175147 research outputs found
Sort by
Экономика Исландии: факторы роста
No full textРаздел 3. Менеджмент. Маркетинг. Финансы и банковское дело. Экономик
Институциональные основы развития системы бухгалтерского учета в Китайской Народной Республике
No full textРаздел 3. Менеджмент. Маркетинг. Финансы и банковское дело. Экономик
Kleine Plastikbecher – große Nachwirkungen
No full textРаздел 5. Культурология. Современные иностранные языки. Филология. Лингвострановедение. Журналистика. Психологи
Суб- и наносекундные диодные источники света
No full textРазработанные суб- и наносекундные полупроводниковые источники излучения предназначены для различных оптоэлектронных устройств, где необходимы повторяющиеся короткие световые импульсы. Они могут быть использованы в импульсной спектрометрии, флуорометрии (для измерения кинетики различных видов люминесценции), дальнометрии (в качестве зондирующих излучателей) и т.д
Уточнение способа словообразования в аспекте лингводидактики русского языка как иностранного
No full textРаздел 5. Культурология. Современные иностранные языки. Филология. Лингвострановедение. Журналистика. Психологи
Adhesion of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films Implanted with Boron and Phosphorus Ions to Single-Crystal Silicon
No full textВ работе исследовано влияние ионной имплантации на удельную энергию отслаивания пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120, нанесенных на пластины монокристаллического
кремния. Установлено, что при имплантации ионов бора и фосфора на границе раздела фоторезист–кремний происходит образование сложноэфирных сшивок между гидроксильными группами
на поверхности оксидного слоя кремниевой пластины и карбоксильной группой 1-Н-инден-3-карбоновой кислоты, привитой к полимеру, что приводит к увеличению удельной энергии отслаивания G-пленки от подложки. Указанный эффект наблюдается далеко за пределом области пробега ионов и более выражен при внедрении ионов фосфора.The effect of ion implantation on the specific energy of delamination of FP9120 diazoquinone–
novolac photoresist films deposited on single-crystal silicon wafers has been studied. It has been found that
during the implantation of boron and phosphorus ions, ester crosslinks between hydroxyl groups on the surface of an oxide layer of the silicon wafer and the carboxyl groups of 1-H-indene-3-carboxylic acid grafted to the polymer are formed at the photoresist–silicon interface, thereby leading to an increase in the specific
energy G of film delamination from the substrate. This effect is observed far beyond the ion range, being more pronounced in the case of implantation of phosphorus ions
