Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Not a member yet
466 research outputs found
Sort by
Коррозионно-электрохимическое поведение алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей) с оловом в среде электролита NaCl
Get PDFThe economic feasibility of using aluminum as a conductive material is explained by the favorable ratio of its cost to the cost of copper. In addition, one should take into account the factor that the cost of aluminum remains practically unchanged for many years. When using conductive aluminum alloys for the manufacture of thin wire, winding wire, etc. Certain difficulties may arise in connection with their insufficient strength and a small number of kinks before fracture. In recent years, aluminum alloys have been developed, which even in a soft state have strength characteristics that allow them to be used as a conductive material. One of the promising areas for the use of aluminum is the electrical industry. Conductive aluminum alloys type E-AlMgSi (aldrey) are representatives of this group of alloys and treats heat-strengthened alloys. They are distinguished by high strength and good ductility. These alloys with appropriate heat treatment acquires high electrical conductivity. The wires made from it are used almost exclusively for overhead power lines.In the work presents the results of the study of the anodic behavior of aluminum alloy E-AlMgSi (aldrey) with tin, in a medium electrolyte 0.03; 0.3 and 3.0% NaCl. A corrosion-electrochemical study of alloys was carried out using the potentiostatic method on a PI-50-1.1 potentiostat at a potential sweep rate of 2 mV/s. It is shown that alloying E-AlMgSi (aldrey) c with tin increases its corrosion resistance by 20%. The main electrochemical potentials of the alloys when doping with tin are shifted to the positive range of values, and from the concentration of sodium chloride in the negative direction of the ordinate axis.Одним из перспективных направлений использования алюминия является электротехническая промышленность. Экономическая целесообразность применения алюминия в качестве проводникового материала объясняется благоприятным соотношением его стоимости и стоимости меди. Кроме того следует учесть и тот фактор, что стоимость алюминия в течение многих лет практически не меняется.При использовании проводниковых алюминиевых сплавов для изготовления тонкой проволоки, обмоточного провода и т. д. могут возникнуть определенные сложности в связи с их недостаточной прочностью и малым числом перегибов до разрушения. В последние годы разработаны алюминиевые сплавы, которые даже в мягком состоянии обладают прочностными характеристиками, позволяющими использовать их в качестве проводникового материала. Проводниковые алюминиевые сплавы типа E-AlMgSi (алдрей) являются представителями данной группы сплавов и относится к термоупрочняемым сплавам. Они отличается высокой прочностью и хорошей пластичностью. Данные сплавы при соответствующей термической обработке приобретают высокую электропроводность. Изготовленные из них провода используются почти исключительно для воздушных линий электропередач.В работе представлены результаты исследования анодного поведения алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей) с оловом, в среде электролита 0,03, 0,3 и 3,0%-ного NaCl. Коррозионно-электрохимические исследования сплавов проведены потенциостатическим методом на потенциостате ПИ-50-1.1 при скорости развертки потенциала 2 мВ/с. Показано, что легирование сплава E-AlMgSi (алдрей) оловом повышает его коррозионную устойчивость на 20 %. Основные электрохимические потенциалы сплава E-AlMgSi (алдрей) при легировании оловом смещаются в положительную область значений, а от концентрации хлорида натрия — в отрицательном направлении оси ординат
Нелинейно-динамический подход в анализе нестабильности параметров мемристора
