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    The building events of the Cassinese monastery of Santi Felice e Fortunato in Vicenza between the seventh and nineteenth centuries

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    reservedL’obiettivo di questa tesi di laurea è analizzare l’evoluzione delle vicende costruttive del monastero vicentino dei Santi Felice e Fortunato tra VII e il XIX secolo, ponendolo in relazione alla Congregazione Cassinese di S. Giustina di Padova per verificare le eventuali relazioni con il modello tipologico di monastero promosso dalla Congregazione. La prima parte della ricerca è centrata su un’analisi storica delle vicende costruttive dalle origini fino ad oggi, prestando particolare attenzione al contesto territoriale e sociale in cui s’inserisce il monastero ed esaminando l’evoluzione urbana della città di Vicenza in rapporto alle vicende storiche della diocesi e del monastero. La ricerca storica sulle fonti scritte e visuali e l'analisi degli spazi del complesso monastico sono fortemente intrecciate. In questo senso si è rivelato fondamentale l’utilizzo di fonti bibliografiche, di fonti d’archivio depositate all'Archivio di Stato di Vicenza e di materiale cartografico. Nella seconda parte della tesi, attraverso una ricostruzione digitale del complesso monastico, si è potuto analizzare e sviluppare le vicende costruttive del caso studio, per comprendere se quest’ultimo, per via delle scelte architettoniche adottate, può essere ricondotto alla tipologia di monastero benedettino cassinese, ponendolo a confronto con altri monasteri benedettini

    Effect of a temperature dependent effective quasiparticle mass on the surface impedance of YBa2Cu3O7-x

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    The temperature dependent surface impedance Zs(T) of single-crystalline YBa2Cu3O7-x (YBCO) was analyzed within the two-fluid model in terms of the fraction of paired charge carriers, fs(T), and of the quasiparticle scattering time T(T). The usual approach was extended by considering a temperature dependent effective quasiparticle mass m*(T), which results from a strong electron-phonon interaction. This effect must not be neglected in the description of high-temperature superconductors due to the large ratio of Tc to the Debye temperature TD. The temperature dependence of the penetration depth, λ(T), of high-quality YBCO crystals and films could be described with an electron-phonon coupling constant Λ0=4, and using fs(T)=1-(T/T)2.8 as an approximation of the BCS theory. Different trial phonon spectra were encountered in terms of their ability to reproduce the λ(T)-data. The scattering time T(T) was described by the Bloch-Grüneisen formalism with TD=460K. Assuming an Einstein spectrum with kBTc/ñΩn=0.24, a residual resistivity pr=1.8μΩcm and a fraction of unpaired quasiparticles ξ0.04 at T=0Kyielded a surprisingly good agreement of the model with T=0K-data measured at 87 GHz with a high-quality epitaxial YBCO film between T=4K and Tc. While an exact reproduction of the surface impedance asks for a rigorous theoretical computation, our analysis demonstrates that strong electron-phonon coupling is relevant for discussing the unconventional transport properties of YBCO

