1,721,084 research outputs found
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Get PDFThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Get PDF“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Get PDFWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Get PDFWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
Zinkoxid-Dünnschichttransistoren mittels Hochfrequenz-Magnetron-Kathodenzerstäubung
Get PDFThe major goal of this work is to investigate the electrical and morphological characteristics
of single ZnO thin film transistors (TFTs) and construct basic logic circuits based on ZnO
TFTs. In this work, zinc oxide (ZnO) thin films are fabricated by RF magnetron sputtering
method. The working principle of ZnO TFTs with respect to traditional silicon MOSFETs is
discussed and a model combining MOSFET with accumulation channel and JFET with insulated
gate is included to understand the electrical behavior of ZnO TFTs. During sputtering
processes, the influence of sputtering parameters on the sputtering rate is investigated. Sputtering
parameters include oxygen flow rate, total pressure, sputtering power, and substrateto-
target distance. Effects of these sputtering parameters on the ZnO electrical characteristics
such as bulk resistivity are also analyzed. Morphological and electrical characteristics of
ZnO TFTs after post deposition annealing in both oxygen and forming gas atmosphere in the
temperature range of 400°C to 500°C are investigated. The ZnO layer after annealing shows
polycrystalline morphology and the grain size tends to increase with increasing temperature
in both oxygen and forming gas atmosphere. The threshold voltage decreases and the saturation
mobility increases with increasing temperature in both cases. The correlations between
ZnO layer properties and electrical characteristics after annealing are investigated.
With the decrease in the interface trap density and grain boundary trap density, the threshold
voltage and turn-on voltage of the ZnO TFTs decrease while the saturation mobility increases
after both oxygen and forming gas annealing. Besides the reduction of trap density, incorporated
hydrogen during forming gas annealing acts as shallow donors and thus ZnO TFTs
in forming gas annealing show an even higher mobility and lower threshold voltage than the
TFTs annealed at same temperature in oxygen. ZnO TFTs are also demonstrated in this
work to construct NMOS enhancement load inverters. The inverter gain increases with supply
voltage and is limited by the off currents in single ZnO TFTs. An additional modification
mask with the possibility to modify the ZnO active channel layer through different annealing
steps or ion implantation is included in this work and a boost in inverter gain is realistic with
the integration of the modification mask to realize NMOS depletion load inverters.Das wichtigste Ziel dieser Arbeit war es, die elektrischen und morphologischen Merkmale
von ZnO-Dünnschichttransistoren (TFTs) zu untersuchen und grundlegende Logik-
Schaltungen auf Basis von ZnO-TFTs zu konstruieren. In dieser Arbeit wurden Zinkoxid
(ZnO)-Dünnschichten mittels RF-Magnetron-Kathodenzerstäubungs-Verfahren hergestellt.
Das Funktionsprinzip von ZnO-TFTs wird im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs
diskutiert und ein Modell zur Kombination eines MOSFETs mit Akkumulationskanal und
eines JFETs mit isoliertem Gate wird beschrieben, um das Stromverhalten in ZnO-TFTs zu
verstehen. Bezüglich der Sputterverfahren wird der Einfluss der Prozessparameter auf die
Sputterrate untersucht. Sputterparameter beinhalten Sauerstoffdurchfluss, Gesamtdruck,
Sputterleistung und Abstand zwischen Substrat und Target. Die Auswirkungen dieser
Sputterparameter auf die elektrischen Eigenschaften des ZnO, wie spezifischer Widerstand,
werden ebenfalls analysiert. Morphologische und elektrische Eigenschaften von ZnO-TFTs
nach der Temperung in Sauerstoff- und Formiergasatmosphäre im Temperaturbereich von
400 °C bis 500 °C werden untersucht. Die ZnO-Schicht weist nach der Temperung
polykristalline Morphologie auf und die Korngröße nimmt sowohl unter Sauerstoffatmosphäre
als auch unter Formiergasumgebung mit steigender Ausheiltemperatur zu. Die
Einsatzspannung verringert sich und die Sättigungsbeweglichkeit erhöht sich mit
zunehmender Temperatur in beiden Fällen. Der Zusammenhang zwischen ZnOSchichteneigenschaften
und elektrischen Eigenschaften nach der Temperung wird
beschrieben. Mit der Abnahme der Haftstellendichte verringern sich die Einsatzspannung
und die Einschaltspannung der ZnO-TFTs, während die Sättigungsbeweglichkeit nach der
Sauerstoff- und Formiergastemperung steigt. Neben der Reduzierung der Haftstellendichte
wird während der Formiergastemperung Wasserstoff in das ZnO eingebaut, der als flacher
Donator wirkt. Somit zeigen in Formiergas getemperte ZnO-TFTs eine höhere Beweglichkeit
und niedrigere Einsatzspannung als bei gleicher Temperatur in Sauerstoff getemperte
Proben. Des Weiteren wird in dieser Arbeit die Konstruktion von NMOS-Invertern mit
Anreicherungs-Lasttransistoren demonstriert. Das Inverteramplitudenverhältnis erhöht sich
mit der Versorgungsspannung und wird durch die Off-Ströme in einzelnen ZnO-TFTs
beschränkt. Eine weitere Maskenebene mit der Möglichkeit, den aktiven ZnO-Kanal des
Last- oder Schalttransistors durch zusätzliche Temperschritte oder Ionenimplantation zu