Get PDFA general set of ideas related to the memristors modeling is presented. The memristor is considered to be a partially ordered physical and chemical system that is within the “edge of chaos“ from the point of view of nonlinear dynamics. The logical and historical relationship of memristor physics, nonlinear dynamics, and neuromorphic systems is illustrated in the form of a scheme. We distinguish the nonlinearity into external ones, when we describe the behavior of an electrical circuit containing a memristor, and internal ones, which are caused by processes in filament region. As a simulation model, the attention is drawn to the connectionist approach, known in the theory of neural networks, but applicable to describe the evolution of the filament as the dynamics of a network of traps connected electrically and quantum-mechanically. The state of each trap is discrete, and it is called an “oscillator“. The applied meaning of the theory of coupled maps lattice is indicated. The high-density current through the filament can lead to the need to take into account both discrete processes (generation of traps) and continuous processes (inclusion of some constructions of solid body theory into the model).However, a compact model is further developed in which the state of such a network is aggregated to three phase variables: the length of the filament, its total charge, and the local temperature. Despite the apparent physical meaning, all variables have a formal character, which is usually inherent in the parameters of compact models. The model consists of one algebraic equation, two differential equations, and one integral connection equation, and is derived from the simplest Strukov’s model. Therefore, it uses the “window function” approach. It is indicated that, according to the Poincare—Bendixon theorem, this is sufficient to explain the instability of four key parameters (switching voltages and resistances ON/OFF) at a cycling of memristor. The Fourier spectra of the time series of these parameters are analyzed on a low sample of experimental data. The data are associated with the TiN/HfOx/Pt structure (0 < x < 2). A preliminary conclusion that requires further verification is the predominance of low frequencies and the stochasticity of occurrence ones.Представлен общий комплекс идей, связанных с моделированием мемристоров. Мемристор рассматривается как частично упорядоченная физико-химическая система, находящаяся, согласно нелинейной динамики, в пределах «края хаоса». Логико-историческая взаимосвязь физики мемристоров, нелинейной динамики и нейроморфных систем иллюстрируется в виде схемы. Нелинейность разделена нами на внешнюю, когда описывается поведение электрической цепи, содержащей мемристор, и внутреннюю, обусловленную процессами в объеме филамента. В рамках имитационного моделирования обращается внимание на коннекционистский подход, известный в теории нейронных сетей, но применимый для описания эволюции филамента как динамики сети ловушек, связанных электрически и квантово-механически. Состояние каждой ловушки дискретно, а сама она называется «осциллятор». Указывается на прикладное значение теории решеток связанных осцилляторов. Протекание через филамент тока большой плотности может приводить к необходимости учета и дискретных процессов (генерация ловушек), и непрерывных процессов (введение в модель элементов зонной теории твердого тела).Однако далее развивается компактная модель, в которой состояние такой сети агрегировано до трех фазовых переменных: длина филамента, его суммарный заряд и локальная температура. Несмотря на кажущийся физический смысл, все переменные имеют формальный характер, присущий обычно параметрам компактных моделей. Модель состоит из одного алгебраического уравнения, двух дифференциальных и одного уравнения интегральной связи и наследована из простейшей модели Струкова. Поэтому в ней используется подход функции окна. Указывается, что, согласно теореме Пуанкаре—Бендиксона, этого достаточно для объяснения нестабильности четырех ключевых параметров (напряжений переключения и сопротивлений) при циклировании мемристора. На небольшой выборке экспериментальных данных проанализированы Фурье-спектры временного ряда этих параметров. Данные относятся к структуре TiN/HfOx/Pt (0 < x < 2). Предварительный вывод, требующий дальнейшей проверки, заключается в преобладании низких частот и стохастичности появления частот
Применение численного моделирования в исследовании мемристивных структур на основе оксидов и халькогенидов
