1635 research outputs found
Sort by
ПОГЛОТИТЕЛИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ОГНЕСТОЙКИХ КРАСОК С ПОРОШКООБРАЗНЫМ НАПОЛНИТЕЛЕМ
Get PDFС целью повышения конструктивно-технологических и эксплуатационных параметров поглотителей электромагнитного излучения (ЭМИ) для экранированных помещений, а также обеспечения экологической безопасности, предложены композиционные материалы с покрытием из огнестойких красок с порошкообразными наполнителями на основе шунгита, обладающие свойствами поглощения мощности электромагнитного излучения в широком диапазоне частот
ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА СТРУКТУРУ И СОСТАВ ПОРИСТЫХ ПЛЕНОК АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЯХ ФОРМОВКИ
Get PDFA fabrication of porous alumina films by electrochemical anodization of aluminium foils and aluminium films deposited on silicon wafers is presented. Anodization process was held in the 2 % sulphuric acid aqueous solution at different forming voltages. It was shown that thermal treatment at 450 °С and 950 °С leads to increase of anodic alumina film porosity and decrease of volume expansion factor. It was also defined that embedding of electrolyte components in anodic alumina during anodization in sulphuric acid solutions intensifies with the increase of forming voltage value.Представлены результаты исследования электрохимического анодирования алюминиевой фольги и тонких алюминиевых пленок, осажденных на кремниевые пластины, в 2 % водном растворе серной кислоты при различных напряжениях формовки. Показано, что термообработка при температурах 450 °С и 950 °С увеличивает пористость пленки анодного оксида алюминия и приводит к снижению значения коэффициента увеличения объема. Также установлено, что встраивание компонентов электролита в анодный оксид при анодировании в растворах серной кислоты интенсифицируется с ростом напряжения формовки
ОСОБЕННОСТИ РАБОТЫ АЛГОРИТМА АНСЦЕНТНОГО ФИЛЬТРА КАЛМАНА ПРИ НАБЛЮДЕНИИ ОБЪЕКТОВ В ПОЛЯРНЫХ КООРДИНАТАХ
Get PDFThe principle of the unscented transformation and features of Unscented Kalman filter performance using polar measurement is considered. The estimation performance of Extended Kalman filter and Unscented Kalman Filter is compared.Рассмотрены идея ансцентного преобразования, особенности построения ансцентного фильтра Калмана. Представлены пример реализации ансцентного фильтра Калмана при наблюдении объектов в полярных координатах, сопоставительный анализ результатов фильтрации ансцентного фильтра Калмана и фильтра Калмана при косвенных измерениях
АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА
Get PDFIn order to develop a technology for the growth of Al(Ga)N-based heterostructures, the effect of different molecular beam epitaxy growth conditions on the properties of AlN and AlGaN layers was studied. The optimal conditions for the growth of AlN buffer layers were established, which made it possible to achieve a root mean square roughness as small as 0.7 nm. It was shown that an increase of AlN layer thickness leads to a decrease of density of edge dislocations, while no explicit dependence of the screw dislocation densityon the layer thickness was observed. The minimal obtained dislocations density values for 1.25μm-thick AlN layer were nedges = 5.9×109 cm-2 and nscrew = 2.2×107 cm-2 for edge and screw dislocations respectively. As a result of optimization of the AlGaN growth temperature, a series of 0.15μm-thick layers was grown, which showed stimulated emission at wavelengths λ = 330 nm, 323 nm, 303 nm, and 297 nm with threshold powerdensities of 0.7 MW/cm2, 1.1 MW/cm2, 1.4 MW/cm2 and 1.4 MW/cm2, respectively. The determined optimal epitaxy conditions for AlN and AlGaN layers were used to grow the AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure on a sapphire substrate with two-dimensional electron gas, which had a mobility of 1950 cm2/(Vs) at a concentration of 1.15×1013 cm-2. The obtained results are important for creating of nitride-basedUV-emitting optoelectronic semiconductor devices, as well as high-power and high-frequency electronic devices.В работе с целью разработки технологии роста гетероструктур на основе Al(Ga)Nисследовалось влияние различных условий роста гетероструктур молекулярно-пучковой эпитаксией на свойства слоев AlN и AlGaN. Были установлены условия для роста буферных слоев AlN, которые позволили достигнуть среднеквадратичного значения величины шероховатостей 0,7 нм. Показано, что увеличение толщины слоя AlN приводит к уменьшению плотности краевых дислокаций, в то время как явной зависимости плотности винтовых дислокаций от толщины слоя не наблюдалось. Минимальные полученные значения плотности проникающих дислокаций для слоя AlN толщиной 1,25 мкм составили nкраев. = 5,9×109 см-2 и nвинт. = 2,2×107 см-2. В результате оптимизации температуры роста AlGaN была выращена серия слоев толщиной 0,15 мкм, показавших стимулированное излучение на длинах волн λ = 330 нм, 323 нм, 303 нм и 297 нм с пороговыми плотностями мощности 0,7 МВт/см2, 1,1 МВт/см2, 1,4 МВт/см2 и 1,4 МВт/см2 соответственно. Установленные условия эпитаксии слоев AlN и AlGaN на подложках сапфира были использованы для роста транзисторной структуры AlGaN/GaN на подложке сапфира с двумерным электронным газом, который имел подвижность 1950 см2/(Вс) при концентрации 1,15×1013 см-2. Полученные результаты важны для создания излучающих оптоэлектронных полупроводниковых приборов, работающих в УФ области спектра, а также приборов силовой и высокочастотной электроники на основе нитридов
КОМПЛЕКСИРОВАНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЙ В ДВУХКАНАЛЬНОЙ ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОЙ СИСТЕМЕ КАК СПОСОБ СНИЖЕНИЯ ВЕРОЯТНОСТИ СРЫВА АВТОМАТИЧЕСКОГО СОПРОВОЖДЕНИЯ МАЛОКОНТРАСТНЫХ ОБЪЕКТОВ
Get PDFThe paper discusses the work of the correlation algorithm for automatically tracking objects of interest in a two-channel optical-electronic system in a complex background-target environment and the presence of intentional interference. Conditions in which the contrast of the desired object in both channels is negligible but not equal to zero are considered difficult in the paper. Intentional interference refers to masking interference of natural and artificial origin, which helps to reduce the contrast of the object in both channels. By two-channel means an optical-electronic system, which includes channels of the visible and infrared ranges. It is believed that the multi-spectral images of both channels are reduced to a single time and scale, which allows them to be integrated using various methods. The purpose of this paper is to prove that the likelihood of disruption of automatic tracking is reduced when complexing the source images of the visible and infrared ranges, when the contrast of the desired object in both channels is negligible. For research the mathematical apparatus of the theory of random functions and simulation with subsequent statistical data processing are used. It is shown that the probability of disruption, characterized by the ratio of the correlation coefficients of two fragments of images, one of which contains the desired object, and the second not, depends on both the correlation coefficients and the values of their mean square deviations. The simulation shows that the breakdown of tracking occurs both when the mean square deviations of these correlation coefficients are equal, and at their different values, moreover, an increase in their difference increases the probability of a breakdown. The article shows that the likelihood of a breakdown in a two-channel optoelectronic system will decrease when using two channels, compared to working only in the visible or infrared channel. The obtained results substantiate the promise of using image complexing in multichannel systems of automatic tracking of objects in a complex background-target environment and the presence of deliberate interference.В статье рассмотрена работа корреляционного алгоритма автоматического сопровождения объектов интереса в двухканальной оптико-электронной системе в условиях сложной фоново-целевой обстановки и наличия преднамеренных помех. Сложными в статье считаются условия, когда контраст искомого объекта в обоих каналах незначителен, но не равен нулю. Под преднамеренными помехами подразумеваются маскирующие помехи естественного и искусственного происхождения, способствующие снижению контраста объекта в обоих каналах. Под двухканальной понимается оптико- электронная система, которая включает в себя каналы видимого и инфракрасного диапазонов. Считается, что разноспектральные изображения обоих каналов приведены к единому времени и масштабу, что позволяет проводить их комплексирование, используя различные методы. Целью настоящей статьи является доказательство снижения вероятности срыва автоматического сопровождения при комплексировании исходных изображений видимого и инфракрасного диапазонов, когда контраст искомого объекта в обоих каналах незначителен. Для исследования используются математический аппарат теории случайных функций и имитационное моделирование с последующей статистической обработкой данных. Показано, что вероятность срыва, характеризуемая отношением коэффициентов корреляции двух фрагментов изображений, одно из которых содержит искомый объект, а второе – нет, зависит как от коэффициентов корреляции, так и от значений их средних квадратических отклонений. Проведенное моделирование показало, что срыв сопровождения наступает как при равенстве средних квадратических отклонений данных коэффициентов корреляции, так и при их разных значениях, причем увеличение их разности способствует повышению вероятности срыва. В статье показано, что вероятность срыва в двухканальной оптико-электронной системе будет уменьшаться при использовании двух каналов по сравнению с работой только в видимом либо инфракрасном канале. Полученные результаты обосновывают перспективность использования комплексирования изображений в многоканальных системах автоматического сопровождения объектов в условиях сложной фоново-целевой обстановки и наличия преднамеренных помех
ИНТЕРВАЛЬНЫЙ ПРОГНОЗ ДЕГРАДАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
Get PDFIn individual forecasting of parameter values and, therefore, gradual refuses of electronic devices' (ED) with simulation effects method the reliability prediction can be judged by average prediction error, which gives only average reliability prediction picture. In particular cases parameter's true value deviation for a new instance can differ noticeably from the predicted values. For practical problems of ED gradual failures forecasting for future developments it's important to have interval forecast of functional parameter. This forecast is proposed to be obtained by using the control sample and hypothesis on the normal distribution of ED parameter values forecasting relative error.При индивидуальном прогнозировании значений параметра и, следовательно, постепенных отказов изделий электронной техники (ИЭТ) методом имитационных воздействий, о достоверности прогнозирования можно судить по средней ошибке прогнозирования, которая дает представление о достоверности прогноза лишь в среднем. В частных случаях для нового ( j -го) экземпляра отклонение истинного значения параметра может заметно отличаться от прогнозного значения. Для практических задач прогнозирования постепенных отказов ИЭТ для будущих наработок важно иметь и интервальный прогноз функционального параметра. Этот прогноз предлагается получать, используя контрольную выборку и гипотезу о нормальном распределении относительной ошибки прогнозирования значений параметра ИЭТ
