Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Not a member yet
466 research outputs found
Sort by
УПРАВЛЕНИЕ МИКРОСТРУКТУРОЙ И СВОЙСТВАМИ ФЕРРИТОВ С ПОМОЩЬЮ ДВУХСТАДИЙНОГО СИНТЕЗА
Get PDFTwo−phase influence on microstructure and property of ferrite of different purpose was investigated. It is shown that fine dispersed component doped at the second step (milling) effectively brakes growth of grains, promoting reception of dense, homogeneous, fine−grained ferrite materials. Thus such properties as initial magnetic permeability, mechanical strength essentially raise and magnetic losses decrease. Change of modes of baking allows to receive coarse−grained homogeneous materials.Influence of two−phase synthesis on a microstructure and property nickel−zinc, manganese−zinc, lithium−titanic ferrite spinels is more below considered discussed.Исследовано влияние двухстадийного синтеза на микроструктуру и свойства ферритов различного назначения. Показано, что мелкодисперсный компонент, вводимый на второй стадии (при измельчении), эффективно тормозит рост зерен, способствуя получению плотных, однородных, мелкозернистых ферритовых материалов. При этом существенно повышаются начальная магнитная проницаемость, механическая прочность и их воспроизводимость, а магнитные потери уменьшаются. Изменение режимов спекания позволяет получать крупнозернистые одно-родные материалы.Ниже рассмотрено влияние двухстадийного синтеза на микроструктуру и свойства никельцинковых и магний−цинковых феррошпинелей
МИКРОСПЕКТРАЛЬНОЕ РАМАНОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ НА УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЯХ БАЛКИ КАНТИЛЕВЕРА
Get PDFFlexural elastic deformations of single-crystal silicon have been studied using microspectral Raman scattering. Results are reported on nano-scaled sign-changing shifts of the main peak of the microspectral Raman scattering within the single-crystal silicon cantilever beam during exposure to flexural stress. The maximum value of Raman shift characteristic of the silicon peak 518 cm-1 at which elasticity still remains, has been found to be 8 cm−1 which corresponds to an applied deformation of 4 GPa. We report three-dimensional maps of the distribution of internal stresses at different levels of deformation up to irreversible changes and brittle fracture of the samples that clearly show compression and tension areas and an undeformed area. A qualitative explanation of the increase in the strength of the cantilever beam due to its small thickness (2 μm) has been provided that agrees with the predictions of real-world physical parameters obtained in SolidWorks software environment with the SimulationXpress module. We have defined the relative strain of the beam surface which was 2% and received a confirmation of changes in the silicon lattice parameter from 5.4307Е to 5.3195Е by the BFGS algorithm
НАБЛЮДЕНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОМ ЛОКАЛЬНОМ ДАВЛЕНИИ В УСЛОВИЯХ ИНДЕНТИРОВАНИЯ
Get PDFInstrumented indentation is a very promising technique for studying structural phase transitions in crystalline materials such as silicon.In the present work silicon samples with different crystallographic orientations and doping rates were investigated using indentation with a pyramid indentor of Berkovich type. For studying the electrical properties the indentor was made of semiconductor boron−doped single crystalline diamond. For verification of structural transitions in silicon Raman spectroscopy technique was applied.Electrical current through the contact area under the indentor was measured simultaneously with recording the mechanical response of the material during the indentation process. It is shown that variation in current value gives additional information about the conditions of contact between the indentor and the sample surface. The influence of variations in resistivity and contact area on the measured electrical current value is discussed.Применение метода измерительного индентирования является перспективным для изучения структурных фазовых переходовв кристаллических материалах, таких как кремний. Рассмотрены экспериментальные результаты исследования поведения образцов кремния с различной кристаллической ориентацией и степенью легирования при нагружении алмазным индентором в виде пирамиды Берковича. Для изучения электрических параметров в качествематериала индентора использовали легированный бором полупроводниковый монокристалл алмаза. Для подтверждения структурных превращений в кремнии применен метод рама-новской спектроскопии.Одновременно с измерением механического отклика материала при индентировании регистрировали ток, протекающийв области контакта наконечника с образцом. Показано, что изменение значения тока дает дополнительную информацию об условиях взаимодействия индентора с материалом. Обсуждено влияние изменений удельного сопротивления и контактной площади, происходящих при фазовом превращении, на измеряемое значение тока
ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА
Get PDFIn this paper, heterostructures with self−organized quantum dots have been produced using incongruent evaporation. Island films on the basis of the intermediate phases forming in the Sn-Se have been grown. The surface morphology of the structures has been studied using atomic force microscopy (AFM). A certain change of the band gap confirms the presence of quantum states in the electron spectrum of the structures. We have found that for obtaining structures with a homogeneous distribution of islands the process of incongruent evaporation should be carried out at high condensate selection speeds. By varying the speed of incongruent evaporation of the film material one can achieve directed growth of islet films with a preset islet size distribution.Методом инконгруэнтного испарения получены многокомпонентные наногетероструктуры с самоорганизованными квантово−размерными точками. Выращены островковые пленки на основе промежуточных фаз, образующихся в системе Sn—Se. Исследована морфология поверхности полученных структур с помощью атомно-силовой микроскопии. Установлено, что определенное изменение запрещенной зоны подтверждает проявление эффекта размерного квантования спектра электронных состояний в структурах. Обнаружено, что для получения структур с однородным распределением островков необходимо проводить процесс инконгруэнтного испарения при высоких скоростях отбора конденсата. Установлено, что варьированием скорости инконгруэнтного испарения материала пленки можно направленно вырастить островковые пленки с заданным распределением островков по размерам
