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Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Full text linkThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Adsortion of S2, H2S, N2, NH3 MoLlecules on Si(001)c(2x4) surface
No full textLa absorción de moléculas sobre superficies semiconductoras ha sido un tema importante de estudio, desde el punto de vista teórico y experimental, pues la presencia de las moléculas modifica los parámetros estructurales y las propiedades en las superficies, En este trabajo de tesis se realiza un estudio de la adsorción de S2, H2S, N2 y NH3 sobre la superficie semiconductora Si(001)c(2x4). El interés particular en estas moléculas se debe principalmente a que son fuentes de S y N. La adsorción de compuestos de N y S ha recibido una atención especial ya que investigaciones recientes sugieren la posibilidad de tratar a las superficies con compuestos de S para protegerlas contra la degradación. Por otro lado, el N también ha recibido una atención considerable puesto que capas de nitruro de silicio son usadas como aislante o para pasivar superficies semiconductoras dentro de dispositivos tecnológicos. Azufre y nitrógeno son también usados para dopar el silicio. Particularmente, en este trabajo se realizan cálculos de energía total de la superficie Si(001)c(2x4) limpia y de la adsorción de cada una de las moléculas mencionadas sobre esa superficie. Los cálculos se realizan mediante métodos que se basan en la teoría del funcional de densidad (DFT, acrónimo de Density Functional Theory). Estos métodos son utilizados ampliamente en el estudio de propiedades del estado sólido y de superficies. Los códigos que se utilizan en este estudio para calcular la energía total son: Car-Parrinello y SIESTA (acrónimo de "Spanish Initiative for Electronic Simulations with Thousands of Atoms"). El código Car-Pa1Tinello utiliza una expansión de las eigenfunciones en ondas planas y el código SIESTA utiliza una combinación lineal de orbitales atómicos para describir las funciones electrónicas. Los cálculos de energía total de la superficie limpia se realizan mediante los dos programas, mientras que para la adsorción S2 y H2S se utiliza solamente el código Car-Parrinello y para la adsorción de N2 y NH3 sólo se utiliza el código SIESTA. La elección del programa se hace conforme al tipo de orbitales de los adsorbatos: los orbitales de azufre no son muy localizados así que se puede tener una buena expansión de las eigen-funciones con ondas planas, mientras que el orbital p del N es bastante localizado, por lo que es más adecuado expandir las funciones de onda con un conjunto de orbitales atómicos.Adsorption of molecules on semiconductor surfaces is an important subject of study, from both theoretical and experimental points of view, since the presence of molecules modifies the structural parameters and surface properties. In this thesis, we carry out a study of the adsorption of S2, H2S, N2 and NH3 on the semiconductor Si(001)c(2x4) surface. The interest of studying the adsorption of these molecules is due to the fact that they are S and N sources. Adsorption of S and N compounds has received a special attention since recent investigations suggest that it is possible to treat the surfaces with S compounds to protect them against damage. Similarly, the N has also gotten a considerable attention since silicon nitrates layers are used as insulator to passivate semiconductor surfaces in technological devices. Both sulfur and nitrogen are also used to dope silicon. In this work, we perf01m first principles total energy calculations of clean Si(001)c(2x4), and the surface with each of the molecules previously mentioned. Calculations are performed by methods based on Density Functional Theory (DFT), These methods are widely used to study solid state and surface properties. The codes used in this work are: the Car-Parrinello code, that uses a wave plane expansion of eigen-functions and the SIESTA (Spanish Initiative for Electronic Simulations with Thousands of Atoms) code that uses lineal combinations of atomic orbitals to describe the electronic wave-functions. Total energy calculations of the clean surface are performed using both codes whereas for S2 and H2S adsorption only the Car-Parrinello code is used and for N2 and NH3 adsorption only the SIESTA code is used. The reason for choosing the different codes is as following: S orbitals are not very localized, so it is possible to get a good expansion in plane waves, while the N p orbital is very localize, and therefore an expansion with an atomic orbital set is more efficient than a plane wave expansion
