29 research outputs found
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
No full textIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
No full textIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices.
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
No full textIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
No full textIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
No full textIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
No full textIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices
Spin communication over 30 µm long channels of chemical vapor deposited graphene on SiO2
No full textWe demonstrate a high-yield fabrication of non-local spin valve devices with room-temperature spin lifetimes of up to 3 ns and spin relaxation lengths as long as 9 µm in platinum-based chemical vapor deposition (Pt-CVD) synthesized single-layer graphene on SiO2/Si substrates. The spin-lifetime systematically presents a marked minimum at the charge neutrality point, as typically observed in pristine exfoliated graphene. However, by studying the carrier density dependence beyond n ~ 5 × 1012 cm−2, via electrostatic gating, it is found that the spin lifetime reaches a maximum and then starts decreasing, a behavior that is reminiscent of that predicted when the spin-relaxation is driven by spin–orbit interaction. The spin lifetimes and relaxation lengths compare well with state-of-the-art results using exfoliated graphene on SiO2/Si, being a factor two-to-three larger than the best values reported at room temperature using the same substrate. As a result, the spin signal can be readily measured across 30 µm long graphene channels. These observations indicate that Pt-CVD graphene is a promising material for large-scale spin-based logic-in-memory applications.This research was partially supported by the European Union’s Horizon 2020 research and innovation programme, Graphene Flagship CORE 2, under grant agreement No. 785219, by the Spanish Ministry of Economy and Competitiveness, MINECO (under Contracts No. MAT2013-46785-P, No. MAT2016-75952-R, No. MAT2015-68307-P and Severo Ochoa No.
SEV- 2017-0706), and by the CERCA Programme and the Secretariat for Universities and Research, Knowledge Department of the Generalitat de Catalunya, 2017 SGR 827. ZMG acknowledges support from MINECO FPI fellowship under Contract No. BES-2014-069925
and MT from the European Union’s Horizon 2020 research and innovation programme under the Marie Sklodoswa-Curie grant agreement Nº 665919.Peer reviewe
Spin transport in metal and oxide devices at the nanoscale
No full textHere we discuss a non-destructive technique that characterizes spin and charge transport at the nanometer scale, across buried layers and interfaces, in magnetic memory elements as used in spin transfer torque based Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM). While probing in the current-perpendicular-to-plane direction, this method enables quantification of essential spin transport parameters as length and time scale, spin polarization in buried layers and interfaces, visualization of domain wall evolution across buried interfaces, besides investigating the homogeneity of transport, at the nanoscale, in spintronics devices.
Spin transport in metal and oxide devices at the nanoscale
No full textHere we discuss a non-destructive technique that characterizes spin and charge transport at the nanometer scale, across buried layers and interfaces, in magnetic memory elements as used in spin transfer torque based Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM). While probing in the current-perpendicular-to-plane direction, this method enables quantification of essential spin transport parameters as length and time scale, spin polarization in buried layers and interfaces, visualization of domain wall evolution across buried interfaces, besides investigating the homogeneity of transport, at the nanoscale, in spintronics devices
Spin transport in metal and oxide devices at the nanoscale
No full textHere we discuss a non-destructive technique that characterizes spin and charge transport at the nanometer scale, across buried layers and interfaces, in magnetic memory elements as used in spin transfer torque based Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM). While probing in the current-perpendicular-to-plane direction, this method enables quantification of essential spin transport parameters as length and time scale, spin polarization in buried layers and interfaces, visualization of domain wall evolution across buried interfaces, besides investigating the homogeneity of transport, at the nanoscale, in spintronics devices
