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Développement de procédés de gravure RIE et d'implantation ionique pour la fabrication de composants de puissance en diamant CVD
No full textNational audienceThe ever-increasing demand for electrical energy has led to the development of power components able to meet energy requirements. Today, the majority of these devices are made from silicon. However, they are confronted with the limits of the intrinsic properties of this material. To overcome these constraints, research has focused on the manufacture of power devices based on wide bandgap semiconductors, which offer better electronic properties, particularly in terms of breakdown voltage, high temperatures and high currents operation. Among these materials, diamond appears to be the most promising candidate for the fabrication of power devices, because of its electronic properties. In this context, our work is a continuation of the ANR MOVeToDIAM project, coordinated by LAAS-CNRS, launched in November 2017 and finished in 2022. The aim of this project was to develop technologies for the fabrication of two demonstrators on diamond: vertical TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) diodes and vertical P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistors with a U-gate, able to withstand 6000 V and 1200 V respectively at room temperature. The first phase of our work involved developing a dry etching process, RIE-ICP (Reactive Ion Etching – Inductively Coupled Plasma), required for the fabrication of the U-shaped gate in MOSFET transistors as well as the MESA structure of TMBS diodes. Finally, we studied boron ion implantation on p-type CVD diamond layers to achieve localized high boron doped layers with low resistivity. We have characterized the implanted layers using various techniques. Methods such as secondary ion mass spectrometry (SIMS), Transmission Electron Microscopy (TEM) and Atomic Force Microscopy (AFM) were used to study the structure of the diamond layers. Electrical properties, in particular sheet resistance, mobility and carrier concentration, were determined using four-point measurements and complemented by the Hall effect technique. In addition, photoluminescence and cathodoluminescence techniques were used to analyse the defects present in these implanted layers.L'augmentation croissante de la demande en énergie électrique a conduit au développement de composants de puissance capables de répondre aux besoins énergétiques. Aujourd'hui, la majorité de ces composants sont fabriqués à base de silicium. En revanche, ces dispositifs sont confrontés aux limites des propriétés intrinsèques de ce matériau. Pour surmonter ces contraintes, la recherche s'est orientée vers la fabrication de composants de puissance à base de semi-conducteurs à large bande interdite, qui offrent des propriétés électroniques supérieures, notamment en termes de tenue en tension, de fonctionnement à haute température et forts courants. Parmi ces matériaux, le diamant apparaît comme le candidat le plus prometteur pour la réalisation de composants de puissance, en raison de ses propriétés électroniques. Dans ce cadre, nos travaux s'inscrivent dans la continuité du projet ANR MOVeToDIAM, coordonné par le LAAS-CNRS, lancé en novembre 2017 et achevé en 2022. Ce projet avait pour objectif de développer des technologies pour la fabrication de deux démonstrateurs : des diodes TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) verticales et des transistors MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) verticaux à canal P avec une grille en U en diamant, capables de supporter respectivement 6000 V et 1200 V à température ambiante. La première phase de nos travaux a consisté à développer un procédé de gravure sèche RIE-ICP (Reactive Ion Etching – Inductively Coupled Plasma) nécessaire pour réaliser la grille en U de transistors MOSFET et également la structure MESA de diodes TMBS. Enfin, les couches de diamant CVD dopées au bore par implantation ionique ont été étudiées afin d'évaluer l’efficacité du dopage, à travers l'analyse de la structure du diamant et des propriétés électriques après dopage. L'objectif est d'obtenir un dopage localisé de ces couches dopées au bore avec une faible résistivité. Ces couches ont été caractérisées à l'aide de différentes techniques. Les méthodes telles que la spectrométrie de masse d'ions secondaires (SIMS), la microscopie électronique en transmission (TEM) et la microscopie à force atomique (AFM) ont été utilisées pour étudier la structure de nos couches diamant. Les propriétés électriques notamment la résistance par carré, la mobilité et la concentration des porteurs libres ont été déterminées à partir de mesures quatre pointes et complétées par la technique d’effet Hall. Par ailleurs, les techniques de photoluminescence et de cathodoluminescence ont été employées afin d'analyser les défauts présents dans les couches implantées
