1,720,984 research outputs found
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Get PDFThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Get PDF“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Get PDFWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Dimensionnement, modélisation et conception de convertisseurs très haute fréquence : application à la classe E
No full textPower electronics plays a key role in the electrification of modern systems by enabling efficient energy transfer between various subsystems. Over the past decades, increasing the switching frequency has been a major approach to improving power density. To that extent, pushing the operating frequency into tens of megahertz enables the elimination of magnetic cores, and the related losses. Very high frequency power conversion is a promising field for increasing the power density of power converters and reducing their heterogeneity, as well as meeting specific application needs, such as wireless power transfer or plasma generation.This research field has gained new momentum with the advent of wide-bandgap semiconductors, particularly GaN HEMTs, which are capable of switching in just a few nanoseconds. In order to overcome the switching losses, specific resonant topologies that allow for soft-switching operation are required. Among them, the single-switch Class E topology, well known in radio-frequency applications, achieves high efficiencies (>90%) at very high frequencies. Yet, it remains rarely used in power electronics applications. Indeed, current design methods are complex and do not easily generalize to designer actual needs. Moreover, the efficiency and reliability of such converters are still limited in practice.In this context, this thesis proposes a generic and intuitive design method tailored to Class E converters operating at VHF. Based on an exhaustive analytical modeling of the circuit, this method enables the identification of an optimized design space. The exploration is driven by some performance criteria. It allows the designer to explore and compare multiple design scenarios at an early stage, well before any experimental implementation. The method is also extended to the design of isolated Class E based DC-DC converters. These can be connected in series or parallel, making them suitable for a wide range of applications. To validate the proposed approach, three Class E inverter prototypes (40.68 MHz, 50 W) as well as an isolated Class E² DC-DC converter (40.68 MHz, 50 W), have been developed. The GaN transistor operates under soft-switching conditions, as assumed by the design method. A comprehensive simulation model is also introduced. It is based on high-frequency characterization of passive and active components, as well as electromagnetic modeling of the printed circuit board. The impedances of both resonant components and parasitic elements are accounted for and anticipated at the design stage. The non-linearity of parasitic capacitances of the semiconductors is also considered and fully integrated within the design method.L'électronique de puissance joue un rôle majeur dans l'électrification des systèmes modernes, en assurant un transfert d'énergie efficace entre les différents sous-systèmes. L'augmentation de la fréquence de découpage des convertisseurs a permis d'améliorer leur densité de puissance au cours des dernières décennies. En ce sens, atteindre des fréquences de l'ordre de plusieurs dizaines de mégahertz permet de s'affranchir des matériaux magnétiques et des pertes associées. La conversion très haute fréquence est une piste de recherche prometteuse pour améliorer la densité de puissance des convertisseurs et réduire leur hétérogénéité, ainsi que pour répondre à certains besoins applicatifs spécifiques tels que la transmission d'énergie sans-fil ou la génération de plasma.Cette thématique de recherche bénéficie d'un nouvel élan depuis quelques années grâce à l'émergence de composants grand-gap, tels que les transistors à base de Nitrure de Gallium (GaN), capables de commuter en quelques nanosecondes. Pour s'affranchir des pertes en commutation, il convient d'utiliser des topologies résonantes possédant des structures bien particulières. La structure mono-interrupteur de classe E, bien connue du domaine des radiofréquences, permet d'atteindre des rendements théoriques élevés (> 90 %) à très haute fréquence. Elle reste aujourd'hui peu exploitée pour des applications d'électronique de puissance. En effet, les méthodes de dimensionnement de ces convertisseurs très haute fréquence sont complexes et difficilement généralisables aux besoins du concepteur. De plus, le rendement et la fiabilité des convertisseurs restent limités.Dans ce contexte, ces travaux proposent une méthode de dimensionnement générique et intuitive. Celle-ci est fondée sur une mise en équation analytique exhaustive du circuit de classe E. A partir de certains critères de performance, un espace de conception optimisée est