1,721,151 research outputs found
N,N,N ',N '-tetramethylethylenediammonium dichloride
No full textkabak, mehmet/0000-0001-6097-9394The structure of the title compound, C6H18N22+. 2Cl(-), has been determined and has a centre of symmetry, The molecule has strong intermolecular hydrogen bonding between each Cl- and an N-H bond [Cl ... N = 3.012 (3) Angstrom]
3,3-Dichloro-1-(p-chlorophenyl)4-(p-methoxyphenyl)-2-azetidinone
No full textkabak, mehmet/0000-0001-6097-9394The crystal structure of the title compound, C16H12Cl3NO2, has a nearly planar beta-lactam ring with the N atom out of the best plane by 0.032(2) Angstrom. The C-C bond distances in the beta-lactam ring are 1.544(4) and 1.568(4) Angstrom. The chlorophenyl and methoxyphenyl rings are nearly perpendicular to one another [81.92(7)degrees]
3,3-dichloro-1,4-diphenylazetidin-2-one
No full textkabak, mehmet/0000-0001-6097-9394In the crystal structure of the title compound, C15H11C12NO, the Cl-C-Cl plane is nearly perpendicular to the four-membered beta-lactam ring [89.0 (2)degrees] and the C-C bond distances in this group are 1.571 (6) and 1.543 (7) Angstrom. The most out-of-plane atom from the best plane of the lactam ring is the carbonyl C atom [-0.029 (5) Angstrom]. The dihedral angle between the best planes of the phenyl rings is 77.4 (2)degrees
Elektromanyetik dalga yayılım modellemesinin (Epstein-Peterson) yapay sinir ağı modeli kullanılarak analiz edilmesi
No full textBir vericiden yayılan elektromanyetik dalgaların yayılım kayıplarını belirleyebilmek için ölçümler yapılabilir. Fakat ölçüm işlemleri her zaman kolay olmayabilir/ yapılamayabilir. Son yıllarda bu amaçla elektromanyetik dalgaların yayılım kayıplarının belirlenmesi çeşitli modellemeler kullanılmakta ve gün geçtikçe bu işlemler popüler olmaktadır. Bu tez çalışmasında bir radyo vericisinden çıkan elektromanyetik dalgaların yayılım kaybını tahmin etmek amacıyla yapay sinir ağları kullanılmıştır. Elde edilen sonuçlar, ölçüm ve diğer benzetim sonuçları ile karşılaştırılmıştır. Bu tez çalışmasında ele alınan İleri Beslemeli Çok Katmanlı Yapay Sinir Ağı’nda (İBÇYSA) beş girdi parametresi ve bir çıktı parametresi kullanılmıştır. Bunlar; verici antenden uzaklık, etkin anten yüksekliği, arazi şekli, verici ve alıcı yükseklikleri ile ölçüm değerleridir. Yapay sinir ağı modelinde yayılım tahmininde oldukça etkili olan ileri beslemeli sinir ağları ile birlikte Levenberg-Marquardt algoritması kullanılmış olup, başarılı sonuçlar elde edilmiştir. Sonuçlar, Epstein-Peterson modeli ile karşılaştırılmış ve analiz edilmiştir.AbstractTo determine the propagation loss of the electromagnetic wave which is emitted from a transmitter may be made by measurements. But the measurement process may not always be easy / not be possible. In recent years various modelling methods are being used for the determination of propagation loss of electromagnetic waves for this purpose and various modelling methods are becoming popular. In this work, artificial neural networks are used to estimate the propagation loss of electromagnetic waves which is emitted from a radio transmitter. The results obtained were compared with results of other measurement and simulations. In the thesis, FF-MLP is formed as five input and one output data. These are the distance from the transmitter antenna, the effective antenna height, terrain regularities, the height of transmitter and receiver antennas and measurement results. In the artificial neural network, feed forward neural network with Levenberg-Marquardt algorithm which is very efficient has been used and succesfull results are obtained. The results were compared with the Epstein-Peterson model and analysed
GaN metal yarıiletken metal fotodedektör üretim parametreleri ve karakterizasyonu
