделирования влияния механических напряжений, возникающих в системе «кремниевая матрица — кислородный преципитат (SiO2)», на скорость основных процессов,определяющих кинетику преципитации. Найдены и проанализированы полученные с учетом этого фактора зависимости от времени размеров сферическогопреципитата и количества атомов кислорода в нем.
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА
Get PDFThe electro-physical and photoelectrical properties of MIS structures based on HgCdTe MBE with non-uniform distribution of composition were experimentally investigated. It is shown that near-surface graded-gap layers with elevated composition strongly affect on dependencies of the capacitance and the photo-emf versus the bias voltage and frequency for the MIS structures based on n-Hg1-xCdxTe (x = 0.21—0.23). The characteristics of MIS structures based on n-Hg0.7Cd0.3Te with periodically located regions with high composition were investigated and it is shown that these regions are most strongly affect the characteristics of MIS structures when their location near the boundary of the insulator−semiconductor. The electrical properties of MIS structures based on n-Hg1-xCdxTe (x = 0.62—0.73) with region with lower composition were experimentally studied.Экспериментально исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с неоднородным распределением состава. Показано, что для МДП-структур на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) приповерхностные варизонные слои с увеличенным содержанием СdTe на поверхности сильно влияют на зависимости емкости и фотоЭДС от напряжения смещения и частоты. Исследованы характеристики МДП-структур на основе n-Hg0,7Cd0,3Te с периодически расположенными областями резко повышенного содержания CdTe барьерного типа и показано, что эти области оказывают влияние на характеристики МДП-структур при их расположении вблизи границы раздела диэлектрик—полупроводник. Экспериментально изучены электрические свойства МДП-структур на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,62-0,73) с областями пониженного содержания CdTe в приповерхностной области типа потенциальных ям
РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si
Get PDFThe electronic, optical and mechanical properties of heterosystems with Ge1−xSix solid solution films on the GaAs(x = 0–0.04) and Si (x = 0.75) substrates have been studied. We used electroreflectance modulation spectroscopy for the films and the substrates, classical spectroscopy in the intrinsic absorption region of the films and mechanical stress measurements in the films and in the substrate. We show that the Ge1−xSix films can change composition with the formation of other solid solution structures both during film depositionand under γ−irradiation. There is a possibility to reduce the mechanical stresses, to improve the electronic parameters of the films and the substrates at the interface, and to produce heterosystems without bending deformation.Изучены электронные, оптические и механические свойства гетеросистем Ge1−xSix на подложках GaAs (х = 0÷0,04) и Si (х = 0,75). Исследования проводили с помощью модуляционной спектроскопии электроотражения света для пленок и подложек, классической спектроскопии в области собственного поглощения пленок, измерения кривизны гетеросистем для определения знака и величины внутренних механических напряжений в них. Установлено изменение состава твердогo раствора с образованием новых структур как в процессе осаждения пленок, так и под влиянием γ−облучения. Найдена возможность уменьшения внутренних механических напряжений и улучшения электронных параметров пленки и подложки на границе раздела, а также получения гетеросистем с твердым раствором без деформации изгиба
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА
Get PDFIn this paper we investigated the effect of reducing the LED quantum efficiency at increasing the current density. Reasons influencing this effect are determined. We show methods to reduce this effect and the positive results of using the silicon substrates in nanoheterostructures for light−emitting diodes.Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении плотности тока. Определены причины, влияющие на этот эффект. Показаны способыуменьшения падения квантового выхода и положительные результаты применения кремниевыхподложек в многокомпонентных наногетероструктурах для InGaN светоизлучающих диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ГИДРОГЕНИЗАЦИИ ОДНОСЛОЙНОГО И ДВУХСЛОЙНОГО ПИРОЛИЗОВАННОГО ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА
Get PDFThe article reports a theoretical quantum chemical study of the adsorption mechanisms in atomic and molecular hydrogen on the surface of an advanced polymeric material – pyrolized polyacrylonitrile (PPAN). Three variants of atomic hydrogen orientation and five variants of molecular hydrogen orientation over one− and two−layer PPAN surface have been considered. The variants differed in the positions of nitrogen atoms in the close vicinity of a selected adsorption center in the polymer. Potential adsorption energy profiles of atomic hydrogen and hydrogen molecules have been constructed and analyzed, and the main power and geometrical characteristics of the processes have been defined. Charge redistributions in the systems have been studied. We show that neither a hydrogen atom, nor a hydrogen molecule can be adsorbed over the hexagon center of single−layer PPAN surfaces, and in other cases chemical adsorption occurs. For adsorption over the surface of two−layer PPAN, any orientation variants of a hydrogen molecule are possible. A negative influence of nitrogen atom of the polymer surface on the efficiency of atomic hydrogen adsorption has been established, whereas its influence on the adsorption of molecular hydrogen is positive
НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ
Get PDFPolycrystalline 3C−SiC films have been grown on silicon substrates by CVD method using Methyltrichlorosilane thermal dissociation in a hydrogen atmosphere at temperatures of 1000—1250 °С. The process parameters providing for the growth of homogeneous 3C−SiC layers with smooth surfaces and high adhesion have been determined. The defect structure of the silicon substrate with deposited 3C−SiC film has been investigated by X−ray topography. All the projector topographic patterns show that the elastic stress contrast inherits exactly the film morphology. The subsurface elastic stress fields in the substrate decrease with an increase in the 3C−SiC film growth temperature. We show that the 3C−SiC film heterostructure is highly sensitive to heat treatment.Поликристаллические пленки 3C−SiC на кремнии выращены методом CVD путем термического разложения метилтрихлорсилана в водороде при температуре 1000—1250 °С. Определены условия проведения процесса, при которых получены однородные с зеркальной поверхностью слои 3C−SiC с хорошей адгезией. Методом рентгеновской топографии исследована дефектная структура подложки монокристаллического кремния с нанесенной пленкой 3C−SiC. Установлено, что на всех проекционных топограммах контраст от упругих напряжений в точности повторяет морфологию пленки. Приповерхностные поля упругих напряжений в подложке уменьшаются по мере повышения температуры выращивания пленки 3C−SiC. Показано, что гетероструктура 3C−SiC очень чувствительна к термообработке