Get PDFModels that describe bipolar resistive switching in planar microstructures based on oxide compounds (Bi2Sr2CaCu2O8+x, Nd2-xCexCuO4-y) and bismuth selenide are considered. Metal-isolator-metal planar-type meristor heterostructures were investigated, in which the micro-size is formed by an electrode whose diameter is much smaller than the total size of the structure (it can be both Chervinsky-type microjunctions and film electric electrodes). Another important feature of these heterostructures is the presence of a surface layer several tens of nanometers thick with specific conductivity significantly reduced relative to volume. The change in the resistive properties of such heterostructures is caused by the formation or destruction of the conductive channel through the above-mentioned layer. Numerical simulation has shown that the bipolar resistive switching is significantly influenced by the electrical field distribution topology. A “critical field” model is proposed to describe experimentally observed memristor effects in investigated heterostructures. In this model it is assumed that the change in specific conductivity occurs in those parts of the surface layer where the electric field strength exceeds some critical value. The model of the “critical field” is based on the numerical calculation of the distribution of electrical potential on the distribution of specific conductivity in the structure. In addition, the model allowing to analyze the influence of electrodiffusion of oxygen ions on resistive switching in heterostructures based on Bi2Sr2CaCu2O8+x is considered. At numerical realization of the models a combination of the integro-differential approximation of the differential equations, the multi-grid approach for localization of heterogeneities of physical characteristics, the iterative decomposition method and composite adaptive meshes was used. It allowed tracking the processes under investigation with necessary accuracy. The comparison of simulation results with experimental data is presented.Рассмотрены модели, которые описывают биполярные резистивные переключения в планарных микроструктурах, созданных на основе оксидных соединений (Bi2Sr2CaCu2O8+x, Nd2-xCexCuO4-y) и селенида висмута. Исследованы мемристивные гетероструктуры металл—изолятор—металл планарого типа, в которых микроразмер формируется электродом, диаметр которого значительно меньше общего размера структуры (это могут быть и микроконтакты шарвинского типа, и пленочные электрические электроды). Другой важной особенностью этих гетероструктур является наличие поверхностного слоя толщиной несколько десятков нанометров с удельной проводимостью, значительно пониженной относительно объемной. Изменение резистивных свойств подобных гетероструктур обусловлено формированием или разрушением проводящего канала через указанный слой. Численное моделирование показало, что при этом на биполярные резистивные переключения значительное влияние оказывает топология распределения электрического поля. Предложена модель «критического поля» для описания экспериментально наблюдаемых мемристивных эффектов в исследуемых гетероструктурах. В этой модели предполагается, что изменение удельной проводимости происходит в тех частях поверхностного слоя, где напряженность электрического поля превышает некоторое критическое значение. Модель «критического поля» основана на численном расчете распределения электрического потенциала по распределению удельной проводимости в структуре. Кроме того, рассмотрена модель позволяющая проанализировать влияние электродиффузии ионов кислорода на резистивные переключения в гетероструктурах на основе Bi2Sr2CaCu2O8+x. При численной реализации моделей использовалось сочетание интегро-разностной аппроксимации дифференциальных уравнений, многосеточного подхода для локализации неоднородностей физических характеристик, итерационного метода декомпозиции и составных адаптивных сеток. Это позволило с необходимой точностью отслеживать исследуемые процессы. Приведено сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными
Коррозия алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей), легированного индием
Get PDFThe effect of impurities on the electrical resistance of aluminum is well understood. It is known that the conductivity of aluminum is 65.45 % of the conductivity of copper. The tensile strength of aluminum wires is 150—170 MPa, which, with equal conductivity, is about 65 % of the strength of a copper wire. Such strength of aluminum wires is sufficient to support its own weight and may be insufficient when overloaded with snow, ice or wind.One of the ways to increase the strength of aluminum wires is the use of aluminum alloys having increased strength with a sufficiently high conductivity. One representative of the group of such alloys is the alloy E-AlMgSi (Aldrey). The main hardener of this