No full textBu tez çalışmasında geniş dalgaboyu aralığına sahip GaN tabanlı metal yarıiletken metal fotodedektörlerinin üretimi için uygun iş akışı ve karakterizasyonları ortaya konulmaya çalışılmıştır. Fotodedektörlerde çok önemli olan karanlık akımın en az olması için en uygun üretim yöntemler belirlenmeye çalışılmıştır. Fotodedektör prototipi üretiminde uygun iş akışı belirlenmiş ve üretilen aygıt için karakterizasyon aşamasına geçilmiştir. Bir dedektörün ideal olup olmadığını belirleyebilmek için bazı parametreler vardır. Dedektör parametreleri çeşitli testler ile ölçülerek ürünün karakterizasyon işlemleri gerçekleştirilmiştir. Üretimi tamamlamış olan GaN katkılı MSM fotodedektörün de ideal olup olmadığını belirleyebilmek için, akım-gerilim, tayfsal yanıt, kuantum verimliliği ve doğrusallık gibi ölçümler yapılmıştır.AbstractIn this thesis, wide range wavelength of GaN induced metal semiconductor metal photodetectors have been utilized in the production stage and characterized. One of the major problems of photodetector devices is the dark current and photodetectors have been designed with the aim to minimize the dark current. The fabrication methods and process flowchart have been chosen to be suitable for GaN containing metalsemiconductor-metal processes and to yield minimum dark current, and prototype devices have been fabricated. Several parameters exist to determine whether the performance of a photodetector is adequate, hence, the fabricated prototypes have been characterized through measurements of these parameters by various testing methods. The specific parameters measured to evaluate the performance of the GaN metalsemiconductor-metal photodetectors are the current–voltage characteristics, spectral response, quantum efficiency, and response time
Geniş bant (1-12 µm) teleskobik kızılaltı görüntüleyici optik tasarımı
No full textBu tez çalışmasında kızılaltı bölgenin yakın ve uzak olarak adlandırılan 1-12µm dalgaboyunun tamamında çalışabilecek uzay yerleşkeli (yörünge yüksekliği 680km, odak uzunluğu 2.04m, yersel çözünürlüğü 5m) bir teleskopik görüntüleyici uydu kamerası tasarımı anlatılmıştır. Tasarıma başlamadan önce kavramsal temeller olan uydu yörünge yükseklikleri, kızılaltı bölge, ayna ve bağıntıları ile teleskop çeşitleri hakkında bilgi verilmiştir. Bu bilgiler ışığında sistem parametreleri hesaplanarak Zemax-EE© optik tasarım programında iki aynalı ve üç aynalı iki teleskopik sistemin optik tasarımı yapılmıştır. Sonrasında sistemlerin verimlilik analizleri yapılarak kullanılabilirliği tartışılmıştır. Abstract In this thesis a telescopic satellite camera imager is designed, which works in both near and long IR band (1-12 µm) and which has orbit altitude of 680 km, focal length of 2.04 m and geometric sampling distance of 5 m. Before the design, a general information is given about the basic terms such as orbit altitudes, IR band, telescope types and mirror equations. According to obtained information, system parameters are calculated and two systems are designed using Zemax-EE©, which is an optical design software. One of them is with two mirror and the other is three mirror. Finally by analyzing the efficiency of the systems, feasibility issues are discussed
Analysing the effect of various interconnect structures and transistor production approaches on the device performance in micro/nano integrated circuits
No full textGünümüzde yarı iletken endüstrisinin önemli bir kısmını transistörler ve mikro entegre devreler oluşturmaktadır. Özellikle yüksek elektron mobiliteli transistörler ve bunlardan faydalanılarak üretilen monolitik mikro ya da milimetre dalga entegre devreler savunma sanayii, telekomünikasyon ve enerji uygulamalarında tercih edilmektedir. Silisyum Karbür alttaş üzerine epitaksiyel olarak büyütülen Galyum Nitrür yongalar kullanılarak üretilen monolitik mikro entegre devreler ile yüksek frekanslı ve yüksek güçlü uygulamalar gerçekleştirilebilmektedir. Ayrıca Silisyum üzerine epitaksiyel olarak büyütülmüş Galyum Nitrür yongalar da yüksek güç uygulamaları için sıklıkla kullanılmaktadır. Her geçen gün artan talebi karşılayabilmek için güç transistörlerinin ve monolitik mikro entegre devrelerin seri üretimleri yapılmaktadır. Ülkemizde de seri üretimlerine başlanan bu yarı iletken aygıtlarda ön yüz üretim prosesinin son adımı olan ara bağlantı aşamasında kalın metal kaplaması yapılmaktadır. Konvansiyonel olarak altın metali ile gerçekleştirilen bu aşamada kullanılan altın, seri üretimde maliyetleri önemli seviyede artırıcı bir faktördür. Bu tez çalışmasında, kalın metal ara bağlantı yapıları için bakır metali uygulaması yapılmıştır. Çalışmanın ilk kısmında, elektro kaplama ve elektron demeti buharlaştırma yöntemleriyle kalın metal bakır kaplama çalışmaları gerçekleştirilmiştir. Elektron demeti buharlaştırma yöntemiyle bir eş düzlemli dalga kılavuzu üretilmiş, sonuçlar altın ile üretilen aygıtla yapılana benzer deney sonuçları ile karşılaştırılmıştır. Sonuç olarak bakırlı yapının altınlıyla aynı performansı gösterdiği ortaya konulmuştur. Çalışmanın ikinci kısmında ise güç uygulamalarına yönelik olarak silisyum üzeri Galyum Nitrür yonga ile 'normally off' yüksek elektron mobiliteli transistörler üretilmiş, ölçüm ve karakterizasyonları yapılmıştır. 