1,721,094 research outputs found
Electrical characterization of epitaxially grown ain thin films on silicon and sapphire substrates
No full textFen Bilimleri Enstitüsü, Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim DalıIII-Nitrat olarak adlandırılan yapılar periyodik cetvelin III grubu elementleri In, Ga ve Al'un V grubu elementi N ile yaptığı bileşik (GaN, AlN, InN) veya alaşımlar (InGaN, AlGaN, InAlN vb) olarak tanınır. AlN aralarında en geniş yasak bant aralığı ve yüksek kırılma gerilimine sahip olması nedeni ile elektronik ve optoelektronik cihaz uygulamaları için ilgi odağı olmuştur. AlN tabanlı yarıiletkenlerin beklenildiği kadar gelişememesinin en büyük nedenlerinden bir tanesi ucuz, geniş çaplı ve katkılı AlN alttaş üretiminin oldukça yüksek maliyetli olmasıdır. Bu nedenle AlN tabanlı aygıt uygulamaları büyük çoğunlukla silikon ve safir alttaşlar üzerine büyütülmektedir. Bu tez kapsamında, safir ve silikon alttaşlar üzerine AlN yapıları MOCVD ile epitaksiyel olarak büyütülerek n-tipi katkılama yapılmıştır. Katkılama sonucunda omik ve Schottky kontaklar oluşturularak I-V karakteristikleri, direnç değerleri, idealite faktörleri ve engel yüksekliği gibi özellikleri bulunmuştur. Sıcaklığa bağlı olarak I-V grafiklerinden direnç değişimine karşı engel yüksekliği sonuçları yorumlanmıştır. Bu sonuçlara ek olarak Hall olayı etkisi ölçümleri ile taşıyıcı yoğunluğu ve mobilite değerleri elde edilmiştir.III group elements of the periodic table called III-Nitrate are known as the compound (GaN, AlN, InN) or alloys (InGaN, AlGaN, InAlN, etc.) made by In, Ga and Al with the V group element N. AlN has been the focus of attention for electronic and optoelectronic device applications due to its widest barrier bandgap and high breakdown voltage. One of the biggest reasons why AlN-based semiconductors could not be developed as expected is the high cost of cheap, large-scale and doped AlN substrate production. For this reason, AlN-based device applications are mostly grown on silicon and sapphire substrates. In this study, AlN structures epitaxially were grown by MOCVD on sapphire and silicon substrates and n-type doped.As a result of doping, ohmic and Schottky contacts were created and properties such as I-V characteristics, resistance values, ideality factors and barrier height were found. Depending on the temperature, the results of barrier height against resistance change from I-V graphs are interpreted. In addition to these results, carrier density and mobility values were obtained by Hall effect measurements
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Get PDFThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Epitaxial growth and structural characterization of Si dopedain thin films on sapphire substrate
No full textFen Bilimleri Enstitüsü, Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim DalıBu çalışmada, üniversitemiz bünyesinde bulunan Nanoteknoloji Laboratuvarı' ndaki Metal Organik Buhar Faz Epitaksi (MOVPE) sistemi ile safir alttaş üzerine AlN epitaksiyel tek kristal ince filmleri büyütülmüş ve detaylı karakterizasyonları yapılmıştır. Çalışmanın ilk aşamasında katkısız AlN ince filmlerin çekirdeklenme tabakası sıcaklık optimizasyonu yapılmış ardından n-AlN katkılama çalışmaları gerçekleştirilmiştir. Büyütülen epitaksiyel ince filmlerin Rigaku SmartLab x-ışını kırınımı (XRD) cihazı ile kristal yapıları analiz edilmiştir. Ayrıca ince filmlerin atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ve Cary 5000 UV-VIS-NIR Spektrofotometre Sistemi ile yapısal ve optik karakterizasyonları incelenmiştir. Yapılan karakterizasyon çalışmaları sonucunda kristal kalitesinin, katkılama atomu Si' nin miktarına, reaktöre gönderilme sırasına ve akış miktarına bağlı olarak etkilendiği görülmüştür.In this study, AlN epitaxial single crystal thin films were grown on sapphire substrate with the Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) system in the Nanotechnology Laboratory of our university and detailed characterizations were made. In the first stage of the study, nucleation layer temperature optimization of undoped AlN thin films was made, and then n-AlN doping studies were carried out. The crystal structures of the grown epitaxial thin films were analyzed with the Rigaku SmartLab x-ray diffraction (XRD) device. In addition, structural and optical characterizations of thin films were investigated with atomic force microscopy (AFM) and Cary 5000 UV-VIS-NIR Spectrophotometer System. As a result of the characterization studies, it was observed that the crystal quality was affected depending on the amount of doping atom Si, the order in which it was sent to the reactor and the amount of flow
