1635 research outputs found
Sort by
РЕШЕНИЕ ТРАНСПОРТНОЙ ЗАДАЧИ ДЛЯ МНОГООБЪЕКТНОЙ СИСТЕМЫ БЕСПИЛОТНЫХ АППАРАТОВ
Get PDFThe solution of transportation problem for unmanned multiobject systems is described. The factor for calculating of the cost matrix taking into account the specifics of multi-object systems of unmanned vehicles is chosen.Приведено решение транспортной задачи для многообъектной системы методом потенциалов. Выбран фактор для расчета матрицы стоимости с учетом специфики многообъектных систем беспилотных аппаратов
ПРОГНОЗИРОВАНИЕ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫХ ПОТЕНЦИАЛОВ РАЗРЯДОВ СТАТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРИЧЕСТВА И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ДИОДЫ ШОТТКИ
Get PDFThe forecasting technique of admissible potentials of the static electricity categories of positive and negative polarity with voltage to 15 kV on structures of diodes Shottki with the guard ring is offered.Предложена методика прогнозирования допустимых потенциалов разрядов статического электричества положительной и отрицательной полярности с напряжением до 15 кВ на структуры диодов Шоттки с охранным кольцом
ПОИСК АНТРОПОГЕННЫХ ОБЪЕКТОВ АЭРОИЗОБРАЖЕНИЙ НА ОСНОВЕ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КОНТУРОВ ГОМОГЕННЫХ ОБЛАСТЕЙ
Get PDFAn algorithm for searching for anthropogenic objects of air image on the basis of analysis of geometric parameters of the edges of homogeneous regions features is proposed. It is shown that the proposed algorithm makes it possible to reduce the errors of the first and second kind with respect to the algorithm for searching for spatial anomalies due to taking into account the values of multi-segment form factors and the concentration of corners and end points of normalized in thickness edge of segments with uniform brightness with a decrease in speed.Предлагается алгоритм поиска антропогенных объектов аэроизображений на основе анализа геометрических параметров контуров гомогенных областей. Алгоритм позволяет уменьшить ошибки первого и второго рода в сравнении с алгоритмом поиска пространственных аномалий за счет определения принадлежности к антропогенным объектам сегментов с равномерной яркостью на основе значений форм-факторов и концентрации изломов и концевых точек нормализованных по толщине контуров
МОДЕЛЬ ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА WEB-ПРИЛОЖЕНИЙ, ОСНОВАННАЯ НА ОБНАРУЖЕНИИ УЯЗВИМОСТЕЙ К SQL-ИНЪЕКЦИЯМ
Get PDFA way of SQL-injection vulnerability detection based on static code analysis is discussed. A web-application internal quality model based on the results of automated detection of SQL-injection vulnerabilities is given. Practical results of applying the quality model to real-world web-applications are presented.Рассматривается способ обнаружения уязвимостей к SQL-инъекциям, основанный на статическом анализе исходных кодов. Приведена модель качества web-приложений, основывающаяся на результатах автоматизированного поиска уязвимостей к SQL-инъекциям. Представлены практические результаты применения модели качества к существующим web-приложениям
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УГЛЕРОДСОДЕРЖАЩЕГО НЕТКАНОГО МАТЕРИАЛА С ГЕОМЕТРИЧЕСКИМИ НЕОДНОРОДНОСТЯМИ
Get PDFThe results of the study of electromagnetic characteristics of the carbon-containing non-woven fabric with geometric irregularities in the frequency range 0.7…17 GHz are presented.Представлены результаты исследования электромагнитных характеристик углеродсодержащих нетканых материалов с геометрическими неоднородностями в диапазоне частот 0,7…17 ГГц
ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ХРОМА НА КРЕМНИИ
Get PDFPresent paper is devoted the determination of the effect of the temperature of the process of rapid thermal treatment of chromium films on n-type conductivity silicon on their resistivity and contact properties of the interface. Chromium films of about 30 nm thickness were deposited by magnetron sputtering onto the surface of silicon substrates having a resistivity of 0.58 to 0.53 ohms×cm. The rapid thermal treatment was carried out in a heat balance mode by irradiating the back side of the substrates with non-coherent light flux in nitrogen ambient for 7 seconds. Quartz halogen incandescent lamps were used as the heating source. The temperature of the rapid thermal process ranged from 200 to 550 °C. The thickness of the chromium films was determined by raster electron microscopy. The surface resistance of the samples was measured by a four- probe method. The Schottky barrier height and the ideality factor were determined from I-V plots. It is shown that at the temperature of the rapid thermal process 400 °C a layer of chromium disilicide is formed, causing a sharp increase in the resistivity of chromium films to 1.2 mOhm×cm and the height of the Schottky barrier to 0.6 V. When the temperature of the rapid thermal process is further increased to 550 °C, the resistivity increases monotonically to 4.0 mOhm×cm due to the increase in the width of the interstitial boundaries increasing the scattering of charge carriers in the CrSi2 layers. It has also been shown that rapid thermal treatment of the Cr/Si structure at a temperature of 450–500 °C enables to obtain rectifying contacts with a barrier height of 0.615 V and an ideality factor of 1.1. The results obtained can be used in the technology of integrated electronics products containing Schottky contacts as well as thin film resistors.