ПОЛУЧЕНИЕ ГЕКСАФЕРРИТА БАРИЯ С ПОВЫШЕННЫМИ ИЗОТРОПНЫМИ СВОЙСТВАМИ 
Get PDFCurrently, the world production of permanent magnets is about 150 tonnes. Year, the share of ceramic magnets of hexagonal barium ferrite represents more than 90 %. Barium hexaferrite have a hexagonal magnetoplumbite type crystal structure with a large crystal magnetic anisotropy constant, which allows fine−grained structure of the material having a high coercive force. The combination of barium and strontium hexaferrites high coercivity with high residual induction produces magnets satisfactory for a large number of applications of specific magnetic energy, and the availability and low cost of raw materials, low cost production of ferrite magnets can produce tens of thousands of tons per year and meet about 75 % of the world market of permanent magnets. Upon receipt of a standard isotropic hexaferrite ceramic technology during pressing because scaly particles hexaferrite presszagotovkah occurs in texture, resulting in poor magnetic properties of the sintered ferrite. In the present work we investigated the possibility of barium hexaferrite brand 7BI215 with isotropic properties by using a short circuit process where compaction is not exposed hexaferrite particles and the particles of the charge, having a shape close to spherical.
ДАТЧИК ПЕРЕМЕЩЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
Get PDFThe moving sensor on surface acoustic waves (SAW) in which moving are measured on a delay of the signal reflected from the platen, moving along a surface of SAW propagation is developed and made. Such sensor can work in a mode of reflection of an interrogating electromagnetic signal, i.e. to be passive and wireless. The maximum measured moving to such gage equally 14 mm with accuracy ±0,1mm.Разработан и изготовлен датчик перемещения на поверхностных акустических волнах (ПАВ), в котором перемещения измеряются по задержке сигнала, отраженного от валика, который движется вдоль поверхности распространения ПАВ. Датчик может работать в режиме отражения опрашивающего электромагнитного сигнала, т. е. быть пассивным и беспроводным. Максимальное измеряемое перемещение в таком датчике составляет 14 мм с точностью ±0,1 мм
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗНАЧЕНИЙ СОПРОТИВЛЕНИЯ И КОЭФФИЦИЕНТА ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПЛЕНОК МЕДЬСОДЕРЖАЩЕГО ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА
Get PDFWe consider the properties of gas sensitive films of poly- acrylonitrile (PAN) and copper−containing PAN in the framework of QSPR (Quantitative Structure—Property Relationship). We propose linear regression models to predict the resistance, the thickness of the studied films and the gas sensitivity coefficients of PAN and copper− containing PAN films based on descriptors that take into account the technological and structural parameters of the material forming the gas sensitive layer of the sensor.
ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ВИБРАЦИОННОЙ АКТИВАЦИИ РАСПЛАВОВ ХИМИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ
Get PDFDirect measurements of complex inorganic compound crystallization showed an increase in the crystallization heat during melt activation by low−frequency vibrations. Phase equilibrium analysis of semiconductor systems using the quaziideal solution model showed that the observed crystallization heat increase could be a result of cluster destruction in the melt.Экспериментально установлено, что теплота кристаллизации расплава сложного неорганического соединения увеличивается при активации расплава низкочастотными вибрациями. Анализ фазовых равновесий в приближении модели квазиидеальных растворов показал, что подобное увеличение при кристаллизации полупроводниковых соединений может быть связано с разрушением кластеров в расплаве
ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСЕЙ С ДИСЛОКАЦИЯМИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ
Get PDFGermanium is a relevant object for research into the influence of dislocations on electronic properties of impurities and conversely the influence of impurities on electronic states of dislocations owing to high structural perfection of germanium single crystals and the abundant data available on properties of impurities and defects. We present the results of studies of radiationless and radiation recombination (by the DLTS and photoluminescence (PL) methods, respectively) of charge carriers in deep levels of plastically deformed germanium single crystals doped with multicharge copper or gold impurities by the diffusion method. The recombination parameters (position of the energy levels in the forbidden gap, the value and activation energy of capture cross−section and ionization entropy) of Cu−2/−3 and Au−1/−2 ions determined by DLTS are independent of dislocation density and in good agreement with those in as−grown samples, which is explained by their position outside the Reed cylinders. The parameters of Cu−2 and Au−1 electron capture account for the dependence of the DLTS signal amplitude on filling pulse frequency. After copper doping the methods of transmission electron microscopy (TEM) revealed no precipitates between the dislocations. The intensity of radiation recombination on dislocations at 4.2 K is significantly reduced by copper doping and restored by heating the samples at temperatures above 500 °С as a result of copper diffusion from the bulk toward the dislocations. The specific features of the luminescence spectra of the heated copper−doped samples within the temperature range 200—400 °C are likely to be due to the reactions of the impurities accumulated near the dislocations on cooling the copper−doped samples.
