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Influence des défauts induits par implantation sur les propriétés thermoélectriques du ScN
No full textGiven the current energy context, the idea of recovering a flow of lost heat as an electrical current appears attractive: this is the principle of thermoelectricity. The aim of this thesis work is to show that the defects that influence physical properties can be used to modulate them and thus improve the performance of thermoelectric materials, including their figure of merit (ZTm= S²/ρκ ). Defects were introduced via a non-equilibrium process, commonly used in the semiconductor industry, called ion implantation. ScN thin films were implanted at different damage rates and the effect of ions was examined using various characterisation techniques to analyse in detail the evolution of the structural and thermoelectric properties. The results show that regardless of the ion considered, the generation of defects systematically leads to a significant decrease in thermal conductivity (κ). However, in ScN, implantation also causes a change in the electrical conduction mode, from metallic to semiconductor. This change is attributed to point-like defects that induce localised states close to the Fermi level, resulting in a hopping conduction mode (VRH). These defects recover after 400 K, leaving place for another type of defects known as complex defects, which are responsible in particular for the increase in resistivity (ρ), but also for the improvement in the Seebeck coefficient (S). After implantation, the ZTm of ScN can be improved up to 150%. Post-implantation thermal annealing shows a simultaneous evolution of the defects and recovery of the damage, thereby restoring the resistivity while preserving an effect on thermal conductivity. Ion implantation therefore appears to be a suitable technique for modulating the properties of thermoelectric materials.Dans un contexte énergétique incertain, l’idée de récupérer un flux de chaleur perdu en courant électrique apparait séduisante : c’est le principe de la thermoélectricité. Ce travail de thèse a pour objectif de montrer que les défauts qui influencent les propriétés physiques peuvent être utilisés pour les moduler et ainsi améliorer les performances des matériaux thermoélectriques, dont leur facteur de mérite (ZTm = S²/ρκ ). Les défauts ont été introduits via un processus hors équilibre, couramment utilisé dans l’industrie du semi-conducteur, appelé implantation ionique. Des films minces de ScN ont ainsi été implantés à différents taux d’endommagement et l’effet des ions a été examiné à travers différentes techniques de caractérisation permettant d’analyser en détail l’évolution des propriétés structurales et thermoélectriques. Les résultats montrent que quel que soit l’ion considéré, la génération de défauts induit systématiquement une diminution importante de la conductivité thermique (κ). Cependant, dans le ScN l’implantation provoque également un changement du mode de conduction électrique, de type métallique à semi-conducteur. Ce changement est imputé à des défauts de type ponctuel qui induisent des états localisés proches du niveau de Fermi, entrainant alors un mode de conduction par sauts (VRH). Ces défauts guérissent dès 400 K, laissant place à un autre type de défauts dits complexes qui sont notamment responsables de l’augmentation de la résistivité (ρ) mais également de l’amélioration du coefficient Seebeck (S). Ainsi, après implantation le ZTm du ScN peut être amélioré jusqu’à 150%. Des recuits thermiques post-implantation montrent une évolution des défauts et une guérison de l’endommagement simultanément, permettant ainsi de restaurer la résistivité tout en préservant un effet sur la conductivité thermique. L’implantation ionique apparait donc comme une technique adaptée pour moduler les propriétés des matériaux thermoélectriques
Influence of implantation-induced defects on the thermoelectric properties of ScN
No full textDans un contexte énergétique incertain, l’idée de récupérer un flux de chaleur perdu en courant électrique apparait séduisante : c’est le principe de la thermoélectricité. Ce travail de thèse a pour objectif de montrer que les défauts qui influencent les propriétés physiques peuvent être utilisés pour les moduler et ainsi améliorer les performances des matériaux thermoélectriques, dont leur facteur de mérite (ZTm = S²/ρκ ). Les défauts ont été introduits via un processus hors équilibre, couramment utilisé dans l’industrie du semi-conducteur, appelé implantation ionique. Des films minces de ScN ont ainsi été implantés à différents taux d’endommagement et l’effet des ions a été examiné à travers différentes techniques de caractérisation permettant d’analyser en détail l’évolution des propriétés structurales et thermoélectriques. Les résultats montrent que quel que soit l’ion considéré, la génération de défauts induit systématiquement une diminution importante de la conductivité thermique (κ). Cependant, dans le ScN l’implantation provoque également un changement du mode de conduction électrique, de type métallique à semi-conducteur. Ce changement est imputé à des défauts de type ponctuel qui induisent des états localisés proches du niveau de Fermi, entrainant alors un mode de conduction par sauts (VRH). Ces défauts guérissent dès 400 K, laissant place à un autre type de défauts dits complexes qui sont notamment responsables de l’augmentation de la résistivité (ρ) mais également de l’amélioration du coefficient Seebeck (S). Ainsi, après implantation le ZTm du ScN peut être amélioré jusqu’à 150%. Des recuits thermiques post-implantation montrent une évolution des défauts et une guérison de l’endommagement simultanément, permettant ainsi de restaurer la résistivité tout en préservant un effet sur la conductivité thermique. L’implantation ionique apparait donc comme une technique adaptée pour moduler les propriétés des matériaux thermoélectriques.Given the current energy context, the idea of recovering a flow of lost heat as an electrical current appears attractive: this is the principle of thermoelectricity. The aim of this thesis work is to show that the defects that influence physical properties can be used to modulate them and thus improve the performance of thermoelectric materials, including their figure of merit (ZTm= S²/ρκ ). Defects were introduced via a non-equilibrium process, commonly used in the semiconductor industry, called ion implantation. ScN thin films were implanted at different damage rates and the effect of ions was examined using various characterisation techniques to analyse in detail the evolution of the structural and thermoelectric properties. The results show that regardless of the ion considered, the generation of defects systematically leads to a significant decrease in thermal conductivity (κ). However, in ScN, implantation also causes a change in the electrical conduction mode, from metallic to semiconductor. This change is attributed to point-like defects that induce localised states close to the Fermi level, resulting in a hopping conduction mode (VRH). These defects recover after 400 K, leaving place for another type of defects known as complex defects, which are responsible in particular for the increase in resistivity (ρ), but also for the improvement in the Seebeck coefficient (S). After implantation, the ZTm of ScN can be improved up to 150%. Post-implantation thermal annealing shows a simultaneous evolution of the defects and recovery of the damage, thereby restoring the resistivity while preserving an effect on thermal conductivity. Ion implantation therefore appears to be a suitable technique for modulating the properties of thermoelectric materials
Influence des défauts induits par implantation sur les propriétés thermoélectriques du ScN
No full textGiven the current energy context, the idea of recovering a flow of lost heat as an electrical current appears attractive: this is the principle of thermoelectricity. The aim of this thesis work is to show that the defects that influence physical properties can be used to modulate them and thus improve the performance of thermoelectric materials, including their figure of merit (ZTm= S²/ρκ ). Defects were introduced via a non-equilibrium process, commonly used in the semiconductor industry, called ion implantation. ScN thin films were implanted at different damage rates and the effect of ions was examined using various characterisation techniques to analyse in detail the evolution of the structural and thermoelectric properties. The results show that regardless of the ion considered, the generation of defects systematically leads to a significant decrease in thermal conductivity (κ). However, in ScN, implantation also causes a change in the electrical conduction mode, from metallic to semiconductor. This change is attributed to point-like defects that induce localised states close to the Fermi level, resulting in a hopping conduction mode (VRH). These defects recover after 400 K, leaving place for another type of defects known as complex defects, which are responsible in particular for the increase in resistivity (ρ), but also for the improvement in the Seebeck coefficient (S). After implantation, the ZTm of ScN can be improved up to 150%. Post-implantation thermal annealing shows a simultaneous evolution of the defects and recovery of the damage, thereby restoring the resistivity while preserving an effect on thermal conductivity. Ion implantation therefore appears to be a suitable technique for modulating the properties of thermoelectric materials.Dans un contexte énergétique incertain, l’idée de récupérer un flux de chaleur perdu en courant électrique apparait séduisante : c’est le principe de la thermoélectricité. Ce travail de thèse a pour objectif de montrer que les défauts qui influencent les propriétés physiques peuvent être utilisés pour les moduler et ainsi améliorer les performances des matériaux thermoélectriques, dont leur facteur de mérite (ZTm = S²/ρκ ). Les défauts ont été introduits via un processus hors équilibre, couramment utilisé dans l’industrie du semi-conducteur, appelé implantation ionique. Des films minces de ScN ont ainsi été implantés à différents taux d’endommagement et l’effet des ions a été examiné à travers différentes techniques de caractérisation permettant d’analyser en détail l’évolution des propriétés structurales et thermoélectriques. Les résultats montrent que quel que soit l’ion considéré, la génération de défauts induit systématiquement une diminution importante de la conductivité thermique (κ). Cependant, dans le ScN l’implantation provoque également un changement du mode de conduction électrique, de type métallique à semi-conducteur. Ce changement est imputé à des défauts de type ponctuel qui induisent des états localisés proches du niveau de Fermi, entrainant alors un mode de conduction par sauts (VRH). Ces défauts guérissent dès 400 K, laissant place à un autre type de défauts dits complexes qui sont notamment responsables de l’augmentation de la résistivité (ρ) mais également de l’amélioration du coefficient Seebeck (S). Ainsi, après implantation le ZTm du ScN peut être amélioré jusqu’à 150%. Des recuits thermiques post-implantation montrent une évolution des défauts et une guérison de l’endommagement simultanément, permettant ainsi de restaurer la résistivité tout en préservant un effet sur la conductivité thermique. L’implantation ionique apparait donc comme une technique adaptée pour moduler les propriétés des matériaux thermoélectriques
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Full text linkThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Full text link“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Full text linkWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Full text linkWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
koamabayili/VECTRON-author-checklist: VECTRON author checklist
No full textWe have done our best to complete the author checklist relating to the use of animals in the hut study. Note that the objective for the hut study was to evaluate the IRS treatment applications for residual efficacy against Anopheles mosquitoes, including the local An. coluzzii mosquito population. Cows were only used to attract mosquitoes into the huts and no tests were carried out directly on the cows. The author checklist is intended for use with studies where experiments are carried out on animals, which is why we have had such difficulty in completing this for the hut study, as many of the questions do not relate to how the cows were used
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