1,720,965 research outputs found
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Get PDFThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Get PDF“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Get PDFWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Get PDFWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
koamabayili/VECTRON-author-checklist: VECTRON author checklist
No full textWe have done our best to complete the author checklist relating to the use of animals in the hut study. Note that the objective for the hut study was to evaluate the IRS treatment applications for residual efficacy against Anopheles mosquitoes, including the local An. coluzzii mosquito population. Cows were only used to attract mosquitoes into the huts and no tests were carried out directly on the cows. The author checklist is intended for use with studies where experiments are carried out on animals, which is why we have had such difficulty in completing this for the hut study, as many of the questions do not relate to how the cows were used
Simulations numériques à l'échelle atomique des dommages induits par les radiations dans les semi-conducteurs
No full textNational audienceSince the 2010s, space exploration has experienced a resurgence, driven by private companies making access to space more affordable. However, the space environment remains hostile due to galactic cosmic rays and solar flares, which damage electronic circuits in space equipment. Protecting microelectronic technologies against radiation is therefore critical to ensuring mission success. Martian rovers, such as Curiosity and Perseverance, exemplify these challenges. Without Earth's protective atmosphere and magnetic field, they endure intense radiation, necessitating reinforced electronic systems like the RAD750 processor. On the International Space Station (ISS), digital sensors are altered by energetic particles, causing dead pixels and impacting scientific operations. On Earth, high-radiation environments like nuclear power plants pose similar challenges. In all these contexts, understanding interactions between radiation and electronic components is key to improving their resilience. Radiation is classified into two main categories: ionizing and non-ionizing. Non-ionizing radiation displaces atoms in crystals, creating collision cascades that generate material defects, degrading semiconductor performance, such as parasitic currents in imaging sensors. These phenomena, occurring on extremely short timescales, are difficult to observe experimentally. As such, numerical simulation tools are essential for exploring various aspects of particle-matter interactions, with experimental validations ensuring scientific rigor. Among the studied materials, gallium nitride (GaN) has gained increasing attention for its unique properties: wide bandgap, high electron mobility, excellent thermal conductivity, and enhanced radiation resistance. These characteristics make GaN an ideal candidate for applications in extreme environments. This thesis investigates GaN's radiation resistance using a multi-scale simulation approach. The tools employed include: Monte Carlo simulations, to model initial particle-atom interactions. Molecular dynamics (MD), to study the ballistic phase and defect formation. Ab initio molecular dynamics (MD-DFT), for a more precise understanding of atomic interactions, particularly in evaluating the threshold displacement energy (TDE).Depuis les années 2010, l'exploration spatiale connaît un renouveau, porté par des entreprises privées rendant l'accès à l'espace plus abordable. Cependant, l'environnement spatial reste hostile, notamment à cause des rayons cosmiques galactiques et des éruptions solaires, qui endommagent les circuits électroniques des équipements spatiaux. La protection des technologies microélectroniques contre ces radiations est donc cruciale pour assurer la réussite des missions spatiales. Les rovers martiens, comme Curiosity et Perseverance, illustrent bien ces défis. Privés de l'atmosphère protectrice et du champ magnétique terrestre, ils subissent des radiations intenses, nécessitant des systèmes électroniques renforcés, comme le processeur RAD750. À bord de la Station spatiale internationale (ISS), les capteurs numériques sont altérés par ces particules énergétiques, produisant des pixels morts et affectant les opérations scientifiques. Sur Terre, des environnements à haute radiation, tels que les centrales nucléaires, posent des défis similaires. Dans tous ces contextes, comprendre les interactions entre les radiations et les composants électroniques est essentiel pour améliorer leur durabilité. Les radiations sont classées en deux catégories principales : ionisantes et non-ionisantes. Ces dernières, en déplaçant les atomes dans les cristaux, créent des cascades de collision, qui provoquent des défauts dans les matériaux, dégradant les performances des semi-conducteurs, comme l'apparition de courants parasites dans les capteurs d'images. Ces phénomènes, se déroulant à des échelles de temps extrêmement courtes, sont difficiles à observer expérimentalement. Ainsi, les outils de simulation numérique jouent un rôle clé. Ils permettent d'explorer différents aspects des interactions particule-matière, tout en s'appuyant sur des validations expérimentales. Parmi les matériaux étudiés, le nitrure de gallium (GaN) suscite un intérêt croissant grâce à ses propriétés uniques : large bande interdite, haute mobilité électronique, excellente conductivité thermique, et résistance accrue aux radiations. Ces caractéristiques font de GaN un candidat idéal pour des applications en environnements extrêmes. Cette thèse explore la résistance du GaN aux radiations en utilisant une approche de simulation multi-échelles. Les outils employés comprennent : Monte Carlo, pour modéliser les interactions initiales entre particules et atomes. Dynamique moléculaire (MD), pour examiner la phase balistique et la formation des défauts. Dynamique moléculaire ab initio (MD-DFT), pour une compréhension plus précise des interactions atomiques, notamment pour évaluer l'énergie de déplacement seuil (TDE)