First principle calculation of the interaction of the silicon surface (001)c(2x4) with fluor
No full textLa adsorción de moléculas sobre superficies semiconductoras es un tema importante de estudio desde el punto de vista teórico y experimental ya que la presencia de las moléculas modifica los parámetros estructurales y las propiedades en las superficies. Un ejemplo son los estudios de la superficie semiconductora de silicio saturada con hidrogeno, los cuales muestran que éste es un sistema estable en comparación con el sistema sin saturar, sin embargo la superficie saturada obtenida es químicamente reactiva y puede oxidarse fácilmente. El acoplamiento directo de moléculas por medio de enlaces covalentes sobre la interfaz de una superficie semiconductora promete ser un área de desarrollo de nuevos materiales y dispositivos. El ataque químico de la superficie de silicio utilizando flúor es una de las técnicas utilizadas en la fabricación de dispositivos semiconductores. Los procesos involucrados conocidos como decapado (etching en inglés) proveen el mecanismo para la separación de átomos de la superficie de silicio (fluoring etching). Por esta razón, el estudio de la interacción del flúor sobre la superficie de silicio es de enorme importancia y ha sido tema de estudio en los últimos años. En este trabajo se realiza un estudio de la adsorción de flúor sobre la superficie semiconductora Si (001) c(2x4). En el proceso de decapado, en particular por el proceso que involucra a los plasmas fluorinados, se observa la creación de capas fluorinadas sobre la superficie conteniendo compuestos SiFx (x=1,…4). Los datos experimentales disponibles hasta el momento no han dado lugar a una descripción completa de los procesos atómicos subyacentes al mecanismo de decapado. Por otra parte, las reacciones básicas entre el flúor y la superficie de silicio no han sido aún entendidas en su totalidad. Particularmente, en este trabajo se realizan cálculos de energía total de la superficie Si(001) c(2x4) limpia y de la adsorción de flúor sobre esa superficie. Los cálculos se realizan mediante un método basado en la teoría del funcional de la densidad (DFT, acrónimo de Density Functional Theory). Este método es utilizado ampliamente en el estudio de propiedades del estado sólido y de superficies. El código que se utiliza en este estudio para calcular la energía total es el de Car-Parrinello implementado en el código quantum-espresso 4.0, el cual emplea una expansión de las eigenfunciones en ondas planas. Los cálculos consisten en el estudio de la interacción de la superficie con el flúor, con objeto de determinar la energía total de las diferentes configuraciones de adsorción. En este estudio se reportan las configuraciones más estables energéticamente y se determinan los parámetros de la superficie limpia. Adicionalmente, se investiga la difusión superficial del flúor.The adsorption of molecules on semiconductor surfaces is a major topic of study in terms of theoretical and experimental sciences, since the presence of molecules alter the structural parameters and properties of the surfaces. The direct coupling of molecules through covalent bonds on the surface of a semiconductor interface provides for the development of new materials and devices. Studies on the surface of silicon semiconductor saturated with hydrogen show that this is a stable system compared to the unsaturated system, however the obtained saturated surface is chemically reactive and can easily oxidize. In this work, we study the adsorption of F2 on the Si (001) c (2x4) surface. The chemical attack on the surface of silicon using fluorine is one of the techniques most used in the manufacture of semiconductor devices. The preparation of a surface of silicon for the creation of microelectronic devices usually involves the use of processes known as etching, as these provide the mechanism for the separation of atoms on the surface of silicon (fluoring etching). For this reason, the study of the interaction of fluoride on the silicon surface has been extensively studied in recent years. In the etching processes, in particular, those that involve fluorinated plasmas, it can be observed the creation of fluorinated layers on the surface, containing SiFx compounds (x=1,…4). It is also important to understand how these compounds can be selectively removed from the surface. Because of this, if we can control and identify which atoms on the surface of silicon are more vulnerable to be removed and achieve the controlled production of these sites, we could achieve the desired improvement. However, despite extensive scientific research, the basic reaction between F-Si has not been understood completely. Experimental data