identifié et permet de concevoir des onduleurs de classe E. Plusieurs scénarios répondant au même cahier des charges peuvent ainsi être imaginés, et comparés avant toute réalisation expérimentale. Cette méthode peut également s'appliquer à la conception de convertisseurs DC-DC isolés et basés sur la classe E, qui peuvent être associés en série ou en parallèle et ainsi répondre à de nombreux besoins applicatifs. Pour valider cette approche, trois prototypes d'onduleurs de classe E (40,68 MHz, 50 W, 87,9 - 94,2 % de rendement) et un prototype de convertisseur DC-DC isolé de classe E² (40,68 MHz, 50 W, 73,3 % de rendement) ont été développés. Le transistor GaN fonctionne en commutation douce, conformément aux hypothèses de la méthode. Un modèle de simulation est également proposé et confronté aux résultats expérimentaux. Celui-ci s'appuie sur la caractérisation haute fréquence des composants passifs et actifs, et sur la modélisation électromagnétique du circuit imprimé. Les impédances réelles des éléments résonants, ainsi que celles des éléments parasites, sont ainsi anticipées dès le dimensionnement. La non linéarité des capacités parasites des semi-conducteurs est également prise en compte et intégrée dans le processus de dimensionnement
Dispelling the Myths Behind First-author Citation Counts
Get PDFWe conducted a full-scale evaluative citation analysis study of scholars in the XML research field to explore just how different from each other author rankings resulting from different citation counting methods actually are, and to demonstrate the capability of emerging data and tools on the Web in supporting more realistic citation counting methods. Our results contest some common arguments for the continued
use of first-author citation counts in the evaluation of scholars, such as high correlations between author rankings by first-author citation counts and other citation
counting methods, and high costs of using more realistic citation counting methods that are not well-supported by the ISI databases. It is argued that increasingly available digital full text research papers make it possible for citation analysis studies to go beyond what the ISI databases have directly supported and to employ more
sophisticated methods
Dimensionnement, modélisation et conception de convertisseurs très haute fréquence : application à la classe E
No full textPower electronics plays a key role in the electrification of modern systems by enabling efficient energy transfer between various subsystems. Over the past decades, increasing the switching frequency has been a major approach to improving power density. To that extent, pushing the operating frequency into tens of megahertz enables the elimination of magnetic cores, and the related losses. Very high frequency power conversion is a promising field for increasing the power density of power converters and reducing their heterogeneity, as well as meeting specific application needs, such as wireless power transfer or plasma generation.This research field has gained new momentum with the advent of wide-bandgap semiconductors, particularly GaN HEMTs, which are capable of switching in just a few nanoseconds. In order to overcome the switching losses, specific resonant topologies that allow for soft-switching operation are required. Among them, the single-switch Class E topology, well known in radio-frequency applications, achieves high efficiencies (>90%) at very high frequencies. Yet, it remains rarely used in power electronics applications. Indeed, current design methods are complex and do not easily generalize to designer actual needs. Moreover, the efficiency and reliability of such converters are still limited in practice.In this context, this thesis proposes a generic and intuitive design method tailored to Class E converters operating at VHF. Based on an exhaustive analytical modeling of the circuit, this method enables the identification of an optimized design space. The exploration is driven by some performance criteria. It allows the designer to explore and compare multiple design scenarios at an early stage, well before any experimental implementation. The method is also extended to the design of isolated Class E based DC-DC converters. These can be connected in series or parallel, making them suitable for a wide range of applications. To validate the proposed approach, three Class E inverter prototypes (40.68 MHz, 50 W) as well as an isolated Class E² DC-DC converter (40.68 MHz, 50 W), have been developed. The GaN transistor operates under soft-switching conditions, as assumed by the design method. A comprehensive simulation model is also introduced. It is based on high-frequency characterization of passive and active components, as well as electromagnetic modeling of the printed circuit board. The impedances of both resonant components and parasitic elements are accounted for and anticipated at the design stage. The non-linearity of parasitic capacitances of the semiconductors