К ЗАДАЧАМ ДВУХУРОВНЕВОЙ ОПТИМИЗАЦИИ С УСЛОВИЕМ РЕГУЛЯРНОСТИ RCPLD
Get PDFMultilevel optimization problems often arise in various applications (in economics, ecology, power engineering and other areas) when modeling complex systems with a hierarchical structure associated with independent actions of subsystems. The difficulty of analyzing such complex systems requires first of all the study of bilevel models, the management of which would be an integral part of the analysis of more complex systems. In solving bilevel programming problems, an important role is played by the property of partial calmness, the presence of which allows us to reduce the bilevel problem to the classical nonlinear programming problem with a nonsmooth objective function. It is known that linear bilevel programming problems are partially stable. The proof of this property for more complex problems meets difficulties. In particular, our article shows the inaccuracy of some results in this area. The goal of the paper is to obtain some new results in the partial calmness of bilevel programming. In particular, new sufficient conditions for bilevel problems are proved. The results are obtained on the base of Lipschitz-like properties for multivalued mappings. In the paper we propose new sufficient conditions for partial calmness which are based on some modification of the known constraint qualification RCPLD which have been proposed by the researches Andreani, Haeser, Schuverdt and Silva.Задачи многоуровневой оптимизации часто встречаются в различных приложениях (в экономике, экологии, энергетике и других областях) при моделировании сложных систем с иерархической структурой, связанной с неравноправным положением и самостоятельными действиями подсистем. Трудность анализа такого рода сложных систем требует в первую очередь изучения двухуровневых моделей, управление которыми явилось бы составной частью анализа более сложных систем. При решении задач двухуровневого программирования важную роль играет предложенное учеными Ye и Zhu свойство частичной устойчивости, наличие которого позволяет свести двухуровневую задачу к классической задаче нелинейного программирования с негладкой целевой функцией. Известно, что линейные задачи двухуровневого программирования являются частично устойчивыми. Доказательство данного свойства для более сложных задач встречает трудности. В частности, в статье показывается неверность некоторых известных ранее результатов в этой области. Целью данной статьи является доказательство новых результатов по частичной устойчивости задач двухуровневого программирования. Вывод данных результатов в статье основывается на применении обобщенных липшицевых свойств многозначных отображений. В данной статье выводятся новые достаточные условия частичной устойчивости, основанные на модификации известного в литературе условия регулярности RCPLD, предложенного учеными Andreani, Haeser, Schuverdt и Silva. Полученные достаточные условия обобщают известные условия частичной устойчивости для двухуровневых задач и позволяют выделить класс задач, которые могут быть решены редукцией к задаче математического программирования с негладкой целевой функцией
РАЗРАБОТКИ ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ПРОБОПОДГОТОВКИ И КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ВОДНОГО ТЕПЛОНОСИТЕЛЯ НА АЭС
Get PDFЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИ
Get PDFZnSe epitaxial films are grown on (111)- and (100)-oriented Si substrates with a porous buffer layer by the thermal evaporation of ZnSe compound. The crystal structure of the deposited films was controlled by X-ray diffraction. The morphology of the films was studied by high-resolution scanning electron microscopy. It was demonstrated the porous buffer layer provides improving the quality of the films compared with films deposited on the monolithic silicon.Эпитаксиальные пленки ZnSe выращены путем термического испарения соединения ZnSe на подложках Si ориентации (111) и (100) с буферным пористым слоем. Кристаллическая структура осаждаемых пленок контролировалась методом рентгеновской дифрактометрии. Морфология пленок изучалась методом растровой электронной микроскопии высокого разрешения. Установлено, что использование пористого буферного слоя позволяет повысить качество пленок по сравнению с пленками, осажденными на монолитный кремний
МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ШЛАМА ОЧИСТКИ ВАГРАНОЧНЫХ ГАЗОВ
Get PDFThe analysis of the powdered sludge treatment cupola gases magnetic properties (relative permeability dependence on the value of external magnetic field and ambient temperature) study results is presented. It is proposed to use this material for the shielding constructions formation, promoting radioelectronic devices electromagnetic compatibility.Приведен анализ результатов исследования магнитных характеристик (зависимостей относительной магнитной проницаемости от величины индукции внешнего магнитного поля и температуры окружающей среды) порошкообразного шлама очистки ваграночных газов, который предложено использовать для формирования экранирующих конструкций, способствующих обеспечению электромагнитной совместимости радиоэлектронных устройств