alloy is the Mg2Si phase, which gives aluminum high mechanical properties.The paper presents the results of a study of the kinetics of high-temperature oxidation and electrochemical corrosion of indium-doped aluminum conductor alloy E-AlMgSi (Aldrey). Using thermogravimetry, it was shown that indium additives and temperature increase the oxidizability of the E-AlMgSi alloy (Aldrey). In this case, the apparent activation energy of the oxidation of alloys decreases from 120.5 to 91.8 kJ/mol. The oxidation rate of alloys determined by the potentiostatic method in a NaCl electrolyte showed that the corrosion resistance of alloys with indium is 20—30 % higher than that of the original alloy. With increasing concentration of NaCl electrolyte in the electrochemical potentials of the alloys decrease, the corrosion rate increases regardless of their composition.Экономическая целесообразность применения алюминия в качестве проводникового материала объясняется благоприятным соотношением его стоимости и стоимости меди. Немаловажным является и то, что стоимость алюминия в течение многих лет практически не меняется.При использовании проводниковых алюминиевых сплавов для изготовления тонкой проволоки, обмоточного провода и т. д. могут возникнуть определенные сложности в связи с их недостаточной прочностью и малым числом перегибов до разрушения. В последние годы разработаны алюминиевые сплавы, которые даже в мягком состоянии обладают прочностными характеристиками, позволяющими использовать их в качестве проводникового материала.Одним из перспективных направлений использования алюминия является электротехническая промышленность. Проводниковые алюминиевые сплавы типа E-AlMgSi (алдрей) являются представителями данной группы сплавов. В работе представлены результаты исследования температурной зависимости теплоемкости, коэффициента теплоотдачи и термодинамических функций алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей) с висмутом. Исследования проведены в режиме «охлаждения».Показано, что с ростом температуры теплоемкость и термодинамические функции сплава E-AlMgSi (алдрей) с висмутом увеличиваются, а значение энергия Гиббса уменьшается. Добавки висмута до 1 % (мас.) уменьшают теплоемкость, коэффициент теплоотдачи, энтальпию и энтропию исходного сплава и увеличивают энергию Гиббса
Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы
Get PDFA model is proposed for describing the self-organization of localized charges and quantum scattering in undoped GaAs/AlGaAs structures in which a two-dimensional gas of electrons or holes is created by the corresponding gate voltage. We assume that in such a metal-dielectric-undoped semiconductor structure carrier scattering on surface charges localized at the interface between GaAs and the dielectric dominates. Proposed model considers these charges and the corresponding image charges in the metal gate as a closed system in a thermostat. The electrostatic self-organization for this system in thermodynamic equilibrium is studied numerically using the Metropolis algorithm in a wide temperature range. It is shown that, at T > 100 K, a simple formula derived from the theory of two-dimensional one-component plasma gives almost the same behavior of the structural factor at low wave numbers as the Monte Carlo calculation. The scattering times of gate-induced carriers are described by formulas in which the structural factor characterizes the frozen disorder in the given system. In these formulas, the behavior of the structural factor at small wave numbers is decisive. A calculation using these formulas with disorder corresponding to infinite T gives two to three times shorter scattering times than in the corresponding experiments. We found that the theory is consistent with experiment at a freezing point of disorder T ≈ 1000 K for a sample with a two-dimensional electron gas and T ≈ 700 K for a sample with a two-dimensional hole gas. The found values are an upper estimate of the freezing temperature in the studied structures, since the model ignores sources of disorder other than temperature.