ändern, wird in dieser Arbeit beschrieben. Mit der Integration der Modifikationsmaske
erscheint die Realisierung eines NMOS Verarmungs-Last Inverters und eine Erhöhung des
Inverteramplitudenverhältnisses realistisch
Entwicklung fortschrittlicher Flüssigzellenarchitekturen für leistungsfähige in situ Transmissionselektronenmikroskopie in den Materialwissenschaften
Get PDFLiquid cell transmission electron microscopy (LCTEM) is a novel approach that enables the
characterization of dynamic processes in liquid media at high spatial, temporal, and energetic
resolution. In order to establish this particular method as standard approach, the architecture of liquid
cells has to be optimized because most concepts thus far do not allow exploiting the
performance limits of modern electron microscopes. Furthermore, distinct processes, like changes
in the solution chemistry, induced by electron beam irradiation of liquid specimen have not yet been
satisfactorily clarified. In the present work different liquid cell architectures are examined respecting
their fabrication processes and applicability.
This is achieved by a fundamental analysis of advantages and drawbacks of different liquid
cell architectures which allowed for a simplification and optimization of critical process routes. For
example, the application of a photopatternable adhesive proved beneficial properties compared to
direct bonding processes because of its lower sensitivity against surface roughness. Furthermore,
strategies for a secure enclosure of the fluid specimen within the liquid cell are developed enabling
an application of the liquid cells in transmission electron microscopes (TEM).
The influence of the electron beam on nanoparticles which were dispersed in aqueous solutions
was the first subject of investigation. Here, the statistic motion of nanoparticles based on BROWNian
motion was examined in detail. This investigation allowed for drawing conclusions about the properties
of the fluid as well as about external influences like particle aggregation and charging effects.
Furthermore, it was shown that the electron beam can be used to specifically influence the chemistry
of the solution as well as to manipulate individual nanoparticles.
In the remainder of this thesis, a novel liquid cell architecture is described, which shows
considerable benefits compared to other liquid cell designs respecting fabrication and versatility of
application in TEM. The material graphene was utilized in order to confine the liquid specimen
within the liquid cell. This material is particularly well-suited for its application in LCTEM because
of its extraordinary conductivity, impermeability and extremely low thickness. Few-layer graphene
which was utilized for this purpose was optically characterized via an analytical approach developed
for enhancing the contrast of atomically thin layers on multilayer systems. Using this liquid cell
design, growth and degradation of nanostructures were investigated. The experiments showed that this particular architecture does not only allow for high resolution imaging but also for compositional
analysis via energy dispersive X-ray spectroscopy. This method was shown to be highly problematic
in common liquid cell designs, mainly because of shadowing of the detectors caused by silicon edges
of the liquid cell itself and by elements of the applied specimen holder. The new design benefits
from a plane surface without shadowing features. Furthermore, the size of the electron transparent
windows was extremely enlarged which enabled electron tomography in a liquid cell for the first time.
With this novel liquid cell architecture the mechanism of growth of silver shells on gold
nanorods could be clarified in detail. In order to achieve this, a comprehensive study was conducted
using various LCTEM methods. The specimen fluid under investigation contained gold nanorods
which were stabilized with the surfactant cetrimonium bromide in an aqueous solution of silver
nitrate. Silver ions were reduced by solved electrons arising from the electron beam induced
radiolysis of water. It was shown that this particular reaction proceeds via a two-step process. Here, a
precipitation of silver bromide occurred at first. This silver bromide dissolved layer-wise because of
a disruption of the solution equilibrium caused by the reduction of free silver ions in the solution. The
dissolution in turn leads to a release of further silver ions which deposit on the gold nanorods after
reduction. In addition, an anisotropy in the growth of the silver shell was identified which is caused
by bromide ions adsorbing at the surface of the nanorods. These bromide ions affect the surface energy
of distinct crystal facets which causes a hindered growth of the silver shell along the longitudinal
axis of the gold nanorods. The results of this study were validated by complementary experiments
achieved applying UV-Vis absorption spectroscopy.Die Flüssigzellen-Transmissionselektronenmikroskopie (LCTEM) ist ein vielversprechendes,
neuartiges Verfahren zur Charakterisierung dynamischer Prozesse in flüssigen Medien mit hoher
räumlicher, zeitlicher und energetischer Auflösung. Um die Methode als Standardcharakterisierungstechnik
zu etablieren, muss einerseits die Architektur von Flüssigzellen dahingehend angepasst werden,
dass diese die Leistungsfähigkeit moderner Elektronenmikroskope nicht zu stark einschränkt.
