1,721,029 research outputs found
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Full text linkThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Full text link“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Full text linkWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Low energy electron transport model in dielectric materials for space applications
No full textDans l’espace, les satellites sont soumis à des flux continus de particules de basses et hautes énergies (protons, électrons, ions principalement) qui peuvent pénétrer dans les composants électroniques et les endommager. Les particules de hautes énergies impactant l’extérieur du satellite vont notamment déclencher une cascade d’électrons de plus basse énergie qui va à son tour atteindre l’intérieur des composants électroniques et les irradier. La prise en compte de ces effets nécessite l'utilisation de codes de transport des radiations Monte-Carlo, pouvant modéliser le transport des électrons jusqu'à quelques eVs. Dans ce contexte, le CNES, l’ONERA et le CEA ont développé des outils de simulation Monte-Carlo dédiés au transport des électrons de basse énergie et à la modélisation de l'émission secondaire (SEY) : le code OSMOSEE (ONERA/CNES) [1], et le module MicroElec (CEA) du logiciel GEANT4, qui est utilisé dans cette thèse. Le principal objectif de la thèse est d’étendre MicroElec à d’autres matériaux, et plus particulièrement aux matériaux diélectriques pour lesquels de nouveaux phénomènes interviennent. En effet, un champ électrique est généré à l’intérieur du matériau lorsque des trous sont créés par les interactions inélastiques et que des électrons sont piégés, formant ainsi une distribution de charges. Celle-ci génère un potentiel à la surface du matériau, qui va modifier l’énergie des électrons incidents dans le vide et la probabilité d’échappement des électrons de faible énergie, et donc le SEY pour une énergie donnée. Cependant les trous et électrons piégés dérivent à l’intérieur du matériau selon le champ électrique, ce qui a pour effet de modifier la distribution de charges. Cette distribution est également modifiée lorsque de nouveaux électrons et trous sont implantés au cours de l’irradiation. Au cours de la thèse, nous avons développé un modèle Monte-Carlo incluant ces effets, et réalisé des mesures expérimentales sur des échantillons de couches minces de SiO2. Cela nous a permis d'expliquer l'évolution temporelle du SEY en fonction des effets de charges internes, jusque-là mal comprise. Nous avons également pu mettre en évidence et expliquer un artefact expérimental survenant lors des mesures sur des matériaux diélectriques, ainsi qu'étudier l'effet de la température sur le SEY.The space environment is very constraining for satellite systems, which are exposed to intense fluxes of radiation that can potentially generate a number of degradations. Electronic systems are particularly sensitive to radiation effects. Taking into account these effects requires efficient radiation transport codes (Monte Carlo method). Modeling the transport of electrons down to a few eV is required to study some phenomena that could arise in electronic components. But the electron transport models are most of time valid only down to hundred of eV.The aim of the thesis is to develop an electron transportation code valid down to a few eV for dielectric materials of interest in the space domain (SiO2, HfO2, Al2O3, Au, Cu, Ag2S, BN, Ag2O …), in a joint effort between CNES, ONERA and CEA, in order to to studythe effect of the internal charge on the electron emission (TEEY), which is responsible of several issues in space electronics.We have first extended the MicroElec module to the transportation of low energy electrons, protons, and ions in 16 materials. The transport of electrons can be simulated down to the eV, and the models are publicly released in Geant4. We have also developed an analytical model for secondary electron emission, which follows a physically consistant approach.We have notably developed of a Monte-Carlo model able to simulate the effect of positive internal charging on the TEEY of insulating materials, with a focus on SiO2 thin films due to the wide availability of reference data on this material.We have gathered a significant amount of knowledge on the effects of charging onthe TEEY of SiO2 thin films, by conducting experimental measurements and using our model to explain them. It was first demonstrated that the reduction of the TEEY, observed experimentally and in the simulations, is due to the recombination of the secondary electrons with the holes. From this knowledge, we have shown that the presence of residual holes in the sample at the start of a measurement could cause some significant errors in the TEEY, and proposed a discharging method usable during TEEY characterization campaigns. The origin of the multiple humps in the energy/TEEY curves was explained by showing the effect of current density. Lastly, we have explained the effect of temperature on the TEEY by the thermally activated hopping transport. This demonstrates the necessity for new TEEY measurement standards that are specific to dielectrics