available so far have not led to a complete description of the processes underlying the atomic mechanism of the etching process. Specifically, in this work we calculate the total energy of the clean Si(001)c(2x4) surface, and also study the adsorption of fluorine. The calculations are performed using the method based on Density Functional Theory (DFT, acronym for Density Functional Theory). This method is widely used in studying properties of solid and surfaces. The code used in this study is the Car-Parrinello, which employs an expansion of eigenfunctions in plane waves. In the calculations we study the interaction of the surface with the fluorine. We calculate the total energy of different configurations to find out which is the most stable energetically. We also determine important structural parameters of the clean surface and the different configurations. Additionally, we investigate the surface diffusion of a fluorine atom
FeN growing over GaN
No full textSe realizaron cálculos de primeros principios, dentro del marco de la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT), para estudiar la estructura electrónica de un sistema consistente en una capa de nitruro de hierro cúbico (FeN), crecido sobre una capa de nitruro de galio tipo wurtzita (w-GaN), con el objetivo de entender las propiedades magnéticas y electrónicas del sistema FeN/w-GaN(0001). Resultados encontrados en la literatura (Lin et al., 2008) han mostrado que una película de estructura cúbica puede acomodarse bien con sustratos hexagonales, dada una particular orientación de crecimiento. Se ha simulado el crecimiento a~nadiendo monocapas de FeN una por una sobre una capa de w-GaN. La herramienta que se utilizó en la tesis es la de la teoría del funcional de densidad, que se ha desarrollado a partir de la aproximación de Thomas-Fermi-Dirac para el cálculo de la energía de un sistema, así como los teoremas de Hohenberg y Khon, y el enfoque aplicado por Kohn y Sham. Los resultados teóricos fueron comparados con los resultados encontrados en la literatura que han mostrado que películas de FeN tienen una bien orientada relación epitaxial con el sustrato y crecen suavemente en las primeras monocapas.First principles calculations within the Density Functional Theory (DFT) framework were performed to study the electronic structure of a system consisting of a layer of cubic iron nitride (FeN), growing over a layer of galium nitride in wurtzite phase (w-GaN), in order to understand the electronic and magnetic properties of the FeN/w-GaN(0001) system. Experimental results found in the literature (Lin et al., 2008) have shown that a cubic structure film can match very well with hexagonal substrates, given a particular orientation. It was simulated the growing by adding monolayers of FeN one by one over a layer of wGaN. The tools that will be used in this thesis are the ones of the density functional theory, developed from the Thomas-Fermi-Dirac aproximation for the estimate of a system energy, the Hohenberg and Khon theorems, and the aproach by Kohn and Sham. The theoretical results were compared with the results found in the literature that have shown that the FeN films have a well-oriented epitaxial relationship with the substrate and grow smoothly for the first few monolayers
Study of first-principles of the adsorption of S on Si(001)c(2x4) surface
No full textLa adsorción de S sobre la superficie de Si(001)c(2x4) es estudiada mediante cálculos de energía total por un método de primeros principios. La motivación de este trabajo es tanto por razones teóricas como prácticas. desde el punto de vista teórico, el estudio de la adsorción de S sobre Si(001)c(2x4) nos permite entender procesos físicos que ocurren en la interface y en la superficie limpia. Además nos da bases para entender los procesos de adsorción de adsorbatos más complejos como el GaS y InS. El interés practico se debe a sus aplicaciones potenciales en la industria, por ejemplo la posibilidad de someter a un tratamiento a las superficies de Si con películas de S para estabilizar y proteger la superficie contra la degradación. Los cálculos fueron realizados dentro de la aproximación de densidad local, usando el esquema de Car-Parrinello. Se usó el método de descenso más rápido para las relajaciones iónicas y electrónicas en la optimización de estructuras. Se utilizaron pseudopotenciales que conservan la norma, además se hizo una expansión de las eigenfunciones en ondas planas. El estudio se inició con la adsorción de 1 átomo de S/supercelda de la superficie de Si(001)c(2x4), después se incrementó la cantidad de S hasta una monocapa. El primer átomo ocupó un sitio puente sobre un