    Studio dei materiali organici di tipo n di interesse per l'elettronica organica

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    Negli ultimi anni è emerso un interesse sempre crescente verso la realizzazione di dispositivi elettronici e/o optoelettronici basati su, materiali organici o ibridi organico-inorganici (O/I). Tuttavia, mentre da un lato sono in commercio diversi dispositivi che implementano LED organici, uno dei maggiori ostacoli all'affermazione di tali materiali in circuiti logici complessi è la scarsa disponibilità di composti con buone proprietà di trasporto di elettroni. Il presente progetto riguarda la realizzazione e la caratterizzazione di materiali organici di tipo n ad elevata mobilità e mira a dare un contributo nella comprensione dei meccanismi di conduzione elettronica, nell'investigazione del trasporto di spin e di possibili transizioni di fase (bistabilità elettrica, metallo-isolante) nonche' nella realizzazione di dispositivi elettronici di reale interesse applicativo basati sull'utilizzo di materiali e sistemi con proprietà funzionali e multifunzionali innovative rispetto alle caratteristiche dei semiconduttori inorganici. Lo studio sara' principalmente rivolto ai composti, sia oligomeri che polimeri, appartenenti alla famiglia degli oligotiofeni fluorurati e dei perileni-diimide sostituiti e a loro ibridizzazioni anche con materiali magnetici. L'interesse verso questi materiali e' legato oltre che agli elevati valori di mobilità anche alla buona stabilità in aria che alcuni di essi mostrano. Lo studio del funzionamento e la stabilità dei dispositivi in aria è considerato obiettivo fondamentale del progetto. Alcuni di questi composti sono attualmente commercializzati, mentre altri del tutto innovativi saranno sintetizzati all'interno del progetto. Per una migliore comprensione delle proprietà di questi materiali, verrà effettuata un'analisi teorica da principi primi, collegabile con misure di trasporto e strutturali svolte in parallelo. L'interesse sarà focalizzato sulla forte e complessa dipendenza delle proprietà fisiche dalla concentrazione di portatori che in questi materiali può essere sfruttata per indurre transizioni di fasi o per perseguire un nuovo tipo di elettronica multifunzionale. In questo ambito, i dispositivi ad effetto di campo (FET) costituiscono un metodo efficace e reversibile per controllare la densità di carica nei materiali, modificandone le proprietà elettriche, senza cambiarne quelle strutturali o stechiometriche. Nell' ambito del progetto saranno realizzate e caratterizzate diverse tipologie di FET, finalizzate sia allo studio delle proprietà dei materiali e delle interfacce, sia alla pratica applicazione nel campo dell'elettronica e dell'optoeletronica. Uno dei principali focus del presente progetto sarà rivolto allo studio delle proprietà fisiche dei materiali organici nel regime delle radiofrequenze finalizzato ad una maggiore comprensione dei meccanismi di conduzione nonche' ad interessi applicativi reali laddove notevoli prospettive potrebbero aprirsi nella realizzazione di dispositivi di identificazione (RFID) a basso costo. L'attenzione sarà focalizzata anche su altri dispositivi elettronici quali memorie non volatili, ottenute tramite ibridi bistabili o multistabili, sensori magnetici (valvole di spin), o fotoconduttivi nei quali le proprietà del dispositivo possono essere modificate in funzione di un segnale elettrico, magnetico o ottico. Uno sforzo specifico verrà inoltre perseguito nel tentativo di realizzare dispositivi di nuova generazione con caratteristiche multifunzionali, in cui cioè due o più funzionalità siano presenti e possano essere attivate in maniera ortogonale da uno o più stimoli elettrici , magnetici o ottici. Un primo esempio in questa direzione, potrebbe essere dato dalla realizzazione di dispositivi ad effetto di campo che presentino al tempo stesso proprietà di foto/elettro-luminescenza (smart pixel) o effetti spintronici, con la possibilità cioè di cambiare risposta elettrica, utilizzando opportunamente il grado di libertà dello spin delle cariche elettriche, in funzione dei campi magnetici esterni. Le dimensioni dei dispositivi saranno ridotte sino a scala micro e nanometrica, applicando usuali tecniche di litografia ottica o di nanolitografia tramite microscopi a scansione. L'influenza della riduzione di scala sulla funzionalità del dispositivo sarà oggetto di accurata analisi. Poiché i semiconduttori di tipo n sono molto più sensibili alla chimica interfacciale rispetto ai semiconduttori di tipo p, verranno cresciuti film su su diversi substrati,anche funzionalizzati e verranno considerate diverse tecniche spettroscopiche per lo studio dell'interfaccia. In ognuna delle fasi del progetto (sintesi,caratterizzazione e realizzazione dei dispositivi ) è previsto l'utilizzo di più tecniche concorrenti e complementari in grado di rappresentare nel loro insieme lo stato dell'arte nella ricerca su questi materiali

    Carolina e decorazione cassinese a Montecassino nel XII secolo

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    Unfer Verre Gaia Elisabetta. Carolina e decorazione cassinese a Montecassino nel XII secolo. In: Gazette du livre médiéval, n°55. 2009, fasc. 2. pp. 9-19