Предложена простая модель для описания самоорганизации локализованных зарядов и квантового рассеяния в нелегированных структурах GaAs/AlGaAs, в которых двумерный газ электронов, либо дырок создается соответствующим напряжением на затворе. Предполагается, что в такой структуре металл—диэлектрик—нелегированный полупроводник доминирует рассеяние носителей на локализованных поверхностных зарядах, которые могут находиться в любой точке плоскости, имитирующей интерфейс между GaAs и диэлектриком. Предложенная модель рассматривает эти поверхностные заряды и соответствующие заряды изображения в металлическом затворе как замкнутую систему в термостате. Электростатическая самоорганизация для данной системы в состояниях термодинамического равновесия исследована численно с помощью алгоритма Метрополиса в широком диапазоне температур. Показано, что при T > 100 К простая формула, выведенная из теории двумерной однокомпонентной плазмы дает почти такое же поведение структурного фактора при малых волновых числах, как алгоритм Метрополиса. Времена рассеяния затворно-индуцированных носителей описываются формулами, в которых структурный фактор характеризует замороженный беспорядок в данной системе. В этих формулах определяющим является поведение структурного фактора при малых волновых числах. Расчет по этим формулам при беспорядке, отвечающем бесконечной T, дал в два-три раза меньшие времена рассеяния, чем в соответствующих экспериментах. Мы нашли, что теория согласуется с экспериментом при температуре замерзания беспорядка T ≈ 1000 К в случае образца с двумерным электронным газом и T ≈ 700 К для образца с двумерным дырочным газом. Найденные величины являются оценкой сверху температуры замерзания в изучаемых структурах, поскольку модель игнорирует другие источники беспорядка кроме температуры
Особенности механизма люминесценции и эффективного запасания энергии в монокристаллах Lu2SiO5:Ce3+
Get PDFThe development of high energy physics and medicine has raised the necessity of heavy stintillating materials with a large total gamma quantum absorption cross-section, high quantum output and fast response. Cerium doped lutetium silicate Lu2SiO5 : Ce3+ (LSO) has high density, large effective atomic number and high conversion efficiency. In this work we have reported optical absorption spectroscopy and photoluminescence data for LSO single crystals grown using the modified Musatov method. The absorption spectra show the fundamental intrinsic absorption edge of Lu2SiO5 at ~200 nm and four extrinsic absorption bands of Ce3+ activator near 250—375 nm. The band gap is 6.19 to 6.29 eV depending on optical beam direction. We have confirmed that the extrinsic absorption bands correspond to optical transitions in Ce3+ activator ions localized in two crystallographically non-equivalent CeI and CeII positions. We have estimated that oscillator force for the optical transitions in Ce3+ ions. The photoluminescence spectra excited by 3.49 eV photon energy UV laser contain three bands: ~2.96 eV, ~3.13 eV (CeI) and ~2.70 eV (CeII). The energy structure of electron traps in LSO has been studied with thermally stimulated luminescence, the crystals being exposed to UV with different spectral and energy parameters. All the experimental thermally stimulated luminescence curves contain at least two peaks at 345 and 400 K with a 4 : 1 intensity ratio attributable to electron traps at 0.92—0.96 and1.12—1.18 eV. LSO exposure to high pressure mercury lamp radiation having the highest energy has for the first time showed the presence of traps at 0.88 eV. A model of the energy structure of LSO has been developed. The luminescence mechanism in the material is more complex than purely intracenter one. We show that high excitation energies may lead to ionization by the mechanism hva + Ce3+ = Ce4+ + e-. We have assumed that the storage of excitation energy involves not only Ce3+ activator but also the conduction band as well as trap states localized near the conduction band.Приведены результаты спектроскопии оптического поглощения и фотолюминесценции монокристаллов Lu2SiO5:Ce3+(LSO), полученных модифицированным методом Мусатова. Спектры поглощения демонстрируют фундаментальный край собственного поглощения матрицы Lu2SiO5 около 200 нм и четыре примесные полосы активатора Ce3+ в диапазоне 250÷375 нм. Ширина запрещенной зоны, рассчитанная по положению края поглощения, составила от 6,19 до 6,29 эВ, в зависимости от направления оптического луча. Подтверждено, что примесные полосы поглощения соответствуют оптическим переходам в ионах активатора Ce3+, расположенных в двух кристаллографически неэквивалентных позициях CeI (при 3.47, 4.2 и 4.7 эВ) и CeII (при 3.74 эВ), изученных ранее. Из параметров полос поглощения оценены силы