dímero de Si, el cual se volvió completamente simétrico. A media monocapa todos los sitios puente están ocupados y todos los dímeros llegan a ser simétricos. La periodicidad en la superficie a media monocapa llega a ser (2x1). La adsorción de un átomo más a la supercelda con media monocapa de S resulta en el rompimiento de dimeros de Si. De esta cantidad de adsorbato a una monocapa, los sitios más favorables para la adsorción del S son los sitios puente a lo largo de la dirección [-110]. A una monocapa no hay presencia de dímeros en la superficie y la peridodicidad en la superficie es (1x1).The adsorption of S on the Si(001)c(2x4) surface is studied by first-principles total-energy calculations.The motivation of this work is due to both theoretical and practical reasons. From a theoretical point of view, the study of S adsorbed on Si(001) surface allow us to understand physical processes that happen on the interphase and clean surfaces. Also, it give us to base to understand of adsorption proccesses of adsorbates more complex, for example: GaS and InS. The practical interest is due from their potential applications in industry. For example the posibility of pretreating the surfaces whith S to protect and stabilize them against the degradation. Calculations have been performed within the local density aproximation, using the Car-Parrinello scheme. A combined electronic and ionic steepest-descent dynamics has used todeterminate optimal surface structures. Norm-conserving pseudopotentials are used and eigenfunction are expandedin a plane-wavebasisset. This study started whith the adsorption of a single atom of S up to full-monolayer coverage. Thefirst atom occupiesabridge site, on top of a Si dimer that becomes completely symmetric. At half monolayer coverage, all bridge sites are occupied, and all Si dimers become symmetric. The overall periodicity is (2x1). The adsorption of an aditional atom on the supercell with half monolayer of S results in the breaking of two Si dimers. From this point and up to one monolayer,it is energetically more favorable for S atoms to be adsorbed along[- 110] direction. At a monolayerthere are not dimers present on the surface, and the periodicity on the surface is (1x1)
TI-IEORETICAL STUDY OF THE ADSORPTION OF GROUP IV AND GROUP V METALS ON SEMICONDUCTOR SURFACES AND ITS EFFECT IN THE EPITAXIAL GROWTH OF Si ON Ge(O01)
No full textSe realizan cálculos de energía total de primeros principios para investigar la adsorción de metales de los grupos IV y V depositados sobre superficies semiconductoras, y su efecto en el crecimiento epitaxial de Si sobre Ge (001). la motivación de este trabajo es tanto por razones teóricas como prácticas. Desde un punto de vista fundamental, el estudio de la adsorción de metales sobre superficies semiconductoras nos permite entender procesos físicos que ocurren en interfaces metal-semiconductor y en superficies limpias. Además, nos permite estudiar otros fenómenos, como el de comportamiento surfactante, sistemas bidimensionales y formación de líneas metálicas atómicas sobre superficies semiconductoras. El interés práctico se debe a sus aplicaciones potenciales en la industria electrónica y optoelectrónica, como por ejemplo en la fabricación de contactos metálicos para semiconductores y de dispositivos más complejos basados en hetero capas semiconductoras. En particular, se usan metales como surfactantes en el crecimiento epitaxial de heteroestructuras semiconductoras. En todos los estudios que se presentan aquí se utiliza el formalismo del funcional de densidad local (LDF, del inglés local density functional), el cual ha sido usado ampliamente en la física de la materia condensada y actualmente es uno de los métodos más precisos para describir las propiedades del estado base de un sistema de estado sólido. Este método se basa en el cálculo de la energía del sistema como un funcional único de la densidad electrónica. Los cálculos se desarrollan dentro del esquema de Car-Parrinello, el cual usa las fuerzas interatómicas derivadas de las funciones electrónicas instantáneas del estado base. Se usa el método de descenso más rápido (steepest-descent) para las relajaciones iónicas y electrónicas en la optimización de estructuras. Se utilizan pseudopotenciales que conservan la norma y se hace una expansión de las eigenfunciones en ondas planas. En este trabajo se estudia la adsorción de Pb, Sb y As sobre Si(001). En el caso de Pb sobre Si(001),se investigan las etapas iniciales del crecimiento. Se determina la estructura atómica d las líneas que forma el Ob sobre Si(001) cuando el recubrimiento es menor a media monocapa. Estas líneas consisten de dímeros asimétricos