Single events induced by electrons in integrated technologies
No full textLes environnements radiatifs sont critiques pour l’intégrité des systèmes électroniques embarqués. Peuplés de particules plus ou moins énergétiques, ces environnements peuvent provoquer des dysfonctionnements qui, suivant les dommages occasionnés, peuvent être identifiés. Ce manuscrit porte ssentiellement sur les pannes non destructives, et plus particulièrement sur les SEU (Single Event Upset) dont les conséquences sont les basculements indésirables de certains points mémoires. Ce faisant, l’information initialement stockée peut être perdue. La thématique de la sensibilité des mémoires aux événements singuliers a pris naissance dans les années 70. Les premières erreurs observées ont été provoquées par des particules lourdes, associées à des pouvoirs ionisants élevés. Ces dernières, en traversant les dispositifs, engendrent des cascades électroniques particulièrement intenses. Aujourd’hui, les mémoires proposent des nœuds technologiques de l’ordre de la dizaine de nanomètres. Ainsi, sur les décennies qui nous séparent des premières observations des événements singuliers, les cellules mémoires ont vu leurs dimensions secomprimer drastiquement. D’un point de vue sensibilité, cela aurait pu aller dans le bon sens mais c’était sans compter sur la réduction des tensions d’alimentation qui s’est opérée dans le même temps. Ce manuscrit s’inscrit dans cette évolution et tâche d’analyser les conséquences qui ont alors émergées.Le transport des particules est une thématique commune à tant de sujets. Et la sensibilité des mémoires n’y échappe pas. D’autant que la contrition des composants nous impose maintenant une certaine rigueur : il nous revient de réaliser le transport des particules sur des échelles nanométriques. Ainsi, nous avons travaillé sur le développement et l’implémentation de nouveauxmodèles physiques dans un code de transport, GEANT4. Ces travaux nous permettent de suivre les cascades électroniques jusqu’à des énergies très basses, une condition indispensable pour les autres études que nous avons menées.Des électrons aux protons, nous avons investigué l’ensemble des processus physiques potentiellement impliqués dans les déclenchements d’erreur. Plusieurs résultats inédits ont ainsi été obtenus et démontrés : le rôle des interactions Coulombiennes sur les sensibilités mesurés en environnements électrons, et celui, propre aux diffusions élastiques, dans le cas des environnementsprotons. Le comportement des mémoires sous ces deux types d’environnement, les dynamiques qu’ils imposent sur les courbes de sensibilité, nous ont, par la suite, guidés vers une méthode de calibration des paramètres de simulation. Cette dernière étude offre d’ailleurs un moyen de prédiction de la sensibilité des composants pour des environnements auxquels ils n’ont pas ététestés. Enfin, ce manuscrit se conclura sur une dernière étude, plus proche du composant, où l’on regardera les transitoires générés par des faisceaux d’électrons sur un inverseur ultrascale.Radiative environments are critical to the integrity of embedded electronic systems. Theseenvironments can cause malfunctions which, depending on the damage caused, can be identified. This manuscript focuses mainly on non-destructive failures, and more particularly on Single Event Upset (SEU) whose consequences are the undesirable switching of memory bits. In doing so, the information initially stored may be lost.The theme of the sensitivity of memories to singular events began in the 1970s. The first errors observed were caused by heavy particles, associated with high ionizing powers. The latter, by crossing the devices, generate particularly intense electronic cascades. Today, memories propose technological nodes of the order of ten nanometers. Thus, over the decades between us and the first observations of singular events, memory cells have seen their dimensions drastically compressed. From the SEU sensitivity point of view, this could have hardened the devices, but at the same time the supply voltages were reduced. This manuscript is part of this evolution and tries to analyze the consequences that emerged.The transport of particles is a common theme for many subjects. And the sensitivity of memories is one of them . Especially since the integration of memory cells now imposes constraints that we must consider: it is up to us to carry out the transport of particles on nanometric scales. Thus, we haveworked on the development and implementation of new physical models in a transport code, GEANT4. This work allows us to track electronic cascades to very low energies, an essential condition for the other studies that we have conducted.From electrons to protons, we investigated all the physical processes potentially in the triggering of upsets . Several new results have thus been obtained and demonstrated: the role of Coulomb interactions on the SEU sensitivities measured in electron environments, and the specific role of theCoulomb elastic scattering in the case of proton environments. The behaviour of the memories in these two kinds of environments, the dynamics they impose on the sensitivity curves, then guided us towards a method for calibrating the simulation parameters. This last study also provides a means of predicting the sensitivity of devices for environments in which no measures are available. Finally, this manuscript will conclude with a final study, closer to the device, where we will look at the transients generated by electron beams on an ultrascale inverter