Développement de procédés de gravure RIE et d'implantation ionique pour la fabrication de composants de puissance en diamant CVD
No full textNational audienceThe ever-increasing demand for electrical energy has led to the development of power components able to meet energy requirements. Today, the majority of these devices are made from silicon. However, they are confronted with the limits of the intrinsic properties of this material. To overcome these constraints, research has focused on the manufacture of power devices based on wide bandgap semiconductors, which offer better electronic properties, particularly in terms of breakdown voltage, high temperatures and high currents operation. Among these materials, diamond appears to be the most promising candidate for the fabrication of power devices, because of its electronic properties. In this context, our work is a continuation of the ANR MOVeToDIAM project, coordinated by LAAS-CNRS, launched in November 2017 and finished in 2022. The aim of this project was to develop technologies for the fabrication of two demonstrators on diamond: vertical TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) diodes and vertical P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistors with a U-gate, able to withstand 6000 V and 1200 V respectively at room temperature. The first phase of our work involved developing a dry etching process, RIE-ICP (Reactive Ion Etching – Inductively Coupled Plasma), required for the fabrication of the U-shaped gate in MOSFET transistors as well as the MESA structure of TMBS diodes. Finally, we studied boron ion implantation on p-type CVD diamond layers to achieve localized high boron doped layers with low resistivity. We have characterized the implanted layers using various techniques. Methods such as secondary ion mass spectrometry (SIMS), Transmission Electron Microscopy (TEM) and Atomic Force Microscopy (AFM) were used to study the structure of the diamond layers. Electrical properties, in particular sheet resistance, mobility and carrier concentration, were determined using four-point measurements and complemented by the Hall effect technique. In addition, photoluminescence and cathodoluminescence techniques were used to analyse the defects present in these implanted layers.L'augmentation croissante de la demande en énergie électrique a conduit au développement de composants de puissance capables de répondre aux besoins énergétiques. Aujourd'hui, la majorité de ces composants sont fabriqués à base de silicium. En revanche, ces dispositifs sont confrontés aux limites des propriétés intrinsèques de ce matériau. Pour surmonter ces contraintes, la recherche s'est orientée vers la fabrication de composants de puissance à base de semi-conducteurs à large bande interdite, qui offrent des propriétés électroniques supérieures, notamment en termes de tenue en tension, de fonctionnement à haute température et forts courants. Parmi ces matériaux, le diamant apparaît comme le candidat le plus prometteur pour la réalisation de composants de puissance, en raison de ses propriétés électroniques. Dans ce cadre, nos travaux s'inscrivent dans la continuité du projet ANR MOVeToDIAM, coordonné par le LAAS-CNRS, lancé en novembre 2017 et achevé en 2022. Ce projet avait pour objectif de développer des technologies pour la fabrication de deux démonstrateurs : des diodes TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) verticales et des transistors MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) verticaux à canal P avec une grille en U en diamant, capables de supporter respectivement 6000 V et 1200 V à température ambiante. La première phase de nos travaux a consisté à développer un procédé de gravure sèche RIE-ICP (Reactive Ion Etching – Inductively Coupled Plasma) nécessaire pour réaliser la grille en U de transistors MOSFET et également la structure MESA de diodes TMBS. Enfin, les couches de diamant CVD dopées au bore par implantation ionique ont été étudiées afin d'évaluer l’efficacité du dopage, à travers l'analyse de la structure du diamant et des propriétés électriques après dopage. L'objectif est d'obtenir un dopage localisé de ces couches dopées au bore avec une faible résistivité. Ces couches ont été caractérisées à l'aide de différentes techniques. Les méthodes telles que la spectrométrie de masse d'ions secondaires (SIMS), la microscopie électronique en transmission (TEM) et la microscopie à force atomique (AFM) ont été utilisées pour étudier la structure de nos couches diamant. Les propriétés électriques notamment la résistance par carré, la mobilité et la concentration des porteurs libres ont été déterminées à partir de mesures quatre pointes et complétées par la technique d’effet Hall. Par ailleurs, les techniques de photoluminescence et de cathodoluminescence ont été employées afin d'analyser les défauts présents dans les couches implantées
Développement de procédés de gravure RIE et d'implantation ionique pour la fabrication de composants de puissance en diamant CVD