Данная работа посвящена установлению влияния температуры процесса быстрой термообработки пленок хрома на кремнии n-типа проводимости на их удельное сопротивление и контактные свойства границы раздела. Пленки хрома толщиной порядка 30 нм наносили магнетронным распылением на поверхность кремниевых подложек с удельным сопротивлением 0,58–0,53 Ом×см. Быструю термообработку проводили в режиме теплового баланса путем облучения обратной стороны подложек некогерентным световым потоком в среде азота в течение 7 с. В качестве источника нагрева использовали кварцевые галогенные лампы накаливания. Температуру процесса быстрой термообработки варьировали в интервале от 200 до 550 °С. Толщину пленок хрома определяли растровой электронной микроскопией. Поверхностное сопротивление образцов измеряли четырехзондовым методом. Высоту барьера Шоттки и коэффициент неидеальности определяли методом вольтамперных характеристик. Показано, что при температуре процесса быстрой термообработки 400 °С формируется слой дисилицида хрома, вызывающий резкое увеличение удельного сопротивления пленок хрома до 1,2 мОм×см и высоты барьера Шоттки до 0,6 В. При дальнейшем увеличении температуры процесса быстрой термообработки до 550 °С удельное сопротивление монотонно возрастает до 4,0 мОм×см за счет роста ширины межзеренных границ, увеличивающих рассеяние носителей заряда в CrSi2. Также показано, что быстрая термообработка структуры Cr/Si при температуре 450–500 °С позволяет получать выпрямляющие контакты с высотой барьера 0,615 В и коэффициентом неидеальности 1,1. Полученные результаты могут быть использованы в технологии создания изделий интегральной электроники, содержащих контакты Шоттки, а также тонкопленочные резисторы
РАДИАЛЬНЫЙ КЛИНООРОТРОН
Get PDFПроведено моделирование генератора миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн - клинооротрона c радиальным электронным пучком. В этом приборе плоский радиальный электронный пучок, формируемый в кольцевой электронной пушке, осаждается под малым углом на замедляющую систему, выполненную в виде радиальной гребенки на зеркале открытого резонатора. Этим достигается клинотронный эффект, благодаря которому все слои достаточно широкого электронного потока практически одинаково взаимодействуют с полем гребенки. Проведенные расчеты подтверждают высокую эффективность предложенной конструкции радиального клинооротрона
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МОРФОСТРУКТУРНОГО АНАЛИЗА И ЛАЗЕРНОЙ АТОМНО-ЭМИССИОННОЙ СПЕКТРОМЕТРИИ ДЛЯ ДИАГНОСТИКИ РАКА ПРОСТАТЫ
No full textThe morphology of dried blood plasma from patients with oncopathology has been studied. The structural features characteristic for the dried drops of blood plasma from the patients with diagnosed carcinoma of the prostate have been revealed. Semiquantitative estimates of the spatial distribution of calcium over the surface of the dried drops of biological fluids have been obtained using laser atomic-emission spectrometry. Owing to the use of this method, one can have quantitative estimates of changes in the protein centers. The possibility for making more accurate diagnoses by means of attribution of the tumor to the types Т2 and Т3 or Т4 is demonstrated. The obtained experimental results may form the basis for the development of early cancer diagnostication techniques.Исследована морфология высохшей плазмы крови больных с онкопатологией. Выявлены структурные особенности высохших капель плазмы крови пациентов с диагнозом рак простаты. Получены полуколичественные результаты пространственного распределения кальция по поверхности высохшей капли биологических жидкостей и в слоях с использованием метода лазерной атомно-эмиссионной спектрометрии. Метод лазерной атомно-эмиссионной спектрометрии дает возможность количественно оценить изменения в белковых центрах. Показана возможность уточнения диагноза по отнесению опухоли к типу Т2 или к Т3 или Т4. Полученные экспериментальные данные могут быть основой для разработки методологии ранней диагностики
CРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ОТНОШЕНИЯ МОЩНОСТИ НЕСУЩЕЙ СИГНАЛА К УРОВНЮ ПОМЕХИ ПЛЮС ШУМ ПРИ ОПТИМАЛЬНОМ УПЛОТНЕНИИ КАНАЛОВ И СУММИРОВАНИИ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНО ВЗВЕШЕННЫХ СИГНАЛОВ КАЖДОГО КАНАЛА