'Normally off' mod'lu transistör elde edebilmek için çeşitli proses tiplerinin uygulandığı hibrit bir yaklaşım gerçekleştirilmiş ve bu proses tipleri her yönüyle ayrıntılı bir şekilde incelenmiştir.High electron mobility transistors and monolithic micro or millimeter-wave integrated circuits are preferred in the defense industry, telecommunications, and energy applications. High frequency and high power applications can be realized with monolithic micro integrated circuits fabricated by using Gallium Nitride wafers, which are grown epitaxially on Silicon Carbide substrates. In addition, Gallium Nitride wafers, which are epitaxially grown on Silicon, are also frequently used for very high power applications. In these semiconductor devices, the thick metal deposition is made in the interconnection step, which is the final step of the front-end fabrication process. Gold is conventionally used for the interconnection. However gold is a factor that significantly increases costs in such mass production. In the scope of this thesis, copper was deposited for thick metal interconnection structures. In the first part of the study, the thick metal copper deposition was carried out by electroplating and electron beam evaporation methods. A coplanar waveguide was fabricated by the electron beam evaporation method and compared to the device fabricated with gold. As a result, it is revealed that the copper structure shows the same performance as the golden structure. In the second part of the study, 'normally off' high electron mobility transistors were fabricated with the Gallium Nitride on silicon wafers for power applications. Their measurements and characterizations were also performed. To obtain a 'normally off' mode transistor, a hybrid approach was applied in which a wide variety of process types. These process types were thoroughly examined in all aspects
Bazı ikili ve/veya üçlü alaşımların temel fiziksel özelliklerinin yoğunluk fonksiyoneli teorisi ile incelenmesi
No full textBu tez çalışmasında, bazı ikili ve üçlü alaşımların (bu alaşımlar: çalkojenlerden NdTe (B1, B2, B3, B81 ve NbO), Nd2Te (C3 ve C15), NdTe2 (C38), Nd3Te (Cu3Au), Nd3Te4 (Pt3O4) ve TlNdTe2 (L21), nadir toprak elementli magnezyum alaşımlarından GdMg (B2) ve TbMg (B2), nadir toprak elementli gümüşlü alaşımlardan AgHo (B2), AgEr (B2) ve AgTm (B2), kübik anti-perovskite üçlü alaşımlardan SnNNi3 (E21), SbNNi3 (E21) ve PdNNi3 (E21), sert alaşım olan RuB2 (oP12)) yapısal, elastik, elektronik, titreşimsel, termodinamik ve optik gibi bazı temel fiziksel özellikleri ilk ilkesel kodlar (ab initio codes) kullanılarak incelenmiştir. Bu alaşımların göstermiş olduğu ilginç fiziksel özellikler literatüre kazandırılmıştır. Ayrıca, bu alaşımlar teknolojik ve endüstriyel cihazların uygulamaları için kullanılabilir
Notch filtre tasarımı
No full textBu tez astronomide, Floresans ve Raman spektroskopisinde sıkça kullanılan optik eksiltme filtrelerin (notch filter) tasarımı ve üretimi anlatılmaktadır. Tasarım için elektromanyetik spektrumun 400-700 nm aralığındaki görünür bölgede çalışılmıştır. Tasarım ve üretimde 514 nm ve komşuluğundaki dalga boylarının yansıtılarak kesilmesi ve çalışılan bölgedeki diğer dalga boylarında yüksek geçirgenlik elde edilmesi amaçlanmıştır. Filtre tasarımı ve üretimi için görünür bölgede sıkça kullanılan TiO2 ve SiO2 malzemeleri kullanılmıştır. Bu tezde öncelikle teorik altyapı bilgisi ve kullanılan kaplama teknikleri gözden geçirilmiştir. `Opti-Layer' programı kullanılarak filtre tasarımı elde edilmiştir. Üretimi yapılmış olan filtrelerde