1,720,958 research outputs found
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Get PDFThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Get PDF“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Get PDFWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Get PDFWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
Épitaxie de III-V par RP-CVD : de la croissance de couches minces aux dispositifs de cellules solaires
No full textSolar cells based on III-V materials have reached the highest efficiency of any technology available today, i.e. up to 47% under concentration. However, their production cost is approximately a hundred times higher than that of c-Si solar cell, the technology that dominates the market (95% in 2023) but currently cap at around 26.8% of efficiency. Reducing the cost of III-V semiconductors would represent a major advancement towards increasing the share of solar energy in the energy mix. Specifically, combining III-V with low-cost silicon in tandem configuration would maximize energy conversion from the solar spectrum. The high price of this technology is mainly due to the III-V solar cell processing, the III-V substrate and the III-V epitaxy. This PhD thesis specifically addresses this third challenge. To this end, we have developed a new approach for the epitaxial growth of III-V materials by using a Remote Plasma Chemical Vapor Deposition (RP-CVD) reactor. The addition of a plasma in the reactor proves advantageous, as it allows (i) low pressure growth (~1 mbar vs. ~500 mbar for CVD) which contribute to a reduction of frequently toxic and expensive gases consumption, (ii) effective precursor dissociation leading to reduced growth temperature, and (iii) effective in-situ surface treatments, reducing the number and complexity of processing steps. We have developed and optimized this innovative reactor, entirely built in the laboratory (LPICM, Ecole Polytechnique), for the growth of III-V materials, namely gallium nitride (GaN) and then gallium arsenide (GaAs). For GaN, we have achieved epitaxial growth on sapphire and highly (0002) oriented growth on c-Si at a low temperature of 500°C. We have proposed an innovative solution for the direct growth of GaN on c-Si and addressed the challenges associated with using standard techniques to analyze the composition of materials produced through non-conventional processes. For GaAs, we have obtained high-quality homoepitaxial growth at 400°C and 3 µm/h, optimized doping, and developed proof-of-concept solar cells. Our work also tackles the issue of substrate cost by achieving heteroepitaxial growth on virtual substrates, all at low pressure (~ 0.5 mbar), proposing a set of viable solutions for producing high-efficiency, low-cost solar cells.Les cellules solaires composées de semi-conducteurs III-V ont atteint le rendement le plus élevé parmi toutes les technologies actuellement disponibles, affichant une efficacité dépassant les 47% sous concentration. Cependant, leur coût de production est environ cent fois supérieur à celui des cellules solaires en silicium, la technologie qui domine le marché (95% en 2023) mais qui plafonne aujourd’hui à un rendement photovoltaïque d’environ 26.8%. Réduire le coût des semi-conducteurs III-V représenterait une avancée majeure vers l’accroissement de la part du solaire dans le mix énergétique. En particulier, combiner les III-V avec le silicium bas coût, en configuration « tandem », permettrait de convertir un maximum d’énergie du spectre solaire. Le prix élevé de cette technologie s’explique notamment par le coût afférent au process de fabrication des cellules solaires III-V, au substrat III-V et à l’épitaxie de III-V. Les travaux de cette thèse s’attaquent spécifiquement à troisième ce défi. À cette fin, nous avons développé une nouvelle approche pour la croissance épitaxiale de matériaux III-V en utilisant un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur par plasma déporté (RP-CVD). L'ajout d'un plasma dans le réacteur s'avère très avantageux, car il permet (i) une croissance à basse pression (~1 mbar contre ~500 mbar pour la CVD4) qui contribue à une réduction de la consommation de gaz souvent toxiques et coûteux, (ii) une dissociation efficace des précurseurs conduisant à une réduction de la température de croissance, et (iii) des traitements de surface in situ efficaces, réduisant le nombre et la complexité des étapes de procédés. Nous avons développé et optimisé ce réacteur, entièrement construit dans le laboratoire (LPICM, Ecole polytechnique), pour la croissance de matériaux III-V, à savoir le nitrure de gallium (GaN) puis l’arséniure de gallium (GaAs). Pour le GaN, nous avons réalisé une croissance épitaxiale sur saphir et une croissance fortement orientée selon (0002) sur le c-Si à une basse température de 500°C. Nous avons proposé une solution innovante pour la croissance directe de GaN sur c-Si et relevé les défis associés à l'utilisation de techniques standard pour analyser la composition de matériaux produits par des procédés non conventionnels. Pour le GaAs, nous avons obtenu une croissance homoépitaxiale de haute qualité à 400°C et 3 µm/h, optimisé le dopage et développé des cellules solaires de démonstration. Nos travaux abordent également la question du coût des substrats grâce à la réalisation d’une croissance hétéroépitaxiale sur des substrats virtuels, le tout à basse pression, proposant un ensemble de solutions viables pour produire des cellules solaires à haut rendement et à faible coût
koamabayili/VECTRON-author-checklist: VECTRON author checklist
