187 research outputs found
The location of the Earth's magnetopause : a comparison of modeled position and in situ cluster data
No full textExploiting eight years of magnetic field data from the Cruster mission, we employ an automated magnetopause crossing detection routine to determine the magnetopause location over varying magnetic latitude and local time. For a period spanning nearly one solar cycle we build a database of 2709 magnetopause crossings and compare these locations to the magnetopause models of Petrinec and Russell [1996], Shue et al. [1998], Dmitriev and Suvorova [2000] and Lin et al. [2010]. We compare our detected locations with the predicted locations for a variety of solar wind conditions and positions on the magnetopause. We find that, on average, the Petrinec and Russell [1996] and Shue et al. [1998] models overestimate the radial distance to the magnetopause by ∼1 RE (9%) whilst the Dmitriev and Suvorova [2000] and Lin et al. [2010] models underestimates it by 0.5 RERE (4.5%) and 0.25 RERE (2.3%) respectively. Some varying degree of control on the differences between the predicted and encountered locations, by the solar wind and location parameters, are found
Aphrophorini Amyot & Serville 1843
No full textAphrophorini Amyot & Serville, 1843 † Aphrophora pitoni nom.nov. = Aphrophora maculata Piton, 1936a: 94 (from Eocene) primary homonym of Aphrophora maculata Capanni, 1894a: 292 (from Europe) and primary homonym of Aphrophora maculata Edwards, 1920a: 53 (a synonym of Aphrophora costalis Matsumura, 1903a: 36) Etymology: The species is named in honor of L.E. Piton, the author of the replaced name.Published as part of Dmitriev, Dmitry A., 2020, Nomenclatural changes in the suborders Auchenorrhyncha (Hemiptera) and Paleorrhyncha (Palaeohemiptera), pp. 25-53 in Zootaxa 4881 (1) on page 25, DOI: 10.11646/zootaxa.4881.1.2, http://zenodo.org/record/442571
Za veru, carja i otečestvo : rasskaz
No full textIvan VolʹnyjEnthält auf S. 58 "Pesnja" und auf S. 59-63 "Soldatskaja pamjatka L. N. Tolstogo"Ivan Volʹnyj ist ein Pseudonym für Valentina Iovovna Dmitriev
MATRIX ISOLATION OF EXCITED METASTABLE ATOMS AND ENERGY TRANSFER IN NOBLE-GAS CRYOCRYSTALS
No full text R. A. Zhitnikov. Yu-A-Dmitriev and M. E. Kaimakov. Sov. Phys JETP 72, 1009(1991) R. A. Zhitnikov, Yu-A-Dmitriev and M. E. Kaimakov. Sov. J. Low. Temp. Phys. 18, 532(1992).Author Institution: A. P. loffe Physico---Technical Institute, St. PetersburgThe original experimental technique and setup have been developed which makes it possible to detect and study by local unstable excited states in noble-gas cryocrystals. Very recently, we have discovered by ESR a new effect - formation in Ne cryocrystals of local excited states as a result of a He gas discharge product trapping in the growing Ne crystal. It is important that no excited states appeared in Ar and Kr cryocrystals under the action of the He gas discharge. It may be supposed that the effect observed in Ne is the result of the quasi-resonance transfer of excitation energy from the metastable He atoms trapped from the gas discharge in Ne cryocrystal to the X-exciton band of the Ne crystal followed by the self-trapping of the exciton, its decay, and formation of the localized in fee Ne crystal Ne atom observed in the experiment. neon atom, having a large radius, causes its surroundings to shift outwards and the Ne crystal lattice to rearrange itself in the vicinity of this atom. We have recorded a temperature dependence of the state formation probability in Ne crystal and obtained the activation energy for the metastable He atom to transfer its excitation energy to the Ne crystal X-exciton band. This energy is about 0.001 eV
Interaction of MeV electrons with MOS structures / S.Kaschieva, S.N. Dmitriev
No full textМногослойный характер МОП структур, наличие границ раздела между отдельными материалами (МеталлОкись и Окись-Полупроводник), с различными механическими, оптическими и электрофизическими свойствами, создает специфическую чувствительность к радиации и приводит к следующим основным результатам: а) генерирование положительного встроенного заряда в окисле; 6) генерирование поверхностных электронных состояний на границе раздела Si-SiO2 и с) образование точечных радиационных дефектов в полупроводниковой подложке. В настоящей работе проведено комплексное исследование влияния высокоэнергетического электронного (10-20 МэВ) облучения на поверхностные состояния на границе раздела Si-SiO2 МОП структур. Определены энергии, плотности и сечения захвата дефектов облучения. Обнаружен и объяснен процесс радиационно-стимулированного окисления МОП структур (на основе n-Si) при облучении высокоэнергетическими электронами. Исследовано генерации радиационных дефектов, полученных в результате двойной обработки - при облучении имплантированных МОП структур высокознергетическими электронами. Дефекты, полученные в результате двойного облучения МОП структур, говорят в пользу того, что высокоэнергетическое электронное облучение создает электрически активные