Devices and Methods of Measurements (E-Journal) / Приборы и методы измерений
Not a member yet
490 research outputs found
Sort by
Особенности оптоакустического возбуждения и распространения пластинчатых волн в тонкостенных объектах
Get PDFIncreasing the efficiency of non-destructive control of lamellar materials with single and double-layer structure is an urgent scientific and technical task. The aim of the work was to investigate the peculiarities of excitation and reception of plate waves (PW) in single-layer and two-layer materials by pulsed laser radiation in relation to detection of cracks in them and estimation of layer thickness at one-sided sounding. A methodology has been developed and experimental studies of the influence of moving the area of laser generation of PW over the surface of dural samples relative to the crack simulator of different depth with the subsequent reception of the signal at a characteristic angle of inclination have been carried out. A significant change in the structure of the wave front at localization of the moving wave source zone in the vicinity of the crack simulator was found, accompanied by a change in the ratio of extreme values of amplitudes of the received asymmetric mode Aextr up to 14–15 dB. At receiving the symmetric s0 mode the value of Aextr does not exceed 3–4 dB. The interpretation of this effect is given. A method and scheme of thickness measurement of twolayer materials with metallized coating and non-metallic base (glass-textolite) is proposed and developed, where samples with copper coating and glass-textolite base of different thickness are used as an example. In this case, the velocity or propagation time of PW, between two small aperture (non-directional) transducers with an acoustic base of 43 mm, is used as an informative parameter. In this case, the estimated sensitivity of the measured circuit to changes in the thickness of the metal coating is of 0.5 μm, and the base – twice as much.Повышение эффективности неразрушающего контроля пластинчатых материалов с однослойной и двухслойной структурой является актуальной научно-технической задачей. Цель работы заключалась в исследовании особенностей возбуждения и приёма пластинчатых волн (ПВ) в однослойных и двухслойных материалах импульсным лазерным излучением (ЛИ) применительно к обнаружению в них трещин и оценки толщины слоёв при одностороннем прозвучивании. Разработана методика и проведены экспериментальные исследования влияния перемещения области лазерной генерации ПВ по поверхности дюралевых образцов относительно имитатора трещины разной глубины с последующим приёмом сигнала под характерным углом наклоном βI . Установлено существенное изменение структуры волнового фронта при локализации зоны движущегося источника волн в окрестности имитатора трещины, сопровождающееся изменением отношения экстремальных значений амплитуд принимаемой асимметричной моды Aextr до 14–15 дБ. При приёме же симметричной s0 моды величина Aextr не превышает 3–4 дБ. Дана трактовка этому эффекту. Предложена и разработана методика и схема толщинометрии двухслойных материалов с металлизированным покрытием и неметаллическим основанием (стеклотекстолит), где в качестве примера использованы образцы с медным покрытием и основой из стеклотекстолита разной толщины. В данном случае в качестве информативного параметра используется скорость или время распространения ПВ, между двумя малоапертурными (ненаправленными) преобразователями. При этом оценённая чувствительность измеряемой схемы к изменению толщины металлического покрытия составляет 0,5 мкм, а основы – более чем в 2 раза хуже
Расчёт параметров призменного дефлектора лазерного сканера
Get PDFThe prism deflector which is a multifaceted prism with reflective facets is the most common scanning element that allows to quickly fill a wide scanning area with laser radiation pulses along one coordinate. The parameters of a prismatic deflector are related to the characteristics of the laser radiation of the scanned area parameters and of the deflector position, and are also limited by various factors, such as safety requirements or scanning time. The aim of this work was to analyze the relationship between the external operating conditions of a laser scanning system and the internal design parameters of a prism deflector.A variant of calculating of laser pulses frequency by the number of spots and their overlap coefficient is considered. A method for calculating of a prism deflector characteristics based on external parameters, such as the angle of incidence of radiation to the facet and the width of the Gaussian beam with dimensions that are safe for а human eye is proposed. Рrismatic deflectors parameters are proposed depending on the number of reflecting facets. Dependence of a deflector size on the angle of radiation incidence to the reflecting face is shown.When designing a prismatic deflector of a laser scanner used to fill a certain scanning area with the required angular size σ by varying such parameters as the number of faces m and the feed angle α it is possible to achieve optimal deflector characteristics and scanning mode for the task.