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Nanoestructuras de ZnO y su aplicación en nanogeneradores piezoeléctricos
Full text linkEn este trabajo se fabricaron seis dispositivos para ser utilizados como nanogeneradores piezoel´ectricos. Para ello se hicieron crecer nanohilos cortos de ´oxido de cinc (ZnO) sin dopar y dopados con Li, orientados de forma perpendicular sobre sustratos de ´oxido de indio y estaño sobre tereftalato de polietileno (ITO-PET) o el mismo ´oxido sobre vidrio (ITO-Glass). El crecimiento se realizó mediante un método hidrotérmico, con un sembrado previo realizado mediante descomposición térmica de acetato de cinc a 300◦C o por depósito con láser pulsado (PLD) a 100◦C y 150◦C. Los diferentes dispositivos se fabricaron en configuración tipo sándwich, enfrentando sustratos crecidos entre si o con sustratos vírgenes. Se evaluaron las propiedades eléctricas de los dispositivos mediante curvas I-V y se calcularon las resistencias, obteniendo algunos con comportamiento de juntura Schottky y otros con comportamiento óhmico cuyas resistencias varían entre los KΩ, MΩ y GΩ. La caracterización piezoeléctrica se realizó midiendo la corriente en función del tiempo (curvas I-t) cuando una fuerza cíclica de aproximadamente un 1mN era aplicado sobre su superficie. De estas curvas se obtuvieron señales de corriente en forma de picos, cuya magnitud variaba entre 200pA a 2 nA.Fil: Santillan, Victoria Elena. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaFil: Bridoux, German. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaFil: Simonelli, Gabriela. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina104a Reunión de la Asociación Física ArgentinaSanta FeArgentinaAsociación Física Argentin
Nanoestructuras de ZnO y su aplicación en nanogeneradores piezoeléctricos
Full text linkEn este trabajo se fabricaron seis dispositivos para ser utilizados como nanogeneradores piezoeléctricos. Para ello se hicieron crecer nanohilos cortos de óxido de cinc (ZnO) sin dopar y dopados con Li, orientados de forma perpendicular sobre sustratos de óxido de indio y estaño sobre tereftalato de polietileno (ITO-PET) o el mismo óxido sobre vidrio (ITO-Glass). El crecimiento se realizó mediante un método hidrotérmico, con un sembrado previo realizado mediante descomposición térmica de acetato de cinc a 300°C o por depósito con láser pulsado (PLD) a 100°C y 150°C. Los diferentes dispositivos se fabricaron en configuración tipo sándwich, enfrentando sustratos crecidos entre sí o con sustratos vírgenes. Se evaluaron las propiedades eléctricas de los dispositivos mediante curvas I-V y se calcularon las resistencias, obteniendo algunos con comportamiento de juntura Schottky y otros con comportamiento óhmico cuyas resistencias varían entre los KΩ, MΩ y GΩ. La caracterización piezoeléctrica se realizó midiendo la corriente en función del tiempo (curvas I-t) cuando una fuerza cíclica de aproximadamente un 1mN era aplicada sobre su superficie. De estas curvas se obtuvieron señales de corriente en forma de picos, cuya magnitud variaba entre 200pA a 2 nA.Fil: Santillan, Victoria Elena. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaFil: Simonelli, Gabriela. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaFil: Bridoux, German. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; ArgentinaXXVII Jornadas de Jovens PesquizadoresSão CarlosBrasilAssociação de Universidades Grupo MontevideoUniversidade Federal de São Carlos
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Full text linkThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Modification of the photoconducting properties of ZnO thin films via low-temperature annealing and air exposure
Full text linkA simple thermal annealing at 150 C followed by exposure to air ambient conditions in epitaxial ZnO thin films produces a photoconductivity enhancement and a reduction of the energy gap. The first effect is related to a release of carriers from bulk traps while the second is caused by a gradual adsorption of species on the film surface which increases the band bending, as x-ray photoemission spectroscopy (XPS) shows. An observed drift of the photoconductivity and the energy gap over the days is connected to this adsorption kinetics. These findings have a potential application in ZnO based optoelectronic devices.Fil: Bridoux, German. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaFil: Ruano Sandoval, Gustavo Daniel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Física del Litoral. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Física del Litoral; ArgentinaFil: Ferreyra, Jorge Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaFil: Villafuerte, Manuel Jose. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Laboratorio de Física del Sólido; Argentin
ZnO nanostructures on flexible substrates: growth and piezoelectric properties evaluation for application in nanogenerators
