1,720,969 research outputs found
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
Get PDFIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
Get PDFIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices.
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
Get PDFIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
Get PDFIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
No full textIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices
Hot electron transport in metallic spin valve and graphene-silicon devices at the nanoscale
Get PDFIn het huidige tijdperk van nanotechnologie zijn individuele atomen, de lading en spin van enkele elektronen van groot belang voor de ontwikkeling van nieuwe devices voor de halfgeleider industrie. De alom erkende ‘wet van Moore’, die een maat is voor de ontwikkelingen binnen de halfgeleider industrie, voorspelt dat deze trend afneemt tegen het einde van 2013. Om de trend toch door te zetten heeft de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) haar pijlen gericht op nieuwe materialen met nieuwe of meerdere functionaliteiten en nieuwe methodes om de nanoschaal eigenschappen te onderzoeken. De spintronika op de nanoschaal biedt ons nieuwe mogelijkheden voor devices van de `Beyond Moore' technologie. Grafeen, een twee-dimensionaal materiaal gemaakt van één laag koolstofatomen, gerangschikt in een honingraat structuur, blijkt een veelbelovend materiaal voor spintronisch onderzoek. Spintronische, elektronische en optoelektronische devices brengen noodzakelijkerwijs het transport van hete elektronen met zich mee. Hete elektronen worden vaak gebruikt om verschillende aspecten te bestuderen van spin-afhankelijk transport en om de relevante transport parameters en verstrooiing mechanismes te karakteriseren in verschillende transitie-metaal ferromagneten en normale metalen in spintronika devices gebaseerd op halfgeleiders. Het onderzoek beschreven in dit proefschrift heeft als doel het doorgronden van heet elektron transport in metallische spin valves en grafeen-silicium devices op de nanoschaal. De gepresenteerde resultaten geven nieuwe inzichten in zowel spin-onafhankelijke en spin-afhankelijke verstrooiing van hete elektronen in diverse spintronische devices. Het Gr/Si grensvlak wordt als uniek beschouwd, met verscheidene nieuwe fenomenen die nog niet eerder zijn onderzocht. De techniek voor karakterisatie op nanoschaal, die in dit proefschrift gebruikt wordt, zal een belangrijke vereiste blijven voor het fabriceren en bestuderen van vaste stof devices
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Get PDFThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Get PDF“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Get PDFWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
- …
