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ATTITUDE TREND ON THE USE OF NUCLEAR ENERGY OF MEMBERS OF THE ATOMIC ENERGY SOCIETY OF JAPAN
No full textエネルギーと原子力に関する意識の経年変化を把握することを日的として,継続的に実施されている意識調査結果を川いて,福島第一原子力発電所の事故前後3年間における原子力学会員の意識の動向を分析した.福島事故前,原子力学会員は原子力利用に対して肯定し,意識の変化はほとんどなかった.同時に,原子力施設の事故の危険性に対する感受性は弱いと言わざるを得ない状況であった.福島事故後,原子力学会員の中に原子力利用に対して否定的な意識も生じた.そして,福島事故から数年を経た時点において,原子力利用に対する肯定・否定度に特徴的な変動が見られた.https://www.jstage.jst.go.jp/article/sociotechnica/12/0/12_85/_article/-char/ja
Thick (~1 mm) p-type In x Ga 1–x N(x ~ 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570 8C)
No full textThis paper reports the post-growth annealing effects of low-
temperature grown Mg-doped InGaN. By using MOVPE,
1 mm-thick Mg-doped In x Ga 1–x N (x ~ 0.36) flms are grown at
570 8C. In order to activate the Mg acceptors, grown samples
are treated by the conventional furnace annealing (FA) or the
rapid thermal annealing (RTA). In the case of the FA at 650 8C
for 20 min, the InGaN flm is phase-separated. On the other
hand, the RTA at a temperature higher than 700 8C enables us
to get p-type samples. By using the RTA at 850 for 20 s, p-type
samples with a hole concentration 10 18 –10 19 cm -3 are
successfully obtained without phase separation
Low-Loss and High-Voltage III-Nitride Transistors for Power Switching Applications
No full textThis paper describes recent technological advances on III-nitride-based transistors for power switching applications.
Focuses are placed on the progress toward enhancing the breakdown voltage, lowering the ON -resistance, suppressing current collapse, and reducing the leakage current in AlGaN/GaN
high-electron mobility transistors (HEMTs). Recent publications revealed that the tradeoff relation between ON -resistance and
breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs exceeded the SiC limit and was getting close to the GaN limit; however, the breakdown voltage achieved was still lower than the theoretical
impact ionization limit. A novel process featuring strain-controlled annealing with a metal stack, including Al gave rise to significant reduction in the sheet resistance in AlGaN/GaN heterostructures, suggesting the possibility of dramatic reduction in ON -resistance of GaN-based power devices. Some of the interesting approaches to suppress current collapse indicated that surface trapping effects must be controlled by the
optimization of surface processing as well as by the reduction of bulk traps in the epitaxial layers. Close correlation between
the local gate leakage current and point defects exposed on the free-standing GaN substrate demonstrated that further reduction
of defects on bulk GaN substrates is truly required as future challenges
インタラクティブな力覚的操作を行う倒立二輪型ロボットによる意図認識学習とサポート制御
No full text近年，力覚的な相互作用を通した人間とロボットの協調動作の研究が多く行われている．その中でも人間の移動や重量物搬送をサポートする倒立二輪型ロボットが提案されており，当研究室でもユーザの意図に応じて制御パラメータを変更するスーツケース型倒立二輪型ロボットの研究を進めてきた．ユーザが力覚的にこのロボットを操作することによって，ロボットがユーザの意図を認識し，認識した意図に応じて制御パラメータを変更し，搬送作業をサポートする．しかし，ロボットの操作方法はユーザによって異なるため，各ユーザの嗜好に合わせ，意図認識パラメータや制御パラメータを学習させる必要がある．また，先行研究では，ユーザがスーツケースを運ぶときの操作動作の数は設計者の直感で決定していたが，意図認識システム上で認識させるべき操作動作の数は一般的に明確でない．本報告では，ユーザがスーツケース型倒立二輪型ロボットを操作した際に取得したセンサの時系列データをクラスタリングし，提案する意図認識システム上で妥当な操作動作数を検証する．また，ロボットにユーザの意図認識パラメータとそれに対応した制御パラメータを学習させる手法を提案し，実ロボットによる実験を通してその有効性を評価する