No full textWe have done our best to complete the author checklist relating to the use of animals in the hut study. Note that the objective for the hut study was to evaluate the IRS treatment applications for residual efficacy against Anopheles mosquitoes, including the local An. coluzzii mosquito population. Cows were only used to attract mosquitoes into the huts and no tests were carried out directly on the cows. The author checklist is intended for use with studies where experiments are carried out on animals, which is why we have had such difficulty in completing this for the hut study, as many of the questions do not relate to how the cows were used
Épitaxie de III-V par RP-CVD : de la croissance de couches minces aux dispositifs de cellules solaires
No full textSolar cells based on III-V materials have reached the highest efficiency of any technology available today, i.e. up to 47% under concentration. However, their production cost is approximately a hundred times higher than that of c-Si solar cell, the technology that dominates the market (95% in 2023) but currently cap at around 26.8% of efficiency. Reducing the cost of III-V semiconductors would represent a major advancement towards increasing the share of solar energy in the energy mix. Specifically, combining III-V with low-cost silicon in tandem configuration would maximize energy conversion from the solar spectrum. The high price of this technology is mainly due to the III-V solar cell processing, the III-V substrate and the III-V epitaxy. This PhD thesis specifically addresses this third challenge. To this end, we have developed a new approach for the epitaxial growth of III-V materials by using a Remote Plasma Chemical Vapor Deposition (RP-CVD) reactor. The addition of a plasma in the reactor proves advantageous, as it allows (i) low pressure growth (~1 mbar vs. ~500 mbar for CVD) which contribute to a reduction of frequently toxic and expensive gases consumption, (ii) effective precursor dissociation leading to reduced growth temperature, and (iii) effective in-situ surface treatments, reducing the number and complexity of processing steps. We have developed and optimized this innovative reactor, entirely built in the laboratory (LPICM, Ecole Polytechnique), for the growth of III-V materials, namely gallium nitride (GaN) and then gallium arsenide (GaAs). For GaN, we have achieved epitaxial growth on sapphire and highly (0002) oriented growth on c-Si at a low temperature of 500°C. We have proposed an innovative solution for the direct growth of GaN on c-Si and addressed the challenges associated with using standard techniques to analyze the composition of materials produced through non-conventional processes. For GaAs, we have obtained high-quality homoepitaxial growth at 400°C and 3 µm/h, optimized doping, and developed proof-of-concept solar cells. Our work also tackles the issue of substrate cost by achieving heteroepitaxial growth on virtual substrates, all at low pressure (~ 0.5 mbar), proposing a set of viable solutions for producing high-efficiency, low-cost solar cells.Les cellules solaires composées de semi-conducteurs III-V ont atteint le rendement le plus élevé parmi toutes les technologies actuellement disponibles, affichant une efficacité dépassant les 47% sous concentration. Cependant, leur coût de production est environ cent fois supérieur à celui des cellules solaires en silicium, la technologie qui domine le marché (95% en 2023) mais qui plafonne aujourd’hui à un rendement photovoltaïque d’environ 26.8%. Réduire le coût des semi-conducteurs III-V représenterait une avancée majeure vers l’accroissement de la part du solaire dans le mix énergétique. En particulier, combiner les III-V avec le silicium bas coût, en configuration « tandem », permettrait de convertir un maximum d’énergie du spectre solaire. Le prix élevé de cette technologie s’explique notamment par le coût afférent au process de fabrication des cellules solaires III-V, au substrat III-V et à l’épitaxie de III-V. Les travaux de cette thèse s’attaquent spécifiquement à troisième ce défi. À cette fin, nous avons développé une nouvelle approche pour la croissance épitaxiale de matériaux III-V en utilisant un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur par plasma déporté (RP-CVD). L'ajout d'un plasma dans le réacteur s'avère très avantageux, car il permet (i) une croissance à basse pression (~1 mbar contre ~500 mbar pour la CVD4) qui contribue à une réduction de la consommation de gaz souvent toxiques et coûteux, (ii) une dissociation efficace des précurseurs conduisant à une réduction de la température de croissance, et (iii) des traitements de surface in situ efficaces, réduisant le nombre et la complexité des étapes de procédés. Nous avons développé et optimisé ce réacteur, entièrement construit dans le laboratoire (LPICM, Ecole polytechnique), pour la croissance de matériaux III-V, à savoir le nitrure de gallium (GaN) puis l’arséniure de gallium (GaAs). Pour le GaN, nous avons réalisé une croissance épitaxiale sur saphir et une croissance fortement orientée selon (0002) sur le c-Si à une basse température de 500°C. Nous avons proposé une solution innovante pour la croissance directe de GaN sur c-Si et relevé les défis associés à l'utilisation de techniques standard pour analyser la composition de matériaux produits par des procédés non conventionnels. Pour le GaAs, nous avons obtenu une croissance homoépitaxiale de haute qualité à 400°C et 3 µm/h, optimisé le dopage et développé des cellules solaires de démonstration. Nos travaux abordent également la question du coût des substrats grâce à la réalisation d’une croissance hétéroépitaxiale sur des substrats virtuels, le tout à basse pression, proposant un ensemble de solutions viables pour produire des cellules solaires à haut rendement et à faible coût