Andererseits sind viele Prozesse, die sich aufgrund des Einflusses hochenergetischer Elektronen auf
flüssige Proben ergeben, noch nicht ausreichend systematisch analysiert. Daher wurden in der vorliegenden
Arbeit verschiedene Architekturen von Flüssigzellen hinsichtlich deren Herstellung und
Anwendung untersucht.
Hierfür wurde zunächst eine grundlegende Analyse bereits bestehender Systeme in Bezug auf
deren Vor- und Nachteile vorgenommen. Dadurch konnten kritische Prozessrouten identifiziert werden,
um die Herstellung von statischen Flüssigzellen zu vereinfachen und zu optimieren. Es wurde
gezeigt, dass der Einsatz eines photostrukturierbaren Adhäsivs gegenüber dem eines Direktbondprozesses
von Vorteil ist. Ferner wurden Strategien entwickelt, um die Flüssigkeit innerhalb der Flüssigzellen
sicher zu verkapseln. Dies ermöglichte den Einsatz im Transmissionselektronenmikroskop.
Der Einfluss des Elektronenstrahls auf in wässrigen Lösungen dispergierten Nanopartikeln
war Gegenstand der ersten Untersuchungen. Hierbei wurde die statistische Bewegung der Partikel,
welche auf der BROWNschen Bewegung beruht, eingehend untersucht. Aus dieser konnten Informationen
über die Eigenschaften der Flüssigkeit, sowie über externe Einflüsse, wie Aggregation und
Aufladungseffekte, gewonnen werden. Des Weiteren wurde gezeigt, dass sich der Elektronenstrahl
grundsätzlich dazu eignet, gezielten Einfluss auf die flüssige Probe und sogar auf einzelne Nanopartikel,
auszuüben.
Im weiteren Verlauf der Arbeit wurde eine neuartige Flüssigzellenarchitektur entwickelt. Diese
erwies sich sowohl hinsichtlich der Herstellung, als auch in Bezug auf einen vielseitigen Einsatz
im Elektronenmikroskop, als vorteilhaft gegenüber bestehenden Architekturen. Um die Flüssigkeit
vakuumdicht zu versiegeln, kam das Material Graphen zum Einsatz, welches sich aufgrund seiner
außerordentlichen Leitfähigkeit und Impermeabilität sehr gut für die Anwendung in Flüssigzellen
eignet. Um das eingesetzte, mehrlagige Graphen optisch zu charakterisieren, wurde ein analytisches Verfahren erarbeitet. Dieses erlaubt die Optimierung des Kontrasts atomar dünner Schichten auf optischen
Mehrschichtsystemen und ermöglicht es, die Anzahl der Graphenlagen mittels Reflektometrie
zu bestimmen. Unter Verwendung der neuartigen Flüssigzellenarchitektur wurden schließlich
das Wachstum und der Zerfall von Nanostrukturen in zwei unterschiedlichen Präkursorlösungen untersucht.
Hierbei stellte sich heraus, dass die spezielle Architektur der Flüssigzelle nicht nur eine
hochaufgelöste Bildgebung, sondern auch eine Materialanalyse mittels energiedispersiver Röntgenspektroskopie
erlaubt. Dieses Verfahren führt in den meisten siliciumchipbasierten Flüssigzellenarchitekturen
zu erheblichen Problemen, vor allem durch Abschattung der Detektoren. Diese Abschattungseffekte
werden durch Siliciumflanken der Flüssigzelle an sich, beziehungsweise von Elementen
des eingesetzten Probenhalters verursacht. Der Vorteil der neuartigen Architektur liegt in einer
flachen Oberseite der Flüssigzelle ohne abschattende Elemente. Des Weiteren konnten die elektronentransparenten
Sichtfenster um ein Vielfaches vergrößert werden, wodurch erstmals elektronentomographische
Aufnahmen in einer Flüssigzelle ermöglicht wurden.