осциллятора для оптических переходов в ионе Ce3+. Спектры фотолюминесценции, возбуждаемой УФ лазерными импульсами с энергиями фотона 3.49 эВ, характеризуются тремя полосами: ~2.96, ~3.13 эВ (CeI) и ~2,70 эВ (CeII). Методом термостимулированной люминесценции исследована энергетическая структура электронных ловушек в LSO, при экспозиции кристаллов УФ источниками с различными спектральными и энергетическими характеристиками. Показано, что все полученные кривые термостимулированной люминесценции характеризуются по меньшей мере двумя максимумами при 345 и 400 К, с соотношением интенсивности 4:1, за которые ответственны электронные ловушки с глубинами 0,92÷0,96 и 1,12÷1,18 эВ. При экспозиции LSO наиболее мощным из задействованных в экспериментах излучением ртутной лампы высокого давления были впервые обнаружены ловушки, характеризующиеся глубиной 0.88 эВ. На основе полученных в работе данных об излучательных и безызлучательных переходах построена модель энергетической структуры LSO. Установлено, что механизм люминесценции в исследуемом материале, является более сложным, чем было ранее описано в литературе, не являясь исключительно внутрицентровым. Показано что при значительных энергиях возбуждения может происходить ионизация hva+ Ce3+ = Ce4+ + e-. Сделано предположение, что в процессах запасания энергии возбуждения участвует не только активатор Ce, но и зона проводимости, равно как и ловушечные состояния, локализованные вблизи нее
Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ
Get PDFThe effect of passivating ALD Al2O3, SiNx and SiON coatings of different thicknesses on the change in the charge and density of states of AlGaN/GaN heterostructures are studied. The electrophysical parameters of the structures were evaluated using C-V characteristics measured at different frequencies and I-V characteristics. Based on the considered zone diagrams of structures with different control voltages and the evaluation of the elemental composition of the films by Auger spectroscopy, it was shown that the cause of the formation of a large positive charge upon deposition of ALD Al2O3 and SiNx films is the appearance of an additional piezoelectric charge in the AlGaN buffer layer. It is shown that the use of SiON films with an oxygen concentration of more than 3% does not lead to the formation of an additional positive charge, but can cause current fluctuations when measuring I-V characteristics. A possible mechanism of carrier transport in the SCR region, leading to such fluctuations, is considered.В полевых транзисторах на основе широкозонных нитридных гетероструктур широко используются диэлектрические слои в качестве как одного из основных элементов в активных областях приборов, так и пассивирующих слоев. К диэлектрикам предъявляются жесткие требования по высокой диэлектрической проницаемости, большой ширине запрещенной зоны, сплошности покрытия. Кроме того, пленки должны выдерживать высокие электрические поля и иметь низкую плотность поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник. Для этих целей в качестве эффективных покрытий обычно используются низкотемпературные пленки, выращенные с помощью плазмохимического осаждения из газовой фазы, атомно-слоевого осаждения (ALD) и плазменно-стимулированного осаждения. Для гетероструктур AlGaN/GaN наиболее перспективными и чаще всего используемые являются пленки ALD Al2О3, SiNх (Si3N4), SiON, ALD AlN.Исследовано влияние пассивирующих покрытий ALD Al2O3, SiNx и SiON разной толщины на изменение заряда и плотности состояний гетероструктур AlGaN/GaN. Электрофизические параметры структур оценивались с помощью C—V-характеристик, измеренных на разных частотах, и I—V-характеристик. На основании рассмотренных зонных диаграмм структур при разном управляющем напряжении и оценки элементного состава пленок методом Оже-спектроскопии показано, что причиной образования большого положительного заряда при нанесении пленок ALD Al2O3 и SiNx является возникновение дополнительного пьезоэлектрического заряда в буферном слое AlGaN. Показано, что использование пленок SiON с концентрацией кислорода в них более 3 % не приводит к формированию дополнительного положительного заряда, но может вызывать флуктуации тока при измерении I—V-характеристик. Рассмотрен возможный механизм транспорта носителей в области пространственного заряда, приводящий к таким флуктуациям