Device simulation, epitaxial growth, and characterization of the metal-semiconductor-metal photodetectors based on InAlAs/InGaAs
No full textFen Bilimleri Enstitüsü, Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim DalıBu tez çalışmasında, Silvaco TCAD simülasyon programı ile MSM fotodedektör yapısındaki soğurma tabakası, bariyer tabakası ve dijital dereceli süperörgü tabakasının kalınlıklarının aygıt üzerindeki etkisi araştırılmıştır. MSM fotodedektör yapısındaki her tabakanın aygıtın karanlık akımı, fotoakımı ve foto-karanlık akım oranı üzerindeki etkisi detaylı bir şekilde gösterilmiş ve optimize yapılar oluşturulmuştur. Optimize edilen yapılar Metal Organik Buhar Fazı Epitaksi (MOVPE) sistemi ile büyütülmüştür. MSM fotodedektör yapılarının konsantrasyon oranları, süperörgü tabakalarının kalınlıkları ve büyüme oranları üzerine optimizasyon yapılmıştır. Büyütülen yapıların yapısal karakterizasyonları için Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınımı (HRXRD) sistemi kullanılmıştır. Bu sayede MSM fotodedektör yapılarında kullanılacak tabakaların kalınlıkları ve akışları hassas bir şekilde optimize edilmiştir. Optimizasyon çalışmasından sonra MSM fotodedektör yapıları büyütülmüş, HRXRD sistemi yapısal özellikleri ve Fotolüminesans (PL) sistemi ile optik özelliklerini araştırılmıştır. Ayrıca büyütülen yapının fabrikasyonu yapılmış ve MSM fotodedektörün aygıt performansı gösterilmiştir.In this thesis, the effect of the absorption layer, barrier layer, and digital-grade superlattice layer thicknesses in the MSM photodetector structure on the device is investigated with the Silvaco TCAD simulation program. The effect of each layer in the MSM photodetector structure on the device's dark current, photocurrent, and photocurrent-dark current ratio is demonstrated in detail and optimized structures are created. The optimized structures are grown by the Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) system. Concentration ratios, thicknesses of superlattice layers, and growth rates of MSM photodetector structures are optimized. High-resolution X-ray diffraction (HRXRD) system is used for the structural characterization of the grown structures. In this way, the thicknesses and flows of the layers used in MSM photodetector structures are sensitively optimized. After the optimization study, MSM photodetector structures were grown and investigated structural properties were by the HRXRD system, and optical properties were by the Photoluminescence (PL) system. The fabrication of the grown structure is also performed and the device performance of the MSM photodetector is demonstrated
Optical characterization of AIN thin films grown on Si(111) substrate by ellipsometry
No full textFen Bilimleri Enstitüsü, Optik Mühendisliği Ana Bilim DalıBu çalışmada Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik Uygulama ve Araştırma Merkezi Laboratuarlarında Kurulu bulunan MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) cihazı ile Si (111) alttaş üzerine büyütülmüş epitaksiyel AIN tek kristal ince filmlerin optik karakterizasyonu spektroskopik elipsometri tekniği yardımıyla gerçekleştirilmiştir. Ayrıca AIN tek kristal ince filmlerin kalınlığı ile kırılma indisi ve sönümlenme katsayısı gibi optik parametreleri belirlenmiştir. Spektroskopik elipsometri tekniği ile yapılan ölçümler ve üretilen modeller ile AIN tek kristal ince filmlerin büyütülmesi sırasında yüksek sıcaklık etkisine bağlı olarak Si (111) alttaş ile ince film arasında oluşan ara tabakanın yapısının amorf bir yapıya sahip olan silikon tabaka olduğu