центры, плотность которых зависит от пространственного расположения дефектов ионной имплантации по отношению к разделительной поверхности Si-SiO2. Когда имплантация происходит в основном в кремний, она создает дефекты одного типа - V-P. Эти дефекты локализованы в Si подложке, в близости максимума ионного распределения, далеко от границы раздела Si-SiO2. Электроны, проникая через структуру, взаимодействуют с существующими уже дефектами ионной имплантации, увеличивая их концентрацию и создают два вида новых дефектов (мелких уровней), расположенных на границе раздела Si-SiO2. Когда максимум имплантированных ионов находится на границе раздела, облучение электронами приводит к увеличению концентрации дефектов типа O-V и P-V. Одинаковое увеличение концентрации всех уровней полученных после имплантации наблюдается, когда максимум имплантированных ионов располагается в окисле.The multilayer character of MOS structures, the presence of an interface between oxide and semiconductor, (which have different mechanical, optical and electro-physical properties) creates a specific sensitivity to radiation. The influence of high-energy electron irradiation on the interface states of MOS structures has been studied, as the interface trap level density is one of the most important device parameters. It has been shown that high-energy electrons create a new spectrum of interface states in the silicon band gap. The parameters, such as the energy and capture cross section, of the states located at the Si-SiO2 interface have been estimated It is demonstrated that the kinds of radiation-induced interface traps and their concentration depend strongly on the disposition of the maximum of the previously implanted ions with respect to the Si-SiO2 interface. The total concentration of electron irradiation induced defects at the Si-SiO2 interface is largest in case when maximum concentration of implanted ions locates close to the Si-SiO2 interface
Interaction of MeV electrons with MOS structures / S.Kaschieva, S.N. Dmitriev
No full textМногослойный характер МОП структур, наличие границ раздела между отдельными материалами (МеталлОкись и Окись-Полупроводник), с различными механическими, оптическими и электрофизическими свойствами, создает специфическую чувствительность к радиации и приводит к следующим основным результатам: а) генерирование положительного встроенного заряда в окисле; 6) генерирование поверхностных электронных состояний на границе раздела Si-SiO2 и с) образование точечных радиационных дефектов в полупроводниковой подложке. В настоящей работе проведено комплексное исследование влияния высокоэнергетического электронного (10-20 МэВ) облучения на поверхностные состояния на границе раздела Si-SiO2 МОП структур. Определены энергии, плотности и сечения захвата дефектов облучения. Обнаружен и объяснен процесс радиационно-стимулированного окисления МОП структур (на основе n-Si) при облучении высокоэнергетическими электронами. Исследовано генерации радиационных дефектов, полученных в результате двойной обработки - при облучении имплантированных МОП структур высокознергетическими электронами. Дефекты, полученные в результате двойного облучения МОП структур, говорят в пользу того, что высокоэнергетическое электронное облучение создает электрически активные центры, плотность которых зависит от пространственного расположения дефектов ионной имплантации по отношению к разделительной поверхности Si-SiO2. Когда имплантация происходит в основном в кремний, она создает дефекты одного типа - V-P. Эти дефекты локализованы в Si подложке, в близости максимума ионного распределения, далеко от границы раздела Si-SiO2. Электроны, проникая через структуру, взаимодействуют с существующими уже дефектами ионной имплантации, увеличивая их концентрацию и создают два вида новых дефектов (мелких уровней), расположенных на границе раздела Si-SiO2. Когда максимум имплантированных ионов находится на границе раздела, облучение электронами приводит к увеличению концентрации дефектов типа O-V и P-V. Одинаковое увеличение концентрации всех уровней полученных после имплантации наблюдается, когда максимум имплантированных ионов располагается в окисле.The multilayer character of MOS structures, the presence of an interface between oxide and semiconductor, (which have different mechanical, optical and electro-physical properties) creates a specific sensitivity to radiation. The influence of high-energy electron irradiation on the interface states of MOS structures has been studied, as the interface trap level density is one of the most important device parameters. It has been shown that high-energy electrons create a new spectrum of interface states in the silicon band gap. The parameters, such as the energy and capture cross section, of the states located at the Si-SiO2 interface have been estimated It is demonstrated that the kinds of radiation-induced interface traps and their concentration depend strongly on the disposition of the maximum of the previously implanted ions with respect to the Si-SiO2 interface. The total concentration of electron irradiation induced defects at the Si-SiO2 interface is largest in case when maximum concentration of implanted ions locates close to the Si-SiO2 interface