de Pb que crecen paralelos a los dímeros subyacentes de Si. Al aumentar el recubrimiento hasta media monocapa de Pb, se forma una estructura (2x2), que consiste de dímeros asimétricos de Pb. Los parámetros estructurales de los dímeros de Pb cambian muy poco al incrementarse el recubrimiento. En el caso de Sb y As sobre Si(001), se estudia la estructura atómica y electrónica con una cobertura de una monocapa. Cuando se depositan sobre Si(001), ambos elementos muestran estructuras (2x1) similares formadas por dímeros simétricos. Sin embargo, imágenes de STM muestran que en la superficie Si(001)(2x1)-Sb existe un rompimiento de las filas de dímeros, denominado defecto de fronteras de dominio de antifase, mientras que en la superficie Si(001) (2x1)-As no aparece este tipo de defectos. Se estudia esta diferencia analizando las propiedades atómicas y electrónicas de las estructuras Si(001)(2x1)-Sb y Si(001) (2x1)-As cuando tienen un defecto formado por un dímero desplazado hacia la trinchera entre dos filas. Se encuentra que los factores energéticos son cruciales para la formación y estabilidad de los defectos. En el caso de Sb, la energía total es ~0.01 eV/dímero más alta que la estructura ideal (2x1). Para As, este valor es 0.30 eV/dímero. La razón de esta diferencia se encuentra en la estructura atómica: el enlace del dímero As-As se debilita por el desorden, mientras que el enlace Sb-Sb casi no se afecta. Se calculan las barreras de energía entre las fases ordenada y desordenada. La barrera de energía para As es más alta que par Sb. Sin embargo, en el caso de Sb esta barrera es lo suficientemente alta como hacer que los defectos resulten estables. Después de caracterizar la superficie de Si(001) con un recubrimiento de una monocapa de elementos del grupo V, se estudia el efecto de uno de ellos (As) cuando se usa como surfactante en el crecimiento de Si sobre Ge(001). El Ge tiene una energía libre superficial menor que la del Si y, por lo tanto, el modo de crecimiento preferente de Si sobre una superficie de Ge es formando islas. Sin embargo, se ha probado experimentalmente que el depósito de una capa de As depositada sobre la superficie de Ge(001) puede ayudar en la fabricación de películas epitaxiales de Si/Ge gruesas y con pocos defectos. Primero se estudia el crecimiento de Si sobre Ge(001) cuando se deposita directamente, con un recubrimiento de una monocapa. Se encuentra que es más favorable el crecimiento tridimensional que bidimensional. Además, el Ge tiende a segregarse a la superficie. Luego se estudia la superficie de Ge(001) cuando se le depositan hasta tres capas de Si y con un recubrimiento de una monocapa de As. En este trabajo se muestra que realmente la presencia de una capa de terminación de As modifica el modo de crecimiento, promoviendo el crecimiento epitaxial de Si sobre Ge(001). Adicionalmente, se encuentra que otra ventaja de la capa terminal de As es reducir mucho la posibilidad del intermezclado entre Si y Ge.The adsorption of group IV and group V metals deposited on semiconductor surfaces and its effect in the epitaxial growth of Si on Ge(001) are investigated using first principles total energy calculations. The motivation of this work is due to both theoretical and practical reasons. From a fundamental point of view, the study of metals adsorbed on semiconductor surfaces allow us to understand physical processes that happen on metalsemiconductor interphases and clean surfaces. Also, it allow us to study other phenomena, such as surfactant behaviour, 2-dimentional systems and formation of atomic metallic lines on semiconductor surfaces. The practical interest comes from their potential applications in the electronic and optoelectronic industry. For example, in the fabrication of metal semiconductor contacts and more complex devices based on semiconductor heterolayers. In particular, metals are used as surfactants in the epitaxial growth of semiconductor heterostructures. In all the studies that are presented here, we have used the local density functional (LDF) formalism, which has been widely used in condensed matter physics and today is one of the most precise methods to describe the ground state properties of a solid state system. This method is based on the calculation of the energy of a system as a unique functional of the electronic density. Calculations are performed within the Car-Parrinello scheme, which use interatomic forces derived from the instantaneous ground-state electronic wavefunctions. A combined electronic and ionic steepest-descent algorithm is used to determine optimal structures. Norm-conserving pseudopotentials are used and eigenfunctions are expanded in