Épitaxie de III-V par RP-CVD : de la croissance de couches minces aux dispositifs de cellules solaires
No full textSolar cells based on III-V materials have reached the highest efficiency of any technology available today, i.e. up to 47% under concentration. However, their production cost is approximately a hundred times higher than that of c-Si solar cell, the technology that dominates the market (95% in 2023) but currently cap at around 26.8% of efficiency. Reducing the cost of III-V semiconductors would represent a major advancement towards increasing the share of solar energy in the energy mix. Specifically, combining III-V with low-cost silicon in tandem configuration would maximize energy conversion from the solar spectrum. The high price of this technology is mainly due to the III-V solar cell processing, the III-V substrate and the III-V epitaxy. This PhD thesis specifically addresses this third challenge. To this end, we have developed a new approach for the epitaxial growth of III-V materials by using a Remote Plasma Chemical Vapor Deposition (RP-CVD) reactor. The addition of a plasma in the reactor proves advantageous, as it allows (i) low pressure growth (~1 mbar vs. ~500 mbar for CVD) which contribute to a reduction of frequently toxic and expensive gases consumption, (ii) effective precursor dissociation leading to reduced growth temperature, and (iii) effective in-situ surface treatments, reducing the number and complexity of processing steps. We have developed and optimized this innovative reactor, entirely built in the laboratory (LPICM, Ecole Polytechnique), for the growth of III-V materials, namely gallium nitride (GaN) and then gallium arsenide (GaAs). For GaN, we have achieved epitaxial growth on sapphire and highly (0002) oriented growth on c-Si at a low temperature of 500°C. We have proposed an innovative solution for the direct growth of GaN on c-Si and addressed the challenges associated with using standard techniques to analyze the composition of materials produced through non-conventional processes. For GaAs, we have obtained high-quality homoepitaxial growth at 400°C and 3 µm/h, optimized doping, and developed proof-of-concept solar cells. Our work also tackles the issue of substrate cost by achieving heteroepitaxial growth on virtual substrates, all at low pressure (~ 0.5 mbar), proposing a set of viable solutions for producing high-efficiency, low-cost solar cells.Les cellules solaires composées de semi-conducteurs III-V ont atteint le rendement le plus élevé parmi toutes les technologies actuellement disponibles, affichant une efficacité dépassant les 47% sous concentration. Cependant, leur coût de production est environ cent fois supérieur à celui des cellules solaires en silicium, la technologie qui domine le marché (95% en 2023) mais qui plafonne aujourd’hui à un rendement photovoltaïque d’environ 26.8%. Réduire le coût des semi-conducteurs III-V représenterait une avancée majeure vers l’accroissement de la part du solaire dans le mix énergétique. En particulier, combiner les III-V avec le silicium bas coût, en configuration « tandem », permettrait de convertir un maximum d’énergie du spectre solaire. Le prix élevé de cette technologie s’explique notamment par le coût afférent au process de fabrication des cellules solaires III-V, au substrat III-V et à l’épitaxie de III-V. Les travaux de cette thèse s’attaquent spécifiquement à troisième ce défi. À cette fin, nous avons développé une nouvelle approche pour la croissance épitaxiale de matériaux III-V en utilisant un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur par plasma déporté (RP-CVD). L'ajout d'un plasma dans le réacteur s'avère très avantageux, car il permet (i) une croissance à basse pression (~1 mbar contre ~500 mbar pour la CVD4) qui contribue à une réduction de la consommation de gaz souvent toxiques et coûteux, (ii) une dissociation efficace des précurseurs conduisant à une réduction de la température de croissance, et (iii) des traitements de surface in situ efficaces, réduisant le nombre et la complexité des étapes de procédés. Nous avons développé et optimisé ce réacteur, entièrement construit dans le laboratoire (LPICM, Ecole polytechnique), pour la croissance de matériaux III-V, à savoir le nitrure de gallium (GaN) puis l’arséniure de gallium (GaAs). Pour le GaN, nous avons réalisé une croissance épitaxiale sur saphir et une croissance fortement orientée selon (0002) sur le c-Si à une basse température de 500°C. Nous avons proposé une solution innovante pour la croissance directe de GaN sur c-Si et relevé les défis associés à l'utilisation de techniques standard pour analyser la composition de matériaux produits par des procédés non conventionnels. Pour le GaAs, nous avons obtenu une croissance homoépitaxiale de haute qualité à 400°C et 3 µm/h, optimisé le dopage et développé des cellules solaires de démonstration. Nos travaux abordent également la question du coût des substrats grâce à la réalisation d’une croissance hétéroépitaxiale sur des substrats virtuels, le tout à basse pression, proposant un ensemble de solutions viables pour produire des cellules solaires à haut rendement et à faible coût
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