Kochi University of Technology Academic Resource Repository

三浦, 康寛

Japanese

深層学習を用いた画像からの食品質量推定

榊原, 雅司

ラズパイとAIで掌から人を識別する装置の設計と製作

森本, 雅也

フレキシブルな色素増感太陽電池に応用するZnOナノロッド電極の作成と評価

山崎, 将滉

高時空間分解能の地表面湿度環境指標の推定

奥村, 寛之

40Arから入射核破砕過程によって生成される破砕片39Clの偏向現象

筒井, 康行

GANを用いたCNNの分類結果の説明性に関する研究

斉藤, 俊幸

地域活性化の課題構造の解明―畜産業を事例として

Velichko, Rostislav

 
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氏 名（本籍） Rostislav Velichko（ロシア連邦） 
学位の種類   博士（工学） 
学位記番号   甲第 386 号 
学位授与年月日 令和４年３月 17日 
学位授与の要件 学位規則第４条第１項 
研究科・専攻名 工学研究科・基盤工学専攻 
学位論文題目  Hydrogen Doping for controlling electrical properties of p- and n-type oxide 
semiconductors for thin-film transistors 
（水素添加によるp型およびn型酸化物半導体の電気特性制御と薄膜トランジス
タ応用） 
論文審査    （主査）高知工科大学       教授     古田 守 
シュトゥットガルト大学  教授     Norbert Fruehauf 
高知工科大学       教授     牧野 久雄 
高知工科大学       教授     李 朝陽 
高知工科大学       教授     古田 寛 
 
 
審 査 結 果 の 要 旨 
 
１.論文の評価 
 申請者は p 型酸化物半導体である酸化錫（SnO）および n 型酸化物半導体である In–Ga–Zn–O
（IGZO）薄膜中への水素導入が材料物性やその電気特性への影響に関する研究を実施した。P 型酸化
物半導体における研究成果は中間審査会にて発表を行っており、最終審査会では最終年度に実施した n 
型酸化物半導体 IGZO への水素導入効果とそのメカニズムを中心に審査した。 
審査会での意見 
・プレゼンテーションはよくまとまっており、新規性が明確に示されていた。 
・水素添加による低温熱処理における特性改善メカニズムに関して興味深い内容であった。 
・質疑応答においても適切な回答や対応が得られていた。 
・学位論文に関してもほぼ完成しており、最終提出期限までに更なる質向上が見込まれる 
等の意見があった。 
査読論文数・質ともに学位基準審査基準を満たしており、学位授与に充分な実績であると判断された。 
 
２.審査の経過と結果 
（１）令和４年１月 12 日 ５名の審査委員のもと協議され、博士後期課程委員会で学位論文の受理
を決定した。 
（２）令和４年２月 15 日 公開論文審査発表会及び最終試験を実施した。 
（３）令和４年３月３日 博士後期課程委員会で学位授与を可とし、教育研究審議会で承認された。 


English

Hydrogen doping for controlling electrical properties of p and n type oxide semiconductors for thin film transistors

秋山, 美穂

汎用SMFのカットオフ波長以下を用いた柔軟なユーザ容量制御モード分割多重OFDM方式

石川, 惠大

領域気象モデルWRFを用いた住環境における自然エネルギー利用可能性の地理空間分析

Kochi University of Technology

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