bulunmuştur.In this study, optical characterization of epitaxial AIN single crystal thin films grown on Si(111) substrate with MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) device installed in Sivas Cumhuriyet University Nanophotonics Application and Research Center Laboratories was carried out with the help of spectroscopic ellipsometry technique. In addition, optical parameters such as thickness of AIN single crystal thin films, refractive index and fading coefficient were determined. With the measurements made by the spectroscopic ellipsometry technique and the models produced, it was found that the structure of the intermediate layer formed between the Si(111) substrate and the thin film due to the high temperature effect during the growth of AIN single crystal thin films was a silicon layer with an amorphous structure
Variations on the Author
Get PDF“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Get PDFWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Growth and optical characterization of lattice mismatch (x?0.53, y?0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures by movpe
No full textFen Bilimleri Enstitüsü, Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim DalıBu tez çalışması kapsamında, Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik Uygulama ve Araştırma Merkezi'ndeki Metal Organik Buhar Faz Epitaksi (MOVPE) sistemi ile InP alttaş üzerine örgü uyumsuz (x?0.53, y?0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapıları büyütülmüş ve karakterizasyonları yapılmıştır. Örgü uyumsuz InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarında yer alan Si-katkılı ve katkısız tabakalar arası geçiş sürelerinde optimum değerleri elde edebilmek için farklı kombinasyonlar oluşturularak incelenmiştir. Büyütme sonrasında örneklerin kristal kalitesi ve kalınlık hassasiyeti X-ışını kırınımı (XRD) ile analiz edilmiştir. Ayrıca büyütülen numunelerin kalınlık hassasiyetlerini daha detaylı incelemek için Global Fit simülasyon programından iki farklı hesaplama yöntemi kullanılmıştır. Örneklerin optik karakterizasyonunu ve optik bantlar arası geçişlerini hesaplamak için 10 K- 300 K sıcaklık aralığında fotolüminesans (PL) ölçümü yapılmıştır. Ölçüm sonuçları ile teoriyi karşılaştırmak için InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarındaki optik bantlar arası geçişler Nextnano simülasyon programı ile hesaplanmıştır. Yapılan karakterizasyon ve simülasyon çalışmaları sonucunda Si-katkılı ve katkısız tabakalar arası geçiş sürelerinin yapıların kalınlığını ve InGaAs/InAlAs arayüzlerini etkilediği gözlemlenmiştir.In the scope of this thesis, lattice mismatched (x?0.53, y?0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures on InP substrate were grown with the Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) system at Sivas Cumhuriyet University Nanophotonics Application and Research Center and characterizations were made. The lattice mismatched InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures were investigated by forming different combinations to obtain optimum values for Si-doped and undoped interlayer transition times. After growth, the crystal quality and thickness sensitivity of the samples were analyzed by X-ray diffraction (XRD). In addition, two different calculation methods from the Global Fit simulation program were used to examine the thickness sensitivities of the grown samples in more detail. In order to calculate the optical characterization and optical band transitions of the samples, photoluminescence (PL) measurements were made in the temperature range of 10 K-300 K. In order to compare the measurement results with the theory, the optical band transitions in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures were calculated with the Nextnano simulation program. As a result of the characterization and simulation studies, it was observed that the transition times between Si-doped and undoped layers affect the thickness of the structures and the InGaAs/InAlAs interfaces
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Get PDFWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
- …