Unter Verwendung dieser Flüssigzellenarchitektur wurde eine materialwissenschaftliche Fragestellung
bezüglich desWachstums von Silberhüllen auf anisotropen Goldnanostäbchen geklärt. Hierfür
wurden umfassende Untersuchungen mittels unterschiedlicher LCTEM Methoden durchgeführt
und die Ergebnisse schließlich mit denen aus komplementärer UV-Vis-Absorptionsspektroskopie
verglichen. Die zu untersuchende Probenflüssigkeit enthielt Goldnanostäbchen, welche mit dem
Stabilisator Cetrimoniumbromid in einer wässrigen Silbernitratlösung dispergiert waren. Die Reduktion
von Silberionen erfolgte über die elektronenstrahlinduzierte Radiolyse von Wasser, wobei
unter anderem gelöste Elektronen freigesetzt werden. Es zeigte sich, dass die Reaktion über einen
zweistufigen Prozess erfolgt. Dieser besteht zunächst aus der Präzipitation von Silberbromid. Dieses
löst sich aufgrund einer durch die Reduktion freier Silberionen hervorgerufenen Störung des Lösungsgleichgewichts
von Silberbromid schichtweise auf. Hierdurch werden wiederum Silberionen
frei, welche sich nach Reduktion als Silberhülle auf den Goldstäbchen abscheiden. Zudem konnte
eine Anisotropie des Hüllenwachstums identifiziert werden, welche sich aufgrund der auf der Oberfläche
der Goldstäbchen adsorbierten Bromidionen einstellt. Diese beeinflussen die Oberflächenenergie
bestimmter Kristallfacetten, was zu einem langsameren Wachstum der Silberhülle entlang
der Längsachse der Goldstäbchen führt
Untersuchung der elektrischen Feldstärke und des Teilentladungsverhaltens an keramischen Schaltungsträgern
Get PDFHigh blocking voltages in power modules require a reliable electrical insulation against the heat sink. This insulation should also meet high lifetime requirements. The continuous increase of the voltage class and the power density in traction and power transmission applications drastically aggravates compliance with these requirements. To meet the elevated requirements in the future, the use of
ceramic circuit carriers is a key technology for the electrical insulation in power modules.
Unfortunately, ceramic circuit carriers exhibit critical areas in terms of the electric field strengths and thus the partial discharge, as well as the electrical breakdown at the metallization edges on the ceram-ic. Moreover, a sustained degradation of the insulating materials by partial discharge can cause irre-versible damage. The impact of the geometry, materials, and the arrangement on the electric field strength were investigated in this work. For that purpose, a simulation strategy and ceramic circuit carriers were developed. The partial discharge inception voltage was measured as a function of geo-metrical and material-related variations, and, additionally, changes of the arrangement. The
so-obtained values were then correlated with the simulated results.
During this work, a novel computational grid-independent evaluation procedure was introduced. By contrast to related work, this guarantees numerical robust and hence comparable results of the simu-lations for the electric field strengths in ceramic substrates. Simulation results were validated through phase-resolved partial discharge measurements of custom-tailored ceramic substrates. One study conducted in the scope of this work revealed that ideally there should be no offset between the upper and the lower ceramic metallization. This leads to an increase in the partial discharge inception voltage of up to 35 % compared to conventional layouts. Such an adjustment does not incur any additional costs. Furthermore, it has been shown that increasing the thickness of the ceramic leads to a non-linear increase of the partial discharge inception voltage. Both simulations and measurements show that the dielectric constant of the potting material strongly influences the partial discharge inception voltage. In addition, the use of geometric field control by a field plate can increase the partial dis-charge inception voltage by 15 %. Stacking ceramic substrates also results in higher partial discharge inception voltages, thus permitting a reduction of the ceramic thickness to less than 70 %.
The simulation and measurement results were evaluated and a correlation of the calculated field strengths and the partial discharge inception voltage was performed, showing a strongly linear de-pendency. In this work, a novel simulation-based statistical evaluation routine was developed. Its pre-dictive power was widely demonstrated. In addition, an interpolation program was developed that enables a simulation-independent evaluation and a subsequent interpolation of a previously computed multidimensional parameter set. As an output, it yields the electric field strength.Hohe Sperrspannungen in Leistungsmodulen bedürfen einer verlässlichen elektrischen Isolation gegen den Kühlkörper. Diese sollte auch hohen Lebensdaueranforderungen genügen. Die fortwährende Erhöhung der Spannungsklasse und der Leistungsdichte in Traktions- und Energieübertragungsan-wendungen erschwert die Erfüllung dieser Anforderungen. Um die gestiegenen Anforderungen auch in Zukunft erfüllen zu können, stellt die Verwendung von keramischen Schaltungsträgern eine Schlüs-seltechnologie im Hinblick auf die elektrische Isolierung in Leistungsmodulen dar.