Get PDFComparison between two common spatial combining algorithms, namely, optimal combining (OC) and maximal ratio combining (MRC) is carried out based on definition of a gain ratio. The receive carrier-to-interference plus noise ratio (CINR) is applied in Raleigh fading wireless communication systems to define the gain CINROC/CINRMRC with multiple interferences when the generalized approach to signal processing in noise is employed. The exact expression for the probability density function (pdf) and analytical solution for the average gain CINROC/CINRMRC in the case of a single interference is derived. For multiple interferences Monte-Carlo simulation to define the pdf and gain CINROC/CINRMRC is used. Additionally, an upper bound to the gain CINROC/CINRMRC to determine when the OC will exhibit significant gains over MRC is derived.Проводится статистический анализ между двумя общеизвестными алгоритмами пространственного уплотнения (АПУ) каналов, алгоритмом оптимального уплотнения (АОУ) каналов и алгоритмом суммирования дифференциально взвешенных сигналов (АСДВС) каждого канала, путем определения отношения сигнал/помеха+шум (С/П+Ш). При наличии pэлеевских замираний в каналах связи в условиях помех разного класса определяется коэффициент Z между (С/П+Ш)АОУ и (С/П+Ш)АСДВС, позволяющий отдать предпочтение тому или иному АПУ каналов. При наличии помехи одного вида представлены точные аналитические решения для плотности распределения вероятностей и математического ожидания коэффициента Z. Если присутствует несколько видов помехи, плотность распределения вероятностей коэффициента Z определяется Монте-Карло моделированием, и математическое ожидание плотности распределения вероятностей представляется в интегральной форме. Определена верхняя граница , определяющая условия, когда (С/П+Ш)АОУ >>С/П+Ш)АСДВС
МОДЕЛИРОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОЧНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ СЕЛЕКТИВНЫХ ФИЛЬТРОВ
Get PDFThe aim of the work was to study the optical properties of the one-dimensional photonic crystals from ultrathin alternating layers of titanium and silicon oxides with different order of alternating layers to form defective half-wave layers in the bulk of the photonic crystal. The layer thicknesses were optimized by the dispersion of the refractive index and it was shown that for the formation of 16-layer photonic crystal structure without a half-wave layer with a photonic band gap in the UV region, it is necessary to use layers of titanium dioxide and silicon oxide with a thickness of 28.3 and 53.2 nm, respectively. The structure of the 26-layer photonic crystal with a thickness of 2130 nm with two non-equidistant half-wave layers forming resonant transmission bands in the photonic band gap with peaks at 550 and 601 nm is proposed. Due to the dispersion of the refractive index, the ratio of the thicknesses of TiO2:SiO2 layers varies from 1:1.88 in the case of a 16-layer structure with a photonic band gap in the UV region to 1:1.5 in the case of a 26-layer structure with a photonic band gap in the visible range . The effect of a photonic crystal structure without half-wave layers on the emission spectrum of a liquid crystal display manufactured using IPS technology has been demonstrated in order to reduce the intensity of the blue component to increase the safety of the user's vision. The using of the photonic crystals with two half-wave defective layers allows to achieve complete separation of the spectrum components, which can be used to modify the spectra of large liquid crystal panels, their manufacture using AMOLED technology is a very difficult technological task even for leaders in this field.Целью работы являлось исследование оптических свойств одномерных фотонных кристаллов из ультратонких чередующихся слоев оксидов титана и кремния с различным порядком чередования слоев для формирования дефектных полуволновых слоев в объеме фотонного кристалла. Проведена оптимизация толщин слоев с учетом дисперсии коэффициента преломления и показано, что для формирования 16-слойной структуры фотонного кристалла без полуволнового слоя с фотонной запрещенной зоной в ультрафиолетовой области необходимо использовать слои диоксида титана и оксида кремния толщиной 28,3 и 53,2 нм соответственно. Предложена структура 26-слойного фотонного кристалла толщиной 2130 нм с двумя неэквидастантными полуволновыми слоями, формирующими резонансные полосы пропускания в фотонной запрещенной зоне с максимумами на 550 и 601 нм. Из-за дисперсии коэффициента преломления отношение толщин слоев TiO2:SiO2 изменяется с 1:1,88 в случае 16-слойной структуры с фотонной запрещенной зоной в УФ области до 1:1,5 в случае 26-слойной структуры с фотонной запрещенной зоной в видимом диапазоне. Продемонстрировано влияние фотонно-кристаллической структуры без полуволновых слоев на спектр излучения жидкокристаллического дисплея, изготовленного по технологии IPS, с целью снижения интенсивности синей компоненты для повышения безопасности зрения пользователя. Использование фотонного кристалла с двумя полуволновыми дефектными слоями позволяет добиться полного разделения компонент спектра, что возможно применять для модификации спектров крупных жидкокристаллических панелей, так как их изготовление по технологии AMOLED является крайне сложной технологической задачей даже для лидеров в данной области