1,658 research outputs found
Research data supporting "Frequency-resolved photon correlations in cavity optomechanics"
No full textWe include the dataset corresponding to the figures of the paper "Frequency-resolved photon correlations in cavity optomechanics" by Mikolaj K. Schmidt, Ruben Esteban, Geza Giedke, Javier Aizpurua, and Alejandro González-Tudela, published in the journal Quantum Science and Technology with DOI: 10.1088/2058-9565/abe569. The set includes data to generate: spectra, frequency maps, and linear plots in the paper.Discovery Project No. DP160101691 from Australian Research Council, CSIC Research Platform on Quantum Technologies PTI-001, Project No. PGC2018-094792-B-100, and project PID2019-107432GB-I00 from the Spanish Ministry of Science and Innovation, Project No. H2020-FET Open ‘THOR’ Nr. 829067 from the European Commission, and Grant No. IT1164-19 from the Basque Government.Peer reviewe
Light-intensity dependence of the steady-state photoconductivity used to estimate the density of states in the gap of intrinsic semiconductors
No full textWe present a method to obtain the density of states of photoconductive semiconductors based on the light-intensity dependence of the steadystate photoconductivity. A simple expression—relating the density of states at the electron quasi-Fermi level to measurable quantities—is deduced by performing suitable approximations from the analytical solution of the generalized equations that describe the photoconductivity of semiconductors. The validity of the approximations and the applicability of the final expression are verified from numerical simulations of the process. The usefulness of the method is demonstrated by performing measurements on a standard hydrogenated amorphous silicon sample.Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaFil: Longeaud, C.. Universite Paris VI et XI; FranciaFil: Kleider, J.. Universite Paris VI et XI; Franci
Analysis of the steady-state photocarrier grating method for the determination of the density of states in semiconductors
No full textIIn this paper we present a complete theoretical analysis of the steady-state photocarrier grating (SSPG) method, starting from the generalized equations that describe charge transport and recombination under grating conditions. The analytical solution of these equations and the application of simplifying assumptions leads to a very simple formula relating the density of states sDOSd at the quasi-Fermi level for trapped electrons to the SSPG signal at large grating periods. By means of numerical calculations reproducing the experimental SSPG curves we test our method for DOS determination. We examine previous theoretical descriptions of the SSPG experiment, illustrating the case when measurements are performed at different illumination intensities. We propose a procedure to estimate the minority-carriers mobility-lifetime product from SSPG curves, introducing a correction to the commonly applied formula. We illustrate the usefulness of our technique for determining the DOS in the gap of intrinsic semiconductors, and we underline its limitations when applied to hydrogenated amorphous silicon. We propose an experimental procedure that improves the accuracy of the SSPG-DOS reconstruction. Finally, we test experimentally this new method by comparing the DOS obtained from SSPG and modulated photocurrent measurements performed on the same samples. The experimental DOS obtained from both methods are in very good agreement.Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaFil: Longeaud, C.. Universités Paris VI et XI; Franci
Evaluation of the minority carriers diffusion length from the photocarrier grating method
No full textEn este trabajo se presentan resultados, obtenidos tanto experimentalmente como a partir de simulaciones numéricas, sobre la dependencia de la longitud de difusión de portadores minoritarios (Ldif) con la temperatura y el campo eléctrico aplicado. Para ello se utiliza el método de la red fotogenerada de estado estacionario, SSPG. Se comparan los resultados experimentales con los simulados, y se analiza la exactitud de una fórmula propuesta con anterioridad para extraer el valor de Ldif a partir del experimento de SSPG.In this work we present results as obtained both, experimentally and from numerical simulations, for the dependency of the minority carrier diffusion length (Ldif) on temperature and applied electric field. For that purpose it is used the steady state photocarrier grating (SSPG) method. We compare the experimental and simulated results and it is analyze the accuracy of a previously proposed formula to extract Ldif from an SSPG experiment.Fil: Ventosinos, Federico. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaFil: Budini, Nicolas. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaFil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentin
Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman
No full textEn este trabajo, se depositaron muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro (μc-Si:H (B)) a partir del método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), usando silano (SiH4) diluido en hidrógeno, y diborano (B2H6) como gas dopante. La concentración de diborano se varió en el rango entre 0 y 100 ppm. Se realizó un estudio de las propiedades estructurales a partir de la técnica de espectroscopia Raman. Los espectros Raman revelaron un aumento en la fracción de volumen cristalina (Xc) de las muestras a medida que la concentración de Boro aumentaba desde 0 a 75 ppm. Por encima de 75 ppm se encontró que la Xc decrece nuevamente indicando una amorfización en el material.In this work, boron doped microcrystalline silicon films (μc-Si:H (B)) was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), using silane (SiH4) diluted in hydrogen, and diborane (B2H6) as a dopant gas. The concentration of B2H6 was varied in the range of 0 – 100 ppm. The structural properties of the films have been investigated by Raman mea-surements. A progressive increase in the crystalline volume fraction for concentrations from 0 to 75 ppm was detected; whereas for boron concentrations above 75 ppm was observed a reduction of XC, which indicates an amorphization of the material.Fil: Dussan, A.. Universidad Nacional de Colombia; ColombiaFil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentin