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Full text linkWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
koamabayili/VECTRON-author-checklist: VECTRON author checklist
No full textWe have done our best to complete the author checklist relating to the use of animals in the hut study. Note that the objective for the hut study was to evaluate the IRS treatment applications for residual efficacy against Anopheles mosquitoes, including the local An. coluzzii mosquito population. Cows were only used to attract mosquitoes into the huts and no tests were carried out directly on the cows. The author checklist is intended for use with studies where experiments are carried out on animals, which is why we have had such difficulty in completing this for the hut study, as many of the questions do not relate to how the cows were used
Understanding of physical mechanism causing extreme electrical degradation in pixels of irradiated imager
No full textLes capteurs d'images sont utilisés dans diverses applications spatiales : observation spatiale, calcul d'attitude etc. Ces capteurs évoluent dans l’environnement spatial dont les rayonnements entraînent une dégradation de leurs performances. Parmi les paramètres impactés, nous nous intéressons au courant d'obscurité des pixels. Ce courant parasite correspond à la génération de porteurs de charges sans lumière par simple excitation thermique, induisant l'augmentation du bruit de fond des images. Les pixels fortement dégradés sont particulièrement pénalisants pour les missions spatiales. Cet effet pousse donc la communauté spatiale à développer des méthodes de prédiction performantes. L'ONERA a développé une méthode originale de prédiction des courants d'obscurité basée sur la méthode de Monte Carlo et la librairie GEANT4. L’objectif de la thèse est d’améliorer la prédiction de l’outil. Dans un premier temps, nous avons modifié l'outil numérique pour des cas extrêmes de modélisations pour lesquels les modélisations Monte Carlo sont trop longues. Pour cela, nous avons développé des méthodes utilisant des simplifications statistiques. Dans un second temps, nous avons étudié l’influence de la géométrie du pixel sur le courant d'obscurité. L’idée est de suivre les cascades de dégradations générées par les particules spatiales et de déterminer si ces cascades restent confinées au sein du pixel impacté ou si elles se propagent dans les pixels voisins. Enfin, nous avons élaboré dans notre outil un modèle simulant les mécanismes liés au champ électrique potentiellement responsables des dégradations les plus élevées, les effets Poole-Frenkel et tunnel assisté par phonons.Image sensors are used in various space applications: space and earth observations, attitude calculation etc. Those sensors are very sensitive to the space environment whose radiations lead to a degradation of their performances. Among the different impacted parameters, we are interested in the increase of dark current in the pixels. This parasitic current is caused by the thermal generation of charge carriers without any light excitation inducing the increase of the background noise on the images. Some pixels exhibiting the highest degradation are particularly disadvantageous for space missions. They can be critical for some missions and impose to the space community to develop effective prediction methods. ONERA developed an original method to predict dark current induce by the space radiations, based on a Monte Carlo method and the GEANT4 library. The objective of the PhD is to improve the performances of the tool. The approach of this work is first to modify the numerical tool for extreme cases of modelling (i.e. high fluencies or huge pixel volume) for which the Monte Carlo simulations are too long. In order to reduce this computation time, we developed calculation methods using statistical simplifications. In a second part, we studied the influence of the pixel geometry on the dark current. The idea is to follow the degradation cascades created by space particles and to determine if those cascades are contained in the impacted pixel or if they reach neighbor pixels. Finally, we modelled in our tool the physical mechanisms potentially responsible of the highest degradations linked to the electric field, the Poole-Frenkel effect and the phonon assisted tunneling
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