Призменный дефлектор, представляющий собой многогранную призму с отражающими гранями, является наиболее распространённым сканирующим элементом, который позволяет производить быстрое заполнение широкой области сканирования импульсами лазерного излучения по одной координате. Параметры призменного дефлектора связаны с характеристиками лазерного излучения, параметрами сканируемой области и положением дефлектора, а также ограничены различными факторами, например, требованиями безопасности или временем сканирования. Целью работы являлся анализ взаимосвязи параметров сканирующей системы (таких как угол подачи излучения на грань призменного дефлектора, диаметр лазерного пучка) с конструктивными параметрами её сканирующего элемента – призменного дефлектора.Рассмотрен вариант расчёта частоты следования лазерных импульсов через количество лазерных пятен и их коэффициент перекрытия. Предложен метод расчёта характеристик призменного дефлектора, исходя из внешних параметров, таких как угол подачи излучения на грань и ширины гауссова пучка на выходе из оптической системы с размерами, безопасными для человеческого глаза. Приведены параметры призменных дефлекторов в зависимости от числа отражающих граней. Показана зависимость размера дефлектора от угла подачи излучения на отражающую грань.При проектировании призменного дефлектора лазерного сканера, предназначенного для заполнения некоторой области сканирования с требуемым угловым размером σ, варьируя такие параметры как количество граней m и угол подачи α, можно добиться оптимальных для поставленной задачи характеристик дефлектора и режима сканирования
Импеданс индуктивного типа барьерных структур Mo/n-Si, облучённых альфа-частицами
Get PDFIn silicon microelectronics, flat metal spirals are formed to create an integrated inductance. However, the maximum specific inductance of such spirals at low frequencies is limited to a value of the order of tens of microhenries per square centimeter. Gyrators, devices based on operational amplifiers with approximately the same specific inductance as spirals, are also used. Despite the fact that such solutions have been introduced into the production of integrated circuits, the task of searching for new elements with high values of specific inductance is relevant. An alternative to coils and gyrators can be the effect of negative differential capacitance (i.e., inductive type impedance), which is observed in barrier structures based on silicon.The purpose of the work is to study the low-frequency impedance of Schottky diodes (Mo/n-Si) containing defects induced by α-particles irradiation and determination of the parameters of these defects by methods of low-frequency impedance spectroscopy and DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy).Unpackaged Schottky diodes Mo/n-Si (epitaxial layer of 5.5 μm thickness and resistivity of 1 Ohm∙cm) produced by JSC “Integral” are studied. Inductance measurements were carried out on the as manufactured diodes and on the diodes irradiated with alpha particles (the maximum kinetic energy of an αparticle is 5.147 MeV). The impedance of inductive type of the Schottky diodes at the corresponding DC forward current of 10 µA were measured in the AC frequency range from 20 Hz to 2 MHz. DLTS spectra were used to determine the parameters of radiation-induced defects. It is shown that irradiation of diodes with alpha particles produces three types of radiation-induced defects: A-centers with thermal activation energy of E1 ≈ 190 meV, divacancies with activation energies of E2 ≈ 230 meV and E3 ≈ 410 meV, and Ecenters with activation energy of E4 ≈ 440 meV measured relative to the bottom of c-band of silicon.В кремниевой микроэлектронике для создания интегральной индуктивности формируют плоские металлические спирали. Однако максимальная удельная индуктивность таких спиралей на низких частотах ограничена значением порядка десятков микрогенри на квадратный сантиметр. Используются также гираторы – устройства на основе операционных усилителей, примерно с такой же удельной индуктивностью, как и спирали. Несмотря на то, что такие решения внедрены в производство интегральных микросхем, актуальной является задача поиска новых элементов с большими значениями удельной индуктивности. Альтернативой спиралям и гираторам может стать эффект отрицательной дифференциальной ёмкости (т. е. импеданса индуктивного типа), наблюдаемый в барьерных структурах на кремнии.Цель работы – исследование низкочастотного импеданса диодов Шоттки (Mo/n-Si), содержащих радиационные дефекты, создаваемые α-частицами, и определение параметров этих дефектов методами низкочастотной импедансной спектроскопии и спектроскопии DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy).Исследованы бескорпусные диоды Шоттки 5.5КЭФ-1 (Mo/n-Si) производства ОАО «Интеграл». Измерения индуктивности проводились на исходных диодах и на диодах, облучённых альфа-частицами (максимальная кинетическая энергия α-частицы 5.147 МэВ). В интервале частот переменного тока от 20 Гц до 2 МГц измерен импеданс индуктивного типа диодов при постоянном прямом токе 10 мкА. Для определения параметров радиационных дефектов измерялись спектры DLTS. Показано, что при облучении диодов Шоттки альфа-частицами образуется три типа радиационных дефектов: A-центры с энергией термической активации E1 ≈ 190 мэВ, дивакансии с энергиями активации E2 ≈ 230 мэВ и E3 ≈ 410 мэВ и E-центры с энергией активации E4 ≈ 440 мэВ, отсчитанные от дна c-зоны кремния