Влияние добавок висмута на теплофизические и термодинамические свойства алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей)
Get PDFThe economic feasibility of using aluminum as a conductive material is explained by the favorable ratio of its cost to the cost of copper. It is also important that the cost of aluminum for many years remains virtually unchanged.When using conductive aluminum alloys for the manufacture of thin wire, winding wire, etc. Certain difficulties may arise in connection with their insufficient strength and a small number of kinks before fracture. In recent years, aluminum alloys have been developed, which even in a soft state have strength characteristics that allow them to be used as a conductive material.One of the promising areas for the use of aluminum is the electrical industry. Conducting aluminum alloys of the E-AlMgSi type (Aldrey) are representatives of this group of alloys. The paper presents the results of a study of the temperature dependence of heat capacity, heat transfer coefficient, and thermodynamic functions of an aluminum alloy E-AlMgSi (Aldrey) with bismuth. Research conducted in the "cooling" mode.It was shown that the temperature capacity and the thermodynamic functions of the alloy E-AlMgSi (Aldrey) with bismuth increase with temperature, and the Gibbs energy decreases. Additives of bismuth up to 1 wt.% Reduce heat capacity, heat transfer coefficient, enthalpy and entropy of the initial alloy and increase the value of Gibbs energy.Экономическая целесообразность применения алюминия в качестве проводникового материала объясняется благоприятным соотношением его стоимости и стоимости меди. Немаловажным является и то, что стоимость алюминия в течение многих лет практически не меняется.При использовании проводниковых алюминиевых сплавов для изготовления тонкой проволоки, обмоточного провода и т.д. могут возникнуть определённые сложности в связи с их недостаточной прочностью и малым числом перегибов до разрушения. В последние годы разработаны алюминиевые сплавы, которые даже в мягком состоянии обладают прочностными характеристиками, позволяющими использовать их в качестве проводникового материала.Одним из перспективных направлений использования алюминия является электротехническая промышленность. Проводниковые алюминиевые сплавы типа E-AlMgSi (алдрей) являются представителями данной группы сплавов. В работе представлены результаты исследования температурной зависимости теплоемкости, коэффициента теплоотдачи и термодинамических функции алюминиевого сплава E-AlMgSi (алдрей) с висмутом. Исследования проведены в режиме «охлаждения».Показано, что от температуры теплоемкость и изменений термодинамический функции сплава E-AlMgSi (“алдрей”) с висмутом увеличиваются, а значение энергия Гиббса уменьшается. Добавки висмута до 1мас.% уменьшают теплоемкость, коэффициент теплоотдачи, энтальпию и энтропию исходного сплава и увеличивают величину энергии Гиббса
Диэлектрические свойства керамического полимерного композитного материала CaCu3Ti4O12:поливинилхлорид при различных температурах и частотах
No full textВ данной работе предпринята попытка получения полимер-керамического композитного материала с относительно высокой величиной диэлектрической постоянной путем встраивания материала с гигантской величиной диэлектрической постоянной – титаната кальция-меди (ССТО) – в полимерную матрицу ПВХ. Были получены композиты на основе керамики CaCu3Ti4O12 (CCTO) и поливинилхлорида (ПВХ) в различных объемных соотношениях, а также чистый ССТО. ССТО получали по стандартной оксидной технологии (методика твердотельной реакции). Структурные, микроструктурные и диэлектрические свойства композитов исследовали методами рентгеновской дифрактометрии, сканирующей электронной микроскопии и импедансной спектроскопии. Исследование диэлектрической постоянной и диэлектрических потерь чистого ССТО и композитных материалов показало, что диэлектрические постоянные и величины диэлектрических потерь исследованных композитов находятся в достаточно широком диапазоне. В исследованном диапазоне температур образец чистого ССТО обладает гигантской величиной диэлектрической постоянной на низких частотах. С увеличением частоты диэлектрическая постоянная резко возрастает и достигает постоянной величины на частоте 1 МГц. При температурах выше средних диэлектрическая постоянная и величина диэлектрических потерь чистого ССТО зависят от частоты более сильно, чем соответствующие параметры композитных материалов