    Structural, electronic and vibrational properties of N,N-1H,1H-perfluorobutyl dicyanoperylenecarboxydiimide (PDI-FCN2) crystal

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    We present a theoretical and experimental investigation of the crystalline structure of N,N′-1H,1H-perfluorobutyl dicyanoperylenecarboxydiimide (PDI-FCN2) that has been deduced combining experimental XRD data, obtained from powders, with global-optimization algorithms which allow to identify Bravais lattice, primitive cell parameters, and space group of the crystal. The XRD spectrum calculated for the proposed crystalline structure very well reproduces the measured XRD data. Our results suggest the triclinic lattice structure of spatial groups P and P1, respectively, for the crystalline PDI-FCN2-1,7 and PDI-FCN2-1,6 isomers. In both cases, the primitive cell contains a single molecule. On the proposed crystalline structures, KS-DFT cell energy calculations, including van der Waals interactions, have been performed to assign the minimum energy geometrical structure and orientation of the molecule inside the corresponding primitive cell. These calculations evidence the molecular packing that characterizes the strong anisotropy of the PDI-FCN2 crystal. Electronic band-structures calculated for both isomers within the Kohn-Sham density-functional theory indicate that the crystalline P structure is an indirect gap semiconductor, while the P1 structure is a direct gap semiconductor. The electronic band structure calculations on the optimized crystal geometries highlight strong anisotropy in the dispersion curves E(k), which roots at the molecular packing in the crystal. Finally, the vibrational spectrum of both crystalline isomers has been calculated in the harmonic approximation and the dominant vibrational frequencies have been associated to collective motions of selected atoms in the molecules

    La pala vasariana dell’Assunta nella Badia Fiorentina

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    This volume brings new perspectives to the outstanding corpus of paintings, sculptures and architectural works made for the Benedictine Cassinese Congregation of Santa Giustina between 1419 and 1582. This stretch of time registered profound social and religious reforms that brought about changes in the arts. Cassinese monks were among the first to promote innovative typologies of buildings decorated by some of the most inventive pre-modern masters, Correggio, Raphael, Romanino, Begarelli and Sabatini, included. Documented by Gregory XIII’s Bull of 1582 that is published for the first time in the volume, the infrastructure of Cassinese religious houses spread across almost all regions of the Italian peninsula. This collection of essays explores the Cassinese artistic network, issues related to the mobility of artists, works, and models, and the tension between high & low (monks encouraging of ex-votos offerings, for example) during the glorious one hundred and seventy years of their patronage. By bringing together the work of German, North American, and Italian scholars, this collection of essays offers a nuanced understanding of the function of Cassinese artworks as agents of faith and Christian reform

    Electron injection barrier and energy-level alignment at the Au/PDI8-CN2 interface via current–voltage measurements and ballistic emission microscopy

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    We probe electron transport across the Au/organic interface based on oriented thin films of the high-performance n-type perylene diimide semiconductor PDI8-CN 2 . To this purpose, we prepared organic-on-inorganic Schottky diodes, with Au directly evaporated onto PDI8-CN 2 grown on n-Si. Temperature-dependent current–voltage characteristics and complementary ballistic electron emission microscopy studies reveal that rectification at the Au/PDI8-CN 2 interface is controlled by a spatially inhomogeneous injection barrier, that varies on a length scale of tens of nanometers according to a Gaussian distribution with mean value about 0.94 eV and standard deviation of about 100 meV. The former gradually shifts to about 1.04 eV on increasing PDI8-CN 2 thickness from 5 nm to 50 nm. Experimental evidences and general arguments further allow to establish the energetics at the u/PDI8-CN 2 interface. Our work indicates injection-limited current flow in PDI8-CN 2 -based devices with evaporated Au electrodes. Furthermore, it suggests chemical reactivity of PDI8-CN 2 with both Au and Si, driven by the lateral isocyano groups
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