Семейство электронных стрелковых тренажёров «СТрИж»: уровни реализации и структура свободного программного обеспечения
Get PDFDevelopment of rifle electronic simulators (i.e. for hand weapons and not using ammunition) is an important task, since the production of any type of small arms according to regulatory documents also requires the production of a simulator to instill aiming and firing skills. A family of electronic shooting simulators "STrIzh" of four levels of implementation: initial, basic, professional and special is described. Structural diagrams of different configurations are given, functional purpose and capabilities of each level of simulators are shown. The initial level allows independent assemble the simulator from publicly available elements (laptop, webcam, weapon layouts, IR LEDs), which can contribute to widespread use both in schools and at home, but is low in accuracy and manufacturabili (requires daily calibration). The basic level also allows independent assemble the simulator, and less publicly available elements (laptop, projector, mockup weapons, laser emitters, FHD camera), which allows to be used both in schools and in DOSAAF structures, and has acceptable accuracy and manufacturability (a weekly calibration is enough, but assembling a mock-up weapon with laser emitters requires adjustments). It is recommended to limit the special level to virtual reality simulators, including a helmet with a smartphone and a mockup of a weapon with its smartphone which also contributes to its public availability and widespread use. The simulator software algorithm should fully support all implementation levels with different configurations and include a multimedia shooting training system. Mathematical models of external ballistics of thrown equipment for Kalashnikov assault rifle, Makarov pistol, hand-held anti-tank grenade launcher 7 products are described in detail, taking into account changes in atmospheric factors (temperature, air pressure, wind force) and dispersion of various types of ammunition. The above review of rifle simulators and their experience revealed the main trends of improvement – use of virtual reality and training not only direct shooting skills, but also training in the eligibility of the use of weapons, safe handling of them and even tactical interaction in the group. Разработка стрелковых электронных тренажёров (т. е. для ручного оружия и не использующих боеприпасы) является важной задачей, т. к. производство любого вида стрелкового вооружения, согласно нормативным документам, требует и производства тренажёра для привития навыков прицеливания и стрельбы. Описано семейство электронных стрелковых тренажёров «СТрИж» четырёх уровней реализации: начального, базового, профессионального и специального. Приведены структурные схемы различных конфигураций, показано функциональное назначение и возможности каждого из уровней тренажёров. Начальный уровень позволяет самостоятельно собирать тренажёр из общедоступных элементов (ноутбук, веб-камера, макеты оружия, ИК-светодиоды), что может способствовать широкому применению как в школах, так и дома, но отличается низкой точностью и технологичностью (требует ежедневной тарировки). Базовый уровень также позволяет самостоятельно собирать тренажёр, но уже из менее общедоступных элементов (ноутбук, проектор, макет оружия, лазерные излучатели, FHD-камера), что позволяет применять его как в школах, так и в структурах ДОСААФ, имеет приемлемую точность и технологичность (достаточно еженедельной тарировки, но сборка макета оружия с лазерными излучателями требует юстировки). Специальный уровень рекомендуется ограничить тренажёрами виртуальной реальности, включающие шлем со смартфоном и макет оружия со своим смартфоном, что также способствует его общедоступности и широкому использованию. Алгоритм работы программного обеспечения тренажёра должен полностью поддерживать все уровни реализации с различными конфигурациями и включать мультимедийную систему обучения стрельбе. Подробно описаны математические модели внешней баллистики метаемого снаряжения для автомата Калашникова, пистолета Макарова, ручного противотанкового гранатомёта 7, учитывающие изменение атмосферных факторов (температуры, давления воздуха, силы ветра) и рассеивание различных типов боеприпасов. Приведённый обзор стрелковых тренажёров и опыта их эксплуатации выявил основные тенденции совершенствования – использование виртуальной реальности и тренировка не только навыков непосредственно стрельбы, но и обучение правомочности применения оружия, безопасного обращения с ним и даже тактическому взаимодействию в группе.