Simulations numériques à l'échelle atomique des dommages induits par les radiations dans les semi-conducteurs
No full textNational audienceSince the 2010s, space exploration has experienced a resurgence, driven by private companies making access to space more affordable. However, the space environment remains hostile due to galactic cosmic rays and solar flares, which damage electronic circuits in space equipment. Protecting microelectronic technologies against radiation is therefore critical to ensuring mission success. Martian rovers, such as Curiosity and Perseverance, exemplify these challenges. Without Earth's protective atmosphere and magnetic field, they endure intense radiation, necessitating reinforced electronic systems like the RAD750 processor. On the International Space Station (ISS), digital sensors are altered by energetic particles, causing dead pixels and impacting scientific operations. On Earth, high-radiation environments like nuclear power plants pose similar challenges. In all these contexts, understanding interactions between radiation and electronic components is key to improving their resilience. Radiation is classified into two main categories: ionizing and non-ionizing. Non-ionizing radiation displaces atoms in crystals, creating collision cascades that generate material defects, degrading semiconductor performance, such as parasitic currents in imaging sensors. These phenomena, occurring on extremely short timescales, are difficult to observe experimentally. As such, numerical simulation tools are essential for exploring various aspects of particle-matter interactions, with experimental validations ensuring scientific rigor. Among the studied materials, gallium nitride (GaN) has gained increasing attention for its unique properties: wide bandgap, high electron mobility, excellent thermal conductivity, and enhanced radiation resistance. These characteristics make GaN an ideal candidate for applications in extreme environments. This thesis investigates GaN's radiation resistance using a multi-scale simulation approach. The tools employed include: Monte Carlo simulations, to model initial particle-atom interactions. Molecular dynamics (MD), to study the ballistic phase and defect formation. Ab initio molecular dynamics (MD-DFT), for a more precise understanding of atomic interactions, particularly in evaluating the threshold displacement energy (TDE).Depuis les années 2010, l'exploration spatiale connaît un renouveau, porté par des entreprises privées rendant l'accès à l'espace plus abordable. Cependant, l'environnement spatial reste hostile, notamment à cause des rayons cosmiques galactiques et des éruptions solaires, qui endommagent les circuits électroniques des équipements spatiaux. La protection des technologies microélectroniques contre ces radiations est donc cruciale pour assurer la réussite des missions spatiales. Les rovers martiens, comme Curiosity et Perseverance, illustrent bien ces défis. Privés de l'atmosphère protectrice et du champ magnétique terrestre, ils subissent des radiations intenses, nécessitant des systèmes électroniques renforcés, comme le processeur RAD750. À bord de la Station spatiale internationale (ISS), les capteurs numériques sont altérés par ces particules énergétiques, produisant des pixels morts et affectant les opérations scientifiques. Sur Terre, des environnements à haute radiation, tels que les centrales nucléaires, posent des défis similaires. Dans tous ces contextes, comprendre les interactions entre les radiations et les composants électroniques est essentiel pour améliorer leur durabilité. Les radiations sont classées en deux catégories principales : ionisantes et non-ionisantes. Ces dernières, en déplaçant les atomes dans les cristaux, créent des cascades de collision, qui provoquent des défauts dans les matériaux, dégradant les performances des semi-conducteurs, comme l'apparition de courants parasites dans les capteurs d'images. Ces phénomènes, se déroulant à des échelles de temps extrêmement courtes, sont difficiles à observer expérimentalement. Ainsi, les outils de simulation numérique jouent un rôle clé. Ils permettent d'explorer différents aspects des interactions particule-matière, tout en s'appuyant sur des validations expérimentales. Parmi les matériaux étudiés, le nitrure de gallium (GaN) suscite un intérêt croissant grâce à ses propriétés uniques : large bande interdite, haute mobilité électronique, excellente conductivité thermique, et résistance accrue aux radiations. Ces caractéristiques font de GaN un candidat idéal pour des applications en environnements extrêmes. Cette thèse explore la résistance du GaN aux radiations en utilisant une approche de simulation multi-échelles. Les outils employés comprennent : Monte Carlo, pour modéliser les interactions initiales entre particules et atomes. Dynamique moléculaire (MD), pour examiner la phase balistique et la formation des défauts. Dynamique moléculaire ab initio (MD-DFT), pour une compréhension plus précise des interactions atomiques, notamment pour évaluer l'énergie de déplacement seuil (TDE)