No full textNational audienceThe ever-increasing demand for electrical energy has led to the development of power components able to meet energy requirements. Today, the majority of these devices are made from silicon. However, they are confronted with the limits of the intrinsic properties of this material. To overcome these constraints, research has focused on the manufacture of power devices based on wide bandgap semiconductors, which offer better electronic properties, particularly in terms of breakdown voltage, high temperatures and high currents operation. Among these materials, diamond appears to be the most promising candidate for the fabrication of power devices, because of its electronic properties. In this context, our work is a continuation of the ANR MOVeToDIAM project, coordinated by LAAS-CNRS, launched in November 2017 and finished in 2022. The aim of this project was to develop technologies for the fabrication of two demonstrators on diamond: vertical TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) diodes and vertical P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistors with a U-gate, able to withstand 6000 V and 1200 V respectively at room temperature. The first phase of our work involved developing a dry etching process, RIE-ICP (Reactive Ion Etching – Inductively Coupled Plasma), required for the fabrication of the U-shaped gate in MOSFET transistors as well as the MESA structure of TMBS diodes. Finally, we studied boron ion implantation on p-type CVD diamond layers to achieve localized high boron doped layers with low resistivity. We have characterized the implanted layers using various techniques. Methods such as secondary ion mass spectrometry (SIMS), Transmission Electron Microscopy (TEM) and Atomic Force Microscopy (AFM) were used to study the structure of the diamond layers. Electrical properties, in particular sheet resistance, mobility and carrier concentration, were determined using four-point measurements and complemented by the Hall effect technique. In addition, photoluminescence and cathodoluminescence techniques were used to analyse the defects present in these implanted layers.L'augmentation croissante de la demande en énergie électrique a conduit au développement de composants de puissance capables de répondre aux besoins énergétiques. Aujourd'hui, la majorité de ces composants sont fabriqués à base de silicium. En revanche, ces dispositifs sont confrontés aux limites des propriétés intrinsèques de ce matériau. Pour surmonter ces contraintes, la recherche s'est orientée vers la fabrication de composants de puissance à base de semi-conducteurs à large bande interdite, qui offrent des propriétés électroniques supérieures, notamment en termes de tenue en tension, de fonctionnement à haute température et forts courants. Parmi ces matériaux, le diamant apparaît comme le candidat le plus prometteur pour la réalisation de composants de puissance, en raison de ses propriétés électroniques. Dans ce cadre, nos travaux s'inscrivent dans la continuité du projet ANR MOVeToDIAM, coordonné par le LAAS-CNRS, lancé en novembre 2017 et achevé en 2022. Ce projet avait pour objectif de développer des technologies pour la fabrication de deux démonstrateurs : des diodes TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) verticales et des transistors MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) verticaux à canal P avec une grille en U en diamant, capables de supporter respectivement 6000 V et 1200 V à température ambiante. La première phase de nos travaux a consisté à développer un procédé de gravure sèche RIE-ICP (Reactive Ion Etching – Inductively Coupled Plasma) nécessaire pour réaliser la grille en U de transistors MOSFET et également la structure MESA de diodes TMBS. Enfin, les couches de diamant CVD dopées au bore par implantation ionique ont été étudiées afin d'évaluer l’efficacité du dopage, à travers l'analyse de la structure du diamant et des propriétés électriques après dopage. L'objectif est d'obtenir un dopage localisé de ces couches dopées au bore avec une faible résistivité. Ces couches ont été caractérisées à l'aide de différentes techniques. Les méthodes telles que la spectrométrie de masse d'ions secondaires (SIMS), la microscopie électronique en transmission (TEM) et la microscopie à force atomique (AFM) ont été utilisées pour étudier la structure de nos couches diamant. Les propriétés électriques notamment la résistance par carré, la mobilité et la concentration des porteurs libres ont été déterminées à partir de mesures quatre pointes et complétées par la technique d’effet Hall. Par ailleurs, les techniques de photoluminescence et de cathodoluminescence ont été employées afin d'analyser les défauts présents dans les couches implantées
Développement de procédés de gravure RIE et d'implantation ionique pour la fabrication de composants de puissance en diamant CVD