Измерение электрического потенциала поверхности с использованием статического зонда
Get PDFSurface electric potential measurements are widely used in non-destructive inspection and testing of precision surfaces, for example, in the production of semiconductor devices and integrated circuits. Features of the construction and application of devices for measuring the surface electric potential using an immovable reference electrode are considered. Despite the need to increase the area of the probe compared to devices with a vibrating probe, measurement techniques with an immovable probe have a number of advantages and could expand the scope of surface electric potential measurements in the inspection of samples with precise surfaces. Models of the formation of a measuring signal in the presence of a spatial inhomogeneity of surface electric potential are presented and discussed.Методы контроля изменений электрического потенциала поверхности широко используются в операциях неразрушающего контроля прецизионных поверхностей, например, в электронной промышленности в процессе изготовления полупроводниковых приборов. Целью работы является расширение области применения методик бесконтактного контроля и измерения электрического потенциала поверхности на основе использования статического отсчётного электрода.Рассмотрены особенности построения и применения устройств измерения электрического потенциала поверхности с использованием неподвижного отсчётного электрода. Несмотря на необходимость увеличения площади зонда по сравнению с устройствами, использующими вибрирующий зонд, методики измерения с неподвижным зондом имеют ряд преимуществ и расширяют область применения измерений электрического потенциала поверхности в контроле изделий с прецизионными поверхностями. Приведены модели формирования измерительного сигна-ла при наличии пространственной неоднородности электрического потенциала поверхности.
Перечень статей, опубликованных в журнале «ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ» в 2023 г.
Get PDFТhematic index and author indexТематический и именной указател
Интеллектуальный сенсор для измерительных систем, работающих по схеме синусоидальное возбуждение – отклик
Get PDFMeasuring devices and systems containing sensors that require sinusoidal excitation are widely used in information and measurement technology both in production conditions and in research practice. Examples include various types of metal detectors, eddy current flaw detectors, analyzers of liquid media, electrometers with a dynamic capacitor, etc. The aim of the work was to develop the optimal architecture and algorithms for the operation of intelligent sensors intended for use in measuring systems operating according to the sinusoidal excitation – response scheme.This paper describes the approach proposed by the authors to the construction of intelligent sensors based on modern microcontrollers, the distinctive feature of which is the continuous generation of sinusoidal excitation and reading responses in the background, as well as setting the readiness flags for data processing in the main process of the microprocessor, which ensures uninterrupted execution of background processes, the main of which is the generation of a sinusoidal excitatory action.This approach has been tested in the development of charge-sensitive surface mapping systems, such as the Kelvin probe based on a vibrating capacitor, and the surface photo voltage probe for the case of semiconductors.Измерительные приборы и системы, содержащие датчики, требующие синусоидальное возбуждающее воздействие, широко используются в информационно-измерительной технике как в производственных условиях, так и в исследовательской практике. В качестве примеров можно привести различные типы металлоискателей, вихретоковые дефектоскопы, анализаторы жидких сред, электрометры с динамическим конденсатором и др. Целью работы являлась разработка оптимальной архитектуры и алгоритмов работы интеллектуальных сенсоров, предназначенных для использования в измерительных системах, работающих по схеме синусоидальное возбуждение – отклик.В настоящей работе описан предложенный авторами подход к построению интеллектуальных сенсоров на базе современных микроконтроллеров, отличительной особенностью которого является непрерывная генерация синусоидальных воздействий и считывание откликов в фоновом режиме, а также выставление флагов готовности для обработки данных в основном процессе микропроцессора, что обеспечивает бесперебойное выполнение фоновых процессов, главным из которых является генерация синусоидального возбуждающего воздействия.Данный подход опробован при разработке систем картирования поверхностей зарядочувствительными методами, такими как зонд Кельвина, на основе динамического конденсатора, и зонд поверхностной фото-ЭДС для случая полупроводников
Влияние температуры от 20 до 100 °С на удельную поверхностную энергию и вязкость разрушения пластин кремния