is also considered and fully integrated within the design method.L'électronique de puissance joue un rôle majeur dans l'électrification des systèmes modernes, en assurant un transfert d'énergie efficace entre les différents sous-systèmes. L'augmentation de la fréquence de découpage des convertisseurs a permis d'améliorer leur densité de puissance au cours des dernières décennies. En ce sens, atteindre des fréquences de l'ordre de plusieurs dizaines de mégahertz permet de s'affranchir des matériaux magnétiques et des pertes associées. La conversion très haute fréquence est une piste de recherche prometteuse pour améliorer la densité de puissance des convertisseurs et réduire leur hétérogénéité, ainsi que pour répondre à certains besoins applicatifs spécifiques tels que la transmission d'énergie sans-fil ou la génération de plasma.Cette thématique de recherche bénéficie d'un nouvel élan depuis quelques années grâce à l'émergence de composants grand-gap, tels que les transistors à base de Nitrure de Gallium (GaN), capables de commuter en quelques nanosecondes. Pour s'affranchir des pertes en commutation, il convient d'utiliser des topologies résonantes possédant des structures bien particulières. La structure mono-interrupteur de classe E, bien connue du domaine des radiofréquences, permet d'atteindre des rendements théoriques élevés (> 90 %) à très haute fréquence. Elle reste aujourd'hui peu exploitée pour des applications d'électronique de puissance. En effet, les méthodes de dimensionnement de ces convertisseurs très haute fréquence sont complexes et difficilement généralisables aux besoins du concepteur. De plus, le rendement et la fiabilité des convertisseurs restent limités.Dans ce contexte, ces travaux proposent une méthode de dimensionnement générique et intuitive. Celle-ci est fondée sur une mise en équation analytique exhaustive du circuit de classe E. A partir de certains critères de performance, un espace de conception optimisée est identifié et permet de concevoir des onduleurs de classe E. Plusieurs scénarios répondant au même cahier des charges peuvent ainsi être imaginés, et comparés avant toute réalisation expérimentale. Cette méthode peut également s'appliquer à la conception de convertisseurs DC-DC isolés et basés sur la classe E, qui peuvent être associés en série ou en parallèle et ainsi répondre à de nombreux besoins applicatifs. Pour valider cette approche, trois prototypes d'onduleurs de classe E (40,68 MHz, 50 W, 87,9 - 94,2 % de rendement) et un prototype de convertisseur DC-DC isolé de classe E² (40,68 MHz, 50 W, 73,3 % de rendement) ont été développés. Le transistor GaN fonctionne en commutation douce, conformément aux hypothèses de la méthode. Un modèle de simulation est également proposé et confronté aux résultats expérimentaux. Celui-ci s'appuie sur la caractérisation haute fréquence des composants passifs et actifs, et sur la modélisation électromagnétique du circuit imprimé. Les impédances réelles des éléments résonants, ainsi que celles des éléments parasites, sont ainsi anticipées dès le dimensionnement. La non linéarité des capacités parasites des semi-conducteurs est également prise en compte et intégrée dans le processus de dimensionnement
Dimensionnement, modélisation et conception de convertisseurs très haute fréquence : application à la classe E
No full textPower electronics plays a key role in the electrification of modern systems by enabling efficient energy transfer between various subsystems. Over the past decades, increasing the switching frequency has been a major approach to improving power density. To that extent, pushing the operating frequency into tens of megahertz enables the elimination of magnetic cores, and the related losses. Very high frequency power conversion is a promising field for increasing the power density of power converters and reducing their heterogeneity, as well as meeting specific application needs, such as wireless power transfer or plasma generation.This research field has gained new momentum with the advent of wide-bandgap semiconductors, particularly GaN HEMTs, which are capable of switching in just a few nanoseconds. In order to overcome the switching losses, specific resonant topologies that allow for soft-switching operation are required. Among them, the single-switch Class E topology, well known in radio-frequency applications, achieves high efficiencies (>90%) at very high frequencies. Yet, it remains rarely used in power electronics applications. Indeed, current design methods are complex and do not easily generalize to designer actual needs. Moreover, the efficiency and reliability of such converters are still limited in practice.In this context, this thesis proposes a generic and intuitive design method tailored to Class E converters operating at VHF. Based on an exhaustive analytical modeling of the circuit, this method enables the identification of an optimized design space. The exploration is driven by some performance