No full textNational audienceThe ever-increasing demand for electrical energy has led to the development of power components able to meet energy requirements. Today, the majority of these devices are made from silicon. However, they are confronted with the limits of the intrinsic properties of this material. To overcome these constraints, research has focused on the manufacture of power devices based on wide bandgap semiconductors, which offer better electronic properties, particularly in terms of breakdown voltage, high temperatures and high currents operation. Among these materials, diamond appears to be the most promising candidate for the fabrication of power devices, because of its electronic properties. In this context, our work is a continuation of the ANR MOVeToDIAM project, coordinated by LAAS-CNRS, launched in November 2017 and finished in 2022. The aim of this project was to develop technologies for the fabrication of two demonstrators on diamond: vertical TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) diodes and vertical P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistors with a U-gate, able to withstand 6000 V and 1200 V respectively at room temperature. The first phase of our work involved developing a dry etching process, RIE-ICP (Reactive Ion Etching – Inductively Coupled Plasma), required for the fabrication of the U-shaped gate in MOSFET transistors as well as the MESA structure of TMBS diodes. Finally, we studied boron ion implantation on p-type CVD diamond layers to achieve localized high boron doped layers with low resistivity. We have characterized the implanted layers using various techniques. Methods such as secondary ion mass spectrometry (SIMS), Transmission Electron Microscopy (TEM) and Atomic Force Microscopy (AFM) were used to study the structure of the diamond layers. Electrical properties, in particular sheet resistance, mobility and carrier concentration, were determined using four-point measurements and complemented by the Hall effect technique. In addition, photoluminescence and cathodoluminescence techniques were used to analyse the defects present in these implanted layers.L'augmentation croissante de la demande en énergie électrique a conduit au développement de composants de puissance capables de répondre aux besoins énergétiques. Aujourd'hui, la majorité de ces composants sont fabriqués à base de silicium. En revanche, ces dispositifs sont confrontés aux limites des propriétés intrinsèques de ce matériau. Pour surmonter ces contraintes, la recherche s'est orientée vers la fabrication de composants de puissance à base de semi-conducteurs à large bande interdite, qui offrent des propriétés électroniques supérieures, notamment en termes de tenue en tension, de fonctionnement à haute température et forts courants. Parmi ces matériaux, le diamant apparaît comme le candidat le plus prometteur pour la réalisation de composants de puissance, en raison de ses propriétés électroniques. Dans ce cadre, nos travaux s'inscrivent dans la continuité du projet ANR MOVeToDIAM, coordonné par le LAAS-CNRS, lancé en novembre 2017 et achevé en 2022. Ce projet avait pour objectif de développer des technologies pour la fabrication de deux démonstrateurs : des diodes TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) verticales et des transistors MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) verticaux à canal P avec une grille en U en diamant, capables de supporter respectivement 6000 V et 1200 V à température ambiante. La première phase de nos travaux a consisté à développer un procédé de gravure sèche RIE-ICP (Reactive Ion Etching – Inductively Coupled Plasma) nécessaire pour réaliser la grille en U de transistors MOSFET et également la structure MESA de diodes TMBS. Enfin, les couches de diamant CVD dopées au bore par implantation ionique ont été étudiées afin d'évaluer l’efficacité du dopage, à travers l'analyse de la structure du diamant et des propriétés électriques après dopage. L'objectif est d'obtenir un dopage localisé de ces couches dopées au bore avec une faible résistivité. Ces couches ont été caractérisées à l'aide de différentes techniques. Les méthodes telles que la spectrométrie de masse d'ions secondaires (SIMS), la microscopie électronique en transmission (TEM) et la microscopie à force atomique (AFM) ont été utilisées pour étudier la structure de nos couches diamant. Les propriétés électriques notamment la résistance par carré, la mobilité et la concentration des porteurs libres ont été déterminées à partir de mesures quatre pointes et complétées par la technique d’effet Hall. Par ailleurs, les techniques de photoluminescence et de cathodoluminescence ont été employées afin d'analyser les défauts présents dans les couches implantées
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Get PDFThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Get PDF“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Get PDFWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Get PDFWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
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