Simulations numériques à l'échelle atomique des dommages induits par les radiations dans les semi-conducteurs
No full textNational audienceSince the 2010s, space exploration has experienced a resurgence, driven by private companies making access to space more affordable. However, the space environment remains hostile due to galactic cosmic rays and solar flares, which damage electronic circuits in space equipment. Protecting microelectronic technologies against radiation is therefore critical to ensuring mission success. Martian rovers, such as Curiosity and Perseverance, exemplify these challenges. Without Earth's protective atmosphere and magnetic field, they endure intense radiation, necessitating reinforced electronic systems like the RAD750 processor. On the International Space Station (ISS), digital sensors are altered by energetic particles, causing dead pixels and impacting scientific operations. On Earth, high-radiation environments like nuclear power plants pose similar challenges. In all these contexts, understanding interactions between radiation and electronic components is key to improving their resilience. Radiation is classified into two main categories: ionizing and non-ionizing. Non-ionizing radiation displaces atoms in crystals, creating collision cascades that generate material defects, degrading semiconductor performance, such as parasitic currents in imaging sensors. These phenomena, occurring on extremely short timescales, are difficult to observe experimentally. As such, numerical simulation tools are essential for exploring various aspects of particle-matter interactions, with experimental validations ensuring scientific rigor. Among the studied materials, gallium nitride (GaN) has gained increasing attention for its unique properties: wide bandgap, high electron mobility, excellent thermal conductivity, and enhanced radiation resistance. These characteristics make GaN an ideal candidate for applications in extreme environments. This thesis investigates GaN's radiation resistance using a multi-scale simulation approach. The tools employed include: Monte Carlo simulations, to model initial particle-atom interactions. Molecular dynamics (MD), to study the ballistic phase and defect formation. Ab initio molecular dynamics (MD-DFT), for a more precise understanding of atomic interactions, particularly in evaluating the threshold displacement energy (TDE).Depuis les années 2010, l'exploration spatiale connaît un renouveau, porté par des entreprises privées rendant l'accès à l'espace plus abordable. Cependant, l'environnement spatial reste hostile, notamment à cause des rayons cosmiques galactiques et des éruptions solaires, qui endommagent les circuits électroniques des équipements spatiaux. La protection des technologies microélectroniques contre ces radiations est donc cruciale pour assurer la réussite des missions spatiales. Les rovers martiens, comme Curiosity et Perseverance, illustrent bien ces défis. Privés de l'atmosphère protectrice et du champ magnétique terrestre, ils subissent des radiations intenses, nécessitant des systèmes électroniques renforcés, comme le processeur RAD750. À bord de la Station spatiale internationale (ISS), les capteurs numériques sont altérés par ces particules énergétiques, produisant des pixels morts et affectant les opérations scientifiques. Sur Terre, des environnements à haute radiation, tels que les centrales nucléaires, posent des défis similaires. Dans tous ces contextes, comprendre les interactions entre les radiations et les composants électroniques est essentiel pour améliorer leur durabilité. Les radiations sont classées en deux catégories principales : ionisantes et non-ionisantes. Ces dernières, en déplaçant les atomes dans les cristaux, créent des cascades de collision, qui provoquent des défauts dans les matériaux, dégradant les performances des semi-conducteurs, comme l'apparition de courants parasites dans les capteurs d'images. Ces phénomènes, se déroulant à des échelles de temps extrêmement courtes, sont difficiles à observer expérimentalement. Ainsi, les outils de simulation numérique jouent un rôle clé. Ils permettent d'explorer différents aspects des interactions particule-matière, tout en s'appuyant sur des validations expérimentales. Parmi les matériaux étudiés, le nitrure de gallium (GaN) suscite un intérêt croissant grâce à ses propriétés uniques : large bande interdite, haute mobilité électronique, excellente conductivité thermique, et résistance accrue aux radiations. Ces caractéristiques font de GaN un candidat idéal pour des applications en environnements extrêmes. Cette thèse explore la résistance du GaN aux radiations en utilisant une approche de simulation multi-échelles. Les outils employés comprennent : Monte Carlo, pour modéliser les interactions initiales entre particules et atomes. Dynamique moléculaire (MD), pour examiner la phase balistique et la formation des défauts. Dynamique moléculaire ab initio (MD-DFT), pour une compréhension plus précise des interactions atomiques, notamment pour évaluer l'énergie de déplacement seuil (TDE)
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