Keramische Schaltungsträger besitzen jedoch kritische Bereiche in Bezug auf die elektrische Feld-stärke und somit die Teilentladung, sowie den elektrischen Durchbruch an den Metallisierungskanten auf der Keramik. Auch kann eine andauernde Degradation der Isolierstoffe durch Teilentladung irre-versible Schädigungen verursachen. Die Auswirkungen von Geometrie, Materialien und Anordnung auf die elektrische Feldstärke wurden in dieser Arbeit mit Hilfe von Simulationen untersucht, und
keramische Schaltungsträger wurden entwickelt. Die Teilentladungseinsetzspannung wurde in Abhän-gigkeit von geometrischen und materialbedingten Variationen sowie Veränderungen der Anordnung gemessen und später mit den Ergebnissen aus den Simulationen korreliert.
In dieser Arbeit wurde eine neue rechengitterunabhängige Evaluierungsprozedur entwickelt, die im Vergleich mit bisherigen Verfahren zu numerisch robusten Simulationsergebnissen führt. Damit ist ein stabiler Vergleich von gemessenen und simulierten Feldstärken in Keramiksubstraten gewährleistet. Die Simulationsergebnisse wurden anhand von phasenaufgelösten Teilentladungsmessungen von speziell angefertigten Keramiksubstraten verifiziert. Eine Studie dieser Dissertation ergab unter ande-rem, dass idealerweise kein Versatz zwischen oberer und unterer Keramikmetallisierung bestehen sollte. Dies führt zu einer Erhöhung der Teilentladungseinsetzspannung von bis zu 35 % im Vergleich zu üblichen Abmessungen. Diese Anpassung des Layouts verursacht keine zusätzlichen Kosten. Wei-ter wurde festgestellt, dass die Vergrößerung der Keramikdicke eine nichtlineare Erhöhung der Tei-lentladungseinsetzspannung zur Folge hat. Simulationen sowie auch Messungen zeigen, dass die Dielektrizitätskonstante des Vergussmaterials die Teilentladungseinsetzspannung stark beeinflusst. Zudem kann die Verwendung einer geometrischen Feldsteuerung mittels Feldplatte die Teilentla-dungseinsetzspannung um 15 % erhöhen. Auch ein Stapeln von keramischen Substraten führt zu höheren Teilentladungseinsetzspannungen, wodurch eine Reduzierung der Keramikdicke auf weniger als 70 % ermöglicht wird.
Die Simulations- und Messergebnisse wurden evaluiert, und eine Korrelation der berechneten Feld-stärken und der Teilentladungseinsetzspannung wurde durchgeführt, welche eine lineare Abhängigkeit aufzeigt. Die in dieser Arbeit entwickelte simulationsgestützte statistische Auswertung erlaubt eine verlässliche Vorhersage der Teilentladungseinsetzspannung. Zusätzlich wurde ein Interpolationspro-gramm entwickelt, das eine simulationsunabhängige Auswertung und eine nachträgliche Interpolation eines zuvor berechneten mehrdimensionalen Parametersatzes ermöglicht und als Zielgröße die elekt-rische Feldstärke ausgibt
Charakterisierung von Leckströmen und Defekten in Kurzkanal-MOSFETs
Get PDFThe continuous improvement in semiconductor technology requires field effect transistor scaling while maintaining acceptable leakage currents. This study analyzes the effect of scaling on the leakage current and defect distribution in peripheral DRAM transistors.The influence of important process changes, such as the high-k gate patterning and ecapsulation as well as carbon co-implants in the source/drain junction are investigated by advanced electrical measurements and TCAD simulation. A complete model for trap assisted leakage currents in the silicon bulk of the transistors is presented.Für einen kontinuierlichen Fortschritt in der Halbleitertechnologie werden skalierte Feldeffekttransistoren mit niedrigen Leckströmen benötigt. Die stetige Skalierung verändert auch die Leckströme und Defektverteilung in peripheren DRAM Transistoren. In dieser Arbeit wird der Einfluss wichtiger Prozessänderungen auf diese Parameter mittels fortgeschrittenen elektrischen Messungen und TCAD Simulationen untersucht. Wichtige Prozessänderungen erfolgen bei der Strukturierung und Einkapselung des High-k - Metall Gates, und bei einer zusätzlichen Kohlenstoffimplantation in der Source bzw. Drain. Ein vollständiges Model für die Defekt assistierten Leckströme im Silizium Bulk wird vorgestellt
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