kullanılan TiO2, SiO2 malzemeleri elektron demetli buharlaştırma yöntemi ile kaplanmıştır. Yapılan kaplamaların geçirgenlik ölçümleri spektrofotometre kullanılarak elde edilmiştir. Üretimin homojenliğinin kontrolü amacıyla üç ayrı örnek üretilmiştir. Hazırlanan tasarımlara kıyasla optiksel geçirgenlik değerlerinde birinci geçirgenlik bandında %4.63 ikinci geçirgenlik bandında %4.13 oranında fark gözlemlenmiştir. Bu farkın üretilen filtrelerde kullanılan camın arka yüzeyinden gelen yansımalardan kaynaklandığı düşünülerek tasarım yenilenmiş ve arka yüzeye 6 katmandan oluşan yansıma engelleyici kaplama eklenmiştir. Arka yüzeyi kaplanmış filtrelerin geçirgenlik bantlarında %2.75 ve %4.25 artış görülmüştür.AbstractThe main scope of this thesis is to investigate the design and fabrication process of notch filter used in astronomy, Florescence and Raman spectroscopy. The filter is designed in 400-700 nm spectral range which covers visible region and aimed to reflect a narrow band in the neighborhood of 514 nm central wavelength while transmitting the wavelength bands from both sides of the rejection zone. For design and production process TiO2 and SiO2 were used as high and low refractive index materials which are known to be widely used in the visible region. As a first goal, the basic background information and the coating techniques used up to date were investigated in this thesis. Design of the filters was performed with ?Opti-Layer? software. During the fabrication, TiO2 and SiO2 were deposited by using e-beam evaporation technique. The transmission properties of the filters were probed via spectrophotometer. In order to check the homogeneity quality of the coating three sample filters fabricated. When the experimental results were compared with the theoretical modeling, an average difference of 4.63% was found in the first transmission bands, and 4.13% was found in the second transmission bands of filters. This difference is investigated and found that, it was due to the back reflection of the test glasses. In order to eliminate the back reflections, design is revised and 6 layer antireflecting coating is deposited on back side of the fabricated Notch filters. After the deposition process transmission ranges increased amount of 2.75%, 4,25% in first and second transmission bands of Notch filters
Production parameters and characterization of GaN metal semiconductor metal photodetector
No full textBu tez çalışmasında geniş dalgaboyu aralığına sahip GaN tabanlı metal yarıiletken metal fotodedektörlerinin üretimi için uygun iş akışı ve karakterizasyonları ortaya konulmaya çalışılmıştır. Fotodedektörlerde çok önemli olan karanlık akımın en az olması için en uygun üretim yöntemler belirlenmeye çalışılmıştır. Fotodedektör prototipi üretiminde uygun iş akışı belirlenmiş ve üretilen aygıt için karakterizasyon aşamasına geçilmiştir. Bir dedektörün ideal olup olmadığını belirleyebilmek için bazı parametreler vardır. Dedektör parametreleri çeşitli testler ile ölçülerek ürünün karakterizasyon işlemleri gerçekleştirilmiştir. Üretimi tamamlamış olan GaN katkılı MSM fotodedektörün de ideal olup olmadığını belirleyebilmek için, akım-gerilim, tayfsal yanıt, kuantum verimliliği ve doğrusallık gibi ölçümler yapılmıştır.In this thesis, wide range wavelength of GaN induced metal semiconductor metal photodetectors have been utilized in the production stage and characterized. One of the major problems of photodetector devices is the dark current and photodetectors have been designed with the aim to minimize the dark current. The fabrication methods and process flowchart have been chosen to be suitable for GaN containing metal-semiconductor-metal processes and to yield minimum dark current, and prototype devices have been fabricated. Several parameters exist to determine whether the performance of a photodetector is adequate, hence, the fabricated prototypes have been characterized through measurements of these parameters by various testing methods. The specific parameters measured to evaluate the performance of the GaN metal-semiconductor-metal photodetectors are the current–voltage characteristics, spectral response, quantum efficiency, and response time
- …
