Kochi University of Technology Academic Resource Repository

黒岩, 良介

Japanese

歯科材料メーカーによるデジタル化推進のためのビジネスモデル提案

高知工科大学博士（工学）高知工科大学, 博士論文.doctoral thesi

佐々木, 大地

 
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氏 名（本籍） 佐々木 大地（京都府） 
学位の種類 博士（工学） 
学位記番号 甲第 360 号 
学位授与年月日 令和２年３月 18 日 
学位授与の要件 学位規則第４条第１項 
研究科・専攻名 工学研究科・基盤工学専攻 
    学位論文題目      Carrier transport properties and reliability of amorphous 
In–Ga–Zn–O heterojunction channel thin-film transistors 
 論文審査 （主査）高知工科大学     教授   古田 守 
    高知工科大学     教授   河野 日出夫 
    高知工科大学     教授   古田 寛 
    高知工科大学     教授   山本 哲也 
    高知工科大学     教授   牧野 久雄 
 
 
審 査 結 果 の 要 旨 
 
１.論文の評価 
 学位論文は非晶質酸化物半導体 In–Ga–Zn–O(IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の高性能・高信頼性化に関
し、特に 
1）非晶質酸化物半導体ヘテロ接合界面においてポテンシャル障壁が形成される点を実験およびデバ
イスシミュレーションの両面からのアプローチにより明らかにした点、 
2）ヘテロ接合チャネル薄膜トランジスタのキャリア輸送特性をデバイスシミュレーションにより明
らかにした点、 
3) IGZO ヘテロ接合チャネル TFT が特性向上と信頼性向上を両立する新たな手法であることを明ら
かにした点、 
に独自性と卓越した成果が認められる。将来の量子効果発現を期待させる非晶質ヘテロ接合チャネルの
実証は学術的にも大きな成果である。また、ヘテロ接合チャネル中でのキャリア輸送特性をデバイスシ
ミュレーションにて明らかにし、実験結果との整合性を始めて示した点も本研究の成果である。また高
性能 TFT 実用化に極めて重要な信頼性課題に、ヘテロ接合チャネル TFT により解決の可能性を示した
点も大きな成果である。 
 本研究はこれまでにはない酸化物半導体 IGZO ヘテロ接合の効果を実験および解析的に示した点で高
い独自性を有する研究結果であり、高性能・高信頼性 TFT 実現に新たな路を拓くものと認められ、博士
（工学）の学位にふさわしい内容と判断できる。 
 
２.審査の経過と結果 
（１）令和２年１月８日 博士後期課程委員会で学位論文の受理を決定し、５名がその審査委員と
 して指名された。 
（２）令和２年２月 15 日 公開論文審査発表会及び最終試験を実施した。 
（３）令和２年３月５日 博士後期課程委員会で学位授与を可とし、教育研究審議会で承認された。 


非晶質 In–Ga–Zn–Oxヘテロ接合チャネル薄膜トランジスタのキャリア輸送特性および信頼性

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English

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Kochi University of Technology

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