Get PDFThe influence of temperature in the range from 20 to 100 °C on the specific surface energy and fracture toughness of standard silicon wafers of three orientations (100), (110) and (111) was studied. Silicon wafers were heated on a special thermal platform with an autonomous heating controller, which was installed under the samples. At each temperature, the samples were kept for 10 min. The specific surface energy γ after exposure to temperature was determined by atomic force microscopy (AFM). Fracture toughness during and after exposure to temperature was determined by indentation followed by visualization of the deformation region using AFM. It has been established that the specific surface energy γ of Si wafers with orientation (100) and (111) increases with increasing temperature from 20 to 100 °C, and for orientation (110) it increases at temperatures from 20 to 80 °C, and then decreases. The diagonal length d of indentation marks, performed both during the heating process and after heating, decreases by increasing the temperature from 20 to 100 °C. The crack length c decreases on silicon wafers during indentation during heating from 20 to 100 °C, and after exposure to temperature, the length increases. When the plates are exposed to temperature, the fracture toughness KIC increases with increasing temperature: for orientation (100) – up to 1.61 ± 0.08 MPa·m1/2, for (110) – up to 1.60 ± 0.08 MPa·m1/2 and for (111) – up to 1.66 ± 0.04 MPa·m1/2. A direct correlation was established between KIC, measured during exposure to temperature, and an inverse correlation between KIC measured after exposure to temperature and specific surface energy for the (100) and (111) orientations. An inverse correlation was obtained by KIC at the (110) orientation when exposed to temperatures of 20–40 and 80–100 °C, and after exposure, a direct correlation was obtained. At 60 °C there is no correlation. The results obtained can be used to improve the mechanical properties of silicon wafers used in solar cells and microelectromechanical systems (operating at temperatures up to 100 °C).Проведены исследования влияния температуры в диапазоне от 20 до 100 °С на удельную поверхностную энергию и вязкость разрушения стандартных пластин кремния трёх ориентаций (100), (110) и (111). Пластины кремния нагревали на специальной термоплатформе с автономным контроллером нагрева, которую устанавливали под образцы. При каждой температуре образцы выдерживали в течении 10 мин. Удельная поверхностная энергия γ после воздействия температуры определялась методом атомно-силовой микроскопии (АСМ). Вязкость разрушения во время и после воздействия температуры определялась методом индентирования с последующей визуализацией области деформации методом АСМ. Установлено, что удельная поверхностная энергия γ пластин кремния ориентации (100) и (111) увеличивается с увеличением температуры от 20 до 100 °С, у ориентации (110) – увеличивается при температурах от 20 до 80 °С, а затем снижается. Длина диагонали d отпечатков индентирования, выполняемых как в процессе нагрева, так и после нагрева, уменьшается с увеличением температуры от 20 до 100 °С. Длина трещин c уменьшается на пластинах кремния при индентировании во время нагрева от 20 до 100 °С, а после воздействия температуры длина увеличивается. Во время воздействия температуры на пластины вязкость разрушения KIC увеличивается с увеличением температуры: для ориентации (100) – 1,61 ± 0,08 MПa·м1/2, для (110) – до 1,60 ± 0,08 MПa·м1/2 и для (111) – до 1,66 ± 0,04 MПa·м1/2. Установлена прямая корреляция KIC , измеренной во время воздействия температуры, и обратная корреляция KIC , измеренной после воздействия температуры, c удельной поверхностной энергией для ориентаций (100) и (111). Обратная корреляция KIC с γ получена на ориентации (110) при воздействии температур 20–40 и 80–100 °С, а после воздействия – прямая корреляция. При 60 °С корреляции нет. Полученные результаты могут быть использованы для улучшения механических свойств кремниевых пластин, используемых в солнечных элементах и микроэлектромеханических системах (работающих при температурах до 100 °С)
Обратное рассеяние ультразвуковых волн как основа метода контроля структуры и физико-механических свойств чугунов
Get PDFIncreasing the reliability of control of cast iron structure and its physical and mechanical characteristics is an important scientific and technical task of the machine-building industry. The paper studies the possibilities of controlling the structure of cast irons using structural noise created by ultrasonic scattering on graphite inclusions of different shapes. The subject of the present studies was such characteristics of structural noise as amplitude-temporal A(t) and as root mean square value of the amplitude of the ultrasonic waves backscattering field AN, compared with the data on ultrasonic velocity and strength or tensile strength of cast iron samples. As a result of the studies, a significant difference between the amplitude parameters of the AN structural noise obtained for samples with different shapes of graphite inclusions at 5 MHz was revealed for the first time. So, for example, for samples of gray cast iron (Russian: СЧ10, СЧ15, СЧ20, СЧ25), having predominantly plate-like form of graphite inclusions, the value of AN on 14–15 dB exceeds that measured in high-strength specimens of the cast iron with the prevailing form of spherical graphite inclusions ВЧ50 (Russian), etc. At the same time growth of longitudinal ultrasonic velocity amounted to 20–25 %. The method of rejection of gray cast iron from high-strength cast iron according to the data of amplitude parameters of structural noise AN at unilateral and local sounding of the object without using an additional reference signal reflected from its oppositional wall is suggested.