INTERACTION OF TRAPPED H(D) ATOMS WITH Xe MATRIX INFLUENCED BY ZERO-POINT VIBRATIONS OF THE LIGHT ATOMS
No full text1. Yu. A. Dmitriev. J. Phys.: Condens. Matter 5, 5245(1993).Author Institution: A.F. Ioffe Physico-Technical InstituteHydrogen and deuterium atoms are stabilized in xenon matrix from the gas phase and investigated by . It is shown that being deposited from the gas discharge in a mixture of and Da with xenon, H and D atoms are trapped in the substitutional position of the matrix crystal lattice. ESR linewidths of H and D show an isotope effect, that is , where and are the peak-to-peak linewidths for H and D atoms, respectively. The shape of the ESR lines observed is close to Gaussian. The linewidths are found to be greatly increased by the zero-point vibrations of the atoms, the dynamical broadening being nearly equal to the static one. We show that substitutional H and D atoms trapped in solid xenon perform measurably anharmonic vibrations, and the spherically symmetric potential well which is to model the actual one for the substitutional hydrogen atom has a rather flat bottom. The coefficient (where and are constants) of the transfer of the electronic charge from Xe atom to H atom in Xe-H ``molecule” is estimated using the experimental data, r being the interatomic distance, , in atomic units. A comparison is carried out between experimental and theoretical values for the relative matrix shirt of the trapped H atom hyperfine (hr) structure constant, and it is found that experimental and theoretical quantities are in satisfactory agreement: theof. == -0.98% where Ar, and Ar is the hf constant of the free atom
Идеал женской красоты в Оде красавице Федора Дмитриева-Мамонова
No full textThe ideal of female beauty in Ode to the Beauty by F.I. Dmitriev-Mamonov The article discusses the ideal of female beauty presented in Ode to the Beauty by F.I. Dmitriev-Mamonov. The object of the panegiric praise is a beautiful woman, which had not been the case earlier. The addressee of the ode is praised for the qualities of her body which is described in detail. Preserving the convention typical of the panegiric ode, the author creates the image of his addressee, while employing mythologisms, sacralization and idealisation. The description also clearly indicates the influences of the physiognomical theory of J.K. Lavater and of tendencies dominating in the Russian painting in the second part of the 18th century. The ideal of female beauty in Ode to the Beauty by F.I. Dmitriev-Mamonov The article discusses the ideal of female beauty presented in Ode to the Beauty by F.I. Dmitriev-Mamonov. The object of the panegiric praise is a beautiful woman, which had not been the case earlier. The addressee of the ode is praised for the qualities of her body which is described in detail. Preserving the convention typical of the panegiric ode, the author creates the image of his addressee, while employing mythologisms, sacralization and idealisation. The description also clearly indicates the influences of the physiognomical theory of J.K. Lavater and of tendencies dominating in the Russian painting in the second part of the 18th century.  
Życie literackie Rosji przełomu XVIII i XIX wieku we wspomnieniach Michaiła Dmitrijewa (wybrane zagadnienia)
No full textЛИТЕРАТУРНАЯ ЖИЗНЬ РОССИИ XVIII - НАЧАЛА XIX ВВ. В ВОСПОМИНАНИЯХ МИХАИЛА ДМИТРИЕВА (ИЗБРАННЫЕ ПРОБЛЕМЫ)
Резюме
Михаил Дмитриев (1796–1866) - поэт, литературный критик, пеpеводчик; автор двух мемуарных книг: Мелочи из запаса моей памяти и Главы из воспоминаний моей жизни (многие фрагменты Мелочей... Дмитриев почти без изменений воспроизвел в Гла вах...). В своем творчестве он как бы связывает XVIII столетие с первой поло-виной XIX века.Мелочи... (отд. издание 1854) - книга о русских писателях (М. Ломоносов и др.) и их произведенияx, журналах, переводчиках, литературных полемиках и др. Прежде всего речь идет о Н. Карамзине (Фрол Силин и др.) и И. Дмитриеве (поэт, племянник автора).
RUSSIA’S LITERARY LIFE IN THE 18TH AND EARLY 19TH CENTURY IN MIKHAIL DMITRIEV’S MEMORIES (SELECTED ISSUES)
Summary
Mikhail Dmitriev (1796–1866) - a poet, literary critic and translator; author of two memory volumes: Bits and Pieces from my Memories and Chapters from Memories of my Life (many fragments of Bits… were included by Dmitriev in the Chapters…). In his writing, Dmitriev kind of braces the 18th century with the fi rst half of the 19th century.Bits… (the fi rst 1854 book edition) - a book about Russian writers (M. Lomonosov, etc.) and their compositions, about translators, magazines, literary disputes, etc. The author pays particular attention to N. Karamzin (Frol Silin, etc.) and his relative, the poet I. Dmitriev
New nanocomposite surfaces and thermal interface materials based on mesoscopic microspheres, polymers and graphene flakes
No full text- …