a plane-wave basis set.In this work the adsorption of PI), Sb and As on Si(001) is studied. In the case of Pb on Si(001), the initial growth stages are investigated. When the coverage is a small fraction of a monolayer, PI) forms straight lines on Si(001). Its atomic structure is determined by the calculations. These lines consist of asymmetric Pb dimers that grow parallel to the underlying Si dimers. A (2 x 2) structure is formed when the Pb coverage is increased up to half a monolayer. This structure also consists of asymmetric Pb dimers and their structural parameters change little with the increase of the coverage. We have also studied the adsorption of one monolayer of Sb or As on Si(001). We have determined their atomic and electronic structures, Sb and As show similar (2 x 1) reconstructions formed by symmetric dimers when adsorbed on Si(001). However, STM images show that in the Si(001) (2 x 1)Sb surface the long-range order is broken up by a high density of antiphase domain boundaries. Similar defects are rarely observed in Si(001) (2 x 1)-As. This difference is studied by analyzing the atomic and electronic properties of the Si(001) (2 x l)-Sb and Si(001) (2 x 1)-As surfaces with a defect: one dimer is shifted to the trench between two rows.We have found that energetics determines crucially the formation and stability of the defects, In the case of Sb, the total energy is ~0.01 eV/dimer higher than the ideal (2xl) structure. For As, this value is 0.30 eV/dimer. This difference can be traced down to the atomic structure: the As-As dimer bond is weakened by the disorder, while the Sb-Sb bond is almost unaffected. Also the energy barriers between the ordered and disordered phases are calculated. The energy ban-ier for As is higher than for Sb. However, in the case of Sb this barrier is high enough to stabilize the defects. After characterizing the Si(001) surface covered with a monolayer of group V elements, the effect of one of them (As) used as a surfactant in the epitaxial growth of Si on Ge(001) is studied. Ge has a lower surface free energy than Si and therefore the preferred growth mode of Si on a Ge surface is forming islands. However, it has been shown experimentally that the deposit of one layer of As on the Ge(001) surface can help in the fabrication of thick, low defect films of Si. We have first studied the growth of one monolayer of Si on Ge(001) when deposited directly. It is found that a 3-dimensional growth is more favorable than 2-dimensional. Moreover, Ge tends to segregate to the surface. Next, the growth of up to three layers of Si with a terminating As layer on Ge(001) is studied. In this work it is shown that indeed the presence of a terminating As layer modifies the growth mode, promoting epitaxial growth of Si on Ge(001). Additionally, it is found that another advantage of the capping As layer is to reduce greatly the possibility of Si and Ge intermixing
Simulation of Aldehyde Adsorption on Hydrogenated Silicene
No full textSe ha estudiado la adición de aldehídos sobre una superficie de siliceno hidrogenado con una vacancia de hidrógeno mediante la teoría del funcional de la densidad. Antes de que la reacción comience, un una densidad de espín localizada o “dangling bond” se forma al remover un hidrógeno de la superficie. Una molécula incidente puede que reaccione con el danlging bond yenlazarse con la superficie. La cinética y termodinámica sugieren que es muy probable que ocurra la reacción. Además, la comparación con los resultados de la adición de aldehídos sobreH-Si(111) y la adsorción de aldehídos sobre siliceno hidrogenado, sugieren que la reacción de los aldehídos con el siliceno hidrogenado es aún más favorable. Esto puede explicarse en términos de la mayor polaridad que exhibe el siliceno hidrogenado en comparación la superficie H-Si(111) en el primer caso, y por la mayor estabilidad de los enlaces Si-O con respecto a los enlaces Si-Cen el último caso. Además, los cálculos sugieren que las reacciones estudiadas auto propagarse,por lo que incentivamos el uso de aldehídos en futuros trabajos experimentales para funcionalizar el siliceno.We have studied the radical initiated addition reaction of aldehydes on hydrogenated silicene by means of periodic density functional theory. Before the reaction starts, a dangling bond is formed by removing a hydrogen atom from the surface. An incoming unsaturated molecule maybe able to react with the dangling bond and attach to the surface. Thermodynamics and kinetic ssuggest that adsorption is highly probable to occur. Even more, comparison of results with the addition reaction of aldehydes on H-Si(111) and the adsorption of hydrocarbons onhy drogenated silicene, suggest that reaction of aldehydes on hydrogenated silicene is even more favorable. This might be explained in terms of the enhanced polar ambient in H-silicenewith respect to the H-Si(111) surface in the first case, and by the higher stability of Si-O bonds with respect to Si-C bonds in the later. Also, calculations suggest that the reactions proposed here can self-propagate, so we encourage the use of aldehydes in future experimental works to functionalize silicene