criteria. It allows the designer to explore and compare multiple design scenarios at an early stage, well before any experimental implementation. The method is also extended to the design of isolated Class E based DC-DC converters. These can be connected in series or parallel, making them suitable for a wide range of applications. To validate the proposed approach, three Class E inverter prototypes (40.68 MHz, 50 W) as well as an isolated Class E² DC-DC converter (40.68 MHz, 50 W), have been developed. The GaN transistor operates under soft-switching conditions, as assumed by the design method. A comprehensive simulation model is also introduced. It is based on high-frequency characterization of passive and active components, as well as electromagnetic modeling of the printed circuit board. The impedances of both resonant components and parasitic elements are accounted for and anticipated at the design stage. The non-linearity of parasitic capacitances of the semiconductors is also considered and fully integrated within the design method.L'électronique de puissance joue un rôle majeur dans l'électrification des systèmes modernes, en assurant un transfert d'énergie efficace entre les différents sous-systèmes. L'augmentation de la fréquence de découpage des convertisseurs a permis d'améliorer leur densité de puissance au cours des dernières décennies. En ce sens, atteindre des fréquences de l'ordre de plusieurs dizaines de mégahertz permet de s'affranchir des matériaux magnétiques et des pertes associées. La conversion très haute fréquence est une piste de recherche prometteuse pour améliorer la densité de puissance des convertisseurs et réduire leur hétérogénéité, ainsi que pour répondre à certains besoins applicatifs spécifiques tels que la transmission d'énergie sans-fil ou la génération de plasma.Cette thématique de recherche bénéficie d'un nouvel élan depuis quelques années grâce à l'émergence de composants grand-gap, tels que les transistors à base de Nitrure de Gallium (GaN), capables de commuter en quelques nanosecondes. Pour s'affranchir des pertes en commutation, il convient d'utiliser des topologies résonantes possédant des structures bien particulières. La structure mono-interrupteur de classe E, bien connue du domaine des radiofréquences, permet d'atteindre des rendements théoriques élevés (> 90 %) à très haute fréquence. Elle reste aujourd'hui peu exploitée pour des applications d'électronique de puissance. En effet, les méthodes de dimensionnement de ces convertisseurs très haute fréquence sont complexes et difficilement généralisables aux besoins du concepteur. De plus, le rendement et la fiabilité des convertisseurs restent limités.Dans ce contexte, ces travaux proposent une méthode de dimensionnement générique et intuitive. Celle-ci est fondée sur une mise en équation analytique exhaustive du circuit de classe E. A partir de certains critères de performance, un espace de conception optimisée est identifié et permet de concevoir des onduleurs de classe E. Plusieurs scénarios répondant au même cahier des charges peuvent ainsi être imaginés, et comparés avant toute réalisation expérimentale. Cette méthode peut également s'appliquer à la conception de convertisseurs DC-DC isolés et basés sur la classe E, qui peuvent être associés en série ou en parallèle et ainsi répondre à de nombreux besoins applicatifs. Pour valider cette approche, trois prototypes d'onduleurs de classe E (40,68 MHz, 50 W, 87,9 - 94,2 % de rendement) et un prototype de convertisseur DC-DC isolé de classe E² (40,68 MHz, 50 W, 73,3 % de rendement) ont été développés. Le transistor GaN fonctionne en commutation douce, conformément aux hypothèses de la méthode. Un modèle de simulation est également proposé et confronté aux résultats expérimentaux. Celui-ci s'appuie sur la caractérisation haute fréquence des composants passifs et actifs, et sur la modélisation électromagnétique du circuit imprimé. Les impédances réelles des éléments résonants, ainsi que celles des éléments parasites, sont ainsi anticipées dès le dimensionnement. La non linéarité des capacités parasites des semi-conducteurs est également prise en compte et intégrée dans le processus de dimensionnement
koamabayili/VECTRON-author-checklist: VECTRON author checklist
No full textWe have done our best to complete the author checklist relating to the use of animals in the hut study. Note that the objective for the hut study was to evaluate the IRS treatment applications for residual efficacy against Anopheles mosquitoes, including the local An. coluzzii mosquito population. Cows were only used to attract mosquitoes into the huts and no tests were carried out directly on the cows. The author checklist is intended for use with studies where experiments are carried out on animals, which is why we have had such difficulty in completing this for the hut study, as many of the questions do not relate to how the cows were used
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