No full textEn este trabajo se produjeron nanoestructuras de ZnO, sin dopar y dopadas con Li, y se evaluaron sus propiedades piezoeléctricas para su potencial utilización como nanogeneradores. Se fabricaron nanobastones de ZnO orientados perpendicularmente sobre sustratos de ITO-PET e ITO-Glass utilizando un método hidrotérmico (90°C), realizando un sembrado previo, mediante dos métodos: depósito por láser pulsado (PLD) para ITO-PET (100°C y 150°) y descomposición térmica de acetato de cinc para ITO-Glass (300°C). Se caracterizaron estructural y ópticamente las nanoestructuras mediante microscopia electrónica de barrido (SEM) y espectrometría de fotoluminiscencia. Con las estructuras obtenidas se fabricaron seis dispositivos y se estudiaron sus propiedades eléctricas y piezoeléctricas, mediante curvas I-V y curvas de corriente en función del tiempo (curvas I-t) al aplicar un esfuerzo mecánico cíclicamente. Las curvas I-V presentaron un comportamiento de juntura Schottky en algunos dispositivos y óhmica para otros. Las resistencias obtenidas fueron del orden de los GΩ para dispositivos con estructuras sin dopar y del orden de los kΩ, MΩ y GΩ para los que tienen estructuras dopadas. Las curvas I-t demostraron que ocurre una generación de corriente al aplicar un esfuerzo mecánico, en forma de picos entre 400 pA a 4 nA.In this work, undoped and Li doped ZnO nanostructures were grown and their piezoelectric properties were evaluated for their potential use as nanogenerators. ZnO nanorods were grown with perpendicular orientation on ITO-PET and ITO-Glass substrates using an hydrothermal method (90°C) with a previous seeding by two different methods:pulsed laser deposition (PLD) for ITOPET substrates (100 and 150°C) and zinc acetate thermal decomposition for ITO-Glass (300°C). The nanostructures were structural and optically characterized by scanning electron microscopy (SEM) and photoluminescence spectrometry. Six devices were fabricated with the structures, and their electrical and piezoelectric properties were studied by I-V curves and current in function of time (I-t curves) while a cyclic mechanical force is applied. I-V curves showed a Schottky junction behavior in some devices and ohmic junction behavior in others. Resistances were calculated, resulting in the order of GΩ for devices with undoped structures and in the order of kΩ, MΩ and GΩ for the ones with doped structures. I-t curves demonstrated that a current generation occurs when a mechanical strain is applied, in the form of peaks between 400 pA and 4 nA.Fil: Santillan, Victoria Elena. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; ArgentinaFil: Bridoux, German. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; ArgentinaFil: Simonelli, Gabriela. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaXIV Jornadas de Ciencia y Tecnología de Facultades de Ingeniería del NOASan Miguel de TucumanArgentinaUniversidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y TecnologíaConsejo de Decanos de Ingeniería del NO
Variations on the Author
Full text link“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO
Full text linkEn el presente trabajo se ponen de manifiesto las propiedades más relevantes de la estructura de óxido de zinc con un dopaje de magnesio (10 % aproximadamente) en sinterizados y en películas delgadas fabricadas por la técnica de ablación láser [1]. El objetivo del trabajo fue determinar si el dopado de Mg incrementó la banda prohibida o gap respecto al ZnO [2]. Estudios de dispersión de energía de rayos x muestran que la pastilla sinterizada (blanco) no presenta segregación de MgO mientras que en las películas delgadas se observa una incorporación homogénea del Mg en la estructura de Zn1-xMgxO.Estudios de difracción de rayos x muestran que dichas películas han crecido epitaxialmente conservando la estructura wurzita del ZnO y con el eje c orientado perpendicularmente a la dirección del plano de la película. Estudios de espectrometría de dispersión de rayos x (EDX) confirman la incorporación de magnesio en las películas delgadas (x=0.05-0.07). Mediciones de fotoluminiscencia y fotoconductividad permiten estimar un gap de energía de EG= 3.6 eV en dichas películas confirmando el aumento respecto al ZnO (3.3 eV).Estos resultados indican que es posible diseñar y fabricar hetero-estructuras basadas en ZnO /ZnxMg1-xO sin modificar en forma significativa sus propiedades estructurales y combinando sus diferentes gaps de energía [3].Fil: Petersen Perpignal, Natalie. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaFil: Bridoux, German. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaFil: Villafuerte, Manuel Jose. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaXXVI Jornadas de Jóvenes Investigadores de la Asociación de Universidades Grupo MontevideoMendozaArgentinaAUG
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Full text linkWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Tunneling Current Calculation Using the Linear-Bound Potential Model
No full textA model of the tunneling current through an ultrathin insulating barrier comingfrom carriers in an inversion layer using a simple linear potential model ispresented. This model provides analytical expressions for the wavefunctions ofthese carriers and simple equations to obtain numerically their correspondingeigenvalues. These expressions can be inserted in the tunneling current equationallowing a more simple understanding of the physics involved in this tunnelingproblem. As an example, one can fit the experimental results for the leakagecurrent obtained by different authors in planar metal oxide semiconductor fieldeffect transistors and also in a LaAlO3/SrTiO3 and a HfO2/Ge bilayer. Themodification of the tunneling current when the dielectric constant is increased,a subject of interest in device applications, is explored.Fil: Ferreyra, Jorge Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; ArgentinaFil: Bridoux, German. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; ArgentinaFil: Villegas Andina, Atuel Elías. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Tolosa, Martín Rodrigo. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; ArgentinaFil: Villafuerte, Manuel Jose. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentin
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