Variations on the Author
Full text link“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
First-principles study of nitrogen-induced reconstructions on the Cr(001) surface
No full textEl Cromo es un material esencial en distintos dispositivos espintrónicos gracias a sus propiedades magnéticas. La síntesis de Cromo es complicada ya que su superficie es muy reactiva y diversos átomos contaminantes se adsorben a esta. Introduciendo selectivamente un átomo contaminante, como el Nitrógeno, se puede estabilizar la superficie de Cromo. Sin embargo, el Nitrógeno puede cambiar las propiedades electrónicas y magnéticas del Cromo, las cuales son vitales para los dispositivos espintrónicos. Por ello es necesario describir la adsorción de Nitrógeno en la superficie de Cromo, y después sus propiedades electrónicas y magnéticas. La adsorción de Nitrógeno se describe a través de sus reconstrucciones de la superficie de Cromo, la cual se determinó utilizando simulaciones de primeros-principios y con apoyo de imágenes experimentales de una superficie de Cromo con Nitrógeno adsorbido. Con la información de las simulaciones se realizó un análisis termodinámico para determinar la estabilidad de los modelos de reconstrucción en diversas condiciones de síntesis. De los cuatro modelos estables, dos de ellos ya han sido descritos experimentalmente, mientras que los otros dos requirieron de un análisis teórico-experimental. Para este análisis se simularon imágenes teóricas de microscopía de efecto túnel y se compararon con imágenes experimentales de la misma. Con esta comparación se determinó la existencia experimental de ambos modelos, el primero tiene Nitrógenos adsorbidos en los sitios hueco de la superficie con una configuración espacial c(2x2), y el segundo tiene Nitrógenos substituyendo a Cromos en la superficie también en una configuración c(2x2). Así mismo, se determinaron las propiedades electrónicas y magnéticas de ambos modelos, confirmando que se mantienen las características particulares de la superficie de Cromo limpia. Debido a esto, ambos modelos de reconstrucción pueden ser considerados en el desarrollo de dispositivos espintrónicos. Finalmente, en el presente trabajo y por primera vez, se propuso y comprobó experimentalmente el modelo de Nitrógenos substituyendo Cromos.Chromium is an essential material for various spintronic devices due to its magnetic properties. Nevertheless, Chromium synthesis is complicated because its surface is highly reactive, allowing different contaminating atoms to adsorb on it. Selectively introducing a contaminant like Nitrogen, may stabilize enough the surface to make it useful for other devices. The main drawback is that adsorbed Nitrogen changes the electronic and magnetic properties of the Chromium surface; so, describing the adsorption and properties of adsorbed nitrogen is necessary. Nitrogen adsorption is defined by its reconstructions on the Chromium surface, which was described with first-principles calculations and with the help of experimental scanning tunneling microscopy images. A thermodynamic analysis was performed using the information of the calculations, which allowed to find the most stable reconstruction models for different growth conditions. From the four stable models, two were already described experimentally, while the other two required further theoretical-experimental analysis. For this analysis, theoretical scanning tunneling images were simulated and compared to experimental ones. The experimental existence of both models was confirmed with the comparison of this evidence. The first model has Nitrogen adsorbed on the Chromium surface’s hollow-sites in a c(2x2) configuration. The second model has Nitrogen substituting surface Chromium atoms, also in a c(2x2) configuration. The electronic and magnetic properties of both models confirmed that they preserve the main characteristics of the clean Chromium surface. Thus, both reconstruction models can be considered to make spintronic devices. Lastly, in this work and for the first time, the model with substituting Nitrogen was proposed and confirmed experimentally
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