Повышение надёжности контроля структуры чугунов и их физико-механических характеристик является важной научно-технической задачей машиностроительной промышленности. В работе изучены возможности контроля структуры чугунов, используя структурный шум, создаваемый рассеянием ультразвуковых колебаний на графитовых включениях разной формы. Предметом настоящих исследований являлись такие характеристики структурного шума как амплитудновременные А(t) и среднеквадратичные амплитуды AN волн рассеяния, сопоставляемые с данными по скорости ультразвуковых колебаний, а также прочностью или временным сопротивлением на растяжение образцов чугунов. В результате исследований впервые выявлено существенное различие между амплитудными параметрами структурного шума AN, полученными для образцов с разной формой графитовых включений на частоте 5 МГц. Так, например, для образцов серого чугуна (СЧ10, СЧ15, СЧ20, СЧ25), имеющих преимущественно пластинчатую форму графитовых включений, величина AN на 14–15 дБ превышает ту, что измерена в высокопрочных чугунах с превалирующей формой включений графита шаровидной формы – ВЧ50. При этом, рост продольной скорости ультразвука с увеличением временного сопротивления составил ≈ 20–25 %. Предложен метод отбраковки серого чугуна от высокопрочного по данным амплитудных параметров структурного шума AN при одностороннем и локальном прозвучивании объекта без использования дополнительного опорного сигнала, отражённого от его оппозитной стенки
Компактный лазер на основе кристалла Tm:KY(WO4)2 , работающий в режиме пассивной модуляции добротности
Get PDFDiode-pumped thulium lasers emitting in the spectral range near 2 μm are attractive for applications in different areas: surgery, rangefinding, and environmental atmosphere monitoring. In this article the latest results of Tm:KYW laser performance with a polycrystalline Cr:ZnSe as the most available saturable absorber for 2 μm spectral region are presented.A maximum continuous-wave output power of ≈ 0.65 W with a slope efficiency of 55 % was obtained at the wavelength of 1940 nm. Laser pulses with energy of 26 μJ and repetiotion rate of 6 kHz coresponding to 156 mW of average output power at 1910 nm were obtained at 2.2 W of incident puwp power for the Cr:ZnSe saturable absorber with initial transmission of 95 %. By using of saturable absorber with lower initial transmission of 90 % laser pulses with energy of 40 μJ and duration as short as 10 ns were realized. The maximal pulse repetition rate was 2.8 kHz at incident pump power of 2.2 W.Based on the obtained results, it can be concluded that Tm:KYW crystals are promising active media for the compact passively Q-switched lasers emitting in the spectral range near 2 μm for the usage in surgery and rangefinding. Also, described laser is planned to be used as a laser source in laser-induced damage threshold measurements setup for investigation of damage threshold of saturable absorbers as well as nonlinear crystals at the wavelength near 2 μm.Тулиевые лазеры с диодной накачкой, работающие в спектральной области около 2 мкм, находят широкое применение в различных областях, таких как хирургия, дальнометрия и дистанционное зондирование атмосферы. В статье продемонстрирован макет твердотельного Tm:KYW лазера, работающий в режиме пассивной модуляции добротности с насыщающимся поглотителем на основе поликристаллического Cr:ZnSe, синтезированного методом химического газофазного осаждения.Максимальная выходная мощность лазера в непрерывном режиме генерации достигала ≈ 0,65 Вт на длине волны 1940 нм при дифференциальной эффективности по поглощённой мощности накачки 55 %. В режиме пассивной модуляции добротности при использовании насыщающегося поглотителя Cr:ZnSe c начальным пропусканием 95 % энергия лазерных импульсов составила 26 мкДж, максимальная частота следования импульсов достигала 6 кГц при падающей мощности накачки 2.2 Вт. При использовании насыщающегося поглотителя с начальным пропусканием 90 % энергия лазерных импульсов достигала 40 мкДж, длительность импульсов не превышала 10 нс.На основе полученных результатов можно сделать вывод, что данные кристаллы являются перспективными активными средами для лазеров, излучающих в спектральном диапазоне около 2 мкм, для применения в составе хирургических систем и систем лазерной дальнометрии. Предполагается использование разработанного макета лазера в составе комплекса по измерению порог оптического разрушения насыщающихся поглотителей и нелинейных кристаллов в области 2 мкм.