La sujeción de la Administración al derecho público y al derecho privado. El caso de Chile. Respuesta a un cuestionario de Eberhard Schmidt-Assmann y Javier Barnes
No full textDoy respuesta en este escrito a un cuestionario preparado en conjunto por los profesores de Derecho administrativo Eberhard Schmidt-Assmann, de Alemania, y Javier Barnés, de España, el que se refiere a aspectos fundamentales de la partición entre derecho público y derecho privado en Chile, con especial referencia a la sujeción de la Administración tanto al derecho público como al derecho privado. Las preguntas se insertan en cursivas y las respuestas, precedidas de las iniciales del autor (AVB), se insertan en redondas y con sangrí
Subgap density of states spectroscopy using steady-state photoconductivity-based experiments
No full textWe solve the general equations for a semiconductor of photoconductivity dominated by one type of carrier and obtain two pairs of analytical formulas for a density of state (DOS) spectroscopy inside the band gap from the measurement of the diffusion lengths at different temperatures and generation rates. The equations are tested initially with a numerical simulation and then experimentally for unintentionally-doped hydrogenated amorphous silicon due to the extended consensus about its DOS shape. We estimate the diffusion lengths of the photocarriers using the steady-state photocurrent and the steady-state photocarrier grating. The energy dependence of the DOS below the Fermi energy is estimated. We extract the characteristic temperatures of the valence band tails and their hole capture coefficients, which are in perfect agreement with the bibliographical consensus. For the first time, we provide a consistent explanation of the free-hole concentration decrease with temperature, observed at low temperatures in this amorphous material.Fil: Kopprio, Leonardo Hugo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Física del Litoral. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Física del Litoral; ArgentinaFil: Longeaud, Christophe. Universite Paris-saclay (universite Paris-saclay);Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Física del Litoral. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Física del Litoral; Argentin
Método para la predicción de la energía anual generada por una instalacion fotovoltaica conectada a la red
No full textRESUMEN: Se calcularon las energías generadas por plantas fotovoltaicas de diversas potenciasdistribuidas por todo el mundo, a partir de datos de irradiación en el plano horizontal y datosclimáticos. Posteriormente se compararon con las energías efectivamente inyectadas a la red eléctricapor estas plantas, verificando que los valores calculados presentan muy poca diferencia con las reales.Esto nos permite concluir que el método resulta de utilidad para estimar con buena precisión la energíaque una planta fotovoltaica puede producir en distintas ubicaciones, a partir de datos disponiblespúblicamente.Fil: Risso, Gustavo Armando. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Física del Litoral. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Física del Litoral; ArgentinaFil: Battioni, Mario Ruben. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Física del Litoral. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Física del Litoral; ArgentinaFil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Física del Litoral. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Física del Litoral; Argentin
Density of States in Thin Boron-Doped Microcrystalline Silicon Films Estimated from the Thermally Stimulated Conductivity Method
No full textIn this work, a series of boron-doped microcrystalline silicon samples [μc-Si:H(B)] were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition, using silane (SiH4) diluted in hydrogen, and diborane (B2H6) as a dopant gas. The concentration of B2H6 in SiH4 was varied in the range of 0-100 ppm. The density of states was obtained from the thermally stimulated conductivity technique and compared with results obtained by the modulated photoconductivity methods. To explain the poor agreement between the density of states obtained from the thermally stimulated conductivity and the other methods, it is shown by means of numerical simulations that the density of states is very sensitive to experimental errors introduced in the calculation of the μn τn product (mobility of electron × lifetime of the electron). The thermally stimulated conductivity method is applied here for the first time to calculate the density of defect states in the forbidden band of μc-Si:H samples.Fil: Dussan, A.. Universidad Nacional de Colombia. Departamento de Física; ColombiaFil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (i); Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Física del Litoral; ArgentinaFil: Koropecki, Roberto Roman. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (i); Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Física del Litoral; Argentin
Hydrogenated amorphous silicon as a base material for obtaining polycrystalline silicon thin films
No full textEn este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a diferentes temperaturas y a altas velocidades de deposición. Los procesos térmicos post-deposición, realizados para analizar el cambio de fase amorfa-cristalina, la nucleación y el crecimiento de granos, se orientaron a determinar las mejores condiciones para obtener películas delgadas de silicio policristalino con el mayor tamaño de grano posible. El proceso de cristalización del silicio amorfo hidrogenado, mediante tratamientos térmicos escalonados y secuenciados, dio como resultado un material nanocristalino.Fil: Budini, Nicolas. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaFil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaFil: Arce, Roberto Delio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaFil: Buitrago, Roman Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentin
- …
